CN102363149A - 一种太阳能硅片的清洗方法 - Google Patents
一种太阳能硅片的清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102363149A CN102363149A CN2011101812864A CN201110181286A CN102363149A CN 102363149 A CN102363149 A CN 102363149A CN 2011101812864 A CN2011101812864 A CN 2011101812864A CN 201110181286 A CN201110181286 A CN 201110181286A CN 102363149 A CN102363149 A CN 102363149A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning method
- silicon wafer
- aqueous solution
- solar silicon
- hcn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明属于太阳能硅片清洗技术领域,特别是太阳能硅片表面金属离子去除的方法。步骤如下:一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗;二、将清洗后的硅片浸入一定pH值的质量百分含量为0.03%~0.05%的HCN水溶液中,室温下浸泡20~30秒钟;三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。本发明通过将硅片用HCN水溶液清洗后,使得硅片表面的金属污染物含量从1013原子/cm2降低至109原子/cm2,并且使得电池的转换效率增加了2%。
Description
技术领域
本发明属于太阳能级硅片清洗技术领域,特别是太阳能硅片表面金属离子去除的方法。
背景技术
太阳能级硅晶体切片所用的切割钢线为一根表面镀有铜镀层的铁丝,在硅晶体切片过程中,钢线上的金属铜和金属铁在切割前沿的高温下会侵蚀硅片,使硅片表面形成缺陷,进而对电池的转换效率造成影响。传统的硅片清洗方法是利用无机酸、氧化剂、无机碱以及表面活性剂等溶液分别对硅片进行清洗。由于硅片表面的金属离子被清洗到溶液中后还会存在反吸附,传统的硅片清洗方法无法将硅片表面铜和铁污染物的含量清洗至一定要求的水平以下。因此,将硅片表面铜和铁污染物的含量降低至某一要求的水平以下,可减少硅片表面的缺陷,提高硅片的少子寿命,从而提高电池的转换效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种太阳能硅片的清洗方法,将硅片表面铜和铁污染物的含量降低。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种太阳能硅片的清洗方法,其特征是:包括如下步骤:
一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗;
二、将清洗后的硅片浸入一定pH值的质量百分含量为0.03%~0.05%的HCN水溶液中,室温下浸泡20~30秒钟;
三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。
具体地,HCN水溶液的质量百分含量为0.05%。
具体地,HCN水溶液的质量百分含量为0.03%。
HCN水溶液可以是KCN或NaCN水溶液。
HCN水溶液的pH值为6~10。
调节pH值的溶液为氨水。
步骤二的浸泡时间为20秒钟。
或者,步骤二的浸泡时间为30秒钟。
本发明的有益效果是:通过将硅片用HCN水溶液清洗后,使得硅片表面的铜和铁污染物含量从1013原子/cm2降低至109原子/cm2,并且使得电池的转换效率增加了2%。
具体实施方式
实施例1,一种太阳能硅片的清洗方法,其步骤如下:
一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗;
二、将清洗后的硅片浸入利用2%的氨水调节的pH为8的质量百分含量为0.03%的HCN水溶液中,室温下浸泡20秒钟;
三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。
通过将硅片用HCN水溶液清洗后,使得硅片表面的铜和铁污染物含量从1013原子/cm2降低至109原子/cm2,并且使得电池的转换效率增加了2%。
实施例2,一种太阳能硅片的清洗方法,其步骤如下:
一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗;
二、将清洗后的硅片浸入利用2%的氨水调节的pH为6的质量百分含量为0.05%的HCN水溶液中,室温下浸泡30秒钟;
三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。
实施例3,一种太阳能硅片的清洗方法,在实施例1和2的清洗过程中起作用的是HCN在水溶液中电离来的CN离子,而KCN或NaCN在水溶液中也可电离出CN离子,因此用KCN或NaCN也可以达到清洗并去除金属离子的目的。
其步骤如下:
一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗;
二、将清洗后的硅片浸入利用氨水调节至pH为6~10的质量百分含量为0.03%~0.05%的KCN或NaCN水溶液中,室温下浸泡20~30秒钟;
三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。
Claims (8)
1.一种太阳能硅片的清洗方法,其特征是:包括如下步骤:
一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗;
二、将清洗后的硅片浸入一定pH值的质量百分含量为0.03%~0.05%的HCN水溶液中,室温下浸泡20~30秒钟;
三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。
2.根据权利要求1所述的太阳能硅片的清洗方法,其特征是:所述的HCN水溶液的质量百分含量为0.05%。
3.根据权利要求1所述的太阳能硅片的清洗方法,其特征是:所述的HCN水溶液的质量百分含量为0.03%。
4.根据权利要求1所述的太阳能硅片的清洗方法,其特征是:所述的HCN水溶液可以是KCN或NaCN水溶液。
5.根据权利要求1所述的太阳能硅片的清洗方法,其特征是:所述的HCN水溶液的pH值为6~10。
6.根据权利要求1所述的太阳能硅片的清洗方法,其特征是:所述的调节pH值的溶液为氨水。
7.根据权利要求1所述的太阳能硅片的清洗方法,其特征是:所述的步骤二的浸泡时间为20秒钟。
8.根据权利要求1所述的太阳能硅片的清洗方法,其特征是:所述的步骤二的浸泡时间为30秒钟。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011101812864A CN102363149A (zh) | 2011-06-30 | 2011-06-30 | 一种太阳能硅片的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011101812864A CN102363149A (zh) | 2011-06-30 | 2011-06-30 | 一种太阳能硅片的清洗方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102363149A true CN102363149A (zh) | 2012-02-29 |
Family
ID=45689759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011101812864A Pending CN102363149A (zh) | 2011-06-30 | 2011-06-30 | 一种太阳能硅片的清洗方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102363149A (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1881538A (zh) * | 2005-06-13 | 2006-12-20 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 用以改善硅片表面金属离子污染的清洗方法 |
CN102010793A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 硅片清洗剂的制备方法 |
-
2011
- 2011-06-30 CN CN2011101812864A patent/CN102363149A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1881538A (zh) * | 2005-06-13 | 2006-12-20 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 用以改善硅片表面金属离子污染的清洗方法 |
CN102010793A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 硅片清洗剂的制备方法 |
Non-Patent Citations (8)
Title |
---|
《Journal of The Electrochemical Society》 20060314 Naozumi Fujiwara Mechanism of copper removal from SiO2 surfaces by hydrogen cyanide aqueous Solutions G394-G398 5-6 第153卷, 第5期 * |
HIROAKI NARITA: "Complete Removal of Copper Contaminants on Bare Silicon Surface by the Use of HCN Aqueous Solutions", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》 * |
MASAO TAKAHASHI: "Chemical States of Copper Contaminats on SiO2 Surfaces and Their Removal by ppm-order HCN Aqueous Solutions", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》 * |
MASAO TAKAHASHI: "Si cleaning method without surface morphology change by cyanide solutions", 《APPLIED SURFACE SCIENCE》 * |
MASAO TAKAHASHI: "Silicon cleaning and defect passivation effects of hydrogen cyanide aqueous solutions", 《SOLID STATE COMMUNICATION》 * |
MOHAMMAD MADANI: "SiC Cleaning Method by use of Dilute HCN Aqueous Solutions", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》 * |
N.FUJIWARA: "Removal of copper and nickel contaminants from Si Surface by the use of cyanide solutions", 《APPLIED SURFACE SCIENCE》 * |
NAOZUMI FUJIWARA: "Mechanism of copper removal from SiO2 surfaces by hydrogen cyanide aqueous Solutions", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107658221B (zh) | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法 | |
US8163073B2 (en) | Alkalescent chemical silver plating solution | |
CN102185035B (zh) | 一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺 | |
CN113793801B (zh) | 一种磷化铟衬底晶片的清洗方法 | |
CN102751377A (zh) | 一种用于高效晶硅太阳电池制作的表面湿法处理工艺 | |
CN102881620B (zh) | 一种石英舟清洗和饱和处理方法 | |
CN103441182B (zh) | 太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池 | |
CN102593268A (zh) | 采用绒面光滑圆整技术的异质结太阳电池清洗制绒方法 | |
CN103894362A (zh) | 一种镀膜返工片的清洗方法 | |
CN102315113A (zh) | 一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液及应用 | |
CN105018905A (zh) | 一种锚杆钢表面化学镀镍磷镀层的制备方法 | |
CN102810596A (zh) | 冶金级单晶以及类单晶硅的绒面制备方法 | |
CN103887369A (zh) | 一种硅片镀膜色差片的返工方法 | |
CN102254953B (zh) | N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片制造方法 | |
CN105671642A (zh) | 一种太阳能光伏电池硅片制绒液 | |
CN102800741A (zh) | 背接触晶体硅太阳能电池片制造方法 | |
CN102363149A (zh) | 一种太阳能硅片的清洗方法 | |
CN104701425A (zh) | 晶体硅太阳能电池的扩散后处理工艺 | |
WO2012091395A3 (ko) | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 | |
CN104485386A (zh) | 一种多晶硅太阳能电池的制绒方法 | |
CN112853329B (zh) | 一种单晶硅异质结太阳能电池用化学镀铜方法 | |
CN102569506A (zh) | 一种采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法 | |
CN113990981A (zh) | 一种单晶绒面光滑圆整处理工艺 | |
CN107473331B (zh) | 浓水处理方法及硅片脱胶方法 | |
CN104616898A (zh) | 一种额外退火处理改善铝箔发孔性能的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120229 |