CN102330074B - 一种双层膜补充镀膜工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种双层膜补充镀膜工艺，包括：测量获取裸硅折射率d，镀完第一层膜的膜厚度B和折射率e，镀完第二层膜的膜厚度C和折射率f的步骤；测量获取镀膜失败片的膜厚度T和折射率N的步骤；通过折射率判断镀膜中止所处于的层数并对镀膜失败片进行补镀的步骤。本发明使出现镀膜中止的硅片方便的得到补镀，大大的提高了产品的一次良品率，节约了生产成本，而且该发明还具有设备要求低、适用面广、参数控制精确等优点。

Description

一种双层膜补充镀膜工艺
技术领域
本发明涉及太阳能晶体硅PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition -- 等离子体增强化学气相沉积法）领域，尤其是涉及一种在镀膜失败时补充镀膜的工艺。
背景技术
 在太阳能领域，管式PECVD被大规模应用在晶体硅的减反射膜层制作上，其中，双层氮化硅膜工艺因为较好的兼顾了减反射和钝化效果，得到越来越广泛的应用。在生产工艺中，由于受到很多因素的影响，经常会出现镀膜中止的现象，为提高产品的一次良品率，需要对镀膜失败片进行补充镀膜。
 但是该工艺的两层膜的膜厚和折射率都不同，镀膜过程中膜厚和折射率的变化不规律，再加上检测仪器的固有局限性，因此，在镀膜失败时补充镀膜的工艺不能产生良好的效果。
发明内容
 本发明针对现有技术的不足，为此提供了一种在椭偏仪所测得数据基础上，对双层氮化硅膜进行补镀的工艺，包括：测量获取裸硅折射率d，镀完第一层膜的膜厚度B和折射率e，镀完第二层膜的膜厚度C和折射率f的步骤；测量获取镀膜失败片的膜厚度T和折射率N的步骤；通过折射率判断镀膜中止所处于的层数并对镀膜失败片进行补镀的步骤。
 本发明双层膜补充镀膜工艺，通过椭偏仪测量获取裸片折射率d，镀完第一层膜的膜厚度B和折射率e，镀完第二层膜的膜厚度C和折射率f。
 本发明双层膜补充镀膜工艺，通过折射率判断镀膜中止所处于的层数并对镀膜失败片进行补镀的步骤包括：判断镀膜失败片的折射率T是否大于镀完第一层膜的折射率e并且小于裸片的折射率d，若是，则需补镀第一层膜和完镀第二层膜；判断镀膜失败片的折射率T是否大于镀完第二层膜的折射率f并且小于镀完第一层膜的折射率e，若是，则需补镀第二层膜；否则镀膜失败片为不可补镀的废片。
 本发明双层膜补充镀膜工艺，所述补镀第一层膜的补镀时间为：（N-e）/（d-e）*（第一层膜沉积时间）；所述补镀第二层膜的补镀时间为：（T-B）/（C-B）*（第二层膜沉积时间）。
 本发明的有益效果是：
本发明工艺使出现镀膜中止的硅片方便的得到补镀，大大的提高了产品的一次良品率，节约了生产成本，而且该发明还具有设备要求低、适用面广、参数控制精确等优点。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。
本说明书（包括任何附加权利要求、摘要）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
本发明双层膜补充镀膜工艺，步骤如下：
（1）分别用椭偏仪测量裸硅折射率d，镀完第一层膜的膜厚度B、折射率e，镀完第二层膜的膜厚度C、折射率f；
（2）测量获取镀膜失败片的膜厚度T、折射率N；
（3）分析镀膜中止阶段并对镀膜失败片进行补镀：当d＞N＞e，镀膜中止在第一层，需补镀部分第一层膜和完镀第二层膜；当e＞N＞f，镀膜中止在第二层，需补镀部分第二层膜。补镀第一层膜的时间为：（N-e）/（d-e）*（第一层膜沉积时间），补镀第二层膜的时间为：（T-B）/（C-B）*（第二层膜沉积时间）。
实施例1
（1）某工艺裸硅折射率d：3.0，镀完第一层膜的膜厚度B：40nm、折射率e：2.65，镀完第二层膜的膜厚度C：80nm、折射率f：2.04。
（2）取一片镀膜失败片，测量得膜厚T：43nm，折射率N：2.8，因3.0＞2.8＞2.65，判断镀膜中止在第一层，两层膜沉积时间各为200s、600s。
（3）计算第一层补镀时间为：（2.8-2.65）/（3.0-2.65）*200=85.7s。
实施例2
（1）某工艺裸硅折射率d：3.0，镀完第一层膜的膜厚度B：40nm、折射率e：2.65，镀完第二层膜的膜厚度C：80nm、折射率f：2.04。
（2）取一片镀膜失败片，测量得膜厚T：60nm，折射率N：2.17，因2.65＞2.17＞2.04，判断镀膜中止在第二层，两层膜沉积时间各为200s、600s。
（3）计算第一层补镀时间为：（60-40）/（80-40）*600=300s。
 本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。

Claims (4)

1.一种双层膜补充镀膜工艺，其特征在于，包括：
测量获取裸硅折射率d，镀完第一层膜的膜厚度B和折射率e，镀完第二层膜的膜厚度C和折射率f的步骤；
测量获取镀膜失败片的膜厚度T和折射率N的步骤；
通过折射率判断镀膜中止所处于的层数并对镀膜失败片进行补镀的步骤，该步骤包括：
判断镀膜失败片的折射率T是否大于镀完第一层膜的折射率e并且小于裸片的折射率d，若是，则需补镀第一层膜和完镀第二层膜，补镀第一层膜的补镀时间为：（N-e）/（d-e）*第一层膜沉积时间；
判断镀膜失败片的折射率T是否大于镀完第二层膜的折射率f并且小于镀完第一层膜的折射率e，若是，则需补镀第二层膜，补镀第二层膜的补镀时间为：（T-B）/（C-B）*第二层膜沉积时间；
否则镀膜失败片为不可补镀的废片。
2.根据权利要求1所述的一种双层膜补充镀膜工艺，其特征在于，通过椭偏仪测量获取裸片折射率d，镀完第一层膜的膜厚度B和折射率e，镀完第二层膜的膜厚度C和折射率f。
3.根据权利1或2所述的一种双层膜补充镀膜工艺，其特征在于，所述第一层膜沉积时间为200s。
4.根据权利1或2所述的一种双层膜补充镀膜工艺，其特征在于，所述第二层膜沉积时间为600s。
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