CN102315320A - 用于形成太阳能电池的选择性发射器的方法和设备 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 166
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 74
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
- H01L31/188—Apparatus specially adapted for automatic interconnection of solar cells in a module
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本发明公开了用于形成太阳能电池的选择性发射器的方法和设备。根据本发明一个实施例的用于形成太阳能电池的选择性发射器的设备包括:传送装置,用来传送在其上表面上形成有第一发射器层的衬底,第一发射器层中扩散并形成有n型杂质;载物台,从传送装置向其提供衬底并且支撑被提供的衬底;预加热装置,用来对载物台所支撑的衬底进行预加热;激光辐射装置,位于载物台的上方与载物台分隔开,并且用来在一部分的第一发射器层上辐射激光以形成其中进一步扩散并形成有n型杂质的第二发射器层。
Description
技术领域
本发明涉及用于形成太阳能电池的选择性发射器的方法和设备。
背景技术
随着环境污染问题变得日益严重,近来已经有一些对能够减轻环境污染的可再生能源的研究。尤其是,对能够通过使用太阳能而产生电能的太阳能电池给予了大量关注。然而,为了在实际产业中利用太阳能电池,太阳能电池的光电转换效率必需足够高,并且太阳能电池的制造成本必需很低。
从光电转换效率的角度,因为太阳能电池的理论效率极限不是很高,所以增加实际太阳能电池的光电转换效率存在局限性,但是世界知名的研究组已经报道了硅太阳能电池目前具有24%或更高的光电转换效率。
但是,在大批量生产太阳能电池的情况下,太阳能电池的实际平均光电转换效率很难高于17%。因此,需要可以应用于具有30MW或更大的年生产能力的自动化大批量生产线的高效制造方法。
发明内容
技术问题
本发明提供用于形成太阳能电池的选择性发射器的方法和设备,所述方法和设备可以通过形成选择性发射器来提高太阳能电池的光电转换效率并且可以以稳定的方式形成该选择性发射器。
技术方案
本发明的一个方面表征为一种用于形成太阳能电池的选择性发射器的设备,该设备包括:传送装置,用来传送衬底,该衬底上表面上形成有第一发射器层,该第一发射器层中扩散并形成有n型杂质;载物台,从传送装置向该载物台提供衬底并且该载物台支撑被提供的衬底;预加热装置,用来对载物台所支撑的衬底进行预加热;激光辐射装置,位于载物台的上方与载物台分隔开并且用来在第一发射器层的一部分上辐射激光以形成其中进一步扩散并形成有n型杂质的第二发射器层。
预加热装置可以通过载物台对衬底进行预加热。
第二发射器层可以包括:在要形成母线电极的位置形成的处母线层;以及在要形成指状电极的位置处形成的指状层。激光辐射装置可以包括:可在第一方向上移动以形成母线层的第一激光辐射装置;和可在与第一方向交叉的第二方向上移动以形成指状层的第二激光辐射装置。
载物台可以包括:顺序排列的第一载物台和第二载物台,第一激光辐射装置可以放置在第一载物台的上面并且形成母线层,第二激光辐射装置可以放置在第二载物台的上面并且形成指状层。
激光辐射装置可在第一方向上移动以形成母线层,以及在与第一方向交叉的第二方向上移动以形成指状层。
传送装置可以包括一传送带,载物台可以被放置在该传送带的底面。
用于形成太阳能电池的选择性发射器的设备还可以包括衬底传感器,该衬底传感器放置在载物台前面并感应衬底的传送,以及控制传送带的操作使得衬底放置在载物台之上并停止。
用于形成太阳能电池的选择性发射器的设备还可以包括对准传感器,该对准传感器感应被放置在载物台之上的衬底的对准状态,并且可以根据衬底的对准状态校正激光辐射装置的位置。
对准传感器可以放置在载物台的底面上,并且可以在载物台上设置一透明区域使得对准传感器可以感应衬底的对准状态。
对准传感器可以包括:用来感应衬底后面的第一传感器;用来感应衬底侧面的第二传感器;和用来感应衬底的旋转状态的第三传感器。
第一传感器、第二传感器、和第三传感器中的每一个都可以包括照明装置和照相机。
为了防止被放置在载物台之上的衬底移动,可以在载物台中形成用来提供负压力的负压孔。
本发明的另一方面表征为一种用于形成太阳能电池选择性发射器的方法,其包括:将衬底放置到载物台的之上,衬底的上表面形成有第一发射器层,该第一发射器层中扩散并形成有n型杂质;对放置在载物台之上的衬底进行预加热;向第一发射器层的一部分辐射激光,形成其中进一步扩散并形成有n型杂质的第二发射器层。
预加热可以通过载物台进行。
第二发射器层可以包括:在要形成母线电极的位置处形成的母线层;以及在要形成指状电极的位置处形成的指状层。激光的辐射可以通过下面的装置来进行:用来在第一方向上移动以形成母线层的第一激光辐射装置;以及用来在与第一方向交叉的第二方向上移动以形成指状层的第二激光辐射装置。
第二发射器层可以包括:在要形成母线电极的位置处形成的母线层;和在要形成指状电极的位置处形成的指状层。激光的辐射可以通过激光辐射装置来进行,该激光辐射装置可在第一方向上移动以形成母线层并且可在与第一方向交叉的第二方向上移动以形成指状层。
激光的辐射可以通过放置在衬底的之上与衬底分隔开的激光辐射装置来进行,并且所述方法还可以包括:感应放置在载物台之上的衬底的对准状态;以及根据衬底的对准状态校正激光辐射装置的位置。
感应衬底的对准状态可以包括:照明衬底;和对衬底的端部进行照相。
感应衬底的对准状态可以包括:感应衬底前面;感应衬底的侧面;和感应衬底的旋转状态。
可以在载物台中形成负压孔,并且所述方法还包括向衬底提供负压以固定放置在载物台之上的衬底。
有益效果
本发明的优选实施例可以通过形成选择性发射器提高太阳能电池的光电转换效率,并且可以以稳定的方式形成选择性发射器。
附图说明
图1是图示根据本发明一方面用于形成太阳能电池的选择性发射器的方法流程图。
图2和图3图示在衬底的表面上涂覆杂质。
图4图示向衬底施加热能以形成第一发射器层。
图5是图示其上形成有第一发射器层的衬底的剖面图。
图6图示辐射激光以形成第二发射器层。
图7是其中形成有第二发射器层的衬底的剖面图。
图8和9是图示扩散系数随温度变化的图表。
图10是图示如何形成母线层和指状层的平面图。
图11是图示如何形成母线电极和指状电极的平面图。
图12是图示根据本发明另一个方面用于形成太阳能电池的选择性发射器的设备的侧视图。
图13到15是图示根据本发明另一个方面用于形成太阳能电池的选择性发射器的设备的多种实施例的透视图。
图16是传送组件的平面图。
图17是载物台组件的透视图。
图18是图示图17除去了载物台的平面图。
图19是载物台组件的侧视图。
附图标记说明
10:衬底
12:杂质
13a:母线电极
13b:指状电极
14:第一发射器层
16:第二发射器层
16a:指状层
1000,1000a,1000b:传送组件
100a,100b,100c:传送装置
200:载物台
300:预加热装置
400,400a,400b:激光辐射装置
具体实施方式
由于本发明可以有多种改变和实施例,所以将参照附图阐述和描述某些实施例。然而,这并不意味着将本发明限制于某些实施例,而应理解为本发明包括本发明的理念和范围所覆盖的所有的改变、等效物和替代。在本发明的整个描述中,当决定描述某一技术而并未注意本发明的观点时,将省略相关的详细描述。
诸如“第一”和“第二”的术语可以用来描述各种元件,但是所述元件不应局限于上述术语。上述术语仅用来将一个元件与其他元件区分开。
说明书中所使用的术语仅用来描述某些实施例,而不意味着限制本发明。除非另有明确的使用,否则单数形式的表达包括多数形式的含义。在本说明书中,诸如“包含”或“包括”的表达旨在表明特征、数量、步骤、操作、元件、部件、或其组合,并且不应被理解为排除任何一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、元件、部件、或其组合的存在或可能性。
下面将参照附图详细描述根据本发明用于形成太阳能电池的选择性发射器的方法和设备的优选实施例。不管是哪一附图,相同或相应的元件都将赋予相同的参考标记,并且不再重复对相同或相应元件的任何冗余描述。
将参照图1至图11来描述根据本发明一方面的用于形成太阳能电池的选择性发射器的方法。
首先,将衬底10放置到载物台200上(图12图示)(S100),衬底10的上表面形成有第一发射器层14,该第一发射器层14中扩散并形成有n型杂质12。载物台200支撑衬底10,而且在衬底10上形成选择性发射器是当载物台200支撑衬底10时进行的。通过在衬底10固定在载物台200上时进行选择性发射器的形成,可以以稳定的方式形成选择性发射器而不会对衬底10产生振动。
衬底10可以是掺杂有硼离子的p型硅衬底,并且衬底10的表面已经形成有第一发射器层14。也即,根据本实施例,选择性发射器(即第二发射器层16)是通过与形成第一发射器层14的工序不同的工序形成的。
在此,第一发射器层14相当于扩散并形成有诸如磷的杂质12的n层。为了制备这种衬底10,可以将含有诸如磷的杂质12的溶液涂覆到硅衬底10的表面上(见图2和3),然后可以向硅衬底10的表面施加热能E1(见图4)。当向硅衬底10的表面施加热能E1时,杂质12的离子可以扩散到硅衬底10中,形成第一发射器层14(见图5)。
然后,如图6所示,对放置在载物台200上的衬底10(参照图12)进行预加热(S200),然后向一部分的第一发射器层14辐射激光L,形成其中进一步扩散并形成有n型杂质12的第二发射器层16(S300)。换言之,在将能量施加到整个衬底10之后,向第一发射器层14中已经扩散有n型杂质12的部分辐射激光L。
在此,为了在第一发射器层14的特定部分中形成第二发射器层16,通过预加热而施加到衬底10上的能量E3与通过激光L而施加的能量E2的总和必需大于用于形成第一发射器层14的能量E1(E2+E3>E1)。如果仅用激光L来施加比用于形成第一发射器层14的能量E1大的能量,就必需将过大强度的激光L集中到衬底10的特定部分上,这可能会在衬底10的特定部分处造成损坏,如表面烧蚀。
为了解决这个问题,在本实施例中通过与激光L的辐射分开地进行预加热工序,将一定量的能量E3通过预加热施加到整个衬底10,而将除了通过预加热提供的能量E3外所需的能量E2通过激光辐射来提供。结果是,可以防止被激光L辐射的区域与其余区域之间的能量差别过大,由此防止衬底10损坏。在此,预加热工序和激光辐射工序可以连续或同时进行。
当将比用于形成第一发射器层14的能量E1大的能量E2+E3如上所述通过预加热和激光辐射施加到一部分的第一发射器层14上时,n型杂质12进一步扩散到被激光L辐射的那部分中,结果是在那部分第一发射器层14中形成了第二发射器层16(见图7)。下面将更详细地描述这一原理。
当固体内的原子浓度不均匀时,固体内的原子通过热运动从高浓度区域向低浓度区域扩散,直到整个固体内的原子浓度变均匀。这种扩散量与浓度梯度成比例的基于菲克第一定律的扩散现象可以用下面的公式来表示。
【公式1】
在[公式1]中,J是扩散量(即经过单位面积的扩散材料的量),D是扩散系数,C是扩散材料的浓度,x是扩散材料在Y轴上的移动距离。
在此,扩散系数随温度升高而显著增加,这可以用下面的公式表示。
【公式2】
D=D0e-Q/kT
在[公式2]中,D0是对温度不敏感的常数,k是玻兹曼常数,T是温度。Q被称为激活能,它根据材料而具有2和5eV之间的数值。在图8和9所示的图表中图示了根据[公式2],扩散系数随温度的变化。例如,当Q=2eV并且D0=8×10-5m2/sec时,在300°K下D约为10-38m2/sec,但是当T=1500°K时D显著增加到10-11m2/sec。
因此,如图8所示,如果假设分别将能量E1和能量E2+E3提供到硅衬底10的彼此具有不同温度的两个不同点上,因为这两个点的扩散系数分别为彼此不同的D1和D2,所以杂质12达到的水平也变得不同(即扩散系数随温度升高而增加),从而使得在第一发射器层14的特定部分中形成第二发射器层16,而将两个发射器层彼此区分开,如图7所示。
如图9所示,可以在表示对数函数与温度之间的倒数关系的图表中重新绘制图8所示的图表。下面的公式是与[公式2]表示的、在图9中示出的图表相对应的对数函数。
【公式3】
如图10所示,选择性地形成在第一发射器层14上的第二发射器层16可以包括母线层16a和指状层16b,母线层16a形成在要形成太阳能电池的母线电极13a的位置处(见图11);而指状层16b形成在要形成指状电极13b的位置处(见图11)。为了形成所有的母线层16a和指状层16b,上述的激光辐射工序可以分成用来形成母线层16a的第一工序和用来形成指状层16b的第二工序。
在此,应理解的是,第一工序和第二工序可以通过一个激光辐射装置或两个激光辐射装置来进行。后面将描述用来进行该些工序的特定设备的结构。图11示出在指状层16b上形成有指状电极13b而在母线电极16a上形成有母线电极13a。排除了形成指状电极13b和母线电极13a的区域形成有防反射膜11。
至此,已经描述了根据本发明一个方面用来形成太阳能电池的选择性发射器的方法,此后将描述根据本发明另一个方面用来形成太阳能电池的选择性发射器的设备。上述用来形成太阳能电池的选择性发射器的方法能够通过与下述用来形成太阳能电池选择性发射器的设备相同或类似的设备来进行。因此,应理解的是,对下面要描述的每一个设备的操作的描述也可以应用于上述用来形成太阳能电池的选择性发射器的方法中。
如图12所示,根据本发明另一个方面用来形成太阳能电池的选择性发射器的设备主要由下述部件构成:用于传送衬底10的传送装置100a、100b、100c(一起为“100”)(见图16),衬底10上形成有第一发射器层14(见图7);用来支撑所提供的衬底10的载物台200;用来对衬底10进行预加热的预加热装置300;以及激光辐射装置400,用来通过在第一发射器层14的某部分上辐射激光而形成其中进一步扩散并形成有n型杂质的第二发射器层17(见图7)。
传送装置100执行向载物台200提供其上已经形成有第一发射器层14的衬底10的功能。虽然可以将机械手(未图示)用于这样的传送装置100,但是本实施例提出传送带,该传送带利于连续制造。通过如在本实施例中那样使用传送带来实施传送衬底10的流水方法,连续的处理成为可能,并且可以提高生产率。
载物台200支撑通过传送装置100而提供的衬底10,当衬底10被载物台200支撑时,在衬底10上选择性地形成第二发射器层17。通过在衬底10固定于载物台200上时选择性地形成第二发射器层16,可以以稳定的方式形成选择性发射器,而衬底10不会发生振动。
如图16所示,上述传送装置100和载物台200可以以单一组件的形式来构成,在此将这种单一组件形式称作传送组件1000。后面将描述传送组件1000的具体结构。
由传送装置100提供到载物台200上的衬底10可以是掺杂有硼离子、并且已经在其表面上形成有第一发射器层14的p型硅衬底。制备其上预先形成有第一发射器层14的衬底10的工序与前面的描述相同,因此在此将不提供具体描述。
预加热装置300执行对载物台200所支撑的衬底100进行预加热的功能。通过预加热装置300向整个衬底10施加一定量的能量E3(见图6)并且通过激光辐射装置400提供除了通过预加热提供的能量E3外所需的能量E2(见图6),可以防止经激光L辐射的区域与未经激光L辐射的区域之间的能量差别过大。从而如前所述,可以防止由于向衬底10相关区域集中了过大强度的辐射激光而损坏衬底10的相关区域。
预加热装置300可以通过载物台200对衬底10进行预加热。也即,预加热装置300可以加热载物台200以使被加热的载物台200对衬底10进行预加热。在这种情况下,如图12所示,可以采用嵌入在载物台200中的加热线圈作为预加热装置300。
虽然在本实施例中描述了经由载物台200预加热衬底10,但是本发明不限于本实施例中所描述的方式,应该可以独立于载物台200而采用能直接加热衬底10的非接触型预加热装置。
激光辐射装置400与载物台分隔开而位于载物台200的上方,并且向载物台200所支撑的衬底10的预定部位辐射激光L。在被激光辐射的部分处,杂质进一步扩散以允许形成第二发射器层16。
如前面参照图10所述,选择性地形成在第一发射器层14上的第二发射器层16可以包括母线层16a和指状层16b,该母线层16a形成在要形成太阳能电池的母线电极13a的位置处(见图11);而指状层16b形成在要形成指状电极13b的位置处(见图11)。为了形成所有的母线层16a和指状层16b,激光辐射工序可以分成用来形成母线层16a的第一工序和用来形成指状层16b的第二工序。
在此,应理解的是,第一工序和第二工序可以由一个激光辐射装置400或两个激光辐射装置400a、400b来进行(见图13和15)。图13示出了用来执行第一工序的可沿一个方向(例如x轴方向)移动的第一激光辐射装置400a和用来执行第二工序的可沿另一个方向(例如y轴方向)移动的第二激光辐射装置400b。
图14示出了一个沿x轴方向和y轴方向都可移动使得能够执行第一工序和第二工序的激光辐射装置400。
如图15所示,可以存在两个顺序排列的传送组件1000a、1000b和两个激光辐射装置400a、400b来执行第一工序和第二工序。也即,第一工序可在前传送组件1000a的载物台200a上用可沿x轴方向移动的第一激光辐射装置400a来进行,第二工序可在后传送组件1000b的载物台200b上用可沿y轴方向移动的第二激光辐射装置400b来进行。
虽然图15示出了两个传送组件1000a、1000b分开预定的距离,但是所述两个传送组件1000a、1000b应该也可以连续设置使得可以通过设置在两个载物台之间的传送带连续地传送衬底。
下面将参照图16到19而更详细地描述传送组件100的结构。由于图15示出的两个传送组件1000a、1000b相同,所以在此将不单独描述这两个组件。
传送组件1000配置为容纳衬底10,在激光辐射的时候支撑衬底并且将已经完成激光辐射的衬底10传送到下面的工序。图16示出了传送组件100,包括:通常成板形的载物台架500;放置在载物台架500上的前传送装置100a;载物台组件TA;以及后传送装置100b。
前传送装置100a执行向载物台组件TA提供衬底10的功能,后传送装置100b执行将已经完成激光辐射的衬底10传送到下面的工序的功能。载物台组件TA提供有来自前传送装置100a的衬底10,并执行在向衬底10辐射激光时支撑衬底10的功能。在此,在载物台组件TA上设置中心传送装置100c。
在本实施例中,将传送带用于前传送装置100a、后传送装置100b、和中心传送装置100c。通过实施使用传送带的流水类型,连续处理变为可能,并且可以提高产量。中心传送装置100c将衬底100放置在载物台200上,可以通过将该中心传送装置100c与具有辊子240(见图17)等的传送带框架260(见图17)耦接来操作该中心传送装置100c。
如上所述,如果采用传送带作为将衬底10放置到载物台200上的传送装置100,则可以将载物台200设置在中心传送装置100c(即传送带)下面的预定位置处。然而,本发明不限于此,而可以根据传送装置100的结构来改变载物台200的位置。
如图16所示,感应衬底10的传送的衬底传感器110可以放置在载物台200前面。衬底传感器110可以通过感应正在向载物台200传送的衬底10而执行将衬底10停止在精确位置处的功能。为了执行这一功能,衬底传感器110可以探测衬底10的传送,然后在经过预定的时间(例如1.5秒)之后停止传送带100的运行。
载物台200的上表面可以形成有槽230(见图17),使得传送带100c可以插入槽230中。通过在载物台200中形成槽230,可以防止衬底10与载物台200被传送带100c不必要地分隔开,使得载物台200可以以更稳定的方式支撑衬底10。
根据本实施例用于形成太阳能电池选择性发射器的设备可以包括对准传感器222a、222b、222c(一起为“222”,见图18),所述对准传感器感应放置于载物台200之上的衬底10的对准状态。为了确保激光辐射装置400与衬底10之间的匹配,对准传感器222探测于载物台200之上放置的衬底10的对准状态。探测到的衬底10的对准状态被发送到上述激光辐射装置400、400a、400b,基于衬底10的对准状态可以校正激光辐射装置400、400a、400b的位置。
对于对准传感器222,本实施例提出在载物台200下方放置的照相机和照明装置。为此,载物台200可以具有透明的区域220a、220b、220c(一起为“220”,见图17),使得照相机可以感应衬底10的对准状态。在此,应理解的是,透明区域200并不必然意味着完全透明,而可以是足够透明以光学地感应衬底10的对准状态。本实施例的透明区域220以石英来提供。
对准传感器222可以包括:用来感应衬底10后面的第一传感器222a;,用来感应衬底10侧面的第二传感器222b;以及用来感应衬底10的旋转状态的第三传感器222c。因此,X轴和Y轴方向上的对准误差可以通过用第一传感器222a和第二传感器222b感应后面和侧面边缘来确定,而旋转对准误差可以用第三传感器222c来确定。
一旦感应到衬底10的对准状态,就可以通过载物台升降机250(见图17)提升载物台200和放置在载物台200之上的衬底10。载物台升降机250执行使载物台200提升和降低预定高度的功能。在衬底10被载物台升降机250提升的同时,可以在衬底10上进行激光辐射。
载物台升降机250可以包括:沿载物台200的外边缘彼此分开地设置并且可垂直延伸的多条支撑腿251;用来垂直地移动传送带架260的汽缸252。每条支撑腿251可以固定到支撑架253上以进行更好的组装。其他可以用于载物台升降机250的功率传送结构可以包括线性致动器(未图示)和齿轮传动链(未图示)。
载物台200中还可以形成有负压孔210以防止放置在载物台200上的衬底10移动。通过在载物台200中形成负压孔210和例如用泵(未图示)向衬底10的底面提供负压,衬底10变得紧密地依附到载物台200上,防止衬底10的对准状态陷入混乱。
至此,已经描述了根据本发明另一个方面用于形成太阳能电池的选择性发射器的设备结构,下面将描述根据本发明一实施例的设备的操作。
一旦将衬底10提供到载物台200上,预加热装置300就向衬底10提供热能。热能的提供可以一直持续到完成激光辐射。
对准传感器222感应放置于载物台200之上的衬底10的对准状态,然后提升其上放置了衬底10的载物台200。
探测到的衬底10的对准状态被传送给与载物台200分开并放置在载物台200之上的激光辐射装置400,根据衬底10的对准状态校正激光辐射装置400的位置。
经位置校正的激光辐射装置400向衬底10上的预定位置辐射激光,选择性地形成第二发射器层16(见图17)。
一旦完成激光辐射,就将载物台降低到其原始位置,然后传送衬底10进行下面的工序。
虽然已经描述了本发明的特定优选实施例,但是应理解的是,在不背离本发明的技术理念和范围下,本领域技术人员可以对本发明进行各种修改和变化。
还应理解,除了上述的实施例之外,在本发明的权利要求中还有许多其他实施例。
Claims (20)
1.一种用于形成太阳能电池的选择性发射器的设备,包括:
传送装置,用来传送衬底,该衬底的上表面上形成有第一发射器层,该第一发射器层中扩散并形成有n型杂质;
载物台,从传送装置向该载物台提供衬底并且该载物台支撑所提供的衬底;
预加热装置,用来对载物台所支撑的衬底进行预加热;
激光辐射装置,位于载物台的上方与载物台分隔开,并且用来在一部分的第一发射器层上辐射激光以形成第二发射器层,该第二发射器层中进一步扩散并形成有n型杂质。
2.根据权利要求1所述的设备,其中预加热装置通过载物台对衬底进行预加热。
3.根据权利要求1所述的设备,其中第二发射器层包括:
在要形成母线电极的位置处形成的母线层;
在要形成指状电极的位置处形成的指状层,
其中,激光辐射装置包括:
第一激光辐射装置,在第一方向上是可移动的以形成母线层;和
第二激光辐射装置,在与第一方向交叉的第二方向上是可移动的以形成指状层。
4.根据权利要求3所述的设备,其中载物台包括顺序地排列的第一载物台和第二载物台,
其中第一激光辐射装置放置于第一载物台的一上面并且用来形成母线层,以及
其中第二激光辐射装置放置于第二载物台的一上面并且用来形成指状层。
5.根据权利要求1所述的设备,其中第二发射器层包括:
在要形成母线电极的位置处形成的母线层;
在要形成指状电极的位置处形成的指状层,
其中激光辐射装置在第一方向上是可移动的以形成母线层,并且在与第一方向交叉的第二方向上是可移动的以形成指状层。
6.根据权利要求1所述的设备,其中传送装置包括一传送带,并且
其中载物台放置于该传送带的一下面。
7.根据权利要求6所述的设备,还包括一衬底传感器,该衬底传感器放置在载物台前面并且感应衬底的传送以及控制传送带的操作使得衬底放置并且停止在载物台之上。
8.根据权利要求1所述的设备,还包括一对准传感器,该对准传感器感应被放置在载物台之上的衬底的对准状态,并且
其中激光辐射装置的位置是根据衬底的对准状态进行校正的。
9.根据权利要求8所述的设备,其中对准传感器放置在载物台的一下面,并且
其中在载物台中设有一透明区域,使得对准传感器感应衬底的对准状态。
10.根据权利要求9所述的设备,其中对准传感器包括:
第一传感器,用来感应衬底的后面;
第二传感器,用来感应衬底的侧面;和
第三传感器,用来感应衬底的旋转状态。
11.根据权利要求10所述的设备,其中第一传感器、第二传感器、和第三传感器中的每一个都包括照明装置和照相机。
12.根据权利要求1所述的设备,其中在载物台中形成有用来提供负压力的负压孔以防止放置在载物台之上的衬底移动。
13.一种用来形成太阳能电池选择性发射器的方法,包括:
将衬底放置到载物台之上,该衬底上表面上形成有第一发射器层,第一发射器层中扩散并形成有n型杂质;
对放置在载物台之上的衬底进行预加热;和
向第一发射器层的一部分辐射激光,形成其中进一步扩散并形成有n型杂质的第二发射器层。
14.根据权利要求13所述的方法,其中通过载物台进行预加热。
15.根据权利要求13所述的方法,其中第二发射器层包括:
在要形成母线电极的位置处形成的母线层;
在要形成指状电极的位置处形成的指状层,
并且其中激光的辐射可以通过下面的装置来进行:
第一激光辐射装置,用来在第一方向上移动以形成母线层;和
第二激光辐射装置,用来在与第一方向交叉的第二方向上移动以形成指状层。
16.根据权利要求13所述的方法,其中第二发射器层包括:
在要形成母线电极的位置处的形成母线层;
在要形成指状电极的位置处的形成指状层,
并且其中通过激光辐射装置来进行激光的辐射,该激光辐射装置在第一方向上是可移动的以形成母线层并且该激光辐射装置在与第一方向交叉的第二方向上是可移动的以形成指状层。
17.根据权利要求13所述的方法,通过放置在衬底的上方与衬底分隔开的激光辐射装置来进行激光的辐射,并且该方法还包括:
感应放置在载物台之上的衬底的对准状态;和
根据衬底的对准状态校正激光辐射装置的位置。
18.根据权利要求13所述的方法,其中感应衬底的对准状态包括:
照明衬底;和
对衬底的端部进行照相。
19.根据权利要求13所述的方法,其中感应衬底的对准状态包括:
感应衬底的前面;
感应衬底的侧面;和
感应衬底的旋转状态。
20.根据权利要求13所述的方法,其中在载物台中形成负压孔,并且所述方法还包括向衬底提供负压以固定放置在载物台之上的衬底。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2010-0064330 | 2010-07-05 | ||
KR1020100064330A KR101160641B1 (ko) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | 태양전지의 선택적 에미터 형성방법 및 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102315320A true CN102315320A (zh) | 2012-01-11 |
Family
ID=45428300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011101921467A Pending CN102315320A (zh) | 2010-07-05 | 2011-07-05 | 用于形成太阳能电池的选择性发射器的方法和设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101160641B1 (zh) |
CN (1) | CN102315320A (zh) |
TW (1) | TWI450411B (zh) |
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-
2010
- 2010-07-05 KR KR1020100064330A patent/KR101160641B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-07-05 TW TW100123751A patent/TWI450411B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-07-05 CN CN2011101921467A patent/CN102315320A/zh active Pending
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KR101160641B1 (ko) | 2012-06-28 |
TW201212271A (en) | 2012-03-16 |
KR20120003622A (ko) | 2012-01-11 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
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|
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TA01 | Transfer of patent application right |
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|
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120111 |