CN102299682A - 振荡电路 - Google Patents

振荡电路 Download PDF

Info

Publication number
CN102299682A
CN102299682A CN2011100810151A CN201110081015A CN102299682A CN 102299682 A CN102299682 A CN 102299682A CN 2011100810151 A CN2011100810151 A CN 2011100810151A CN 201110081015 A CN201110081015 A CN 201110081015A CN 102299682 A CN102299682 A CN 102299682A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
coupled
control signal
electric capacity
direct current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011100810151A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102299682B (zh
Inventor
陈则朋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ali Corp
Original Assignee
Ali Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ali Corp filed Critical Ali Corp
Publication of CN102299682A publication Critical patent/CN102299682A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102299682B publication Critical patent/CN102299682B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1262—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising switched elements
    • H03B5/1265—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising switched elements switched capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00—Continuous tuning
    • H03J3/20—Continuous tuning of single resonant circuit by varying inductance only or capacitance only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/025—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an electronic switch for switching in or out oscillator elements
    • H03B2201/0266—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an electronic switch for switching in or out oscillator elements the means comprising a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J2200/00—Indexing scheme relating to tuning resonant circuits and selecting resonant circuits
    • H03J2200/10—Tuning of a resonator by means of digitally controlled capacitor bank

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

本发明公开了一种振荡电路包含振荡源、储能电路与切换式电容模块。储能电路包含储能电感与储能电容。切换式电容模块数位式地控制振荡电路中的电容值。切换式电容模块包含电容、开关与直流馈入电路。电容耦接于第一节点与第二节点的间。开关耦接于第二节点与第三节点之间，且开关的控制端锁在已知电压。直流馈入电路包含第一端与第二端。当直流馈入电路的第二端接收第一控制信号时，电容透过开关耦接于第一节点与第三节点之间，而与储能电容并联耦接。当直流馈入电路的第二端接收第二控制信号时，电容与储能电路不并联耦接。

Description

振荡电路
技术领域
本发明涉及一种振荡电路(oscillating circuit)，特别涉及一种可数字式控制电容值的压控振荡电路(voltage-controlled oscillator)。
背景技术
许多无线通信系统(如手机)需内建振荡电路以产生高频信号，来处理(如调制、解调)无线通信系统所接收的信号或欲发送的信号。以手机为例，为了避免其它手机的干扰，手机必须操作于较大的频率范围或较多的频道。一般而言，无线通信系统为了能在较大的频率范围内操作，通常需设置频率同步器(frequency synthesizer)。频率同步器包括可控制的振荡电路(如压控振荡电路)。该可控制的振荡电路用来接收控制电压或控制信号，以调整输出的振荡信号到所需的频率。
振荡电路可利用一具有电感与电容的储能电路来实施，该储能电路根据其电感和电容而共振于一特定频率，为了调整振荡信号的频率，储能电路中的电感值或是电容值必须是可调的。举例而言，将一受电压控制的可变电容(如变容二极管，varactor)并联耦接至储能电路的电容，如此，透过调整电压，即可改变储能电路的电容值，以调整储能电路的共振频率，并进而改变振荡电路所输出的振荡信号的频率。
当手机欲避免其它手机的干扰时，该手机必须可更精确地选择其操作频率。然而，由于公知技术的可控制的振荡电路(压控振荡电路)采用模拟式控制电容值的方式，因此导致公知技术的振荡电路无法精确控制所输出的振荡信号频率，如此造成手机无法在正确的频率上操作，就有可能受到干扰。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是精确控制振荡电路所输出的振荡信号频率。
为解决上述技术问题，本发明提供一种振荡电路，该振荡电路包含一放大器、一储能电路(tank circuit)，以及一切换式电容模块(discretely switchablecapacitance module)。该储能电路包含一储能电感与一储能电容。该切换式电容模块用来控制该振荡电路中的电容值。该切换式电容模块包含一电容、一开关，以及一直流馈入电路(DC-feed circuit)。该电容耦接于一第一节点与一第二节点之间。该开关具有一控制端。该开关耦接于该第二节点与一第三节点之间。该直流馈入电路包含一第一端耦接至该第二节点，以及一第二端用来接收一第一控制信号或一第二控制信号。该开关的控制端接收一已知电压。当该第一控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间而与该储能电路的储能电容并联耦接。当该第二控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容与该储能电路不并联耦接。
本发明另提供一种控制一振荡电路中电容值的方法。该方法包含施加于一已知电压至一开关的一控制端，以及选择性地施加一第一控制信号或一第二控制信号至一直流馈入电路的一第一端。该开关耦接于地端与一电容的一第一端之间，且该电容的一第二端耦接于该振荡电路的一输出端。该直流馈入电路的一第二端耦接于该电容的该第一端。当该第一控制信号施加于该直流馈入电路的该第一端时，该电容透过该开关耦接于该第一节点与一第三节点之间，而与该振荡电路的一储能电路并联耦接。当该第二控制信号施加于该直流馈入电路的该第一端时，该电容与该储能电路不并联耦接。
本发明另提供一种控制一振荡电路的电容值的装置。该装置包含一第一电容、一第二电容、一开关、一第一直流馈入电路，以及一第二直流馈入电路。该第一电容耦接于一第一节点与一第二节点之间。该第二电容耦接于一第三节点与一第四节点之间。该开关具有一控制端。该开关耦接于该第二节点与该第四节点之间。该第一直流馈入电路具有一第一端耦接于该第二节点，以及一第二端用来接收一控制信号。该第二直流馈入电路具有一第一端耦接于该第四节点，以及一第二端用来接收该控制信号。该开关的该控制端接收一已知电压。当一第一控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容与该第二电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间。当一第二控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容以及该第二电容断开耦接。
本发明另提供一种控制一振荡电路的电容值的方法。该方法包含施加于一预定电压至耦接于一第一电容与一第二电容的一开关的一控制端，透过一第一直流馈入电路，施加一第一控制信号或一第二控制信号至一耦接于该第一直流馈入电路、该第一电容与该开关的节点，以及透过一第二直流馈入电路，施加该第一控制信号或该第二控制信号至一耦接于该第二直流馈入电路、该第二电容与该开关的节点。当施加该第一控制信号时，该第一电容耦接至该第二电容，且该第一电容与该第二电容与该振荡电路的一储能电路并联耦接。当施加该第二控制信号时，该第一电容与该第二电容断开耦接，且该第一电容以及该第二电容与该储能电路不并联耦接。
本发明另提供一种频率同步器(frequency synthesizer)，该频率同步器包含一放大器、一储能电路，以及一切换式电容模块。该储能电路包含一储能电感与一储能电容。该切换式电容模块用来控制该振荡电路中的电容值。该切换式电容模块包含一电容、一开关，以及一直流馈入电路。该电容耦接于一第一节点与一第二节点之间。该开关具有一控制端。该开关耦接于该第二节点与一第三节点之间。该直流馈入电路包含一第一端耦接至该第二节点，以及一第二端用来接收一第一控制信号或一第二控制信号。该开关的控制端接收一已知电压。当该第一控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间而与该储能电路的储能电容并联耦接。当该第二控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容与该储能电路不并联耦接。
本发明另提供一种频率同步器。该频率同步器包含一第一电容、一第二电容、一开关、一第一直流馈入电路，以及一第二直流馈入电路。该第一电容耦接于一第一节点与一第二节点之间。该第二电容耦接于一第三节点与一第四节点之间。该开关具有一控制端。该开关耦接于该第二节点与该第四节点之间。该第一直流馈入电路具有一第一端耦接于该第二节点，以及一第二端用来接收一控制信号。该第二直流馈入电路具有一第一端耦接于该第四节点，以及一第二端用来接收该控制信号。该开关的该控制端接收一已知电压。当一第一控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容与该第二电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间。当一第二控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容以及该第二电容断开耦接。
本发明另提供一种无线通信系统(wireless communication system)。该无线通信系统包含一放大器、一储能电路，以及一切换式电容模块。该储能电路包含一储能电感与一储能电容。该切换式电容模块用来控制该振荡电路中的电容值。该切换式电容模块包含一电容、一开关，以及一直流馈入电路。该电容耦接于一第一节点与一第二节点之间。该开关具有一控制端。该开关耦接于该第二节点与一第三节点之间。该直流馈入电路包含一第一端耦接至该第二节点，以及一第二端用来接收一第一控制信号或一第二控制信号。该开关的控制端接收一已知电压。当该第一控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间而与该储能电路的储能电容并联耦接。当该第二控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容与该储能电路不并联耦接。
本发明另提供一种无线通信系统。该无线通信系统包含一第一电容、一第二电容、一开关、一第一直流馈入电路，以及一第二直流馈入电路。该第一电容耦接于一第一节点与一第二节点之间。该第二电容耦接于一第三节点与一第四节点之间。该开关具有一控制端。该开关耦接于该第二节点与该第四节点之间。该第一直流馈入电路具有一第一端耦接于该第二节点，以及一第二端用来接收一控制信号。该第二直流馈入电路具有一第一端耦接于该第四节点，以及一第二端用来接收该控制信号。该开关的该控制端接收一已知电压。当一第一控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容与该第二电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间。当一第二控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容以及该第二电容断开耦接。
本发明另提供一种具有频率输出的电路。该电路产生一输出频率。该输出频率随着一切换式电容模块中的电容值变化。该切换式电容模块包含一电容、一开关，以及一直流馈入电路。该电容耦接于一第一节点与一第二节点之间。该开关具有一控制端。该开关耦接于该第二节点与一第三节点之间。该直流馈入电路包含一第一端耦接至该第二节点，以及一第二端用来接收一第一控制信号或一第二控制信号。该开关的控制端接收一已知电压。当该第一控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间。当该第二控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容与该第三节点断开耦接。
本发明的优点为：可精确地控制输出频率。当本发明应用于频率同步器并应用于手机时，可让手机精确地控制其操作频率，以避免其它手机的干扰。
附图说明
图1为说明本发明振荡电路的第一实施例的示意图。
图2为说明本发明振荡电路的第二实施例的示意图。
图3为说明本发明的切换式电容模块的另一实施例的示意图。
图4为说明利用图3的切换式电容模块所实现本发明振荡电路的示意图。
其中，附图标记说明如下：
1、2、C、28a、28b、328a、端点
328b、329a、329b
16、442        放大器
17                          储能电路
18、420、421                储能电感
20                          储能电容
22、322、323                电容
28、328、329                直流馈入电路
40                          输出端
41、42、43、341、342、343、 节点
344、P、N
50                          频率选择模块
100、200                    振荡电路
320、24                     开关
460                         分压电路
480                         缓冲模块
BUF1-BUFN                   缓冲器
CM1-CMN、14、300、          切换式电容模块
DM1-DMN
D                           漏极
G                           栅极
S                           源极
Q1、                        场效应晶体管
SC、SC1-SCN                 控制信号
SOSC                        振荡信号
VBIAS                       已知电压
VDC、VDCA、VDCB             直流电压
VDD                         电源电压
440、441                    晶体管
具体实施方式
本发明提供一种振荡电路。利用本发明所提供振荡电路所实现的频率同步器可精确地控制其输出频率。如此，当该频率同步器应用于手机时，可让手机精确地控制其操作频率，以避免其它手机的干扰。
请参考图1。本发明第一振荡电路100，该第一振荡电路100为频率同步器中的内部元件，或是无线通信系统如手机中的内部元件。第一振荡电路100用来于输出端40输出振荡信号SOSC。第一振荡电路100包含放大器16、储能电路17(LC tank circuit)，以及切换式电容模块14。放大器16提供一振荡源。放大器16的实施方式很多，其结构以及工作原理为业界所公知的技术，故不再赘述。储能电路17包含储能电感18与储能电容20，只要设定储能电感18的电感值与储能电容20的电容值，就可设定振荡信号SOSC的频率的初始值。切换式电容模块14用来选择性地提供一电容与储能电路17并联耦接，以调整振荡信号SOSC的频率。切换式电容模块14包含电容22、直流馈入电路28，以及开关24。电容22耦接于第一节点41与第二节点42之间。直流馈入电路28可为一电阻或电感，包含一第一端28a与一第二端28b。开关24可为P型通道金氧半导体(P-type metal-oxide semiconductor，PMOS)场效应晶体管。开关24可以透过场效应晶体管实施。举例而言，在图1中的开关24以P型金氧半导体(P-channel Metal Oxide Semiconductor，PMOS)场效应晶体管Q1实施，开关24具有第一端1、第二端2，以及控制端C。开关24耦接于第二节点42与第三节点43之间，其中第三节点43耦接至地端。开关24的控制端C接收已知电压VBIAS。其中开关24的第一端1为PMOS场效应晶体管Q1的源极S，开关24的第二端2为PMOS场效应晶体管Q1的漏极D，且开关24的控制端C为PMOS场效应晶体管Q1的栅极G，接收一具有固定电平的已知电压VBIAS(如0.9V)。当一适当的电压施加于PMOS场效应晶体管Q1的栅极G，且一控制电压施加于PMOS场效应晶体管Q1的源极S时，PMOS场效应晶体管Q1导通。当PMOS场效应晶体管Q1处于主动区(activeregion)时，PMOS场效应晶体管Q1的源极S与漏极D可视为短路。当PMOS场效应晶体管Q1的源极S没有被施加电压时，PMOS场效应晶体管Q1的源极S与漏极D可视为断路。直流馈入电路28包含第一端28a与第二端28b。直流馈入电路28的第一端28a耦接至第二节点42。直流馈入电路28的第二端28b用来接收控制信号SC。直流馈入电路28可施加控制信号SC(其中控制信号SC为一直流信号)至PMOS场效应晶体管Q1的源极S且防止输出端40上的振荡信号SOSC(其中振荡信号SOSC为一交流信号)从第一节点41通过电容22而耦接至直流电压VDC，因而造成负载影响。
控制信号SC用来配合已知电压VBIAS以控制电容22是否与储能电路17的储能电容20并联耦接。当控制信号SC为一第一控制信号时，开关24(场效应晶体管Q1)导通，而使电容22与储能电路17的储能电容20并联耦接，当控制信号SC为一第二控制信号时，开关24(场效应晶体管Q1)不导通，而使电容22与323储能电路17的储能电容20不并联耦接。举例而言，当控制信号SC为高电平(如1.8V，此时控制信号SC为一第一控制信号)时，PMOS场效应晶体管Q1的栅极-源极电压VGS小于一临界电压VTH，而使PMOS场效应晶体管Q1导通，因此，此时电容22透过导通的PMOS场效应晶体管Q1耦接于第一节点41与第三节点43之间(在本实施例中第三节点43耦接至地端)。由于储能电路17中的储能电感20耦接于第一节点41与地端之间，因此电容22与储能电路17的储能电容20并联耦接，如此，储能电路17中的等效电容值会随着电容22的电容值而增加。当控制信号SC为低电平(如0V，或是等同于地端的电平，此时控制信号SC为一第二控制信号)时，PMOS场效应晶体管Q1的栅极-源极电压VGS大于临界电压VTH，而使PMOS场效应晶体管Q1关闭，如此，当控制信号SC为低电平时，电容22与储能电路17断开连接，因此，电容22的电容值不会影响储能电路17中的等效电容值。
由上述说明可知，透过施加一具有固定电平的已知电压VBIAS至开关24的控制端C，并控制施加于开关24的第一端1(在实施例为PMOS场效应晶体管Q1的源极S)的控制信号SC的电平，可调整储能电路17的等效电容值，并进而调整第一振荡电路100的输出端40上的振荡信号SOSC的频率。
请参考图2。图2为说明本发明的第二实施例的示意图。相较于第一振荡电路100，第二振荡电路200包含多个切换式电容模块CM1～CMN，其中切换式电容模块CM1～CMN的结构与工作原理与切换式电容模块14类似。此外，第二振荡电路200另包含频率选择模块50。频率选择模块50用来输出控制信号SC1～SCN，以分别控制切换式电容模块CM1～CMN是否提供电容与储能电路17的电容20并联耦接。举例而言，频率选择模块50可输出一多字节数字信号[110]用来表示所输出的控制信号SC1为高电平、所输出的控制信号SC2为高电平，且所输出的控制信号SC3为低电平，此时切换式电容模块CM1与CM2分别会提供电容与储能电路17的电容20并联耦接，且切换式电容模块CM3不提供电容与储能电路17的电容20并联耦接。此外，切换式电容模块CM1～CMN所提供的电容的电容值不一定要相同。换句话说，在本发明第二振荡电路200中，透过适当地设计切换式电容模块CM1～CMN中的电容的电容值，即可凭借频率选择模块50所输出的控制信号SC1～SCN，可以数字地控制振荡信号SOSC至所需的频率。如此，利用本发明第二振荡电路200，可更精确地控制手机的操作频率，以避免干扰。
请参考图3与图4。图3为说明本发明的切换式电容模块300的另一实施例的示意图。切换式电容模块300为一差动(differential)切换式电容模块。图4为说明利用差动切换式电容模块300所实施的差动式第三振荡电路400的示意图。在图3中，差动切换式电容模块300包含靠近负节点N(也就是第一节点341)的电容322与靠近正节点P(也就是第三节点343)的电容323、直流馈入电路328与329，以及开关320。电容322耦接于第一节点341与第二节点342之间。电容323耦接于第三节点343与第四节点344的间。开关320可以透过场效应晶体管Q1实施。场效应晶体管Q1可为PMOS场效应晶体管或NMOS场效应晶体管。场效应晶体管Q1包含漏极D、源极S以及栅极G。场效应晶体管Q1的漏极D耦接至第二节点342，场效应晶体管Q1的源极S耦接至第四节点344。场效应晶体管Q1的栅极G(也就是开关320的控制端)接收已知电压VBIAS。已知电压VBIAS，举例而言，可为0.9V。直流馈入电路328包含第一端328a与第二端328b。直流馈入电路328的结构以及工作原理与直流馈入电路28类似，直流馈入电路328的第一端328a耦接至第二节点342，直流馈入电路328的第二端328b接收控制信号SC。直流馈入电路329的第一端329a耦接至第四节点344，且直流馈入电路329的第二端329b也接收控制信号SC。当控制信号SC输入至直流馈入电路328的第二端328b与直流馈入电路329的第二端329b，且场效应晶体管Q1的栅极G接收已知电压VBIAS时，差动第三振荡电路400的振荡信号会通过开关320(场效应晶体管Q1)，且此时电容322与323串联耦接。更明确地说，当控制信号SC为一第一控制信号时，开关320(场效应晶体管Q1)导通，而使电容322与323串联耦接，当控制信号SC为一第二控制信号时，开关320(场效应晶体管Q1)不导通，而使电容322与323断开耦接。举例而言，场效应晶体管Q1为PMOS场效应晶体管，当控制信号SC为高电平(如1.8V，此时控制信号SC为一第一控制信号)时，PMOS场效应晶体管Q1的栅极-源极电压VGS会小于临界电压VTH，而使PMOS场效应晶体管Q1导通，如此电容322与323串联耦接。当控制信号SC为低电平(如0V，，此时控制信号SC为一第二控制信号)时，PMOS场效应晶体管Q1的栅极-源极电压VGS会大于临界电压VTH，而使PMOS场效应晶体管Q1不导通，如此电容322与323与外部电路断开耦接，且振荡信号不会通过电容322与323，因此电容322与323不会对连接于正节点P与负节点N的外部电路造成影响。同理，若场效应晶体管Q1为NMOS场效应晶体管，则当控制信号SC为低电平(如0V，此时控制信号SC为一第一控制信号)时，NMOS场效应晶体管Q1的栅极-源极电压VGS会大于临界电压VTH，而使NMOS场效应晶体管Q1导通，如此电容322与323串联耦接。当控制信号SC为高电平(如1.8V，此时控制信号SC为一第二控制信号)时，NMOS场效应晶体管Q1的栅极-源极电压VGS会小于临界电压VTH，而使NMOS场效应晶体管Q1不导通，如此电容322与323与外部电路断开耦接，且振荡信号不会通过电容322与323，因此电容322与323不会对连接于正节点P与负节点N的外部电路造成影响。
在图4中，为第三振荡电路400，该第三振荡电路400为一差动式振荡电路，且该振荡电路可为频率同步器中的内部元件，或是无线通信系统(如手机)中的内部元件。第三振荡电路400用来从正节点P(也就是节点343)与负节点N(也就是节点341)输出一差动式振荡信号。第三振荡电路400包含储能电路430、放大器442，与频率选择模块50。放大器442包含晶体管440与441，如图4所示，晶体管440与441交互耦接。储能电路430包含储能电感420、421，以及差动切换式电容模块DM1～DMN。储能电感420的一端耦接于第一节点341，且储能电感420的另一端接收电源电压VDD。储能电感421的一端耦接于第三节点343，且储能电感421的另一端耦接于储能电感420，且接收电源电压VDD。储能电感420与421的电感值，举例而言，可设定为第三振荡电路400所需的总电感值的一半。储能电路430的电容是由差动切换式电容模块DM1～DMN所提供。差动切换式电容模块DM1～DMN系利用图3中的差动切换式电容模块300所实现。差动切换式电容模块DM1～DMN中的直流馈入电路分别接收的控制信号SC1～SCN，且差动切换式电容模块DM1～DMN中的开关的控制端接收已知电压VBIAS。在第三振荡电路400中，频率选择模块50可输出一多字节数字信号用来表示所输出的控制信号SC1～SCN，频率选择模块50透过控制信号SSC1～SCN以控制差动切换式电容模块DM1～DMN中的开关320是否导通。换句话说，频率选择模块50可控制差动切换式电容模块DM1～DMN是否提供电容耦接于正节点P与负节点N之间，而改变数字控制储能电路430中的等效电容值。如此，数字控制电容值的装置400可更精确地控制差动式振荡信号的频率。
此外，如图4所示，第三振荡电路400可另包含分压电路460与缓冲模块480。分压电路460耦接于地端与电源电压VDD之间，用来产生已知电压VBIAS。分压电路460包含电阻R1与R2。电阻R1系与电阻R2串联耦接。透过设计电阻R1与R2的电阻值，可决定已知电压VBIAS。缓冲模块480包含缓冲器BUF1～BUFN。缓冲器BUF1～BUFN分别缓冲频率选择模块50所输出的控制信号SC1～SCN，以提供给切换式电容模块DM1～DMN。此外，分压电路460与缓冲模块480也可应用于本发明第一实施例与第二实施例。
综上所述，在本发明所提供的振荡电路中，切换式电容模块中的开关的控制端接收已知电压，如此，透过直流馈入电路提供给开关的第一端(或场效应晶体管的源极)的控制信号，可控制切换式电容模块是否提供电容与储能电路中的储能电容并联耦接。如此，本发明的装置可数字式地控制所输出的振荡信号的频率。因此，利用本发明所提供的振荡电路，可更精确地控制手机的操作频率，以避免其它手机的干扰。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (30)

1.一种振荡电路，包含：
一放大器；
一储能电路，包含一储能电感与一储能电容；以及
一切换式电容模块，用来控制该振荡电路中的电容值，包含：
一电容，耦接于一第一节点与一第二节点之间；
一开关，具有一控制端，该开关耦接于该第二节点与一第三节点之间；以及
一直流馈入电路，包含一第一端耦接至该第二节点，以及一第二端用来接收一第一控制信号或一第二控制信号；
其中该开关的控制端接收一已知电压；当该第一控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间而与该储能电路的储能电容并联耦接；当该第二控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容与该储能电路不并联耦接。
2.如权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，该第一控制信号的大小小于该振荡电路的一输出信号的大小。
3.如权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，该第一节点耦接至该振荡电路的一输出端。
4.如权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，该第二节点耦接至地端。
5.如权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，该预定电压足可使该开关导通。
6.如权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，包含一频率选择模块，用来输出一多字节数字信号以控制多个切换式电容模块，其中该多字节数字信号中的每一字节分别用来作为该第一控制信号或该第二控制信号，以提供给该多个切换式电容模块的一对应的切换式电容模块。
7.一种控制一振荡电路中电容值的方法，包含：
施加于一预定电压至一开关的一控制端，其中该开关耦接于地端与一电容的一第一端之间，且该电容的一第二端耦接于该振荡电路的一输出端；以及
选择性地施加一第一控制信号或一第二控制信号至一直流馈入电路的一第一端；
其中该直流馈入电路的一第二端耦接于该电容的该第一端；当该第一控制信号施加于该直流馈入电路的该第一端时，该电容透过该开关耦接于该第一节点与一第三节点的间，而与该振荡电路的一储能电路并联耦接；当该第二控制信号施加于该直流馈入电路的该第一端时，该电容与该储能电路不并联耦接。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，包含设定该第一控制信号的大小小于该振荡电路的一输出信号的大小。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，另包含施加一多字节数字信号至多个切换式电容模块，其中该多字节数字信号中的每一字节分别用来作为该第一控制信号或该第二控制信号，以提供给该多个切换式电容模块的一对应的切换式电容模块。
10.一种控制一振荡电路电容值的装置，包含：
一第一电容，耦接于一第一节点与一第二节点之间；
一第二电容，耦接于一第三节点与一第四节点之间；
一开关，具有一控制端，该开关耦接于该第二节点与该第四节点之间；
一第一直流馈入电路，具有一第一端耦接于该第二节点以及一第二端用来接收一控制信号；以及
一第二直流馈入电路，具有一第一端耦接于该第四节点以及一第二端用来接收该控制信号；
其中该开关的该控制端接收一已知电压；当一第一控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容与该第二电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间；当一第二控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容以及该第二电容断开耦接。
11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，当该第一电容与该第二电容耦接于该第一节点与该第三节点之间，该第一电容与该第二电容形成一储能电路的一部分。
12.如权利要求10所述的装置，其特征在于，该振荡电路为一差动式振荡电路。
13.如权利要求10所述的装置，其特征在于，该第一控制信号的大小不大于该振荡电路的一输出信号大小的一半。
14.如权利要求10所述的装置，其特征在于，该已知电压足可使该开关导通。
15.如权利要求10所述的装置，其特征在于，另包含一频率选择模块，用来输出一多字节数字信号，该多字节数字信号中的每一字节分别用来作为该第一控制信号或该第二控制信号，提供给多个第一直流馈入电路的一对应的第一直流馈入电路与多个第二直流馈入电路的一对应的第二直流馈入电路。
16.一种控制一振荡电路的电容值的方法，包含：
施加于一预定电压至一开关的一控制端，其中该开关耦接于一第一电容与一第二电容；
透过一第一直流馈入电路，施加一第一控制信号或一第二控制信号至一耦接于该第一直流馈入电路、该第一电容与该开关的节点；以及
透过一第二直流馈入电路，施加该第一控制信号或该第二控制信号至一耦接于该第二直流馈入电路、该第二电容与该开关的节点；
其中当施加该第一控制信号时，该第一电容耦接至该第二电容，且该第一电容与该第二电容与该振荡电路的一储能电路并联耦接；当施加该第二控制信号时，该第一电容与该第二电容断开耦接，且该第一电容以及该第二电容与该储能电路不并联耦接。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，该第一控制信号的大小不大于该振荡电路的一输出信号的大小的一半。
18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，该已知电压足可使该开关导通。
19.如权利要求16所述的方法，其特征在于，另包含产生一多字节数字信号，该多字节数字信号中的每一字节分别用来作为该第一控制信号或该第二控制信号，以提供给多个第一直流馈入电路的一对应的第一直流馈入电路与多个第二直流馈入电路的一对应的第二直流馈入电路。
20.一种频率同步器，包含：
一放大器；
一储能电路，包含一储能电感与一储能电容；以及
一切换式电容模块，用来控制该振荡电路中的电容值，包含：
一电容，耦接于一第一节点与一第二节点之间；
一开关，具有一控制端，该开关耦接于该第二节点与一第三节点之间；以及
一直流馈入电路，包含一第一端耦接至该第二节点，以及一第二端用来接收一第一控制信号或一第二控制信号；
其中该开关的控制端接收一已知电压；当该第一控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间而与该储能电路的储能电容并联耦接；当该第二控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容与该储能电路不并联耦接。
21.如权利要求20所述的频率同步器，其特征在于，另包含一频率选择模块，用来输出一多字节数字信号以控制多个切换式电容模块，该多字节数字信号中的每一字节分别用来作为该第一控制信号或该第二控制信号，以提供给该多个切换式电容模块的一对应的切换式电容模块。
22.一种频率同步器，包含：
一第一电容，耦接于一第一节点与一第二节点之间；
一第二电容，耦接于一第三节点与一第四节点之间；
一开关，具有一控制端，该开关耦接于该第二节点与该第四节点之间；
一第一直流馈入电路，具有一第一端耦接于该第二节点以及一第二端用来接收一控制信号；以及
一第二直流馈入电路，具有一第一端耦接于该第四节点以及一第二端用来接收该控制信号；
其中该开关的该控制端接收一已知电压；当一第一控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容与该第二电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间；当一第二控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容以及该第二电容断开耦接。
23.如权利要求22所述的频率同步器，其特征在于，另包含一频率选择模块，用来输出一多字节数字信号，其中该多字节数字信号中的每一字节分别用来作为该第一控制信号或该第二控制信号，提供给多个第一直流馈入电路的一对应的第一直流馈入电路与多个第二直流馈入电路的一对应的第二直流馈入电路。
24.一种无线通信系统，包含：
一放大器；
一储能电路，包含一储能电感与一储能电容；以及
一切换式电容模块，用来控制该振荡电路中的电容值，包含：
一电容，耦接于一第一节点与一第二节点之间；
一开关，具有一控制端，该开关耦接于该第二节点与一第三节点之间；以及
一直流馈入电路，包含一第一端耦接至该第二节点，以及一第二端用来接收一第一控制信号或一第二控制信号；
其中该开关的控制端接收一已知电压；当该第一控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间而与该储能电路的储能电容并联耦接；当该第二控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容与该储能电路不并联耦接。
25.如权利要求24所述的无线通信系统，其特征在于，另包含一频率选择模块，用来输出一多字节数字信号以控制多个切换式电容模块，其中该多字节数字信号中的每一字节分别用来作为该第一控制信号或该第二控制信号，以提供给该多个切换式电容模块的一对应的切换式电容模块。
26.如权利要求24所述的无线通信系统，其特征在于，该无线通信系统为一手机。
27.一种无线通信系统，包含：
一第一电容，耦接于一第一节点与一第二节点之间；
一第二电容，耦接于一第三节点与一第四节点之间；
一开关，具有一控制端，该开关耦接于该第二节点与该第四节点之间；
一第一直流馈入电路，具有一第一端耦接于该第二节点以及一第二端用来接收一控制信号；以及
一第二直流馈入电路，具有一第一端耦接于该第四节点以及一第二端用来接收该控制信号；
其中该开关的该控制端接收一已知电压；当一第一控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容与该第二电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间；当一第二控制信号施加于该第一直流馈入电路的该第二端与该第二直流馈入电路的该第二端时，该第一电容以及该第二电容断开耦接。
28.如权利要求27所述的无线通信系统，其特征在于，另包含一频率选择模块，用来输出一多字节数字信号，其中该多字节数字信号中的每一字节分别用来作为该第一控制信号或该第二控制信号，提供给多个第一直流馈入电路的一对应的第一直流馈入电路与多个第二直流馈入电路的一对应的第二直流馈入电路。
29.如权利要求27所述的无线通信系统，其特征在于，该无线通信系统包含一手机。
30.一种具有频率输出的电路，该电路产生一输出频率，该输出频率随着一切换式电容模块中的电容值变化，该切换式电容模块包含：
 一电容，耦接于一第一节点与一第二节点之间；
一开关，具有一控制端，该开关耦接于该第二节点与一第三节点之间；以及
一直流馈入电路，包含一第一端耦接至该第二节点，以及一第二端用来接收一第一控制信号或一第二控制信号；
其中该开关的控制端接收一已知电压；当该第一控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容透过该开关耦接于该第一节点与该第三节点之间；当该第二控制信号施加于该直流馈入电路的该第二端时，该电容与该第三节点断开耦接。
CN201110081015.1A 2010-06-23 2011-03-25 振荡电路 Active CN102299682B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/821,489 2010-06-23
US12/821,489 US8275336B2 (en) 2010-06-23 2010-06-23 Apparatus and method for digitally controlling capacitance

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102299682A true CN102299682A (zh) 2011-12-28
CN102299682B CN102299682B (zh) 2014-03-26

Family

ID=44514382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110081015.1A Active CN102299682B (zh) 2010-06-23 2011-03-25 振荡电路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8275336B2 (zh)
EP (1) EP2403134B1 (zh)
CN (1) CN102299682B (zh)
TW (1) TWI485975B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120242395A1 (en) * 2011-03-23 2012-09-27 Qualcomm Incorporated Low loss switched capacitor
US9350321B2 (en) * 2011-08-18 2016-05-24 Analog Devices, Inc. Low distortion impedance selection and tunable impedance circuits
US8610479B2 (en) * 2011-10-18 2013-12-17 Parade Technologies, Ltd. On die low power high accuracy reference clock generation
US9356557B1 (en) * 2015-08-26 2016-05-31 Nxp B.V. Capacitor arrangement for oscillator
TWI754946B (zh) * 2020-05-29 2022-02-11 國立中興大學 電容值調整裝置及無線供電裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6147567A (en) * 1998-05-29 2000-11-14 Silicon Laboratories Inc. Method and apparatus for providing analog and digitally controlled capacitances for synthesizing high-frequency signals for wireless communications
US6226506B1 (en) * 1998-05-29 2001-05-01 Silicon Laboratories, Inc. Method and apparatus for eliminating floating voltage nodes within a discreetly variable capacitance used for synthesizing high-frequency signals for wireless communications
CN1879290A (zh) * 2003-10-07 2006-12-13 模拟装置公司 具有改进的相位噪声的压控振荡器
CN101558566A (zh) * 2006-12-12 2009-10-14 高通股份有限公司 用于压控振荡器增益补偿和相位噪声降低的可编程变容器

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3614665A (en) * 1970-04-06 1971-10-19 Avco Corp Voltage-controlled oscillator with digital preset
JPS6027204A (ja) 1983-07-23 1985-02-12 Murata Mfg Co Ltd 発振回路装置
JPH08204528A (ja) * 1995-01-23 1996-08-09 Sony Corp スイツチ回路及び複合スイツチ回路
US5739730A (en) * 1995-12-22 1998-04-14 Microtune, Inc. Voltage controlled oscillator band switching technique
US5880643A (en) * 1997-11-17 1999-03-09 Telefonaktiebolaget L M Ericsson Monolithic high frequency voltage controlled oscillator trimming circuit
JPH11215111A (ja) * 1998-01-26 1999-08-06 Mitsubishi Electric Corp 無線端末装置
US6002303A (en) * 1998-02-20 1999-12-14 Motorola, Inc. Oscillator circuit having a differential configuration and method of forming same
DE69801307T2 (de) * 1998-03-31 2002-04-25 Lucent Technologies Inc Verbesserungen an oder hinsichtlich integrierter Schaltungen für spannungsgesteuerte Oszillatoren
US6060956A (en) * 1998-06-19 2000-05-09 Nortel Networks Corporation Variable capacitance circuit
US6268778B1 (en) * 1999-05-03 2001-07-31 Silicon Wave, Inc. Method and apparatus for fully integrating a voltage controlled oscillator on an integrated circuit
JP2001345638A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Alps Electric Co Ltd ３バンド切替型発振器
US6940358B1 (en) * 2001-02-08 2005-09-06 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for tuning RF integrated LC filters
KR20020083709A (ko) * 2001-04-30 2002-11-04 삼성전자 주식회사 다중대역 전압제어 발진기 회로
JP4920162B2 (ja) * 2001-09-04 2012-04-18 株式会社東芝 周波数変換器及びこの周波数変換器を使用した通信装置
US7546097B2 (en) * 2002-03-06 2009-06-09 Qualcomm Incorporated Calibration techniques for frequency synthesizers
US6700433B2 (en) * 2002-03-11 2004-03-02 Fairchild Semiconductor Corporation Drain activated/deactivated AC coupled bandpass RF switch
JP2005006072A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ装置および半導体装置
US7298225B2 (en) * 2004-08-04 2007-11-20 Via Technologies, Inc. Signal modulated voltage controlled oscillator system
US7084713B2 (en) * 2004-03-29 2006-08-01 Qualcomm Inc. Programmable capacitor bank for a voltage controlled oscillator
US7113052B2 (en) * 2005-01-28 2006-09-26 Qualcomm, Incorporated Coarse frequency tuning in a voltage controlled oscillator
US7271673B2 (en) * 2005-06-30 2007-09-18 Intel Corporation Voltage controlled oscillator (VCO) tuning
US7230504B1 (en) * 2005-08-31 2007-06-12 Silicon Laboratories, Inc. Controlled oscillator
JP5027472B2 (ja) * 2005-11-09 2012-09-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 発振器およびそれを用いた情報機器
US7915946B2 (en) * 2006-05-23 2011-03-29 Nec Corporation Switch circuit for high frequency signals wherein distortion of the signals are suppressed
DE102006027419A1 (de) * 2006-06-13 2007-12-20 Xignal Technologies Ag Digitale Einstellung eines Oszillators
US7869780B2 (en) * 2007-04-19 2011-01-11 Skyworks Solutions, Inc. Phase-locked loop based controller for adjusting an adaptive continuous-time filter
TW200935719A (en) * 2008-02-05 2009-08-16 Rafael Microelectronics Inc Multi-band VCO

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6147567A (en) * 1998-05-29 2000-11-14 Silicon Laboratories Inc. Method and apparatus for providing analog and digitally controlled capacitances for synthesizing high-frequency signals for wireless communications
US6226506B1 (en) * 1998-05-29 2001-05-01 Silicon Laboratories, Inc. Method and apparatus for eliminating floating voltage nodes within a discreetly variable capacitance used for synthesizing high-frequency signals for wireless communications
CN1879290A (zh) * 2003-10-07 2006-12-13 模拟装置公司 具有改进的相位噪声的压控振荡器
CN101558566A (zh) * 2006-12-12 2009-10-14 高通股份有限公司 用于压控振荡器增益补偿和相位噪声降低的可编程变容器

Also Published As

Publication number Publication date
EP2403134A2 (en) 2012-01-04
CN102299682B (zh) 2014-03-26
TW201201506A (en) 2012-01-01
US8275336B2 (en) 2012-09-25
EP2403134B1 (en) 2021-01-27
EP2403134A3 (en) 2015-07-01
TWI485975B (zh) 2015-05-21
US20110319036A1 (en) 2011-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9755576B2 (en) Tunable matching network with phase-switched elements
US10476308B2 (en) Magnetic resonance wireless power transmission device capable of adjusting resonance frequency
CN103795353B (zh) 包含有效高线性度功率放大器的射频前端模块电路
CN104335280A (zh) 负电压发生器
CN102299682B (zh) 振荡电路
US9831837B2 (en) Dynamic power divider circuits and methods
CN104160550A (zh) 用于rf功率放大器的线性行阵列集成功率合成器
JP2007505596A (ja) チャージポンプ装置及び出力電源生成方法
Shinoda et al. Voltage-boosting wireless power delivery system with fast load tracker by ΔΣ-modulated sub-harmonic resonant switching
US7851941B2 (en) Method and system for a multiple output capacitive buck/boost converter
CN102035264B (zh) 半导体器件和无线电通信设备
CN106559047A (zh) 肖特基增强的偏置电路
CN102282759B (zh) 采用共模电压调节的可调谐lc振荡器
CN108809082A (zh) 包括具有低电磁辐射的开关电容dc-dc转换器的听力设备
CN104170267A (zh) 基于cmos的tx/rx开关
CN101478234A (zh) 一种开关电容式直流-直流变换器
Chen et al. 22.2 A 1.7 mm 2 inductorless fully integrated flipping-capacitor rectifier (FCR) for piezoelectric energy harvesting with 483% power-extraction enhancement
CN107306118B (zh) 功率放大模块
CN104823378A (zh) 高频接收电路及绝缘型信号传送装置
US9026063B2 (en) Complementary metal-oxide semiconductor direct current to direct current converter
CN101395808A (zh) 匹配器及天线匹配电路
CN108141177B (zh) 一种振荡器
US20050281063A1 (en) Phone energy management for low battery voltages
CN214543820U (zh) 一种带阻抗匹配的可重构电流型无线电能传输系统
CN217642884U (zh) 一种无线充电电路及无线充电设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant