CN102263072B - 热辐射散热薄膜结构及其制作方法 - Google Patents

热辐射散热薄膜结构及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102263072B
CN102263072B CN201010181772.1A CN201010181772A CN102263072B CN 102263072 B CN102263072 B CN 102263072B CN 201010181772 A CN201010181772 A CN 201010181772A CN 102263072 B CN102263072 B CN 102263072B
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat
substrate
dissipating film
radiation
radiation heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201010181772.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102263072A (zh
Inventor
陈烱勋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JINGDEZHEN ZHENGYU NANO TECHNOLOGY Co Ltd
JINGDEZHEN FARED Tech CO Ltd
Original Assignee
JINGDEZHEN ZHENGYU NANO TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JINGDEZHEN ZHENGYU NANO TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical JINGDEZHEN ZHENGYU NANO TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201010181772.1A priority Critical patent/CN102263072B/zh
Priority to PCT/CN2011/074468 priority patent/WO2011147283A1/zh
Priority to EP11786055.1A priority patent/EP2579305A1/en
Priority to US13/699,722 priority patent/US20130068429A1/en
Publication of CN102263072A publication Critical patent/CN102263072A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102263072B publication Critical patent/CN102263072B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F21/00—Constructions of heat-exchange apparatus characterised by the selection of particular materials
    • F28F21/08—Constructions of heat-exchange apparatus characterised by the selection of particular materials of metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2245/00—Coatings; Surface treatments
    • F28F2245/06—Coatings; Surface treatments having particular radiating, reflecting or absorbing features, e.g. for improving heat transfer by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

本发明公开了一种热辐射散热薄膜结构及其制作方法，所述热辐射散热薄膜结构包括基板及热辐射散热薄膜，热辐射散热薄膜形成于基板上，基板具电气绝缘性，且基板及热辐射散热薄膜的热膨胀系数之间的差额比不大于0.1％。热辐射散热薄膜由包含金属及非金属的结晶体所构成，且具有表面显微结构。热辐射散热薄膜将包含所需金属与非金属的组合物，利用高压涂布方式而涂布在已加热的基板上而形成。由于热辐射散热薄膜可藉热辐射方式在朝向基板的方向上进行热传播，可大幅改善散热效率，使得位于基板之外的外部对象的温度可不小于热辐射散热薄膜的温度。

Description

热辐射散热薄膜结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种热辐射散热薄膜结构及其制作方法，尤其是具有以热辐射方式进行高效率散热的薄膜结构及其制作方法。
背景技术
不论是机构组件或电气装置，过高的使用温度常常会造成功能变差或甚至失效，此外还会缩短使用寿限，因此需要不同的散热装置或机制，以避免操作温度高于临界值。
以内燃机的引擎为例，汽油或柴油在引擎内经高压压缩并点燃后产生爆炸而输出动力，藉以推动齿轮组或传动机构而使车辆移动。由于引擎内部的操作温度极高，如果没有适当的散热机制，会使引擎过热而无法持续运转，甚至发生引擎爆炸的危险，因此，引擎的外部会做成具有多个散热鳍片，利用加大散热表面积以提高散热效率，或连接高热传导的散热垫，先以热传导方式将热传播至散热垫，再由散热垫进行散热。
上述热传导的加强散热方式有广泛的应用于环保节能的发光二极管(LED)产业，因为LED的发光效率及使用寿限皆受LED本身的操作温度而影响。理论上，只要LED不超过温度上限，可增加LED的导通电流，亦即可增加LED的亮度。因此，只要能降低LED温度，便可提高LED的亮度，而提高LED的亮度意味着单位面积的发光亮增加，使得发光效率提升，降低材料成本。尤其是近年来高功率LED的应用越来越加普遍，使得LED的散热问题也愈加显著。
然而，上述现有技术的热传导机制的缺点在于，热量是由高温朝向低温传播，且与面积成正比，因此需大幅增加散热装置的表面积，造成材料成本增加，并使终端产品过于笨重而不方便使用。以LED灯泡为例，价格可约为一般灯泡的数十倍以上，因此失去一般人使用的诱因。此外，当2W的LED温度达到135℃时，可藉所连结的散热装置而降低温度至约125℃或115℃，但是对LED而言还是太高。因此，需要一种不需增加散热装置的体积而以热辐射散热藉以增加发热源的散热效率的热辐射散热薄膜结构，以解决上述现有技术的问题。
发明内容
本发明的主要目的在提供一种热辐射散热薄膜结构，包括基板及热辐射散热薄膜，热辐射散热薄膜形成于基板上，基板具电气绝缘性，且基板及热辐射散热薄膜的热膨胀系数之间的差额比不大于0.1％。
热辐射散热薄膜有第一面与第二面，第一面具有表面显微结构，第二面与基板接触。热辐射散热薄膜藉热辐射方式在朝向第二面的方向上进行热传播，因此，位于基板之外的外部对象的温度可不小于热辐射散热薄膜的温度。
热辐射散热薄膜包括金属非金属组合物，且金属非金属组合物进一步包括金属组合物及非金属组合物。金属组合物包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一，或包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一的合金，或包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一的氧化物或卤化物。非金属组合物包括至少硼、碳的其中之一的氧化物或氮化物或无机酸机化物。
本发明的另一目的在提供一种热辐射散热薄膜结构的制作方法，包括选取材料并进行混合以形成混合组合物，接着对混合组合物进行加压处理形成加压混合组合物，再对基板进行加热，然后将加压混合组合物涂布至已加热的基板的表面上，使加压混合组合物经晶体成长过程而形成热辐射散热薄膜，最后经冷却，进而形成包括热辐射散热薄膜及基板的热辐射散热薄膜结构。
附图说明
图1为为本发明热辐射散热薄膜结构的示意图。
图2为本发明热辐射散热薄膜的热辐射光谱示意图。
图3为本发明热辐射散热薄膜结构的制作方法的处理流程图。
具体实施方式
以下配合说明书附图对本发明的实施方式做更详细的说明，以使本领域技术人员在研读本说明书后能据以实施。
参阅图1，为本发明热辐射散热薄膜结构的示意图。如图1所示，本发明的热辐射散热薄膜结构10包括基板20及热辐射散热薄膜30，其中基板20具电气绝缘性，且具有第一热膨胀系数，而热辐射散热薄膜30形成于基板20上，并具有第二热膨胀系数，尤其是基板20的第一热膨胀系数与热辐射散热薄膜30的第二热膨胀系数之间的差额比不大于0.1％。
热辐射散热薄膜30具有第一面31与第二面32，而第一面31为第二面32的相对面，其中第一面31朝上，如图1所示，而第二面32与基板20接触。
热辐射散热薄膜30包括金属非金属组合物，其中该金属非金属组合物包括金属组合物及非金属组合物。金属组合物可包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一，或可包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一的合金，或可包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一的氧化物或卤化物。非金属组合物可包括至少硼、碳的其中之一的氧化物或氮化物或无机酸机化合物。例如，金属非金属组合物可为钛锑卤化物及碳酸盐。
第一面31具有表面显微结构，例如，包括2纳米至1微米之间大小的结晶体，而以具有球体结构或多面体结构的结晶体为较佳。该多面体结构可包括三角锥八面体。
上述的本发明热辐射散热薄膜结构10可以热辐射方式在朝向第二面32的方向上进行热传播，亦即将热辐射散热薄膜结构10本身的热量以热辐射方式向基板外传播，藉以达到加强散热的目的。
一般而言，本发明热辐射散热薄膜结构10中热辐射散热薄膜30的热辐射机制与热辐射散热薄膜30的厚度有关，同时依据所构成的材料组成的不同而变化。据信，热辐射散热薄膜30的结晶体可产生强烈的振荡，可落在热辐射的频宽内，比如红外光，尤其是远红外光范围。请参阅图2，为本发明热辐射散热薄膜的热辐射光谱示意图。如图2所示，热辐射散热薄膜在等效黑体温度为55℃时，主要的光谱落在波长4um至16um之间，当然要注意的是，图2的光谱只是本发明热辐射散热薄膜的实例并藉以清楚说明发明的特点而已，并非用以限定本发明的范围。
由于本发明热辐射散热薄膜结构的最主要散热机制，热辐射传播，是不需要任何介质当作媒介物，与一般热传导或热对流受限于媒介物接触面积的传播方式完全不同，因此，本发明热辐射散热薄膜结构的散热效率远高于传统的散热装置。
例如，当发热源(图中未显示)位于图1中的热辐射散热薄膜30上时，由于发热源以热传导方式将热传递至热辐射散热薄膜30及其下方的基板20，使得稳定状态下的发热源、热辐射散热薄膜30及基板20可保持在一高温，或由上而下形成温度梯度，亦即发热源的温度大于热辐射散热薄膜30的温度，而热辐射散热薄膜30的温度大于基板20的温度。此时，假设第一对象位于热辐射散热薄膜30上方的某一位置，而第二对象位于基板20下方的某一位置，且第一对象至热辐射散热薄膜30的距离等于第二物件至基板20的距离，则可量测到第二对象的温度高于第一对象的温度，且第二对象的温度也可高于发热源的温度。依据物理学的热传原理，热量无法藉由热传导或热对流而由低温向高温传播，因此，本发明热辐射散热薄膜结构的主要热传播方式不为热传导或热对流，而是热辐射。
参阅图3，为本发明热辐射散热薄膜结构的制作方法的处理流程图。如图3所示，本发明的热辐射散热薄膜结构的制作方法包括选取材料步骤S10、混合步骤S20、加压储存步骤S30、选取基板步骤S40、加热步骤S50、涂布步骤S60、薄膜形成步骤S70及冷却步骤S80。
首先由取材料步骤S10开始，选取金属组合物、非金属组合物及至少一液体，其中金属组合物及非金属组合物如同上述图1的实施例所述，因此不再赘述。该至少一液体包括水、醇类、酮类及无机酸的至少其中一，比如甲醇。
接着，在混合步骤S20中，将选取材料步骤S10中所选取的金属组合物、非金属组合物及至少一液体进行混合，以形成具流动性的混合组合物。然后进入加压储存步骤S30，将混合组合物加压至第一压力，以形成加压混合组合物，并储存于适当的容器中备用。
而与取材料步骤S10同时进行的是选取基板步骤S40。
在选取基板步骤S40中，选取具有第一热膨胀系数且具电气绝缘性的适当基板，接着在加热步骤S50中，对基板加热至第一温度。
接着进入涂布步骤S60，将加压储存步骤S30中产生的加压混合组合物涂布至经加热步骤S50所产生的已加热基板的表面上，然后进入薄膜形成步骤S70，加压混合组合物藉压力而涂布至基板上时，因加压混合组合物中所包含的液体会因高温而挥发，使得剩余的金属组合物及非金属组合物在高温下形成所需的热辐射散热薄膜，且热辐射散热薄膜具有第二热膨胀系数，同时基板的第一热膨胀系数与热辐射散热薄膜的第二热膨胀系数之间的差额比不大于0.1％，以方便热辐射散热薄膜在基板上形成。热辐射散热薄膜的表面可形成表面微结构，如图1的实施例所述。最后在冷却步骤S80中，使热辐射散热薄膜及基板冷却，进而形成包括热辐射散热薄膜及基板的热辐射散热薄膜结构，亦即如图1所示的热辐射散热薄膜结构10。
加压储存步骤S30中的第一压力可为0.2MPa至10MPa之间。加热步骤S50中的第一温度可为250℃至1300℃之间。涂布步骤S60中，加压混合组合物的涂布方式可为藉适当形状的喷嘴，将加压混合组合物喷涂至基板，但这只是本发明的其中一示范性实例而已，并非用以限定本发明的范围。
因此，本发明的特点在于提供以热辐射为主要热传播方式的热辐射散热薄膜，可应用于任何发热源，并对发热源进行高效率的散热。
本发明的另一特点在于热辐射散热薄膜的热辐射具方向性，亦即热辐射朝向基板的方向进行。
以上所述仅为用以解释本发明的较佳实施例，并非企图据以对本发明做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的创作精神下所作有关本发明的任何修饰或变更，皆仍应包括在本发明意图保护的范畴。

Claims (6)

1.一种热辐射散热薄膜结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
一选取材料步骤，选取一金属组合物、一非金属组合物及至少一液体，该金属组合物包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一或包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一的合金或包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一的氧化物或卤化物；
一混合步骤，将该选取材料步骤中所选取的该金属组合物、该非金属组合物及该至少一液体进行混合，以形成一混合组合物；
一加压储存步骤，将该混合组合物进行加压至一第一压力并储存，以形成一加压混合组合物；
一选取基板步骤，选取一基板，该基板具有一第一热膨胀系数且具电气绝缘性；
一加热步骤，加热该基板至一第一温度；
一涂布步骤，将该加压混合组合物涂布至已加热的该基板的表面上；
一薄膜形成步骤，在该基板的表面上的该加压混合组合物经晶体成长过程而形成一热辐射散热薄膜；以及
一冷却步骤，将该薄膜形成步骤中所形成的该热辐射散热薄膜及该基板进行冷却以达到室温，进而形成包括该热辐射散热薄膜及该基板的一热辐射散热薄膜结构，且该热辐射散热薄膜具有一第二热膨胀系数；其中，该基板的第一热膨胀系数与该热辐射散热薄膜的第二热膨胀系数之间的差额比不大于0.1％。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该非金属组合物包括至少硼、碳的其中之一的氧化物或氮化物或无机酸机化物。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该至少一液体包括水、醇类、酮类及无机酸的至少其中一。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该第一压力为0.2MPa至10MPa之间，该第一温度为250℃至1300℃之间。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该热辐射散热薄膜具有一表面显微结构，该表面显微结构包括2纳米至1微米之间大小的结晶体。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，该结晶体具球体结构或多面体结构。
CN201010181772.1A 2010-05-25 2010-05-25 热辐射散热薄膜结构及其制作方法 Expired - Fee Related CN102263072B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010181772.1A CN102263072B (zh) 2010-05-25 2010-05-25 热辐射散热薄膜结构及其制作方法
PCT/CN2011/074468 WO2011147283A1 (zh) 2010-05-25 2011-05-21 热辐射散热薄膜结构及其制作方法
EP11786055.1A EP2579305A1 (en) 2010-05-25 2011-05-21 Heat radiation dissipation film structure and method for making the same
US13/699,722 US20130068429A1 (en) 2010-05-25 2011-05-21 Heat radiation dissipation film structure and method of making the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010181772.1A CN102263072B (zh) 2010-05-25 2010-05-25 热辐射散热薄膜结构及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102263072A CN102263072A (zh) 2011-11-30
CN102263072B true CN102263072B (zh) 2013-05-01

Family

ID=45003306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010181772.1A Expired - Fee Related CN102263072B (zh) 2010-05-25 2010-05-25 热辐射散热薄膜结构及其制作方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20130068429A1 (zh)
EP (1) EP2579305A1 (zh)
CN (1) CN102263072B (zh)
WO (1) WO2011147283A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103570360A (zh) * 2012-07-30 2014-02-12 伯鑫科技有限公司 远红外线散热陶瓷浆料、纤维布、薄膜及其制备方法
CN109683357B (zh) * 2019-01-10 2022-01-25 惠科股份有限公司 冷却装置及显示装置的加工生产线
CN116734649B (zh) * 2023-08-08 2023-10-27 中国空气动力研究与发展中心高速空气动力研究所 基于红外光学调控的自适应热管理装置及制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1465096A (zh) * 2001-05-30 2003-12-31 德山株式会社 散热片及其制造方法
JP2005101025A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Denki Kagaku Kogyo Kk 放熱シート
JP2009123785A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Kitagawa Ind Co Ltd 熱伝放射材

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10116944A (ja) * 1996-10-08 1998-05-06 Kitagawa Ind Co Ltd 放熱板
WO2009054461A1 (ja) * 2007-10-23 2009-04-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 放熱構造及びその製造方法、ヒートシンク及び放熱装置、加熱装置及びサセプタ、セラミックフィルタ及びその製造方法、並びに排ガス浄化用セラミックフィルタ及びディーゼルパティキュレートフィルタ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1465096A (zh) * 2001-05-30 2003-12-31 德山株式会社 散热片及其制造方法
JP2005101025A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Denki Kagaku Kogyo Kk 放熱シート
JP2009123785A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Kitagawa Ind Co Ltd 熱伝放射材

Also Published As

Publication number Publication date
EP2579305A1 (en) 2013-04-10
CN102263072A (zh) 2011-11-30
US20130068429A1 (en) 2013-03-21
WO2011147283A1 (zh) 2011-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100449801C (zh) 半导体发光元件组成
JP6367461B2 (ja) 多層構造のガラス蛍光体シート、その製作方法及び発光装置
CN100581333C (zh) 一种微热管散热基板
US20110001418A1 (en) High heat dissipation electric circuit board and manufacturing method thereof
CN201741721U (zh) 板上芯片发光二极管结构
CN101652020A (zh) 一种高散热电路基板及其制造方法
CN101685805A (zh) 金属陶瓷复合基板及其制备方法
CN102263072B (zh) 热辐射散热薄膜结构及其制作方法
CN102194807A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102026473B (zh) 一种散热电路板及其制备方法
CN100469217C (zh) 可挠式散热电路基板
Yu et al. Laser spot associated high-saturation phosphor-in-glass film for transmissive and reflective high-brightness laser lighting.
Li et al. Mapping the glass forming region and making their phosphor‐in‐glass for application in W‐LEDs packaging
TW201248949A (en) Light emitting diode carrier assemblies and method of fabricating the same
CN105340092A (zh) 包括转换元件的光电子器件和用于制造包括转换元件的光电子器件的方法
CN105830241B (zh) 发光装置用基板、发光装置及发光装置用基板的制造方法
CN106098919A (zh) 一种高导热高绝缘的led光引擎封装结构及制备方法
CN101609864A (zh) 发光二极管封装结构及封装方法
CN102263185A (zh) 热辐射散热发光二极管结构及其制作方法
CN202474027U (zh) 一种复合式led基板
CN201829539U (zh) 热辐射散热薄膜结构
CN202103092U (zh) 一种高效高压电极侧壁化键合式led芯片
KR101531630B1 (ko) 초박막 방열필름 및 이를 포함하는 열확산 시트
CN202134575U (zh) Led散热基板
CN103548137B (zh) 混合光源

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130501

Termination date: 20140525