CN102237466A - 发光组件封装结构及其制程 - Google Patents

发光组件封装结构及其制程 Download PDF

Info

Publication number
CN102237466A
CN102237466A CN2010101585014A CN201010158501A CN102237466A CN 102237466 A CN102237466 A CN 102237466A CN 2010101585014 A CN2010101585014 A CN 2010101585014A CN 201010158501 A CN201010158501 A CN 201010158501A CN 102237466 A CN102237466 A CN 102237466A
Authority
CN
China
Prior art keywords
luminescence component
electrode
support
encapsulating structure
item
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010101585014A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102237466B (zh
Inventor
谢明村
曾文良
陈隆欣
林志勇
叶进连
廖启维
曾坚信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rongchuang Energy Technology Co ltd, Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd filed Critical Rongchuang Energy Technology Co ltd
Priority to CN2010101585014A priority Critical patent/CN102237466B/zh
Priority to US12/970,976 priority patent/US8344406B2/en
Publication of CN102237466A publication Critical patent/CN102237466A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102237466B publication Critical patent/CN102237466B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48237—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明揭露一发光组件封装结构及其制程，其包含一支架、一导线架、一发光组件以及一封装层。所述之支架包含一第一面以及一第二面，分别位于支架之相对两侧，其中第一面包含一多层膜结构系两种以上不同之光折射系数的物质交迭而成。

Description

发光组件封装结构及其制程
技术领域
本发明涉及一种半导体发光组件，特别是关于一种半导体发光组件的封装结构及其制程。
背景技术
固态发光组件(solid state light emitting device)之技术日益进步，越来越多产品的发光源均采用发光二极管(light emitting diode，LED)或雷射二极管(laserdiode，LD)，例如照明(lighting)或背光模块(backlight unit)。固态发光组件相较于传统灯泡其特点包含较长的寿命、较低的能量消耗、较低的热能产生、较少的红外光光谱产生、以及组件尺寸较小(compact)。
随着应用产品的需求增加，更多应用产品对于组件的发光效率(efficiency)以及寿命(life)的要求也逐渐增加。例如美国专利号US6531328之先前技术，利用金属的材料形成该封装结构之反射层。但金属材料仍然具有吸光的特性，会降低组件的发光效率，并且以金属镀层作为反射层需多道的加工制程方能完成，会增加制程时间而减少制程效率。
因此，凿于上述发明背景，现今仍需要一种新的技术或结构应用于该项领域以解决上述先前技术之缺失。
发明内容
凿于上述发明背景，本发明之目的为提供一具有高发光效率的固态发光组件封装结构。
本发明揭露一固态发光组件之封装结构，包含一支架，具有一第一面以及一第二面，其中第一面以及第二面分别位于支架之相对两侧，并且所述之第一面包含一多层膜结构，系两种以上不同之光折射系数的物质交迭而成；一导线架，于支架之第一面上，其中导线架包含至少一第一电极以及至少一第二电极，并且第一电极与第二电极彼此电性不相同；一发光组件，位于导线架上且分别电性连结于第一电极以及第二电极，其中发光组件系用以发出至少一第一波长之光线；一封装层，覆盖于支架之第一面上，其中封装层系包覆发光组件以及部份导线架。
藉由上述固态发光组件之封装结构，可以增加固态发光组件的发光效率。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1A为本发明第一实施例的固态发光组件之封装结构之俯视示意图；
图1B为本发明第一实施例的固态发光组件之封装结构之剖面示意图；
图2为本发明一固态发光组件之导线架之剖面示意图；
图3A为本发明第二实施例的固态发光组件之封装结构之俯视示意图；
图3B为本发明第二实施例的固态发光组件之封装结构之剖面示意图；
图4A为本发明第三实施例的固态发光组件之封装结构之俯视示意图；
图4B为本发明第三实施例的固态发光组件之封装结构之剖面示意图；
图5A为本发明一固态发光组件之第一延伸电极之剖面示意图；
图5B为本发明一固态发光组件之第二延伸电极之剖面示意图；
图6为本发明提供之一固态发光组件封装结构之制程的流程示意图。
主要元件符号说明
固态发光组件之封装结构      1、2、3
支架                        10、10’、60、100
第一面                      11、61、310
第二面                      12、62、320
凹杯                        13
导线架                      20、20’、70、90
第一电极                    21、21’、71、71’、210、910
第二电极                    22、22’、72、72’、220、920
第一延伸电极                23、73
第二延伸电极      24、74
发光组件          30、30’、31、32
封装层            40、80、800
荧光转换物质      41、81、810
绝缘部            50
第一孔洞          101、601
第二孔洞          102、602
多层膜结构        110、610、710
第一膜结构        111、611、711
第二膜结构        112、612、712
热传导部          200
第一部            1001
第二部            1002
步骤              S1～S6
具体实施方式
本发明在此所探讨的方向为一种固态发光组件。为了能彻底地了解本发明，将在下列的描述中提出详尽的步骤及其组成。显然地，本发明的施行并未限定于固态发光组件之技艺者所熟习的特殊细节。另一方面，众所周知的组成或步骤并未描述于细节中，以避免造成本发明不必要之限制。本发明的较佳实施例会详细描述如下，然而除了这些详细描述之外，本发明还可以广泛地施行在其它的实施例中，且本发明的范围不受限定，其以之后的权利要求为准。
下文将配合图标与范例，详细说明本发明提供之各个较佳实施例及技术内容。
请参照图1A以及图1B，本发明揭露一第一实施例的固态发光组件之封装结构1，包含一支架10、一导线架20、一发光组件30以及一封装层40，其中支架10包含一第一面11以及一第二面12，并且第一面11以及第二面12分别位于支架10之相对两侧。
发光组件30系设置于导线架20上，且电性连结导线架20，其中发光组件30可以利用打线(wire bonding)、共晶(eutectic)或覆晶(flip chip)的技术电性连结导线架20。值得说明的是，本发明实施例的发光组件30是利用导线架20同时作为热能与电能传导的路径。然而，请参照图2，于本发明的另一实施例中，发光组件30’是透过导线架20’作为热电分离的传导路径，其中导线架20’设置于支架10’上且包含一第一电极210、一第二电极220以及一热传导部200。第一电极210以及第二电极220系用以将发光组件30’之金属电极导通至外部电路的电极，而热传导部200用以将发光组件30’产生的热能传导至外部。热传导部200与第一电极210以及第二电极220彼此电性分离，并形成热电分离之结构。藉此，不仅可以增加发光组件30’之热能消散速率，同时可以避免电能与热能彼此干扰而影响组件的功能。另外，所述发光组件30系用以发出至少一第一波长之光线，于本发明所提供之较佳实施例中，发光组件30包含III-V族化合物半导体芯片或II-VI族化合物半导体芯片，并且至少一第一波长之光线包含可见或不可见的波长，例如：紫外(UV)光、蓝光、绿光或多波长混光的波长。
封装层40系形成于支架10之第一面11且覆盖发光组件30以及导线架20，藉由覆盖发光组件30以及部份导线架20以保护发光组件30之功能免受外力破坏。然而，封装层40的材质包含硅胶(silicone)、环氧树脂(epoxy)或其它任一可透光之材料，其中封装层40可掺杂荧光转换物质41于其中。当荧光转换物质41受到第一波长之光线激发后，会发出不同于第一波长的第二波长之光线，并且第二波长之光线与第一波长的光线混光后形成多波段的混光，使得固态发光组件之封装结构1可同时发出具有多波长的光线。于本发明提供的较佳实施例中，荧光转换物质41包含为钇铝石榴石(YAG)、铽铝石榴石(TAG)、硅酸盐、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或其组合。
导线架20系设置于支架10之第一面11上，其中导线架20包含至少一第一电极21以及至少一第二电极22，并且第一电极21与第二电极22彼此电性不相同。为了使固态发光组件之封装结构1形成一表面黏着的组件(surfacemounted device，SMD)，第一电极21以及第二电极22则分别透过一第一延伸电极23以及一第二延伸电极24延伸至支架10之第二面12上；即第一电极21’以及第二电极22’，同时发光组件30之电性可以分别藉由第一电极21、21’与第二电极22、22’延伸至第二面12上，使得固态发光组件之封装结构1形成表面黏着的组件。于本发明所揭露的固态发光组件之封装结构1中，支架10更包含一第一孔洞101以及一第二孔洞102，其中第一孔洞101以及第二洞102系从支架10之第一面11贯穿至第二面12。所述之第一延伸电极23系设置于第一孔洞101内，而第二延伸电极24系设置于第二孔洞102内。值得说明的是，本发明所揭露之第一延伸电极23以及第二延伸电极24并不局限设置于第一孔洞101以及第二洞102内，亦可以设置于支架10之其它的位置。
于本发明的固态发光组件之封装结构1中，支架10自第一面11开设一凹杯13，并且发光组件30系设置于凹杯13中。凹杯13系作为发光组件30之反射杯，用以增加发光组件30的发光效率同时可以固定固态发光组件之封装结构1的光场以及集中出光的方向。再者，为增加凹杯13之反射功能，凹杯13的内表面设置一多层膜结构110，其中多层膜结构110包围发光组件30。进一步说明之，所述之多层膜结构110系利用两种以上不同之物质交迭而成，并且两种不同物质的光折射系数(refractive index)亦不相同。于本发明的固态发光组件之封装结构1中，多层膜结构110系包含复数层第一膜结构111以及复数层第二膜结构112彼此交迭而成。于本发明较佳的实施例中，第一膜结构111以及第二膜结构112的厚度约为发光组件30发出之第一波长的四分之一等效光层的倍数，即第一膜结构111或第二膜结构112的厚度为λ/4n的倍数，其中λ为第一波长的长度，n为第一膜结构111或第二膜结构112的折射率。然而，熟知本项技艺者皆知，第一膜结构111与第二膜结构112彼此交迭的次数并不局限。所述之多层膜结构110可套用下列公式(1)达到布拉格反射镜(Distributed BraggReflector，DBR)的功效。
R = [ n o ( n 2 ) 2 N - n s ( n 1 ) 2 N n o ( n 2 ) 2 N + n s ( n 1 ) 2 N ] 2 N ..................公式(1)
上述之n0为周遭环境之折射率，ns为支架10之折射率，n1为与n2为交迭层之折射率，即第一膜结构111以及第二膜结构112的折射率，而N为交迭层之交迭数。当R值接近1时
Figure GDA0000020943890000052
可以使多层膜结构110之反射效果较佳。由于频率落在能隙范围内的电磁波无法穿透，布拉格反射镜在任何入射角的反射率可以高达99％以上。并且，可以透过选择不同折射率的材料或改变多层膜的厚度以调整能隙位置，设计出操作频率范围不同的反射镜。
请参照图3A与图3B，本发明提供一第二实施例的固态发光组件之封装结构2，包含一支架60、一导线架70、一发光组件31以及一封装层80，其中支架60包含一第一面61以及一第二面62，并且第一面61以及第二面62分别位于支架60之相对两侧。值得说明的是，第一实施例与第二实施例中相同的组件不再赘述，且第二实施例之第一面61为一平坦面，使得固态发光组件之封装结构2具有较宽之出光光场。此外，固态发光组件之封装结构2更包含一多层膜结构610形成于第一面61之上，其中多层膜结构610可以增加第一面61之反射功能。多层膜结构610为复数层第一膜结构611以及复数层第二膜结构612彼此交迭而成，并且第一膜结构611与第二膜结构612彼此具有不同的光折射系数。于本发明较佳的实施例中，第一膜结构611以及第二膜结构612的厚度约为发光组件31发出光波长的四分之一等效光层的倍数，即第一膜结构611或第二膜结构612的厚度为λ/4n的倍数，其中λ为第一波长的长度，n为第一膜结构611或第二膜结构612的折射率。然而，熟知本项技艺者皆知，第一膜结构611与第二膜结构612彼此交迭的次数并不局限。再者，多层膜结构610亦可套用公式(1)达到布拉格反射镜的功效。
请参照图4A与图4B，本发明提供一第三实施例的固态发光组件之封装结构3，包含一支架100、一导线架90、一发光组件32以及一封装层800，其中封装层800可以包含荧光转换物质810。值得说明的是，第三实施例与前述实施例相同的组件以及功能不再赘述。支架100包含一第一部1001以及一第二部1002，且第一部1001以及第二部1002彼此分离。导线架90包含一第一导线架910设置于第一部1001以及一第二导线架920设置于第二部1002，第一导线架910以及第二导线架920彼此电性不同。于本发明较佳实施例中，支架100为金属材质，且第一部1001以及第二部1002之间可以包含一绝缘部50用以隔离第一部1001以及第二部1002的电性。进一步说明之，发光组件32的电性可以透过导线架90以及支架100，将电性讯号传导至封装结构3的底部。再者，支架100具有一第一面310以及一第二面320，并且第一面310以及第二面320分别位于支架100之相对两侧。固态发光组件之封装结构3更包含一多层膜结构710位于第一面310上，且分别形成于支架100以及绝缘部50上。多层膜结构710为复数层第一膜结构711以及复数层第二膜结构712彼此交迭而成，并且第一膜结构711与第二膜结构712彼此具有不同的光折射系数。于本发明较佳的实施例中，第一膜结构711以及第二膜结构712的厚度约为发光组件32发出光波长的四分之一等效光层的倍数，即第一膜结构711或第二膜结构712的厚度为λ/4n的倍数，其中λ为第一波长的长度，n为第一膜结构711或第二膜结构712的折射率。然而，熟知本项技艺者皆知，第一膜结构711与第二膜结构712彼此交迭的次数并不局限。再者，多层膜结构710亦可套用公式(1)达到布拉格反射镜的功效。
于本发明不同的实施例中，支架10、60可以为硅(silicon)、金属(metal)、陶瓷(ceramic)或聚合物(polymer)的材料，其中第一实施例的固态发光组件之封装结构1中，凹杯13可以利用湿式蚀刻(wet-etching)、干式蚀刻(dry-etching)、机械(mechanic)或雷射(laser)的技术形成。再者，所述之第一孔洞101、601以及第二孔洞102、602可以利用湿式蚀刻、干式蚀刻、机械或雷射等技术形成。然而，熟知本项技艺者皆知，第一孔洞101、601以及第二孔洞102、602之形状并不局限于此，亦可以为其它之规则或不规则的形状，例如：梯形、倒梯形、三角形或其组合(未显示图标)。
于本发明不同的实施例中，导线架20、70可以为氧化铟锡(ITO)、铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、金(Au)或其合金(alloy)的材料，并且利用电镀法(plating process)、溅镀(sputtering)、蒸镀(evaporation deposition)或电子束(electronic beam)的技术形成。当支架10、60为可导电性的材料所组成时；如低电阻的硅或金属，可设置一绝缘层(未显示图标)于支架10、60以及导线架20、70之间，以避免电性问题而影响发光组件30、31之功能。所述的实施例中，第一延伸电极23、73以及第二延伸电极24、74分别设置于第一孔洞101、601以及第二孔洞102、602内，并且填满第一孔洞101、601以及第二孔洞102、602。然而于本发明不同的实施例中，请参照图5A以及图5B，第一延伸电极23以及第二延伸电极24分别设置于第一孔洞101以及第二孔洞102之侧壁并且从支架10之第一面11延伸至第二面12，其中第一延伸电极23以及第二延伸电极24未填满第一孔洞101以及第二孔洞102。同样地，第二实施例的固态发光组件之封装结构2中，第一延伸电极73以及第二延伸电极74分别设置于第一孔洞601以及第二孔洞602之侧壁并且从支架60之第一面61延伸至第二面62，其中第一延伸电极73以及第二延伸电极74未填满第一孔洞601以及第二孔洞602(未显示图)。
于本发明实施例中，多层膜结构110、610、710可以为不同折射率之材料层彼此交迭而成，其中多层膜结构110、610、710的材料包含氧化硅、氧化钛、氧化铟锡、掺铝之氧化锌、氧化铝或其组合。而多层膜结构110、610、710可以是利用电子束蒸镀(E-Gun)、溅镀技术(sputtering deposition)、脉冲雷射蒸镀(pulsed laser deposition，PLD)或高能离子电浆法(plasma technology)的技术形成。
请参照图6之步骤S1至S6，本发明提供一较佳的实施例，其中固态发光组件封装结构的反射层不需额外的加工制程以制作金属镀层，而仅需要利用简单的制程即可完成，且可以简化制程与减少制作的生产周期时间(cycle time)，其步骤包含：
提供一硅晶圆(silicon wafer)包含一第一面以及一相对于第一面之第二面，其材质可以为低电阻或高电阻的特性。进一步说明之，高电阻的硅晶圆其电阻率(resistivity)约为1至30000奥姆-公分(ohm-centimeter)且可掺杂硼(B)或磷(P)，而低电阻的硅晶圆其电阻率约为0.001至0.02奥姆-公分且可掺杂硼(B)、砷(As)、锑(Sb)或磷(P)；
设置一多层膜结构于硅晶圆之第一面上，其中多层膜结构包含复数层第一膜结构以及复数层第二膜结构，利用电子束蒸镀、溅镀技术、脉冲雷射蒸镀或高能离子电浆法的技术彼此交迭于第一面上。值得说明的是，当硅晶圆使用低电阻的材料且第一膜结构为可导电性的材料(例如氧化铟锡或掺铝之氧化锌)时，需设置一绝缘层于硅晶圆以及第一膜结构之间避免电性受干扰，其中绝缘层可以为氧化硅或氮化硅。本发明提供一较佳的实施例，第一膜结构为氧化硅而第二膜结构为氧化钛，其中氧化硅与硅晶圆同构型高并且可以利用氧化法直接形成于硅晶圆表面，其制程简单且不需额外的加工制程；
设置导线架于硅晶圆之第一面以及第二面，其中导线架是从第一面延伸至第二面。导线架可以为氧化铟锡(ITO)、铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、金(Au)或其合金(alloy)的材料，并且利用电镀法、溅镀、蒸镀或电子束的技术形成；
设置多个发光组件于硅晶圆上且电连结导线架，其中多个发光组件可以利用打线、共晶或覆晶的技术电连结导线架；
形成多个封装层覆盖发光组件，其中封装层可以包含荧光转换物质，并且利用注射成型(injection molding)或转注成型(transfer molding)的技术形成；以及
切割硅晶圆并形成多个封装结构，其中每一个封装结构包含至少一发光组件，并且切割的手段可以利用机械切割或雷射切割的技术实施。
从本发明之手段与具有的功效中，可以得到本发明具有诸多的优点。首先，本发明利用多层膜结构作为固态发光组件封装结构之反射面，可增加固态发光组件的发光效率。另外，本发明所提供之多层膜结构的制程简单，不需额外的加工制程以制作金属镀层，仅需要利用简单的制程即可完成。
显然地，依照上面实施例中的描述，本发明可能有许多的修正与差异。因此需要在其附加的权利要求之范围内加以理解，除了上述详细的描述外，本发明还可以广泛地在其它的实施例中施行。上述仅为本发明之较佳实施例而已，并非用以限定本发明之权利要求范围；凡其它未脱离本发明所揭示之精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在申请权利要求范围内。

Claims (10)

1.一发光组件之封装结构，包含：
一支架，具有一第一面以及一第二面，其中该第一面以及该第二面分别位于该支架之相对两侧，其特征在于：该第一面包含一多层膜结构，系两种以上不同之光折射系数的物质交迭而成；
一导线架，于该支架之该第一面上，其中该导线架包含至少一第一电极以及至少一第二电极，并且该第一电极与该第二电极彼此电性不相同；
一发光组件，位于该导线架上并且该发光组件分别电性连结于该第一电极以及该第二电极，其中该发光组件系用以发出至少一第一波长之光线；以及
一封装层，覆盖于该支架之该第一面上，而该封装层系包覆该发光组件以及部份该导线架。
2.根据权利要求项1所述之发光组件之封装结构，其特征在于：该导线架更包含一热传导部，分别与该第一电极以及该第二电极彼此电性分离并且该发光组件系设置于该热传导部上。
3.根据权利要求项1所述之发光组件之封装结构，其特征在于：该第一电极以及该第二电极系由该支架之该第一面延伸至该第二面。
4.根据权利要求项3所述之发光组件之封装结构，其特征在于：该支架包含多个孔洞，并且该多个孔洞系由该第一面贯穿至该第二面，该第一电极以及该第二电极系藉由该多个孔洞从该支架之该第一面延伸至该第二面。
5.根据权利要求项1所述之发光组件之封装结构，其特征在于：该支架之自该第一面开设一凹杯，并且该发光组件系位于该凹杯中。
6.根据权利要求项1所述之发光组件之封装结构，其特征在于：该多层膜结构为一布拉格反射镜。
7.根据权利要求项6所述之发光组件之封装结构，其特征在于：该多层膜结构之每一层厚度为该第一波长的四分之一等效光层的倍数。
8.根据权利要求项1所述之发光组件之封装结构，其特征在于：该多层膜结构系藉由氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化铟锡、铝氧化锌或氧化铝之其中至少两种材料彼此交迭而成。
9.根据权利要求项1所述之发光组件之封装结构，其特征在于：该支架之材质包含硅(silicon)、金属(metal)、陶瓷(ceramic)或聚合物(polymer)。
10.根据权利要求项1所述之发光组件之封装结构，其特征在于：更包含至少一种荧光转换物质于该封装层中，其中该荧光转换物质为下列至少一种物质钇铝石榴石(YAG)、铽铝石榴石(TAG)、硅酸盐、氮化物、氮氧化物、磷化物或硫化物。
CN2010101585014A 2010-04-28 2010-04-28 发光组件封装结构及其制程 Active CN102237466B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101585014A CN102237466B (zh) 2010-04-28 2010-04-28 发光组件封装结构及其制程
US12/970,976 US8344406B2 (en) 2010-04-28 2010-12-17 Light emitting diode package and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101585014A CN102237466B (zh) 2010-04-28 2010-04-28 发光组件封装结构及其制程

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102237466A true CN102237466A (zh) 2011-11-09
CN102237466B CN102237466B (zh) 2013-11-06

Family

ID=44857569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101585014A Active CN102237466B (zh) 2010-04-28 2010-04-28 发光组件封装结构及其制程

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8344406B2 (zh)
CN (1) CN102237466B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456798A (zh) * 2010-10-20 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
CN103249250A (zh) * 2012-02-08 2013-08-14 欧司朗股份有限公司 电路板及其制造方法和包括该电路板的照明装置
CN103730567A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 清华大学 一种led器件及其制备方法
CN105864683A (zh) * 2015-01-22 2016-08-17 青岛海信电器股份有限公司 光源组件、背光模组及显示装置
CN105932146A (zh) * 2016-06-15 2016-09-07 青岛杰生电气有限公司 一种紫外发光器
CN107046089A (zh) * 2016-02-05 2017-08-15 深圳市斯迈得半导体有限公司 一种防硫化和卤化且具有抗氧化功能的倒装封led光源
CN110473891A (zh) * 2018-05-11 2019-11-19 三星电子株式会社 半导体发光器件及使用其的半导体发光器件封装件

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011080458A1 (de) * 2011-08-04 2013-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung
KR101293993B1 (ko) * 2012-02-08 2013-08-07 (주) 아모엘이디 엘이디 패키지 및 이의 제조 방법
KR102008315B1 (ko) * 2013-01-23 2019-10-21 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102075655B1 (ko) * 2013-06-24 2020-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
CN107046026A (zh) * 2016-02-05 2017-08-15 深圳市斯迈得半导体有限公司 一种防硫化和卤化且具有抗氧化功能的led光源
KR20180081647A (ko) * 2017-01-06 2018-07-17 삼성전자주식회사 발광 패키지
US11837684B2 (en) * 2019-11-21 2023-12-05 Creeled, Inc. Submount structures for light emitting diode packages

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020047130A1 (en) * 2000-06-28 2002-04-25 Koay Huck Khim Light Source
US20080191233A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 Epistar Corporation Light-emitting diode and method for manufacturing the same
US20100012960A1 (en) * 2008-07-18 2010-01-21 Foxconn Technology Co., Ltd. Light emitting diode

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6531328B1 (en) 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
KR100674831B1 (ko) * 2004-11-05 2007-01-25 삼성전기주식회사 백색 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US20080174768A1 (en) * 2007-01-18 2008-07-24 Mathias Belz Self referencing LED detection system for spectroscopy applications

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020047130A1 (en) * 2000-06-28 2002-04-25 Koay Huck Khim Light Source
US20080191233A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 Epistar Corporation Light-emitting diode and method for manufacturing the same
US20100012960A1 (en) * 2008-07-18 2010-01-21 Foxconn Technology Co., Ltd. Light emitting diode

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456798A (zh) * 2010-10-20 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
CN103249250A (zh) * 2012-02-08 2013-08-14 欧司朗股份有限公司 电路板及其制造方法和包括该电路板的照明装置
CN103730567A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 清华大学 一种led器件及其制备方法
CN105864683A (zh) * 2015-01-22 2016-08-17 青岛海信电器股份有限公司 光源组件、背光模组及显示装置
CN107046089A (zh) * 2016-02-05 2017-08-15 深圳市斯迈得半导体有限公司 一种防硫化和卤化且具有抗氧化功能的倒装封led光源
CN105932146A (zh) * 2016-06-15 2016-09-07 青岛杰生电气有限公司 一种紫外发光器
CN110473891A (zh) * 2018-05-11 2019-11-19 三星电子株式会社 半导体发光器件及使用其的半导体发光器件封装件
CN110473891B (zh) * 2018-05-11 2024-09-03 三星电子株式会社 半导体发光器件及使用其的半导体发光器件封装件

Also Published As

Publication number Publication date
US20110266570A1 (en) 2011-11-03
CN102237466B (zh) 2013-11-06
US8344406B2 (en) 2013-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102237466B (zh) 发光组件封装结构及其制程
JP6005440B2 (ja) 発光素子パッケージ及びこれを含むライトユニット
KR100845855B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
CN102214756B (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
JP2003046139A (ja) 発光半導体装置
CN1961431A (zh) 表面安装型发光芯片封装件
TW200926445A (en) Fabricating method of photoelectric device and packaging structure thereof
CN103489983A (zh) 覆晶式发光二极管及其制法与应用
TW201208152A (en) Surface-mountable optoelectronic component and method of manufacturing a surface-mountable optoelectronic component
CN212648266U (zh) 半导体发光元件和发光器件
CN102194801A (zh) 正向发光的发光二极管封装结构及其形成方法
CN103811631A (zh) 芯片倒装式发光二极管封装模块及其制法
US20110181182A1 (en) Top view light emitting device package and fabrication method thereof
CN204668358U (zh) 发光二极管和发光装置
US20120049204A1 (en) Led module
CN101981712A (zh) 半导体发光器件和用于制造半导体发光器件的方法
CN105140375A (zh) 基板以及发光二极管装置
CN110246834B (zh) 半导体发光器件封装件
CN110021691B (zh) 一种半导体发光器件
CN102194964A (zh) 化合物半导体封装结构及其制造方法
KR100866879B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
CN100585890C (zh) 发光芯片封装体及其制造方法
CN110651404B (zh) 激光二极管
TWI407603B (zh) 發光元件封裝結構及其製程
KR101161408B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant