CN102223142B

CN102223142B - 声波谐振器

Info

Publication number: CN102223142B
Application number: CN201110062302.8A
Authority: CN
Inventors: 张�浩; 庞慰
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2011-08-13
Filing date: 2011-08-13
Publication date: 2019-09-10
Anticipated expiration: 2031-08-13
Also published as: CN102223142A

Abstract

一种声波谐振器，包括：基底；形成在基底内部或上方的声隔离器，所述的声隔离器边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界；形成在声隔离器上的第一电极；形成在第一电极上的压电层；形成在压电层上的第二电极，所述的第二电极边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界，其中第二电极的边缘位于声隔离器边缘的内侧；形成在压电层上的衬垫，衬垫围绕第二电极的边缘且位于声隔离器边缘的内侧。本发明的声波谐振器，结构简单，易于实现。具有较高的品质因数Q_p，且不损害品质因数Q_s、有效机电耦合系数以及能够避免寄生模式的出现。本发明结构简单，易于实现。具有较高的品质因数Q_p，且不损害品质因数Q_s、有效机电耦合系数以及能够避免寄生模式的出现。

Description

声波谐振器

技术领域

本发明涉及一种声波器件，特别是涉及一种通过施加边界载荷的方法，例如在顶部或底部电极边界增加衬垫以提高其电学性能的压电薄膜体声波谐振器。

背景技术

移动通信产品，例如移动电话和手持设备正迅速向小型化和轻便化发展。这样的产品需要射频(RF)滤波器的频率范围大致覆盖0.5GHz～10GHz，以保护接收到的信号不受干扰影响，其中干扰信号可能来自同一手持设备中的发射器或者来自设备外部形成的噪声信号。这需要滤波器必须具有较低的通带插入损耗(通常小于2dB)以达到合适的信噪比要求。由于薄膜体声波(BAW)谐振器和滤波器具有高品质因数、较高的功率承受能力、低成本的晶圆级封装技术以及与IC技术的兼容性，使得它们被广泛应用于无线移动通信设备中。如图7所示，一个最简单的BAW谐振器10包括底部电极13和顶部电极15以及在它们之间形成的薄膜压电材料层14，如氮化铝(AlN)、氧化锌(zinc oxide)和压电陶瓷(PZT)。通常，BAW谐振器10使用声隔离器12与支撑基底11进行声学隔离，声隔离器12可以是包括在支撑BAW谐振器10的薄膜下方形成的空气腔或者是由高低声阻抗材料交替堆叠形成的声反射镜。对于这样的BAW谐振器，多种声波模式可以沿谐振器水平方向传播。这些模式由纵向和剪切体声波组合而成，并在薄膜内沿不同角度传播，以此来满足谐振器的连续性边界条件。以板波模式传播的波通常被称为兰姆波(Lamb waves)。横向尺寸有限的BAW谐振器通常在f_s和f_p之间存在大量的寄生模式，如图8所示。

薄膜BAW谐振器的性能主要由其有效机电耦合系数和品质因数(Q)表征。有效机电耦合系数越大，RF滤波器的带宽或者压控谐振器的调节范围就越宽。

Feng等人在U.S.Pat.No.7,280,007中公开了一种通过在谐振器边缘增加质量负载层来提高品质因数Q_p的技术方法。尽管品质因数Q_p可以通过此方法得到改善，然而增加的质量负载层会引起并联电容(C₀)的增加，以及在串联谐振频率(f_s)附近引起有效机电耦合系数和品质因数(Q_s)的减小，这种现象可以通过增加质量负载层的宽度观察到。在一些需要较大Q_s和的应用如UMTS band 1双工器中，此种方法是不理想的。由于质量负载层的引入而使谐振频率f_s以下的寄生模式显著增强。同时，寄生模式会引起滤波器通带内纹波系数的增加。

因此，具有较高Q_p，且不损害Q_s、以及能够避免寄生模式的谐振器是所希望的。因此，上述的诸多缺陷和不足需要得到很好的解决。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种具有较高的品质因数，能够避免寄生模式出现的声波谐振器。

本发明所采用的技术方案是：一种声波谐振器，包括：

(a)基底；

(b)形成在基底内部或上方的声隔离器，所述的声隔离器边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界；

(c)形成在声隔离器上的第一电极；

(d)形成在第一电极上的压电层；

(e)形成在压电层上的第二电极，所述的第二电极边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界，其中第二电极的边缘位于声隔离器边缘的内侧；

(f)形成在压电层上的衬垫，衬垫围绕第二电极的边缘且位于声隔离器边缘的内侧。

所述的声隔离器的第一边界与第二电极的第一边界之间的距离为第一距离D1，声隔离器的第二边界与第二电极的第二边界之间的距离为第二距离D2。

所述的衬垫的设置是为了围绕第二电极边缘构造边界条件，从而将兰姆模式的能量限制在声波谐振器的内部。

所述的衬垫的侧壁与第二电极相对，且该侧壁的轮廓为壁面轮廓、阶梯轮廓、曲线轮廓、渐变轮廓中的一种或是它们的组合。

所述的衬垫宽度为W，高度为H，且宽度W小于第一距离D1和第二距离D2。

将所述的衬垫与第二电极边缘之间的距离定义为第三距离D3。

所述的衬垫由介电材料形成，采用氧化硅、碳化硅、氮化硅和氮化铝材料中的一种或者几种，且0≤D3≤20μm。

所述的衬垫可以由与第一和第二电极相同或者完全不同的金属材料形成，且0≤D3≤20μm。

在衬垫与第二电极边缘之间的被定义为第三距离D3的间隙是由非导电材料填充的。

所述的声隔离器包括空气腔或声反射镜。

一种声波谐振器，包括：

(a)基底；

(c)形成在声隔离器上的第一电极，所述的第一电极边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界；

(d)形成在第一电极上的压电层；

(e)形成在压电层上的第二电极，所述的第二电极边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界，第一电极和第二电极之中有一电极的边缘位于声隔离器边缘的内侧，另一电极的边缘位于声隔离器边缘的外侧；

(f)围绕第一或第二电极形成的衬垫，其中该第一或第二电极的边缘位于声隔离器的内侧。

将所述的声隔离器的第一边界与第一电极或第二电极的第一边界之间的距离定义为第一距离D1，其中该第一电极或第二电极的边缘位于声隔离器边缘的内侧，将声隔离器的第二边界与该电极第二边界之间的距离定义为第二距离D2。

所述的衬垫的设置是为了围绕第一或第二电极边缘构造边界条件，从而将兰姆模式的能量限制在声波谐振器的内部。

所述的与第一电极或第二电极相对的衬垫侧壁的轮廓为壁面轮廓、阶梯轮廓、曲线轮廓、渐变轮廓中的一种或是它们的组合。

所述的衬垫的宽度为W，高度为H，且宽度W小于第一距离D1和第二距离D2。

所述的衬垫与第一电极或第二电极边缘之间的距离定义为第三距离D3。

所述的衬垫是由与第一和第二电极相同或者完全不同的金属材料形成，且0≤D3≤20μm。

一种声波谐振器，包括：

(a)在基底内部或上方形成的声隔离器，所述的声隔离器边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界；

(b)在声隔离器上形成的第一电极，所述的第一电极边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界；

(c)形成在第一电极上的压电层；

(d)形成在压电层上的第二电极，所述的第二电极边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界，第一电极和第二电极中有一电极的边缘位于声隔离器边缘的内侧，另一电极的边缘位于声隔离器边缘的外侧；

(e)围绕第一电极或第二电极边缘施加的边界载荷，用于将兰姆模式的能量限制于声波谐振器之内。

所述的边界载荷倾向于位于声隔离器边缘的内侧。

所述的边界载荷包括由介电材料或金属材料形成的衬垫。

本发明的声波谐振器，结构简单，易于实现。具有较高的品质因数Q_p，且不损害品质因数Q_s、有效机电耦合系数以及能够避免寄生模式的出现。

附图说明

用附图来说明本发明的实现形式，它和文字说明一起来解释本发明的原理。只要有可能，附图就使用相同的参考号码来指代相同或类似的实现形式。

图1A是根据本发明的一个实例而得到的声波谐振器的剖面图；

图1B是根据本发明的另一个实例而得到的声波谐振器的剖面图；

图1C是根据本发明的又一个实例而得到的声波谐振器的剖面图；

图2A是根据本发明的再一个实例而得到的声波谐振器的剖面图；

图2B是根据本发明的另一个实例而得到的声波谐振器的剖面图；

图3是根据本发明的又一个实例而得到的声波谐振器的剖面图；

图4A-4D是根据本发明的一个实例而得到的具有不同衬垫宽度的声波谐振器响应(S₁₁)的史密斯圆图；

图5A-5E是根据本发明的一个实例而得到的具有不同衬垫高度的声波谐振器响应(S₁₁)的史密斯圆图；

图6A-6F是根据本发明的一个实例而得到的具有不同间隙的声波谐振器响应(S₁₁)的史密斯圆图；

图7是传统的声波谐振器的剖面图；

图8是图7所示的传统声波谐振器响应(S₁₁)的史密斯圆图。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本发明的声波谐振器做出详细说明。

结合说明书和附图一起描述本发明的具体实现形式。根据本发明的宗旨，在此大致描述本发明的具体实现形式，一方面涉及到以下将通过参考附图对该专利进行更为详尽具体的描述。依据本发明的目的，如前面详细论述的，本发明涉及声波谐振器/器件，该声波谐振器通过施加边界载荷如在顶部或底部电极周围加衬垫以提高其电学特性。

声波谐振器包括基底，在基底内部或上方形成的声隔离器，在声隔离器上形成的第一(底部)电极，在第一电极上形成的压电层，在压电层上形成的第二(顶部)电极，以及围绕第一或第二电极的边界载荷，其中该第一或第二电极的边缘位于声隔离器边缘的内侧。在一个实例中，边界载荷包括由介电材料或导电材料形成的衬垫。衬垫侧壁轮廓可以为壁面轮廓、曲线轮廓、阶梯轮廓、渐变轮廓或是它们的组合。

参考图1A为根据本发明的一个实例而得到的声波谐振器100A。声波谐振器100A包括基底110，在基底110的内部或上方形成的声隔离器120，在声隔离器120上形成的第一(底部)电极130，在第一电极130上形成的压电(PZ)层140，以及在压电层140上形成的第二(顶部)电极150。

声隔离器120的边缘125的一端定义为第一边界122，对应的另一端定义为第二边界124。声隔离器120可以是空气腔或者声反射镜。或者，声隔离器120也可以嵌于介质层127之中，其中介质层127形成于基底110之上。

底部电极130的边缘135的一端定义为第一边界132，对应的另一端定义为第二边界134。第一边界132和第二边界134在水平方向上位于声隔离器120的边缘125的外侧。

顶部电极150的边缘155的一端定义为第一边界152，对应的另一端定义为第二边界154。顶部电极150的边缘155通常为五边形(图中未画出)，但也可以是任意多边形、圆形或其他光滑的或不规则的几何形状。顶部电极150的边缘155在水平方向上位于声隔离器120的边缘125的内侧。此外，将声隔离器120的第一边界122与顶部电极150的第一边界152之间的距离定义为第一横向距离D1。将声隔离器120的第二边界124与第二电极150的第二边界154之间的距离定义为第二横向距离D2。第一横向距离D1和第二横向距离D2可以相等或不等。第一横向距离D1和第二横向距离D2的范围通常是0.1μm～20μm。

如图1A所示，声波谐振器100A也包括衬垫160A，160A的设置是为了围绕顶部电极150的边缘155构造连续边界条件，以使兰姆模式(Lamb mode)的能量被限制在声波谐振器100A的内部。衬垫160A在压电层140上方形成，并围绕着顶部电极150的边缘155。并且衬垫160A在水平方向上位于声隔离器120的边缘125的内侧。在此实例中，衬垫160A与顶部电极150的边缘155接触。在下图2中，衬垫可能通过距离为D3的间隙(第三距离)与顶部电极的边缘分离。间隙D3的范围大致为0～20μm，并且希望其值尽可能的小。

衬垫160A的特征尺寸有宽度W和高度H。衬垫宽度W倾向于小于第一和第二横向距离D1和D2，这样衬垫160A在水平方向上就会位于声隔离器120的第一、第二边界122和124的内侧。在图1A所示的典型形式中，衬垫的高度H大于顶部电极150的厚度。在其它实例中，衬垫的高度H可能等于或小于顶部电极150的厚度。衬垫160A高度的选择要以能提高谐振器(或由谐振器构成的滤波器)的电学性能为标准，可以通过实验、有限元模型分析或其他的分析方法来确定衬垫160A的宽度W和高度H。

衬垫160A具有面向顶部电极150的边缘155的侧壁。如图1A所示，该侧壁的轮廓为垂直壁面162A。如图1B和图1C所示，侧壁的轮廓也可以为阶梯轮廓、曲线轮廓、渐变轮廓或是它们的组合。根据本发明，衬垫160A是为了构造边界条件，从而将兰姆模式的能量限制在声波谐振器100A的内部。

在一个实例中，基底110由硅(Si)形成，压电层140由压电材料形成，如氮化铝(AlN)、氧化锌(zinc oxide)或压电陶瓷(PZT)。其他的压电材料也可用来形成压电层140。底部电极130和顶部电极150由导电材料如钨(W)或钼(Mo)形成。衬垫160A可以由介电材料形成，如氧化硅(silicon oxide)、碳化硅(silicon carbide)、氮化硅(silicon nitride)或氮化铝(aluminum nitride)中的一种或者几种，或者由金属材料形成，此金属材料可以与底部电极130和顶部电极150的材料相同或不同，如钨(W)或钼(Mo)。对于金属衬垫，间隙的距离D3不可以为0。

图1B为根据本发明的另一实例而得到的声波谐振器100B。声波谐振器100B具有同图1A所示的声波谐振器100A基本上相同的多层结构，但衬垫160B具有阶梯状的侧壁轮廓162B，此侧壁与顶电极150的边缘155相对。

图1C为根据本发明的又一实例而得到的声波谐振器100C。类似地，声波谐振器100C具有同图1A所示的声波谐振器100A基本上相同的多层结构，但衬垫160C具有渐变的侧壁轮廓，即侧壁轮廓由一种形状渐变为另一种形状。例如，与顶部电极150的第一边界152邻近的侧壁轮廓为曲线轮廓162C，然而与顶部电极150的第二边界154邻近的侧壁轮廓为倾斜轮廓164C。在边缘上的其他位置，衬垫160C的侧壁轮廓可以是曲线轮廓162C和倾斜轮廓164C的组合。

在图1A-1C所示的声波谐振器100A-100C中，衬垫160A、160B、160C与顶部电极150的边缘155相接触，即在160A、160B、160C与顶部电极150的边缘155之间没有间隙。

图2A为根据本发明再一个实例得到的声波谐振器200。类似地，声波谐振器200也具有由声隔离器220支撑的多层结构，其中声隔离器220在基底210的内部或上方形成。声隔离器220的边缘225的一端定义为第一边界222，对应的另一端定义为第二边界224。多层结构包括在声隔离器220上形成的底部电极230，在底部电极230上形成的压电层240，在压电层240上形成的顶部电极250，以及在压电层240上方形成的并围绕顶部电极250的衬垫260。顶部电极250的边缘255的一端定义为第一边界252，对应的另一端定义为第二边界254。顶部电极250的边缘255在水平方向上位于声隔离器220的边缘225的内侧。此外，将声隔离器220的第一边界222与顶部电极250的第一边界252之间的距离定义为第一横向距离D1。将声隔离器220的第二边界224与顶部电极250的第二边界254之间的距离定义为第二横向距离D2。

然而，衬垫260通过间距为D3(第三距离)的间隙与顶部电极250的边缘255相分离，其中D3为衬垫的侧壁262与顶部电极250的边缘255之间的距离。尤其对于导电的衬垫260，必须通过间距为D3的间隙使衬垫260与顶部电极250分离，这样可以防止衬垫260与顶部电极250有电气连接。间距D3要尽可能的小。在一个实例中，如图2B所示，间距D3用非导电材料270填充，如介电材料和聚合物，从而使顶部电极250与导电的衬垫260相隔离。

参考图3为根据本发明另一个实例而得到的声波谐振器300。声波谐振器300包括基底310，在基底310内部或上方形成的声隔离器320，在声隔离器320上形成的底部电极330，在底部电极330上形成的压电层340，在压电层340上形成的顶部电极350，以及在声隔离器320上方形成的且围绕底部电极330的衬垫360。

类似地，声隔离器320的边缘325的一端定义为第一边界322，对应的另一端定义为第二边界324。声隔离器320可以为空气腔或者声反射镜。或者，声隔离器320也可以位于介质层327中，其中介质层327在基底310上形成。

底部电极和顶部电极330/350的边缘335/355的一端定义为第一边界332/352，对应的另一端定义为第二边界334/354。顶部电极350的边缘355在水平方向上位于声隔离器320的边缘325的外侧，而底部电极330的边缘335在水平方向上位于声隔离器320的边缘325的内侧。此外，将声隔离器320的第一边界322与底部电极330的第一边界332之间的距离定义为第一横向距离D1。将声隔离器320的第二边界324与底部电极330的第二边界334之间的距离定义为第二横向距离D2。第一横向距离D1和第二横向距离D2可以相等或不等。通常第一横向距离D1和第二横向距离D2的取值范围是0.1μm～20μm。

在这个典型实例中，衬垫360与底部电极330的边缘335接触，并且其在水平方向上位于声隔离器320的边缘325的内侧。衬垫360可通过第三距离(间隙)D3(图中未示出)与底部电极330的边缘335相分离，其第三距离(间隙)D3的范围为0～20μm，并且其值应尽可能的小。

衬垫360具有宽度和高度这两个特征尺寸。衬垫360尺寸的选择要以能提高声波谐振器300的电学性能为标准，可以通过实验、有限元模型分析或其他的分析方法来确定衬垫的宽度和高度。

BAW谐振器的品质因数Q_p与并联谐振频率附近的被称为R_p的阻抗参数成正比。通常，传统谐振器的阻抗R_p的范围在1000Ω到2000Ω之间，并且在大于f_s的频率范围内存在很强的寄生模式，如图8所示。可以通过具有最优化尺寸的衬垫来改善阻抗R_p，从而提高BAW谐振器的性能，如图4A-4D，5A-5E和6A-6F所示。

图4A-4D展示了图1A所示的声波谐振器响应(S₁₁)的史密斯圆图，该声波谐振器的衬垫具有固定高度H和可变宽度W。声波谐振器的衬垫和顶部电极的材料分别是氧化硅(siliconoxide)和钼(Mo)。在每幅图中都标示出了衬垫的宽度和高度的尺寸以及声波谐振器的特征参数R_s(BAW谐振器的品质因数Q_s与串联谐振频率附近的阻抗参数R_s成反比)、R_p和图4A-4D所示的这些史密斯圆图，对应的谐振器的衬垫的高度H约为300nm，宽度W分别约为1μm、3.8μm、5.8μm和7.4μm。显然，当声波谐振器的衬垫具有最优尺寸时，例如衬垫的高度或厚度H约为300nm，宽度W约为3.8μm时，声波谐振器具有最佳性能，几乎没有寄生模式存在，如图4B所示。当衬垫的宽度大于或小于该最佳宽度时，在大于f_s的频率范围内仍然会存在一系列寄生模式。同时，Q_p的改善也很明显。若衬垫具有最佳的宽度尺寸，例如约为3.8μm和7.4μm，则R_p值将提高到大约3700-5000Ω。可以注意到和R_s(Q_s)的值相比于图8所示的BAW谐振器几乎没有变化，这主要是因为在衬垫下方的压电层中不存在电场。

图5A-5E展示了图1A所示的声波谐振器响应(S₁₁)的史密斯圆图，该声波谐振器的衬垫具有固定宽度W和可变高度H。声波谐振器的衬垫和顶部电极的材料分别是氧化硅(siliconoxide)和钼(Mo)。在每幅图中都标示出了衬垫的宽度和高度的尺寸以及声波谐振器的特征参数R_s、R_p和图5A-5E所示的这些史密斯图，对应的谐振器的衬垫宽度W约为3.8μm，高度H分别约为100nm、200nm、300nm、400nm和500nm。类似地，当声波谐振器的衬垫具有最优尺寸时，例如衬垫的高度或厚度H约为300nm，宽度W约为3.8μm时，声波谐振器具有最佳性能，几乎没有寄生模式存在，如图5C所示。当衬垫的高度H大于或小于该最佳高度时，在大于f_s的频率范围内仍然会存在一系列寄生模式。

若衬垫是导体，则衬垫与顶部电极没有电气连接，例如在衬垫边缘和顶部电极边缘之间存在一定的距离或间隙D3，如图2A所示。图6A-6F展示了图2A中所示的具有不同间隙D3的声波谐振器响应(S₁₁)的史密斯圆图。衬垫的材料是钼。衬垫的宽度W和高度H分别是3.5μm和200nm。间距D3的值分别约为0.1μm、0.3μm、0.5μm、1μm、3μm和4.5μm，对应图6A-6F。同衬垫与顶部电极相接触的情况类似，R_p值也可以提高到3000Ω以上。然而，伴随间距D3的变化寄生模式仍然存在，例如当间距D3约为4.5μm时，谐振器频率大于f_s的寄生模式较强且在低于f_s的范围内出现寄生模式，如图6F所示。

总之，本发明描述了使用边界载荷如在顶部电极或底部电极周围设置衬垫以增强其电学性能的声波谐振器。

上述对本发明中几种典型体声波谐振器的描述仅仅是为了说明，这些说明不是很详尽，不会限制发明的确切形式。鉴于本发明，可以做出许多修改和变化。在不偏离本专利的思想和范围内存在着可能的变式和改动。

Claims

1.一种声波谐振器，其特征在于，包括：

(a)基底；

(c)形成在声隔离器上的第一电极；

(d)形成在第一电极上的压电层；

(f)形成在压电层上的衬垫，所述的衬垫的侧壁与第二电极相对，且该侧壁的轮廓为壁面轮廓、阶梯轮廓、曲线轮廓、渐变轮廓中的一种或是它们的组合，衬垫围绕第二电极的边缘且位于声隔离器边缘的内侧，将所述的衬垫与第二电极边缘之间的距离定义为第三距离D3，当所述的衬垫由介电材料形成，则0≤D3≤20μm；当所述的衬垫由与第一和第二电极相同或者完全不同的金属材料形成，则0＜D3≤20μm。

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述的声隔离器的第一边界与第二电极的第一边界之间的距离为第一距离D1，声隔离器的第二边界与第二电极的第二边界之间的距离为第二距离D2。

3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述的衬垫的设置是为了围绕第二电极边缘构造边界条件，从而将兰姆模式的能量限制在声波谐振器的内部。

4.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述的衬垫宽度为W，高度为H，且宽度W小于第一距离D1和第二距离D2。

5.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，当所述的衬垫由介电材料形成，采用氧化硅、碳化硅、氮化硅和氮化铝材料中的一种或者几种。

6.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，在衬垫与第二电极边缘之间的被定义为第三距离D3的间隙是由非导电材料填充的。

7.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述的声隔离器包括空气腔或声反射镜。

8.一种声波谐振器，其特征在于，包括：

(a)基底；

(d)形成在第一电极上的压电层；

(f)围绕第一或第二电极形成的衬垫，与第一电极或第二电极相对的衬垫侧壁的轮廓为壁面轮廓、阶梯轮廓、曲线轮廓、渐变轮廓中的一种或是它们的组合，其中该第一或第二电极的边缘位于声隔离器的内侧，所述的衬垫与第一电极或第二电极边缘之间的距离定义为第三距离D3，当所述的衬垫由介电材料形成，则0≤D3≤20μm；当所述的衬垫是由与第一和第二电极相同或者完全不同的金属材料形成，则0＜D3≤20μm。

9.根据权利要求8所述的声波谐振器，其特征在于，将所述的声隔离器的第一边界与第一电极或第二电极的第一边界之间的距离定义为第一距离D1，其中该第一电极或第二电极的边缘位于声隔离器边缘的内侧，将声隔离器的第二边界与该电极第二边界之间的距离定义为第二距离D2。

10.根据权利要求8所述的声波谐振器，其特征在于，所述的衬垫的设置是为了围绕第一或第二电极边缘构造边界条件，从而将兰姆模式的能量限制在声波谐振器的内部。

11.根据权利要求8所述的声波谐振器，其特征在于，所述的衬垫的宽度为W，高度为H，且宽度W小于第一距离D1和第二距离D2。

12.根据权利要求8所述的声波谐振器，其特征在于，当所述的衬垫由介电材料形成，采用氧化硅、碳化硅、氮化硅和氮化铝材料中的一种或者几种。