CN102201517A - 发光器件、发光器件封装以及照明系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了发光器件、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：衬底；发光结构，该发光结构包括被形成在基板上使得暴露第一导电半导体层的一部分的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；介电层，该介电层从第二导电半导体层的顶表面形成到第一导电半导体层的暴露的顶表面；在第二导电半导体层上的第二电极；以及第一电极，该第一电极在第一导电半导体层的暴露的顶表面上同时接触第二导电半导体层上的介电层的一部分。
Description
技术领域
本发明涉及发光器件、发光器件封装以及照明系统。
背景技术
发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管。通过组合周期表的III-V族元素能够形成p-n结二极管。通过调节化合物半导体的组成比率，LED能够表现各种颜色。
根据现有技术，在静电放电(ESD)时电流在反向方向上流动，使得可能损坏用作发光区域的有源层。为了解决上述问题，齐纳二极管被安装在封装中，但是齐纳二极管会吸收光。
另外，根据现有技术，可能出现电流集边(current crowding)，使得LED的寿命和可靠性可能被降低。
发明内容
实施例提供发光器件封装和照明系统，其能够防止由静电放电(ESD)引起的损坏而没有光量的损耗。
实施例提供发光器件封装和照明系统，其能够提高光提取效率以及电流扩展效率。
根据实施例的发光器件可以包括：衬底；发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，其形成在衬底上使得暴露第一导电半导体层的一部分；介电层，该介电层从第二导电半导体层的顶表面形成到第一导电半导体层的暴露的顶表面；在第二导电半导体层上的第二电极；以及第一电极，该第一电极在第一导电半导体层的暴露的顶表面上同时接触第二导电半导体层上的介电层的一部分。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括发光器件和其中安装有发光器件的封装主体。
根据实施例的照明系统可以包括发光模块，该发光模块包括基板和安装在基板上的发光器件封装。
附图说明
图1是示出根据实施例的发光器件的截面图。
图2和图3是示出在根据现有技术的发光器件的静电放电时形成电场的概念的示意图；
图4是示出根据实施例的发光器件的驱动方案的截面图；
图5是示出在根据实施例的发光器件的静电放电时形成电场的概念的示意图；
图6是示出根据实施例的发光器件的电路结构的示意图；
图7是示出在根据实施例的发光器件的静电放电时的波形的示意图；
图8至图10是示出根据实施例的制造发光器件的方法的截面图；
图11是示出根据实施例的发光器件封装的截面图；
图12是示出根据实施例的照明单元的透视图；以及
图13是示出根据实施例的背光单元的分解透视图。
具体实施方式
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、发光器件封装以及照明系统。
在下面的描述中，将会理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或衬底“上”时，其能够直接地在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为两个层“之间”时，它能够是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或者多个中间层。
<实施例>
图1是示出根据实施例的发光器件的横截面图。
根据实施例的发光器件100包括：衬底105；发光结构110，该发光结构110具有以第一导电半导体层112能够向上部分地暴露的方式形成在衬底105上的第一导电半导体层112、有源层114以及第二导电半导体层116；介电层130，该介电层130形成在暴露的第一导电半导体层112和第二导电半导体层116上；第二电极146，该第二电极146形成在第二导电半导体层116上；以及第一电极142，该第一电极142形成在暴露的第一导电半导体层112上同时接触形成在第二导电半导体层116上的介电层130的一部分。
根据实施例，第一电极142、介电层130以及第二电极146可以用作MIM(金属/绝缘体/金属)电容器。
图4是示出根据实施例的发光器件100的驱动方案的截面图。
根据实施例，介电层130形成在第一和第二电极142和146之间以电气地断开第一和第二电极142和146，从而针对ESD保护LED。
因此，如图4中所示，在正向电压下，电流被施加到有源层使得有源层发射光，并且如果由于ESD使得以脉冲的形式施加ESD影响，那么高频能量(参见虚线)可以经过介电层从而能够保护有源层。
根据实施例，介电层130形成在台面边缘区域处，从而防止台面边缘区域中的电流集中(current concentration)，同时防止ESD。
如图1中所示，第一电极142能够形成在介电层130的顶表面上同时接触介电层130。在这样的情况下，能够扩大第一电极142和介电层130之间的接触面积使得能够增加电容，并且介电层130能够通过第一电极142稳固地接触发光结构。
另外，根据实施例，形成在第一导电半导体层112上的第一电极142可以延伸到形成在第二导电半导体层116上的介电层130的顶表面上。在这样的情况下，能够减少电极之间的间隙，使得能够将由ESD引起的电场容易地感应到介电层130的电容器并且能够增加电容，从而减少电荷到LED芯片的突然放电。
如图1中所示，介电层130能够接触第二电极146。另外，接触介电层130的第二电极146可以延伸到介电层130的顶表面上。在这样的情况下，能够增加电容并且能够稳定地保持介电层130。
同时，不同于图1，接触第二电极146的介电层130可以延伸到第二电极146的顶表面上以增加电容。
如图1中所示，根据实施例，透射电极120能够形成在发光结构110上并且第二电极146能够形成在透射电极120上。
根据实施例，介电层130形成在发光区域上，因此介电层130可以是透射介电层，但是实施例不限于此。
同时，根据实施例，介电层130能够接触透射电极120而不接触第二电极146。在这样的情况下，是光提取区域的第二导电半导体层116可以更少地被介电层130覆盖，从而能够提高光提取效率和ESD保护效率。
根据实施例，为了针对ESD保护LED，介电层130形成在第一和第二电极142和146之间。因此，在正向电压下电流被施加到有源层使得有源层发射光，并且如果由于ESD使得以脉冲的形式施加ESD影响，那么高频能量可以经过介电层从而能够保护有源层。
另外，根据实施例，形成在第一导电半导体层112上的第一电极142可以延伸到形成在第二导电半导体层116上的介电层130的顶表面上。在这样的情况下，能够减少电极之间的间隙，从而能够容易地将由ESD引起的电场感应到介电层130的电容器并且能够增加电容，从而减少电荷到LED芯片的突然放电。
图2和图3是示出在根据现有技术的发光器件的静电放电时形成电场的概念的示意图，并且图5是示出在根据实施例的发光器件的静电放电时形成电场的概念的示意图。
当反向电压被施加到半导体器件时会出现由ESD引起的LED损坏。如图2和图3中所示，由于当施加反向电压时通电的电荷使得强电场被感应到LED有源区域。
另外，如图3中所示，载流子(电子和空穴)被加速使得载流子与原子碰撞，从而产生其它的载流子并且产生的载流子可以产生新的载流子，这被称为“雪崩击穿”。如果由于由通电的电荷感应的强电场使得半导体器件遭受过度的ESD，那么LED半导体会由于雪崩击穿而损坏。
为了解决上述问题，根据实施例，如图5中所示，提供MIM电容器结构。在这样的情况下，被施加到LED的有源层的电场的一部分被感应到MIM电容使得在有源区域中衰减电场，从而提高针对ESD的耐受性。
详细地，根据现有技术，源自于通电电荷的所有强电场Q0能够被感应到LED有源区域，使得会由于雪崩击穿而导致出现LED损坏。相反地，根据实施例，源自于通电电荷的强电场Q0的一部分Q2能够被感应到介电层130，使得能够在LED有源区域中减少电场的强度Q1。
图6是示出根据实施例的发光器件的电路结构的示意图。
根据实施例，第一电极142、介电层130以及第二电极146可以用作电容器CD。
根据实施例的发光器件可以具有如图6中所示的电路结构。如果施加正向电压，那么电流流过LED从而发射光。另外，如果由于ESD导致施加反向电压，那么电流流过MIM电容器CD。
这时，当由于ESD导致施加反向电压时，流过有源层的电流可以随着由于ESD应力导致总电容CD增加而降低，从而减少影响。
这能够通过使用公式如下地表达。
QDis＝CESDVESD(QDis是ESD时的电荷量，并且CESD是ESD时的电容)
C′Tot＝C二极管+CD(具有MIM电容器)
CTot＝C二极管(不具有MIM电容器)
I＝dQ/dt＝ΔQ/τ＝QDis/(RCTot)∴CTot↑-＞I↓
∴I′＝QDis/(RC′Tot)＜I＝QDis/(RCTot)
即，当由于ESD导致施加反向电压时，流过有源层的电流I′随着由于ESD应力导致的总电容CTot增加而降低。
图7是示出在根据实施例的发光器件的静电放电时的波形的示意图。
如图7中所示，通过傅里叶变换，脉冲波形可以具有高频分量。另外，随着上升时间(tr)变陡，高频分量的强度可以增加。
如根据下述公式能够看到的，随着频率变高，通过电容引起的阻抗会变减少。因此，当由于ESD导致施加反向电压时，MIM电容器的阻抗减少，使得高频电流可以流过MIM电容器。
阻抗：Z＝ZR+jZIm(ZR是实部阻抗，j是虚部的系数，并且ZIm是由电容器引起的阻抗)
电容器：ZIm，C＝1/(jωC)，(ω＝2πf)
即，当由于ESD导致施加反向电压时，MIM电容器的阻抗减少，使得高频电流可以流过MIM电容器。
根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装，能够针对ESD保护LED而没有光量的损耗。
根据实施例，电容器被设置在LED芯片中以防止由ESD引起的损坏，从而能够通过简单工艺以低成本制造封装并且能够减少光吸收。
另外，根据实施例，形成在第一导电半导体层112上的第一电极142可以延伸到形成在第二导电半导体层116上的介电层130的顶表面上。在这样的情况下，能够减少电极之间的间隙，使得由ESD引起的电场能够被容易地感应到介电层130的电容器并且电容能够增加，从而减少电荷到LED芯片的突然放电。
此外，根据实施例，能够有效地调节电流流动，使得能够提高光提取效率。
另外，根据实施例，能够提高电流扩展效率，使得能够提高发光器件的可靠性。
在下文中，将会参考图8至图10描述根据实施例的用于制造发光器件的方法。根据实施例，发光器件可以包括III-V族元素，诸如GaN、GaAs、GaAsP或者GaP，但是实施例不限于此。另外，实施例不限于下述工艺顺序，而是在实施例能够采用各种工艺顺序。
首先，制备如图8中所示的衬底105。衬底105可以包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，衬底105可以包括Al2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge以及Ga2O3中的至少一个。凹凸结构能够形成在衬底105上，但是实施例不限于此。
衬底105能够进行湿法蚀刻工艺以从衬底105的表面移除杂质。
然后，包括第一导电半导体层112、有源层114以及第二半导体层116的发光结构110形成在衬底105上。
例如，通过MOCVD(金属有机化学气相沉积)、CVD(化学气相沉积)、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、MBE(分子束外延)或者HVPE(氢化物气相外延)能够形成发光结构110，但是实施例不限于此。
缓冲层(未示出)能够形成在衬底105上。缓冲层可以减少发光结构110和衬底105之间的晶格错配。缓冲层可以包括III-V族化合物半导体。例如，缓冲层可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、以及AlInN中的至少一个。未掺杂的半导体层能够形成在缓冲层上，但是实施例不限于此。
第一导电半导体层112可以包括掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体。如果第一导电半导体层112是N型半导体层，那么第一导电掺杂物是N型掺杂物，诸如Si、Ge、Sn、Se或者Te，但是实施例不限于此。
第一导电半导体层112可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。
另外，第一导电半导体层112可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP以及InP中的至少一个。
第一导电半导体层112可以包括通过CVD、MBE、溅射或者HVPE形成的N型GaN层。另外，通过将包括诸如硅的n型杂质的硅烷(SiH4)气体、三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)以及氮气(N2)注入室能够形成第一导电半导体层112。
有源层114通过经由第一导电半导体层112注入的电子和经由第二导电半导体层116注入的空穴的复合发射具有基于有源层(发光层)114的本征能带确定的能量的光。
有源层114可以包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点结构中的至少一个。例如，通过注入TMGa气体、NH3气体、N2气体以及三甲基铟(TMIn)气体能够形成具有MQW结构的有源层114，但是实施例不限于此。
有源层114可以具有包括InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs(InGaAs)以及GaP/AlGaP(InGaP)中的至少一个的阱/阻挡层，但是实施例不限于此。阱层可以包括具有低于阻挡层的带隙能的带隙能的材料。
导电包覆层(未示出)能够形成在有源层114的上面和/或下面。导电包覆层可以包括具有高于有源层114的带隙能的带隙能的AlGaN基半导体。
第二导电半导体层116包括掺杂有第二导电掺杂物的III-V族化合物半导体。例如，第二导电半导体层116可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。详细地，第二导电半导体层116可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP组成的组中选择的一个。如果第二导电半导体层116是P型半导体层，那么第二导电掺杂物包括诸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba的P型掺杂物。第二导电半导体层116能够被制备为单层或者多层，但是实施例不限于此。
第二导电半导体层116可以包括能够通过将包括p型杂质(例如，Mg)的(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}气体、TMGa气体、NH3气体、N2气体注入室形成的p型GaN层，但是实施例不限于此。
根据实施例，第一导电半导体层112可以包括N型半导体层，并且第二导电半导体层116可以包括P型半导体层，但是实施例不限于此。另外，诸如具有与第二导电半导体层116的极性相反的极性的N型半导体层(未示出)的半导体层能够形成在第二导电半导体层116上。因此，发光结构110可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的一个。
然后，如图9中所示，台面蚀刻发光结构110使得能够向上暴露第一导电半导体层112的一部分。例如，以第二导电半导体层116和有源层114能够被蚀刻的方式通过使用预定的蚀刻图案(未示出)作为蚀刻掩模对用于第一电极142的区域执行蚀刻工艺，从而暴露第一导电半导体层112的顶表面的一部分。
然后，根据实施例，透射电极120形成在发光结构上。通过以多重结构堆叠单金属(或者金属合金)和金属氧化物能够形成透射电极120。例如，欧姆层可以包括ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ni、Pt、Cr、Ti以及Ag中的至少一个，但是实施例不限于此。
接下来，介电层130形成在暴露的第一导电半导体层112和第二导电半导体层116上。如果提供透射电极120，那么介电层130连接暴露的第一导电半导体层112和透射电极120。
因为介电层130能够形成在发光区域上，所以介电层130可以是透射介电层。介电层130可以包括TiO2、Al2O3或者SiO2，但是实施例不限于此。
根据实施例，介电层130形成在台面边缘区域处，从而防止在台面边缘区域中的电流集中同时防止ESD。
然后，如图10中所示，第一电极142形成在暴露的第一导电半导体层112上同时接触介电层130，并且第二电极146形成在第二导电半导体层116上。如果提供透射电极120，那么第二电极146可以形成在透射电极120上。
第一和第二电极142和146可以包括Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au以及W中的至少一个，但是实施例不限于此。
第一电极142能够形成在介电层130的顶表面上同时接触介电层130。在这样的情况下，第一电极142和介电层130之间的接触面积能够被扩大使得能够增加电容并且介电层130能够通过第一电极142稳固地接触发光结构。
另外，根据实施例，形成在第一导电半导体层112上的第一电极142可以延伸到形成在第二导电半导体层116上的介电层130的顶表面上。在这样的情况下，能够减少电极之间的间隙，使得能够将由ESD引起的电场容易地感应到介电层130的电容器并且能够增加电容，从而减少电荷到LED芯片的突然放电。
另外，介电层130能够接触第二电极146。另外，接触介电层130的第二电极146可以延伸到介电层130的顶表面。在这样的情况下，能够增加电容并且能够稳定地保持介电层130。
同时，不同于图10，接触第二电极146的介电层130可以延伸到第二电极146的顶表面以增加电容。在这样的情况下，在已经形成第二电极146之后形成介电层130，使得介电层130形成在第二电极146上。
另外，不同于图10，介电层130能够接触透射电极120而不接触第二电极146。在这样的情况下，是光提取区域的第二导电半导体层116可以被介电层130更少地覆盖，从而能够提高光提取效率和ESD保护效率。
根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法和发光器件封装，能够针对ESD保护LED而没有光量的损耗。
根据实施例，电容器被设置在LED芯片中以防止由ESD引起的损坏，从而能够通过简单工艺以低成本制造封装并且能够减少光吸收。
另外，根据实施例，形成在第一导电半导体层上的第一电极可以延伸到形成在第二导电半导体层上的介电层的顶表面上。在这样的情况下，能够减少电极之间的间隙，使得由ESD引起的电场能够被容易地感应到介电层的电容器并且能够增加电容，从而减少电荷到LED芯片的突然放电。
此外，根据实施例，能够通过有效地调节电流流动来提高光提取效率。此外，能够提高电流扩展效率，使得能够提高发光器件的可靠性。
图11是示出根据实施例的发光器件封装200的截面图。
参考图11，发光器件封装200包括封装主体205；第四和第五电极层210和220，该第四和第五电极层210和220形成在封装主体205上；发光器件100，该发光器件100被设置在封装主体205上，并且电气地连接到第四和第五电极层210和220；以及成型构件240，该成型构件240围绕发光器件100。
封装主体205可以包括硅、合成树脂或者金属材料。倾斜表面可以形成在发光器件100的周围。
第四和第五电极层210和220相互电气地隔离以将电力提供给发光器件100。另外，第四和第五电极层210和220反射从发光器件100发射的光以提高光效率并且将从发光器件100生成的热散发到外部。
能够采用图1中所示的水平型发光器件作为发光器件100，但是实施例不限于此。例如，垂直型发光器件能够被用作发光器件100。
发光器件100能够通过布线230电气地连接到第四电极层210和/或第五电极层220。根据实施例，水平型发光器件100被示出为采用两个布线230。在倒装芯片型发光器件的情况下，可以省略布线230。
成型构件240围绕发光器件100以保护发光器件100。另外，成型构件240可以包括发光材料以改变从发光器件100发射的光的波长。
发光器件封装能够被装备有根据实施例的至少一个发光器件，但是实施例不限于此。
多个根据实施例的发光器件封装可以排列在基板上，并且包括导光板、棱镜片、扩散片或者荧光片的光学构件可以被设置在从发光器件封装发射的光的光学路径上。发光器件封装、基板以及光学构件可以用作背光单元或者照明单元。例如，照明系统可以包括背光单元、照明单元、指示器、灯或者街灯。
图12是示出根据实施例的照明单元1100的透视图。图12中所示的照明单元1100是照明系统的示例，并且实施例不限于此。
参考图12，照明单元1100包括壳体1110、安装在壳体1110中的发光模块1130以及连接端子1120，该连接端子1120被安装在壳体1110中以接收来自于外部电源的电力。
优选地，壳体1110包括具有优异的散热性的材料。例如，壳体1110包括金属材料或者树脂材料。
发光模块1130可以包括基板1132和安装在基板1132上的至少一个发光器件封装200。
基板1132包括印制有电路图案的绝缘构件。例如，基板1132包括PCB(印制电路板)、MC(金属核)PCB、F(柔性)PCB或者陶瓷PCB。
另外，基板1132可以包括有效地反射光的材料。基板1132的表面能够涂有诸如白色或者银色的颜色以有效地反射光。
至少一个发光器件封装200能够安装在基板1132上。每个发光器件封装200可以至少包括发光器件100。发光器件100可以包括发射具有红色、绿色、蓝色或者白色的光的彩色LED和发射UV光的UV(紫外线)LED。
发光模块1130可以具有发光器件封装200的各种组合以获得各种颜色和亮度。例如，能够组合白色LED、红色LED以及绿色LED以实现高显色指数(CRI)。
连接端子1120被电气地连接到发光模块1130以将电力提供给发光模块1130。连接端子1120具有与外部电源插座螺纹耦合的形状，但是实施例不限于此。例如，能够以插入外部电源的插头的形式制备连接端子1120，或者通过布线将连接端子1120连接到外部电源。
图13是示出根据实施例的背光单元1200的分解透视图。图13中所示的背光单元1200是照明系统的示例并且实施例不限于此。
根据实施例的背光单元1200包括导光板1210；发光模块1240，该发光模块1240用于将光提供给导光板1210；反射构件1220，该反射构件1220被定位在导光板下方；以及底盖1230，该底盖1230用于在其中容纳导光板1210、发光模块1240以及反射构件1220，但是实施例不限于此。
导光板1210扩散光以提供表面光。导光板1210包括透明材料。例如，通过使用诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯酸基树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、COC或者PEN(聚萘二甲酸乙二酯)树脂能够制造导光板1210。
发光模块1240将光提供给导光板1210的至少一侧，并且用作用于包括背光单元的显示装置的光源。
发光模块1240能够与导光板1210相邻地定位，但是实施例不限于此。详细地，发光模块1240包括基板1242和安装在基板1242上的多个发光器件封装200，并且基板1242能够与导光板1210相邻，但是实施例不限于此。
基板1242可以包括具有电路图案(未示出)的印制电路板(PCB)。另外，基板1242还可以包括金属核PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)，但是实施例不限于此。
另外，发光器件封装200被布置为发光器件封装200的出光表面与导光板1210隔开预定距离。
反射构件1220被布置在导光板1210的下方。反射构件1220将向下行进通过导光板1210的底表面的光朝着导光板1210反射，从而提高背光单元的亮度。例如，反射构件1220可以包括PET、PC或者PVC树脂，但是实施例不限于此。
底盖1230可以在其中容纳导光板1210、发光模块1240以及反射构件1220。为此，底盖1230具有带有开口的上表面的盒形状，但是实施例不限于此。
通过使用金属材料或者树脂材料通过按压工艺或者挤压工艺能够制造底盖1230。
根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法和发光器件封装，能够针对ESD保护LED而没有光量的损耗。
根据实施例，电容器被设置在LED芯片中以防止由ESD引起的损坏，从而能够通过简单工艺以低成本制造封装并且能够减少光吸收。
根据实施例，电容器被设置在LED芯片中以防止由ESD引起的损坏，从而能够通过简单工艺以低成本制造封装并且能够减少光吸收。
另外，根据实施例，形成在第一导电半导体层上的第一电极可以延伸到形成在第二导电半导体层上的介电层的顶表面上。在这样的情况下，能够减少电极之间的间隙，使得由ESD引起的电场能够被容易地感应到介电层的电容器并且能够增加电容，从而减少电荷到LED芯片的突然放电。
此外，根据实施例，能够有效地调节电流流动，使得能够提高光提取效率。另外，根据实施例，能够提高电流扩展效率，使得能够提高发光器件的可靠性。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到多个其它修改和实施例，这将落入本发明原理的精神和范围内。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主要内容组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
Claims (13)
1.一种发光器件，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层形成在所述衬底上从而暴露所述第一导电半导体层的一部分；
介电层，所述介电层从所述第二导电半导体层的顶表面形成到所述第一导电半导体层的暴露的顶表面；
第二电极，在所述第二导电半导体层上；以及
第一电极，所述第一电极在所述第一导电半导体层的暴露的顶表面上同时接触所述第二导电半导体层上的介电层的一部分。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极延伸到所述介电层的顶表面。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述介电层接触所述第二电极。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述介电层形成在台面边缘区域上。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极延伸到所述介电层的顶表面。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述介电层包括透射介电层。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极、所述介电层和所述第二电极组成MIM电容器。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层上的所述第一电极延伸到所述第二导电半导体层上的所述介电层的顶表面。
9.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述发光结构上的透射电极。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二电极形成在所述透射电极上。
11.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述介电层接触所述透射电极而没有接触所述第二电极。
12.一种发光器件封装，包括：
根据权利要求1～12中的任何一项所述的发光器件；和
封装主体，其中安装有所述发光器件。
13.一种照明系统，包括：
发光模块，所述发光模块包括基板和安装在所述基板上的根据权利要求12所述的发光器件封装。
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| EP2369647A3 (en) | 2015-02-25 |
| US8878197B2 (en) | 2014-11-04 |
| TWI450415B (zh) | 2014-08-21 |
| TW201145571A (en) | 2011-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20110928 |