CN102200229B - 发光二极管灯管 - Google Patents

Abstract

本发明是一种发光二极管灯管。该发光二极管灯管包括一管体、至少一个沿着管体轴心安装于管体中的发光模块、一整流器、与二个安装于管体两端的管帽。发光模块包括一电路板、至少一发光二极管与一发光二极管驱动器。发光二极管与发光二极管驱动器电性连接至电路板，并分别安装于电路板前表面与后表面上。发光二极管驱动器包含一金属氧化物半导体场效应晶体管、一电流检测器以及一栅控电路并提供一脉波电流给发光二极管。发光二极管所发射的光线可穿过管体。整流器电性连接至电路板，并安装于后表面上。电路板两最外端电性连接至二个管帽，且两相邻电路板的两相邻端(若存在)彼此电性连接。

Description

发光二极管灯管

技术领域

本发明有关一种灯管(lamp tube)，特别是有关一种发光二极管(light emittingdiode，LED)灯管。

背景技术

发光二极管具有许多优点诸如节能、环保、长寿命等。过去发光二极管具有相对较低的发光效率(luminous efficacy)，所以它们主要被用作指示灯(indicating lamp)诸如红绿灯(traffic light)、广告招牌(advertising sign)等；尚无法取代传统光源诸如白炽灯泡(incandescent bulb)、荧光灯管(fluorescent tube)等。

随着半导体制造及封装技术(semiconductor manufacturing and packagingtechnology)的进展，目前发光二极管的发光效率已不断提升。因此，目前发光二极管的应用领域已逐渐从指示灯被延伸至照明用途诸如室内照明(indoor lighting)、室外照明(outdoor lighting)等。现在市面上已有越来越多的发光二极管灯泡与发光二极管灯管可供消费者选择。

然而，目前大多数的发光二极管灯管被设计在一固定长度诸如1.5呎、2呎、3呎、4呎等以适合传统灯具；而且不同灯管的零组件可能无法互相共享。例如：三呎灯管的电路板(circuit board)无法被装入二呎灯管中。因此，目前发光二极管灯管的制造商必须为不同的灯管准备不同的零组件；因而零组件的整体库存量难以降低。

此外，在现有发光二极管灯管中，数个发光二极管通常共享单一驱动器(driver)；因而驱动器须有一散热鳍片(heatsink fin)降温。因此，现有发光二极管灯管的整体结构不仅较复杂而且较笨重。另外，在部分的现有发光二极管灯管中，驱动器与发光二极管被安装在电路板的发光侧上；而散热鳍片被安装在电路板的不发光侧上。如此一来，电路板可用于装载发光二极管的有效长度会被驱动器占领而缩短，因而部分的管体不能发光。

发明内容

本发明的目的是提供一种发光二极管灯管，其中发光模块(luminous module)的数量可随管体(tube)的长度弹性变更。

本发明提供一种发光二极管灯管，包括一管体、至少一个发光模块、一整流器(rectifier)、与二个管帽(cap)。发光模块包括一电路板、一发光二极管驱动器(LED driver)以及至少一个发光二极管，并且沿着管体轴心(tube axis)被安装于管体中。发光二极管与发光二极管驱动器皆被电性连接至电路板，并且分别被安装于电路板的前表面与后表面上。发光二极管所发射的光线可穿过管体。

在本发明的一具体实施例中只有一个发光模块，电路板的两端通过两对导线(wire)被电性连接至二个管帽上的电极(electrode)。

在本发明的一具体实施例中有至少二个发光模块，两相邻电路板的两相邻端具有至少一对导通孔(conductive aperture)并通过至少一个连接件(connector)被电性连接至彼此；而二个最外侧电路板的二个最外端通过两对导线被电性连接至二管帽上的电极。

在本发明的一具体实施例中，连接件包括一个主体(body)与两对接脚(lead)，其中主体被架设于两相邻电路板的两相邻端上并且被放置于两相邻电路板的两对导通孔之间；两对接脚自主体的两相对端向外延伸、被插入并且可被焊接在两相邻电路板的两对导通孔中。

在本发明的一具体实施例中，管体的一侧面对电路板的前表面为透明或半透明，而管体的另一侧面对电路板的后表面为半透明或不透明。

在本发明的一具体实施例中，管体以一种不透明的材质制成，但具有至少一个开孔以释出发光二极管所发射的光线。

在本发明的一具体实施例中，发光模块还包括一散热箔片(heatsink foil)，其可为但不局限于一铝箔片(aluminum foil)或一铜箔片(copper foil)，并且被安装于电路板的后表面上。

在本发明的一具体实施例中，多个发光二极管可被电性连接为但不局限于一串联(series connection)或一并联(parallel connection)，且可被排列成但不局限于一阵列(array)或一矩阵(matrix)在电路板的前表面上。

在本发明的一具体实施例中，发光二极管可为但不局限于一发光二极管芯片或一发光二极管封装结构。

在本发明的一具体实施例中，整流器被电性连接至一发光模块的电路板，并被安装于此电路板的后表面上。

在本发明的一具体实施例中，发光二极管驱动器包含一金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，MOSFET)、一电流检测器(current detector)与一栅控电路(gate-controlling circuit)，并提供一脉波电流(pulsecurrent)给发光二极管阵列或矩阵。其中，金属氧化物半导体场效应晶体管操作于其线性区(linear region)并充当一电压控制可变电阻器(voltage-controlled variableresistor)，电流检测器检测流过发光二极管的电流并将其转换成一检测电压(detectedvoltage)，栅控电路接收检测电压，将其与一参考电压(reference voltage)比较，并通过负反馈控制(negative feedback control)调节金属氧化物半导体场效应晶体管的通道电阻(channel resistance)以箝位流过发光二极管的电流。

在本发明的一具体实施例中，电流检测器可为但不局限于一第一电阻器或一变流器电路(current transformer circuit)；并且与金属氧化物半导体场效应晶体管及发光二极管串接(connected in cascade)。

在本发明的一具体实施例中，栅控电路可包含但不局限于一第二电阻器与一可编程稳压器(programmable voltage regulator)。其中，可编程稳压器可为但不局限于一NPN双极晶体管或一比较器电路(comparator circuit)；第二电阻器与可编程稳压器被串接于金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与发光二极管的阳极之间。

本发明的有益技术效果是：本发明所提供的发光二极管灯管不仅具有许多良好的特色诸如轻重量、模块可扩充性、均匀散热、均匀发光等；而且还可为其制造商大幅降低整体零组件库存量。

附图说明

为能更清楚理解本发明的目的、特点和优点，以下将结合附图对本发明的具体实施例进行详细说明，其中：

图1显示依据本发明的一具体实施例的一种发光二极管灯管的结构图。

图2A显示一独立发光模块的俯视图，其具有一整流器在其电路板的后表面上并且可单独工作。

图2B显示独立发光模块的仰视图。

图3A显示一相依发光模块的俯视图，其未具有一整流器在其电路板的后表面上并且无法单独工作。

图3B显示相依发光模块的仰视图。

图4显示图1中的独立发光模块的等效电路图。

图5显示图4中的可编程稳压器的等效电路图。

具体实施方式

图1显示依据本发明的一具体实施例的一种发光二极管灯管的结构图。图2A显示一独立(independent)发光模块的俯视图，其具有一整流器300在其电路板的后表面上并且可单独工作。图2B显示独立发光模块的仰视图。图3A显示一相依(dependent)发光模块的俯视图，其未具有整流器在其电路板的后表面上并且无法单独工作。图3B显示相依发光模块的仰视图。图4显示图1中的独立发光模块的等效电路图。图5显示图4中的可编程稳压器的等效电路图。一般来说，图1中的发光二极管灯管包括至少一个发光模块。如果发光二极管灯管只有一个发光模块，发光模块须为一个独立发光模块(如图2A和图2B所示)。否则，这些发光模块须为一个独立发光模块与至少一个相依发光模块(如图3A和图3B所示)串联。为简化下列说明而不失一般性，发光二极管灯管被假设具有一个独立发光模块与一个相依发光模块串联。

图1中，发光二极管灯管10包括一个管体100、二个发光模块200a与200b、一个整流器300以及二个管帽400。这二个发光模块200a与200b皆包括一个电路板210、至少一个发光二极管220以及一个发光二极管驱动器230，并且沿着管体100轴心被安装于管体100中。这二个发光模块200a与200b的电路板210的两相邻端通过一个连接件500被电性连接至彼此，而另两端通过两对导线600被电性连接至二个管帽400上的两对电极410。整流器300被安装于独立发光模块200a的电路板210的后表面上并且被电性连接至电路板210，如图2B所示。这二个管帽400被安装于管体100的两端上。

于此具体实施例中，管体100可由透明材料诸如丙烯酸纤维(或俗称压克力，acrylic，)、玻璃(glass)等以一种无接缝的方式制成。在其它未显示的具体实施例中，管体100面对电路板210前表面的一侧可为透明或半透明；而管体100面对电路板210后表面的另一侧可为半透明或不透明。或者，管体100可以不透明的材质制成，但于面对电路板210前表面的一侧上具有至少一个开孔以释出发光二极管220所发射的光线。再者，这二个发光模块200a与200b可沿着平行于管体100轴心的方向被安装于管体100中。

一般而言，这二个发光模块200a与200b皆包括至少一个发光二极管220，其可为但不局限于一发光二极管芯片或一发光二极管封装结构。当这二个发光模块200a与200b皆包括至少二个发光二极管220，这些发光二极管220可被排列成但不局限于一阵列或一矩阵。再者，这些发光二极管220与这些发光二极管驱动器230被分别放置于这些电路板210的前表面上与后表面上，并且被电性连接至这些电路板210，如图2A至图3B所示。

在上述结构中，发光二极管灯管10的整体长度与电极410的标准尺寸可依据传统荧光灯的各种灯座被量体裁衣(tailor-made)。如此一来，发光二极管灯管10可通过这些电极410被安装于传统的荧光灯灯座以提供照明。值得注意的是，本发明所揭示的发光二极管灯管10以一个整流器300与至少一个发光二极管驱动器230取代传统发光二极管灯管所采用的单一驱动器以达成均匀散热的良好功效。因此，发光二极管灯管10较易散热；因而可免除传统发光二极管灯管所需的厚重散热鳍片以大幅减轻其整体重量。为进一步强化散热效果，一散热箔片240，其可为但不局限于一铝箔或一铜箔，可被安装于每一电路板210的后表面上，如图2B与图3B所示。同时，散热箔片240亦可充当一导体以进一步强化每一电路板210的电流承载能力。

相较于传统发光二极管灯管的固定长度，发光二极管灯管10的整体长度可被弹性调整以满足使用者的需求。更具体地，使用者可首先挑选具有适当长度的一管体100；然后将发光模块200a与200b串联并且将它们安装于管体100中；最后将二个管帽400安装于管体100的两端上，以组成所需的发光二极管灯管10。具有不同长度的不同管体100可互相共享相同发光模块200a与200b以及相同管帽400，因此零组件的整体库存量可被模块的共享进一步降低。

此外，大多数的现有荧光灯座只能容纳具标准长度的灯管诸如1.5呎、2呎、3呎、4呎等。因此，每一发光模块200a或200b的长度可被设计为约0.5呎。为与其它非标准灯座匹配，每一发光模块200a或200b的长度亦可被量裁(custom-made)。

为协助具有关于此发明的通常知识者以实施本说明书所揭示的技术内容，将发光模块200a与200b串联的一种方式详细说明如下。须强调发光模块200a与200b的串联可为但不局限于下列方式。请参考图2B与图3B。发光二极管灯管10还可包括至少一个连接件500与两对导线600，其中连接件500可包括一本体510与两对接脚520。两相邻电路板210的两相邻端具有至少一对导通孔212。本体510被架设于这些电路板210的后表面上并且被放置于两相邻电路板210的两对导通孔212之间。这两对接脚520自本体510向外延伸并且被插入两相邻电路板210的两对导通孔212。邻近于这二个管帽400的这二个电路板210的这两对导通孔212通过这两对导线600被电性连接至这二个管帽400上的这两对电极410。此时发光模块200a与200b已被串联于这二个管帽400之间。最后，这些接脚520被焊接于这些导通孔212中以及这些导线600的两端分别被焊接于这些导通孔212中与这些电极410上以进一步固定整体结构。

然而，连接件500可为但不局限于此实施例所揭露者。在其它未显示的实施例中，连接件500亦可由一对阴-阳连接器(male-female connector)组成。这对阴-阳连接器可被电性连接至两相邻电路板210的两对导通孔212。如此一来，这些发光模块200a与200b可通过这对阴-阳连接器快速被串联。

请参考图4。发光二极管灯管包含一整流器300、发光二极管驱动器230与发光二极管阵列或矩阵220。整流器300包括二个交流输入端、一个正端与一个负端，其中整流器300的二个交流输入端被电性连接至一外部交流电源V_AC；发光二极管驱动器230与发光二极管阵列或矩阵220被串接在整流器300的正端与负端之间。

发光二极管驱动器230包含一金属氧化物半导体场效应晶体管232、一电流检测器与一栅控电路。金属氧化物半导体场效应晶体管232具有一栅极G、一漏极D与一源极S，操作于其线性区并充当一电压控制可变电阻器，亦称为通道电阻。

电流检测器可为但不局限于一第一电阻器或一变流器电路。在一具体实施例中，电流检测器为一第一电阻器，并与金属氧化物半导体场效应晶体管及发光二极管串接(connected in cascade)；第一电阻器的二端提供一检测电压给栅控电路。在另一具体实施例中，电流检测器为一变流器电路，其中变流器的初级线圈与金属氧化物半导体场效应晶体管及发光二极管串接；变流器的次级线圈与一第三电阻器并联，并提供一检测电压给栅控电路。

栅控电路可包含但不局限于一第二电阻器与一可编程稳压器，其中可编程稳压器可为但不局限于一NPN双极晶体管或一比较器电路。在一具体实施例中，可编程稳压器为一NPN双极晶体管，且具有一基极B、一集电极C与一发射极E。在另一具体实施例中，可编程稳压器为一比较器电路，且具有一参考极R、一阴极K与一阳极A。NPN双极晶体管的基极与发射极抑或比较器电路的参考极与阳极接收一检测电压并将其与一参考电压比较以调节其集电极-发射极通道电阻或其阴极-阳极通道电阻、金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极-源极电压与漏极-源极通道电阻以箝位流过发光二极管的电流。

请参考图4。为简化下列说明而不失一般性，电流检测器以一第一电阻器238b实作；栅控电路以一第二电阻器238a与一可编程稳压器236实作，其中可编程稳压器236以一比较器电路实作，如图5所示。

图4中，整流器300的二交流输入端被电性连接至一交流电压源V_AC；可编程稳压器236的参考极R被电性连接至金属氧化物半导体场效应晶体管232的源极S与第一电阻器238b的一端；可编程稳压器236的阴极K被电性连接至金属氧化物半导体场效应晶体管232的栅极G与第二电阻器238a的一端；可编程稳压器236的阳极A被电性连接至发光二极管阵列或矩阵220的阳极与第一电阻器238b的另一端；金属氧化物半导体场效应晶体管232的漏极D被电性连接至整流器300的正端与第二电阻238a器的另一端；发光二极管阵列或矩阵220的阴极被电性连接至整流器300的负端。

第一电阻器238b检测流过发光二极管阵列或矩阵220的电流并将其转换成一检测电压；可编程稳压器236接收检测电压，将其与一参考电压比较，并通过负反馈控制调节金属氧化物半导体场效应晶体管232的通道电阻以箝位流过发光二极管阵列或矩阵220的电流。发光二极管驱动器230的动作原理详述如下。

发光二极管驱动器230提供一脉波电流给发光二极管阵列或矩阵220。若整流器300的输出电压低于或等于发光二极管阵列或矩阵220的顺向电压，发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流为零。否则，发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流(forward current)被箝位并称为箝位电流(clamped current)，其可被表示为：

$I_F=\frac{V_R}{R_S}$

，其中I_F为发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流；V_R为可编程稳压器236的参考电压以及R_S为第一电阻器238b的电阻值，其可为一固定电阻值(constantresistance)或一可变电阻值(variable resistance)。

若T_OFF与T_ON分别为一周期内发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流的截止时间与导通时间，则发光二极管驱动器230的导通周期比(duty ratio)被定义为：

$D=\frac{T_{\mathrm{ON}}}{T_{\mathrm{OFF}}+T_{\mathrm{ON}}}$

，且发光二极管阵列或矩阵220的平均顺向电流(average forward current)可被表示为：

$I_{\mathrm{LED}}=\frac{0\×T_{\mathrm{OFF}}+I_F\×T_{\mathrm{ON}}}{T_{\mathrm{OFF}}+T_{\mathrm{ON}}}=D\×I_F=D\×\frac{V_R}{R_S}$

，其中发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流I_F与发光二极管驱动器230的导通周期比D分别代表电流脉波的振幅(amplitude)与宽度(width)。

一般来说，可编程稳压器236的参考电压V_R为固定(constant)而第一电阻器238b的电阻值R_S和发光二极管驱动器230的导通周期比D可为固定或可变(variable)。当第一电阻器238b的电阻值R_S且发光二极管驱动器230的导通周期比D为固定，发光二极管阵列或矩阵220的平均顺向电流I_LED亦为固定；发光二极管驱动器230于是不可调光的(non-dimmable)。当第一电阻器238b的电阻值R_S或发光二极管驱动器230的导通周期比D为可变，发光二极管阵列或矩阵220的平均顺向电流I_LED亦为可变；发光二极管驱动器230于是可调光的(dimmable)。换言之，发光二极管阵列或矩阵220可被调光(dimmed)是通过调整第一电阻器238b的电阻值R_S或发光二极管驱动器230的导通周期比D。

更具体地，第一电阻器238b的电阻值R_S或发光二极管驱动器230的导通周期比D可分别被调制(modulated)以达成脉幅调制(pulse amplitude modulation，PAM)调光或脉宽调制(pulse width modulation，PWM)调光。

脉幅调制调光可通过调制第一电阻器238b的电阻值R_S以调制发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流I_F而实现。发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流I_F将反比于第一电阻器238b的电阻值R_S。

脉宽调制调光可通过放置一个交流三极管(Triode for Alternating Current，TRIAC)调光器在交流电压源V_AC和整流器300之间，将其与整流器300串联并且调制三极管调光器上的可变电阻器以调制交流三极管TRIAC调光器的导通角(conduction angle)而实现。发光二极管驱动器230的导通周期比D将正比于交流三极管调光器的导通角。

图5显示用以实作可编程稳压器236的一比较器电路的等效电路图，其包括一比较器具有一非反相(non-inverting，以“+”标记)输入端、一反相(inverting，以“-”标记)输入端与一输出端；一NPN双极晶体管具有一基极(base)、一集电极(collector)与一发射极(emitter)；一第一二极管具有一阳极与一阴极；一第二二极管具有一阳极与一阴极；一参考电压源V_R具有一正端与一负端。

比较器的非反相输入端被连接至第一二极管的阳极与可编程稳压器236的参考极R；比较器的反相输入端被连接至参考电压源V_R的正端；比较器的输出端被连接至NPN双极晶体管的基极；NPN双极晶体管的集电极被连接至第一二极管的阴极、第二二极管的阴极与可编程稳压器236的阴极K；NPN双极晶体管的发射极被连接至参考电压源V_R的负端、第二二极管的阳极与可编程稳压器236的阳极A。

请参考图4与图5。可编程稳压器236与金属氧化物半导体场效应晶体管232皆被操作于其各自的线性区(linear region)，且等效于(equivalent to)电压控制可变电阻器(voltage-controlled variable resistor)。流经第一电阻器238b的发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流I_F被转换为一检测电压(detected voltage)如下：

V_D＝I_F×R_S

，其中V_D为可编程稳压器236的检测电压；I_F为发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流且R_S为第一电阻器238b的电阻值。可编程稳压器236的检测电压V_D，其正比于发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流I_F，与可编程稳压器236的参考电压V_R被比较以调制可编程稳压器236的阴-阳极通道电阻(channel resistance)、金属氧化物半导体场效应晶体管232的栅极-源极电压与金属氧化物半导体场效应晶体管232的漏极-源极通道电阻以箝位发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流I_F。

当可编程稳压器236的检测电压V_D高于可编程稳压器236的参考电压V_R，比较器的输出电压被拉高(pulled high)；可编程稳压器236的阴极-阳极通道电阻被拉低(pulled low)；金属氧化物半导体场效应晶体管232的栅极-源极电压被拉低；金属氧化物半导体场效应晶体管232的漏极-源极通道电阻被拉高以降低发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流I_F。

当可编程稳压器236的检测电压V_D低于可编程稳压器236的参考电压V_R，比较器的输出电压被拉低；可编程稳压器236的阴极-阳极通道电阻被拉高；金属氧化物半导体场效应晶体管232的栅极-源极电压被拉高；金属氧化物半导体场效应晶体管232的漏极-源极通道电阻被拉低以升高发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流I_F。

可编程稳压器236的检测电压V_D通过负反馈控制(negative feedbackcontrol)被调节(regulated)在可编程稳压器236的参考电压V_R，因此发光二极管阵列或矩阵220的顺向电流I_F在稳态操作(steady state operation)下被箝位在一预设电流值(preset current value)

综上所述：本发明中，发光模块的数量可随管体的长度弹性变更；且零组件的整体库存量可被模块的共享进一步降低。另外，本发明所揭示的发光二极管灯管以一个整流器与至少一个发光二极管驱动器取代传统发光二极管灯管所采用的单一驱动器以达成均匀散热的良好功效。因此，发光二极管灯管较易散热；因而可免除传统发光二极管灯管所需的厚重散热鳍片以大幅减轻其整体重量。相较于传统的发光二极管灯管，本发明的发光二极管灯管不仅有较轻的重量而且可避免部分的管体无法发光的问题。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作出种种等同的改变或替换，因此本发明的保护范围当视后附的本申请权利要求范围所界定的为准。

Claims (14)

1.一种发光二极管灯管，其特征在于，包括：

一管体；

至少一个发光模块，沿着该管体轴心被安装于该管体中，其中该发光模块包括：

一电路板，具有一前表面以及一后表面；

至少一发光二极管，被电性连接至该电路板，并且被安装于该前表面上，其中该发光二极管所发射的光线可穿过该管体；以及

一发光二极管驱动器，被电性连接至该电路板，并且被安装于该后表面上，该发光二极管驱动器包含一金属氧化物半导体场效应晶体管、一电流检测器与一栅控电路，其中该金属氧化物半导体场效应晶体管操作于线性区并充当一电压控制可变电阻器，该电流检测器检测并转换流过该发光二极管的电流成一检测电压，该栅控电路接收该检测电压、比较该检测电压与一参考电压，通过负反馈控制调节该金属氧化物半导体场效应晶体管的通道电阻；

一整流器，被电性连接至该电路板，并且被安装于该电路板的该后表面上，该发光二极管驱动器与该发光二极管电性串接于该整流器的正端与负端之间；以及

二个管帽，被安装于该管体的两端上，该二个管帽之任一个具有至少一电极，这些电极电性连接至该电路板。

2.根据权利要求1所述的发光二极管灯管，其特征在于，该管体的一侧面对该电路板的该前表面为透明或半透明，而该管体的另一侧面对该电路板的该后表面为半透明或不透明。

3.根据权利要求1所述的发光二极管灯管，其特征在于，该管体是不透明的，并且具有至少一开孔，以释出该发光二极管所发射的光线。

4.根据权利要求1所述的发光二极管灯管，其特征在于，该发光模块还包括一散热箔片，被安装于这些电路板的该后表面上。

5.根据权利要求4所述的发光二极管灯管，其特征在于，该散热箔片为铝箔或铜箔。

6.根据权利要求1所述的发光二极管灯管，其特征在于，至少二个发光二极管被排列成一阵列在该电路板的该前表面上。

7.根据权利要求1所述的发光二极管灯管，其特征在于，该发光模块的数量为至少两个，两相邻电路板的两相邻端电性连接彼此，而二个最外侧电路板的二个最外端通过电性连接至二个管帽上的电极。

8.根据权利要求7所述的发光二极管灯管，其特征在于，任二个相邻的该电路板的相邻端以一连接件电性连接彼此，该连接件包括：

一主体，被架设于两相邻电路板的两相邻端上并且被放置于两相邻电路板的两对导通孔之间；以及

二对接脚，自主体的两相对端向外延伸，被插入并且被配置成被焊接在两相邻电路板的两对导通孔中。

9.根据权利要求1所述的发光二极管灯管，其特征在于，该发光二极管为发光二极管芯片或发光二极管封装结构。

10.根据权利要求1所述的发光二极管灯管，其特征在于，该电流检测器为一第一电阻器或一变流器电路。

11.根据权利要求10所述的发光二极管灯管，其特征在于，该第一电阻器为可变电阻器，用以调制通过该发光二极管的顺向电流的振幅，以达到脉幅调制调光的功能。

12.根据权利要求1所述的发光二极管灯管，其特征在于，该栅控电路包括：

一第二电阻器，电性连接于该金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与栅极之间；以及

一可编程稳压器，电性连接于该金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，该可编程稳压器接收该检测电压，并依据该检测电压调节该金属氧化物半导体场效应晶体管的通道电阻。

13.根据权利要求12所述的发光二极管灯管，其特征在于，该可编程稳压器为一NPN双极晶体管或一比较器电路。

14.根据权利要求1所述的发光二极管灯管，其特征在于，还包含一交流三极管调光器，其与一外部交流输入电源及该整流器电性串接，用以调制该交流三极管调光器的导通角以达到脉宽调制调光的功能。

Images