CN102181837A - 一种Si-SiC靶材 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种Si-SiC靶材，它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Si-SiC靶材，它的化学组分和重量配比是5-95%的Si、95-5%的SiC。本发明采用Si以及SiC为原料生产Si-SiC靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。
Description
技术领域
本发明属于靶材技术领域，涉及一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Si-SiC靶材。
背景技术
对溅射类镀膜，简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。
溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。 溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差（因为是脉冲溅射），晶向（外沿）生长的控制也比较一般。 以pld为例，因素主要有： 靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围（低压气体氛围）、基片温度、激光器功率、脉冲频率和溅射时间，对于不同的溅射材料和基片，最佳参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。
现有的溅射靶材有金属靶材：如钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Su、铪靶Hf、铅靶Pb等；有合金靶材：如铁钴靶FeCo、铝硅靶AlSi、钛硅靶TiSi；有陶瓷靶材：如一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化钛靶TiO2，三氧化二钇靶Y2O3、五氧化二钒靶V2O5、五氧化二钽靶Ta2O5。
上述靶材价格高，耐磨性能差。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺点，本发明提供一种制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的Si-SiC靶材。
本发明解决其技术问题所采用的技术方法是：一种Si-SiC靶材，它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Si-SiC靶材，它的化学组分和重量配比是5-95%的Si、95-5%的SiC。
制备上述一种Si-SiC靶材的方法是：按照上述重量配比称取Si粉末和SiC粉末，将粒度范围为0-1000um的Si粉末与SiC粉末进行混合均匀后，在真空状况下或氮气或氩气或含碳原子的气体中进行烧结，烧结温度为1000-1800℃，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。
本发明的有益效果是：采用Si以及SiC为原料生产Si-SiC靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进一步说明。
实施例1：称取重量比5%Si粉末和重量比95%SiC粉末，将粒度范围为0-200um的Si粉末与SiC粉末进行混合均匀后，在真空状况下进行烧结，烧结温度为1700℃，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Si-SiC靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。
实施例2：称取重量比50%Si粉末和重量比50%SiC粉末，将粒度范围为0-1000um的Si粉末与SiC粉末进行混合均匀后，在氮气气氛状况下进行烧结，烧结温度为1500℃，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Si-SiC靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。
实施例3：称取重量比75%Si粉末和重量比25%SiC粉末，将粒度范围为0-800um的Si粉末与SiC粉末进行混合均匀后，在氩气气氛状况下进行烧结，烧结温度为1400℃，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Si-SiC靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。
实施例4：称取重量比95%Si粉末和重量比5%SiC粉末，将粒度范围为0-1000um的Si粉末与SiC粉末进行混合均匀后，在碳原子气氛状况下进行烧结，烧结温度为1200℃，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Si-SiC靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。
本发明采用Si以及SiC为原料生产Si-SiC靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。
Claims (2)
1.一种Si-SiC靶材，其特征是：它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Si-SiC靶材，它的化学组分和重量配比是5-95%的Si、95-5%的SiC。
2.制备如权利要求1所述的Sn-Si靶材的方法，其特征是：按照上述重量配比称取Si粉末和SiC粉末，将粒度范围为0-1000um的Si粉末与SiC粉末进行混合均匀后，在真空状况下或氮气或氩气或含碳原子的气体中进行烧结，烧结温度为1000-1800℃，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。
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