CN102172878A - 一种硅片的抛光方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种硅片的抛光方法，该方法是将清洗、碱腐蚀后的硅片用抛光腊粘贴定位在抛光机的抛光板上，控制抛光液的流量在60～100ml/min之间并开始加压抛光，在0～5分钟之间将压力控制在0.1～0.2kg/cm2，在5～10分钟之间将压力控制在0.4～0.5kg/cm2，在10～20分钟之间将压力控制在0.8～1kg/cm2，之后，停止抛光；然后，在抛光面不变的情况下，将硅片从原定位的位置旋转180度后用抛光腊重新粘贴定位在抛光机的抛光板上，并重新开始上述条件下的抛光，如此反复多次即可。

Description

一种硅片的抛光方法
技术领域
本发明涉及一种硅片的抛光方法，特别是采用有蜡抛光技术对超薄硅片进行抛光。
背景技术
目前，采用有蜡抛光技术对硅片进行抛光，通常是把清洗、酸腐蚀后的硅片，采用抛光腊粘贴定位固定在抛光机的抛光板上，然后将抛光压力控制在1.2KG/cm2～1.5KG/cm2，硅抛光液的流量掌握在80ml/min～160ml/min，一次性抛光1～1.5个小时即可。采用这种硅片抛光工艺，对于较小直径的硅片，一般只能抛光出最薄为230mm以上厚度的硅片。而对于大直径的硅片，只能抛光出最薄为250mm以上厚度的硅片。但这些硅片已经不能满足需要。
发明内容
本发明的目的是提供能加工超大直径且超薄的一种硅片的抛光方法。
本发明采取的技术方案是：一种硅片的抛光方法，其特征在于将清洗、碱腐蚀后的硅片用抛光腊粘贴定位在抛光机的抛光板上，控制抛光液的流量在60～100ml/min之间并开始加压抛光，在0～5分钟之间将压力控制在0.1～0.2KG/cm2，在5～10分钟之间将压力控制在0.4～0.5KG/cm2，在10～20分钟之间将压力控制在0.8～1KG/cm2，之后，停止抛光；然后，在抛光面不变的情况下，将硅片从原定位的位置旋转180度后用抛光腊重新粘贴定位在抛光机的抛光板上，并重新开始上述条件下的抛光，如此反复多次即可。
所述的将硅片用抛光腊粘贴定位在抛光机的抛光板上之前，应在硅片与抛光蜡之间铺设镜头纸。
所述的抛光蜡的目数在400目以上。
采用本发明方法，由于根据时间分段设置不同压力，并从多方位定位进行抛光，可以抛光出大直径且超薄硅片。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。
1、将硅片(φ125mm、或φ150mm、或φ200mm，厚度200mm左右)清洗液清洗后烘干。
2、将上述硅片用碱液腐蚀后脱水、烘干。
3、将上述硅片用抛光腊粘贴固定在抛光板上。为了防止硅片被颗粒稍大的腊粒划伤，可以先在硅片与抛光蜡之间铺设镜头纸(特别适用于双面抛光的情况)。
4、开始加压抛光，抛光液的流量一般掌握在60～100ml/min之间，在0～5分钟之间将压力控制在0.1～0.2KG/cm2，在5～10分钟之间将压力控制在0.4～0.5KG/cm2，在10～20分钟之间将压力控制在0.8～1KG/cm2，之后停止抛光；
5、在抛光面不变的情况下，将硅片从原定位的位置旋转180度后，用抛光腊重新粘贴定位在抛光机的抛光板上，并在上述压力、时间、流量的条件下的抛光，如此反复多次即可。如果是双面抛光，在完成一面抛光后，将硅片从原定位的位置旋转180度后翻转，将已经抛光过的一面粘贴固定在抛光板上，并且在硅片与抛光蜡之间铺设镜头纸，重复上述操作即可。

Claims (3)

1.一种硅片的抛光方法，其特征在于将清洗、碱腐蚀后的硅片用抛光腊粘贴定位在抛光机的抛光板上，控制抛光液的流量在60～100ml/min之间并开始加压抛光，在0～5分钟之间将压力控制在0.1～0.2KG/cm2，在5～10分钟之间将压力控制在0.4～0.5KG/cm2，在10～20分钟之间将压力控制在0.8～1KG/cm2，之后，停止抛光；然后，在抛光面不变的情况下，将硅片从原定位的位置旋转180度后用抛光腊重新粘贴定位在抛光机的抛光板上，并重新开始上述条件下的抛光，如此反复多次即可。
2.根据权利要求1所述的一种硅片的抛光方法，其特征在于将硅片用抛光腊粘贴定位在抛光机的抛光板上之前，应在硅片与抛光蜡之间铺设镜头纸。
3.根据权利要求1所述的一种硅片的抛光方法，其特征在于抛光蜡的目数在400目以上。
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