CN102150284A - 薄膜太阳能电池互连 - Google Patents

薄膜太阳能电池互连 Download PDF

Info

Publication number
CN102150284A
CN102150284A CN200980122980XA CN200980122980A CN102150284A CN 102150284 A CN102150284 A CN 102150284A CN 200980122980X A CN200980122980X A CN 200980122980XA CN 200980122980 A CN200980122980 A CN 200980122980A CN 102150284 A CN102150284 A CN 102150284A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film solar
thin
solar cells
substrate
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200980122980XA
Other languages
English (en)
Inventor
阿米恩·格哈德·阿波尔勒
佩尔·英格马尔·维登伯格
彼得·贾洛斯拉弗·格莱斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National University of Singapore
Original Assignee
National University of Singapore
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from AU2008903093A external-priority patent/AU2008903093A0/en
Application filed by National University of Singapore filed Critical National University of Singapore
Publication of CN102150284A publication Critical patent/CN102150284A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

薄膜太阳能电池,以及使外部支撑基板上的两个或更多薄膜太阳能电池互连的方法。所述方法包括步骤:将一个薄膜太阳能电池的空气侧电极导线接合到相邻薄膜太阳能电池的基板侧电极,使得所述薄膜太阳能电池串联。

Description

薄膜太阳能电池互连
技术领域
本发明大体上涉及使两个或更多薄膜太阳能电池互连的方法,并涉及薄膜太阳能电池组件。
背景技术
外部支撑材料(如玻璃)上的薄膜太阳能电池正受到越来越多的关注。薄膜具有显著地减少光电(PV)组件制造成本的潜力,这是因为相比于传统的基于硅片的组件,它们只需要小部分半导体材料。而且,薄膜太阳能电池具有以下优势:可以在很大面积的(约1m2)支撑材料上制造薄膜太阳能电池、使生产过程成流线型、以及进一步减少生产成本是可能的。为使得能够从太阳能电池提取能量,需要创建到设备的负极端子和正极端子的接触,并且导电路径(通常由金属制成)需要传递来自设备的电流和电压。因此,所有太阳能电池都具有建造这种接触和导电路径的金属化处理。由于薄膜PV组件很大的尺寸,所以将很大的(约1m2)初始薄膜太阳能电池划分成较小的单元电池、然后将它们互连成串以使欧姆损耗保持在可容忍水平是很重要的。
在20世纪70年代和80年代,外部支撑材料(主要是玻璃)上的研究已经确定了以约200℃在PEVCD(等离子体增强的化学气相沉积)上沉积氢化非晶硅(a-Si:H)作为基线薄膜PV技术(见,例如K.Kuwano、S.Tsuda,M.Onishi、H.Nishikawa、S.Nakano、和T.Imai的Japanese Journal of Applied Physics(日本应用物理学期刊),1980,vol.20,p.213)。对于低成本PV发电,该技术具有多个优秀的特点,包括半导体材料的高光吸收系数(能够有300nm或更小的非常薄的吸收层厚度)、以低温(约200℃)沉积在刚性或柔性基板上的很大面积的硅二极管、以及单独电池的整体串联。a-Si:H未能占据全球PV市场主要份额的唯一原因是大面积的单结PV组件的6%或更低的低稳定平均效率。
图1中示出了如何使相邻a-Si:H太阳能电池互连的典型方法。该方法基于两个基本要求:(i)支撑材料100(玻璃)是不导电的;(ii)太阳能电池102的每个单独层(p+,i,n+)具有非常高的薄层电阻(大于105Ω/平方),确保当背部TCO(透明导电氧化)层106沉积在每个电池的暴露侧壁区域上时,太阳能电池102被微弱地分流。太阳能电池处理开始于前面或玻璃层TCO层108的沉积,随后是第一系列平行划片(“划片1”),其限定了单独的太阳能电池。然后,沉积形成太阳能电池102的三个半导体层。下一步是第二系列平行划片(“划片2”),其穿过沉积的半导体层并由此局部地暴露埋置的TCO层108。然后,接着是背部电极(背部TCO106和金属110)的毯式沉积。最后,第三系列平行划片(“划片3”)穿过背部电极(TCO106和金属110)和半导体层,消除了电流的分流路径并造成玻璃窗格100上所有太阳能电池102的串联。
如果太阳能电池的重掺杂层具有良好的横向导电率(即,阱的薄层电阻低于104欧姆/平方),那么图1的方案是不可用的,这是因为所有太阳能电池102将通过沉积在电池102的暴露的侧壁区上的TCO层106被严重地分流。多晶硅是属于这种分类的半导体材料。Basore(P.A.Basore,Simplified processing and improved efficiency of crystalline silicon on glass modules(玻璃组件上晶体硅的简化处理和提高效率),Proc.19th European Photovoltaic Solar Energy Conference(欧洲光电太阳能源会议),Paris,2004,p.455(WIP,Munich,2004))已经公开了基于多晶硅形成串联的薄膜PV组件的方法。该技术被称为CSG(用于玻璃上的晶体硅)。为了实现陷光,使用通过浸渍涂敷处理对硼硅玻璃覆板的两面均都进行织构,该浸渍涂敷处理留下嵌入在溶胶-凝胶基质中的单层硅质颗粒。氮化矽抗反射涂层沉积在一个表面上,随后使用PEVCD以45nm/分钟沉积具有n+pp+结构的a-Si。涂覆硅的玻璃薄板分批烘干炉中被加热几个小时达到600℃,以实现固相结晶。通过短暂(约1分钟)加热c-Si到超过900℃,使用快速热退火(RTA)处理来退火结晶缺陷。大部分剩余缺陷通过暴露给原子氢而钝化。设备建造开始于使用脉冲激光将硅层分割成一系列相邻的、约6mm宽的条状电池。然后使该模块被载有白色颜料的酚醛树脂的薄层覆盖,以使其反射率更高,从而提高电池的陷光。然后形成n-型接触(“坑”)的开口。这包括将开口蚀刻到树脂层(使用喷墨打印头),随后是硅的化学蚀刻。然后使用相同的喷墨处理形成p-型接触(“凹痕”)的开口。溅射的铝的毯式沉积提供了到n+和p+硅层的电接触。然后使用激光脉冲将铝薄膜切成多个单独衬垫。每个金属衬垫使一个电池中p型接触的一条线与下一个电池中n型接触线串连。注意的是,这种金属化和互连方案不包括TCO层。
发明人认为Basore技术的一个潜在问题是需要创建很多坑和凹痕。例如,对于面积为1m2的太阳能组件,需要形成几百万个坑和凹痕。发明人认为另一个潜在问题是所有坑和凹痕需要准确地定位在整个组件上,这给关于玻璃薄板和构图工具(如喷墨、激光器)的对准带来重大挑战。本发明的实施方式寻求解决上述问题中至少之一。
发明内容
根据本发明的第一方面,提供了使外部支撑基板上的两个或更多薄膜太阳能电池互连的方法,该方法包括步骤:将一个薄膜太阳能电池的空气侧电极导线接合到相邻薄膜太阳能电池的基板侧电极,使得所述薄膜太阳能电池串联。
导线接合包括使用一个或多个圆形导线、扁平导线和带。
空气侧电极包括空气侧母线和连接到该空气侧母线的多个空气侧指状部电极,基板侧电极包括基板侧母线和连接到基板侧母线的多个基板侧指状部电极。
该方法可包括将所述一个太阳能电池的空气侧母线导线接合到所述相邻太阳能电池的基板侧母线。
该方法可进一步包括将串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池的基板侧电极导线接合到第一外部母线,并将串联的薄膜太阳能电池中的最后薄膜太阳能电池的空气侧电极导线接合到第二外部母线。
该方法可进一步包括:在串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池和最后薄膜太阳能电池上提供各自的导电带,使得导电带与串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池和最后薄膜太阳能电池的表面电绝缘,并将串联的薄膜太阳能电池的第一薄膜太阳能电池的基板侧电极和串联的薄膜太阳能电池的最后薄膜太阳能电池的空气侧电极导线接合到各自的导电带。
导电带可通过各自不导电的粘结剂粘附到串联的薄膜太阳能电池的第一薄膜太阳能电池和最后薄膜太阳能电池。
该方法可进一步包括封装导线接合形成的连接。
串联的薄膜太阳能电池的整个空气侧表面可以被封装。
根据本发明的第二方面,提供了薄膜太阳能电池组件,其包括:两个或更多薄膜太阳能电池;以及在一个薄膜太阳能电池的空气侧电极和相邻薄膜太阳能电池的基板侧电极之间的导线接合形成的电连接,使得所述薄膜太阳能电池串联。
导线接合形成的电连接可包括一个或多个圆形导线、扁平导线和带。
空气侧电极可包括空气侧母线和连接到空气侧母线的多个空气侧指状部电极,基板侧电极可包括基板侧母线和连接到基板侧母线的多个基板侧指状部电极。
导线接合形成的连接可在所述一个太阳能电池的空气侧母线和所述相邻太阳能电池的基板侧母线之间。
基板侧母线可提供导线接合形成的连接的各自衬垫面积。
一个或多个基板侧电极可包括加宽的电极部分,以提供所述导线接合形成的连接的各自衬垫面积。
太阳能电池组件可进一步包括在串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池的基板侧电极和太阳能电池组件的第一外部母线之间的导线接合形成的连接,以及在串联的薄膜太阳能电池中的最后薄膜太阳能电池的空气侧电极和太阳能电池组件的第二外部母线之间的导线接合形成的连接。
太阳能电池组件可进一步包括:在串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池和最后薄膜太阳能电池上各自的导电带,使得导电带与串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池和最后薄膜太阳能电池的表面电绝缘,以及到所述各自的导电带的、所述串联的薄膜太阳能电池的所述第一薄膜太阳能电池的所述基板侧电极和所述串联的薄膜太阳能电池的所述最后薄膜太阳能电池的所述空气侧的电极导线接合形成的连接。
导电带可通过各自不导电的粘结剂粘附到串联的薄膜太阳能电池的第一薄膜太阳能电池和最后薄膜太阳能电池。
太阳能电池组件可进一步包括对导线接合形成的连接的封装。
串联的薄膜太阳能电池的整个空气侧表面可被封装。
附图说明
根据下列描述,仅以示例方式并结合附图,本发明的实施方式对本领域的技术人员将更加容易理解且是显而易见的,其中:
图1示出了图示现有技术如何使相邻a-Si:H太阳能电池互连的示意性截面图;
图2示出了使用根据示例的实施方式的导线接合电池互连的小型组件的示意性空气侧俯视图;
图3是示出作为示例的实施方式中导线接合的数量的函数的部分功率损耗的图表;
图4示出了使用根据示例的实施方式的、附接有外部引线的导线接合电池互连的小型组件的示意性空气侧俯视图;
图5a至5j示出了图示根据本发明示例的实施方式、建造相互交叉的多晶硅薄膜太阳能电池的制造工艺的示意性截面图;
图6示出了在图5j所示步骤之后结构的俯视(空气侧)图;
图7示出了对三个单独太阳能电池(A、B和C)以及在使用根据示例的实施方式的导线接合互连后所产生的小型组件所测量的电流-电压(I-V)曲线图;以及
图8示出了根据示例的实施方式的样本小型组件的示意性空气侧俯视图。
具体实施方式
本发明的示例性实施方式提供了薄膜光伏(PV)组件制造的方法。特别地,所描述的示例性实施方式提供了使外部支撑基板上单独的、相互交叉的薄膜太阳能电池互连的方法,采用导线接合或相关联的方法(例如,带式接合)、随后通过喷涂耐用材料使导线或带式接合的薄膜太阳能电池封装。
在图2中示意性地示出了使用导线接合电池互连的小型组件200的空气侧俯视图。导线接合还用于将一列中的第一太阳能电池202和最后太阳能电池204连接到较大外部母线206、208。这些外部母线206、208用于将厚金属导线210附接(例如通过锡焊)到PV组件200,以利用来自PV组件200的光伏输出。
在图2中示出了4电池相互交叉的小型组件,每个母线对214、216具有例如212等11个导线接合(黑线)。注意的是,电池的特征不成比例,且相比于实际PV组件,黑色导线接合线在视觉上明显更厚。
根据本示例的实施方式制造的PV组件经历以下步骤:
-p-n结形成;
-使用两个相互交叉的梳状电极,对电池级金属化;
-使用激光划片使电池分离;
-使用导线接合使电池互连;
-用作环境保护层的耐用涂层(例如,白色环氧树脂),施加在导线接合的表面。
在一个实施例中,考虑用于完全超声波导线接合、具有150μm2面积的导线接合技术,以及一行四个、每个的面积为4cm×1cm的相互交叉的太阳能电池。每个电池的发射极母线214是150μm宽以提供用于导线接合的衬垫面积,且4cm长,导致1.5%的部分屏蔽损耗。能够放置在母线上的导线接合的最大数量是4cm/150μm=266。将这个数量的导线接合放置在母线上在大多数情况下可能是不切实际的。在下面,考虑更少数量的导线接合放置在母线上的效果。在宽度等于Wwb的一致发射极母线上的部分功率损耗为:
P L = 1 3 A 2 B ρ s U MP 1 W wb - - - ( 1 )
其中,A是导线接合连接之间距离的一半(A=C/2x,其中,x是导线接合的数量,C是电池长度)。假设相互交叉的太阳能电池具有以下参数:发射极母线形状=一致,电池总长度C=4.0cm,电池总宽度D=1.0cm,母线薄层电阻率ρs=0.0264Ω/平方,UMP=JMP/VMP=0.05Ω-1cm-2,Wwb=150μm。对于这种情况,在图3中示出了作为导线接合的数量的函数的部分功率损耗。能够看出,恰好14个导线接合均匀地分布在4cm上(约物理最大值的5%),发射极母线的部分电阻功率损耗几乎可以忽略不计。这说明,相对低的导线接合密度适合于实际PV组件,以确保发射器母线损失处于可忽略不计的水平。
在图4中示意性地示出了根据另一实施方式、使用导线接合电池互连的小型组件400的空气侧俯视图。导线接合还用于将一列中的第一太阳能电池402和最后太阳能电池404连接到各自的导电带406、408。
根据本示例的实施方式制造的PV组件经历以下步骤:
-P-n结形成;
-使用两个相互交叉梳状电极,对电池级金属化;
-使用激光划片使电池分离;
-将具有导电上表面和绝缘底面的带附接至各自反向端的电池;
-使用导线接合使电池互连;
-用作环境保护层的耐用涂层(例如,白色环氧树脂),施加在导线接合的表面。
在这个示例的实施方式中,导电带(例如406)通过非导电粘合剂(隐藏)布置在已经沉积在玻璃基板410上的薄膜太阳能电池(例如402)的金属化的表面上。然后通过作为锡焊替代的导线接合将导电带206、408分别连接到第一电池402和最后电池404的基板侧母线407和空气侧母线409,从而实现期望的相互交叉布局。因此,带406、408用作外部引线。
在这个示例的实施方式中,能够减小母线特征的面积,因为母线不再是到组件400和来自组件400的电流的主要传输机构。
这能够提供减少从组件400到外部负载(未示出)的电阻损耗的额外优势,因为这个带通常能够比典型的电池母线厚度(例如,约0.6至2微米)更厚(例如,约30至50微米)。
每个导电带406、408均覆盖更大面积(几乎一个电池后背面的整个区域)的事实还能够引起到外部负载(未示出)的电阻的减小。
这个示例的实施方式的其他益处能够包括增加的电流密度,因为图2中示出的实施方式中由很大外部母线206、208所占用的面积现在可以包含用于吸收光的活性硅材料。
图5a至5j示出了图示用于在玻璃薄层上建造相互交叉的多晶硅薄膜太阳能电池的一个示例性制造技术的示意性截面图。本领域技术人员将理解,不同的建造方法/技术可用于建造相互交叉的太阳能电池,且本发明不限于如图5a至图5j所描述的建造方法。
首先转向图5a,将硅层(p+p-n+)500沉积在玻璃基板502上以形成基本的电池结构。如图5b所示,金属层(这里是铝)504在硅层500上蒸镀。接下来,将光刻胶506沉积在金属层504的上面,如图5c所示。
屏蔽掩模(未示出)用于使金属化的图案暴露在光刻胶506上,这随后发展为从光刻胶层506创建蚀刻掩模。
如图5e所示,然后执行蚀刻以移除暴露的金属层504,在这个实施例中,使用磷蚀刻移除暴露的铝层504。随后,执行另一个蚀刻以移除硅,下至玻璃基板502暴露的表面,在这个实施例中,使用等离子体蚀刻,如图5f所示。
如图5g所示,然后将第二光刻胶层508沉积在整个结构上,在这个实施例中使用旋压沉积处理。然后从玻璃202一侧暴露并显影光刻胶508。
如图5i所示,然后执行第二金属化,在这个实施例中使用铝蒸镀,导致形成额外顶部金属化510和在玻璃基板502上的玻璃侧电极512。通过剥离来移除光刻胶506和508,并因此移除顶部铝层510,如图5j所示。以这种方式,已经以相互交叉的方法形成了太阳能电池的玻璃侧电极512和空气侧电极514。
图6示出了在图5j所示步骤之后结构的俯视(空气侧)图。更具体地,在这个实施例中,对于每个电池(例如604),玻璃侧电极包括玻璃侧指状部(例如600)和玻璃侧母线602。同样地,对于每个电池(例如604),空气侧电极包括空气侧指状部(例如606)和空气侧母线608。
为了研究使相互交叉的太阳能电池互连的导线接合的实际应用,在通过导线接合进行互连之前,单独地测量三个多晶硅薄膜太阳能电池。然后通过每个发射极/空气侧母线对的总共14个导线接合(图2所示的比较实施方式)来连接电池。在示例性电池中,形成接合的导线是直径为25μm的铝线(1%硅)。在表1和图7中给出了互连前和互连后的电流-电压(I-V)测量。使用来自K&S(Kulicke & Soffa)公司的手动楔导线接合器(型号4523)进行所描述的所有导线接合试验。
从表1能够看出,当电池通过导线接合互连时,不存在主要的损耗机制。电池A至C的开路电压总和是1369mV,只高于小型组件的开路电压约4%。另外,当形成小型组件时,还能够观察到约10%的电流增长。导线接合相互交叉的多晶硅太阳能电池的第一次测试运行的结果示出了这种新颖的PV电池互连方法的技术潜力。
表1:I-V结果来自导线接合互连之前的三个太阳能电池、以及根据参照图2的实施方式导线互连之后所产生的小型组件。使用孔径掩模来限定照明设备面积来执行所有测量。
  电池A   电池B   电池C   互连的小型组件
  Voc(mV)   459.5   457.5   452.1   1310.5
  Isc(mA)   75.6   76.1   77.4   85.0
  效率   3.8%   5.1%   5.1%   4.2%
图7示出了对三个单独太阳能电池(A、B和C)以及使用导线接合互连后所产生的小型组件所测量的I-V曲线图。
在另一个研究中,通过导线接合串联四个多晶硅薄膜太阳能电池,且外部引线被导线接合到第一电池和最后的电池,由此外部引线包括具有导电表面和绝缘底面的带,并被放置在第一各自最后电池(图4所示的比较实施方式)的表面。最后,通过白漆封装小型组件。
从表2能够看出,导线接合和在电池的表面上应用导电带的组合产生小型组件,具有比于单独电池增强的性能。、
表2:I-V结果来自导线接合互连之前的四个太阳能电池、以及根据参照图4所描述的实施方式导线接合电池互连、且导电带导线接合连接到成列的第一和最后电池之后所产生的小型组件,并通过白漆封装小型组件。使用孔径掩模来限定照明设备的面积来执行所有测量。
  电池A   电池B   电池C   电池D   互连的组件
  Voc(mV)   430.8   433.3   433.3   431.7   1704.4
  Isc(mA)   79.4   78.5   77.5   77.9   84.1
  FF(%)   63.4   64.0   64.1   62.7   69.2
  效率(%)   4.9   5.0   4.9   4.8   5.6
在该领域中,PV组件优选地具有长期稳定性(大于20年)。因此,也检查了示例的实施方式中PV组件建造方法的稳定性。
最初的稳定性测试表明,主要关心的不是导线接合互连和多晶硅太阳能电池本身的稳定性。测试包括在冷冻器中冷却至-20℃然后在空气中加热至接近40℃的重复循环,每个至少20分钟。结果,由于空气的湿度,所以每次小型组件从冷冻器取出,水都凝结在表面。在每个周期结束后测试PV效率,并发现是稳定的。
还研究了不同实施方式中导线接合太阳能电池的封装方法。通过在互连的多晶硅太阳能电池的背部(空气侧)表面使用很少的白漆涂层,发现这有效地使表面平坦化并封装表面,且对导线接合没有不良影响。实际上,在一些实施例中观察到性能增加,并据信这是涂层的电池内部反射率的增加而引起的。
在封闭的小型组件中执行上述五个温度周期,由于这个封装方法因此所产生的效率表明没有性能损失。因此这个示例的封装方法提供了简单的方法以便确保导线接合保持在适当位置且保护导线接合不因环境、处理和其他因素而被破损和腐蚀。
在另一个实施方式中,导线接合技术合并了玻璃侧或发射极的、宽度与发射极指部的宽度相似的“微母线”。导线接合将某一百分比的发射极指部直接连接到邻近电池的空气侧母线。在这个实施方式中,一个最佳的折中处理包括平衡导线接合所需要的最小面积所引起的发射极屏蔽损耗(很小,因为所需的接触衬垫的面积很小),以及在微母线上的电阻损耗(也很小,因为导线接合的数量)。然后可以确定最佳的导线接合对发射极指部比率,该比率不必是1∶1(例如,下面在图7中示出的1∶2的导线接合对发射极指部比率)。能够如上所述参照等式(1)以相似的方式计算电阻损耗。还需要考虑最佳的电池尺寸。期望的是,尺寸将主要依赖于能够研发的、最小的发射极指部的宽度,和有关的金属接触和半导体层的薄层电阻。
图8示出了包含五个串联薄膜太阳能电池801至805的样本小型组件800的示意性空气侧俯视图。在这个设计中,每两个发射极指状部(例如808)具有一个导线接合(例如806)。在这个实施例中,每个发射极指状部(例如808)包括加宽的衬垫部分810,以提供导线接合的各自衬垫面积。
根据示例的实施方式的、使外部支撑基板上的两个或更多薄膜太阳能电池互连的方法包括以下步骤:将一个薄膜太阳能电池的空气侧电极导线接合到相邻太阳能电池的基板侧电极,使得所述薄膜太阳能电池串联。
在所述实施方式中,导线(或带式)接合提供了相对便宜且可靠的方式来使相互交叉的金属化的薄膜太阳能电池串行互连。相比于现有的相互交叉的薄膜太阳能电池的互连方法,提高PV效率似乎是可能的,主要因为发射极母线的屏蔽功率损耗和电阻功率损耗的减少。对于根据示例实施方式的导线接合的相互交叉的多晶硅太阳能电池所执行的初步稳定性测试,薄膜PV组件的工业生产过程的潜力和稳定性。
所描述的示例实施方式使用超声波导线接合来串连相邻的相互交叉的薄膜太阳能电池。作为互连技术的导线接合能够具有很多优点,包括:
-可靠的技术;
-所需的设备容易获得且相对便宜;
-执行导线接合的过程能够只需要几秒钟或更短;
-在生产线环境中可以自动化。
本领域的技术人员将意识到,在不脱离如大体上所描述的本发明的精神或范围的情况下,可以对如具体实施方式中所示的本发明进行各种改变和/或修改。因此,本实施方式被认为全都是说明性的,而不是限制性的。
例如,作为圆形导线的替代,扁平导线或带能够以与圆导线相同的方式接合。带能够在某些应用中显示优势,如高电流光伏设备,因为带提供了更高的由接合所占用的母线的每单位面积的横截面积。这是因为对于发生的相邻接合,在导线接合之间需要最小的衬垫面积。
另外,将理解的是,虽然示例的实施方式中已经描述了玻璃基板,但是本发明可使用其他支撑基板,包括由例如陶瓷材料制成的非透明基板。

Claims (20)

1.一种使外部支撑基板上的两个或更多薄膜太阳能电池互连的方法,所述方法包括步骤:
将一个薄膜太阳能电池的空气侧电极导线接合到相邻薄膜太阳能电池的基板侧电极,使得所述薄膜太阳能电池串联。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述导线接合包括使用一个或多个圆形导线、扁平导线和带。
3.如权利要求1或2所述的方法,其中,所述空气侧电极包括空气侧母线和连接到所述空气侧母线的多个空气侧指状部电极,所述基板侧电极包括基板侧母线和连接到所述基板侧母线的多个基板侧指状部电极。
4.如权利要求3所述的方法,包括将所述一个太阳能电池的所述空气侧母线导线接合到所述相邻太阳能电池的所述基板侧母线。
5.如前述权利要求中的任一项所述的方法,进一步包括将串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池的基板侧电极导线接合到第一外部母线,并将所述串联的薄膜太阳能电池中的最后薄膜太阳能电池的所述空气侧电极导线接合到第二外部母线。
6.如权利要求1至4中的任一项所述的方法,进一步包括:在所述串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池和最后薄膜太阳能电池上提供各自的导电带,使得所述导电带与所述串联的薄膜太阳能电池中的所述第一薄膜太阳能电池和所述最后薄膜太阳能电池的表面电绝缘,并将所述串联的薄膜太阳能电池的所述第一薄膜太阳能电池的基板侧电极和所述串联的薄膜太阳能电池的所述最后薄膜太阳能电池的空气侧电极导线接合到所述各自的导电带。
7.如权利要求6所述的方法,其中,所述导电带通过各自不导电的粘结剂粘附到所述串联的薄膜太阳能电池的所述第一薄膜太阳能电池和所述最后薄膜太阳能电池。
8.如前述权利要求中的任一项所述的方法,进一步包括封装所述导线接合形成的连接。
9.如权利要求8所述的方法,其中,所述串联的薄膜太阳能电池的整个空气侧表面被封装。
10.一种薄膜太阳能电池组件,包括:
两个或更多薄膜太阳能电池;以及
在一个薄膜太阳能电池的空气侧电极和相邻薄膜太阳能电池的基板侧电极之间的导线接合形成的电连接,使得所述薄膜太阳能电池串联。
11.如权利要求10所述的太阳能电池组件,其中,所述导线接合形成的电连接包括一个或多个圆形导线、扁平导线和带。
12.如权利要求10或11所述的太阳能电池组件,其中,所述空气侧电极包括空气侧母线和连接到所述空气侧母线的多个空气侧指状部电极,所述基板侧电极包括基板侧母线和连接到所述基板侧母线的多个基板侧指状部电极。
13.如权利要求12所述的太阳能电池组件,其中,所述导线接合形成的连接在所述一个太阳能电池的所述空气侧母线和所述相邻太阳能电池的所述基板侧母线之间。
14.如权利要求12或13所述的太阳能电池组件,其中,所述基板侧母线提供用于所述导线接合形成的连接的各自衬垫面积。
15.如权利要求12或13所述的太阳能电池组件,其中,一个或多个所述基板侧电极包括加宽的衬垫部分,以提供用于所述导线接合形成的连接的各自衬垫面积。
16.如前述权利要求中的任一项所述的太阳能电池组件,进一步包括:
在所述串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池的基板侧电极到所述太阳能电池组件的第一外部母线之间的导线接合形成的连接;以及
在所述串联的薄膜太阳能电池中的最后薄膜太阳能电池的空气侧电极和所述太阳能电池组件的第二外部母线之间的导线接合形成的连接。
17.如权利要求10至15中的任一项所述的太阳能电池组件,进一步包括:
在所述串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池和最后薄膜太阳能电池上各自的导电带,使得所述导电带与所述串联的薄膜太阳能电池中的所述第一薄膜太阳能电池和所述最后薄膜太阳能电池的表面电绝缘;以及
所述串联的薄膜太阳能电池的所述第一薄膜太阳能电池的所述基板侧电极和所述串联的薄膜太阳能电池的所述最后薄膜太阳能电池的所述空气侧电极到各自的导电带的、导线接合形成的连接。
18.如权利要求17所述的太阳能电池组件,其中,所述导电带通过各自不导电的粘结剂粘附到所述串联的薄膜太阳能电池的所述第一薄膜太阳能电池和所述最后薄膜太阳能电池。
19.如权利要求10至18中的任一项所述的太阳能电池组件,进一步包括用于所述导线接合形成的连接的封装。
20.如权利要求19所述的太阳能电池组件,其中,所述串联的薄膜太阳能电池的整个空气侧表面被封装。
CN200980122980XA 2008-06-17 2009-06-16 薄膜太阳能电池互连 Pending CN102150284A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU2008903093A AU2008903093A0 (en) 2008-06-17 Thin-film solar cell interconnection
AU2008903093 2008-06-17
PCT/SG2009/000213 WO2009154575A1 (en) 2008-06-17 2009-06-16 Thin-film solar cell interconnection

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102150284A true CN102150284A (zh) 2011-08-10

Family

ID=41434311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980122980XA Pending CN102150284A (zh) 2008-06-17 2009-06-16 薄膜太阳能电池互连

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110214714A1 (zh)
EP (1) EP2291864A1 (zh)
CN (1) CN102150284A (zh)
TW (1) TW201010112A (zh)
WO (1) WO2009154575A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681908A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 科马斯控股股份公司 用于生产太阳能电池串的方法和装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD933584S1 (en) 2012-11-08 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
US9780253B2 (en) 2014-05-27 2017-10-03 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
US10090430B2 (en) 2014-05-27 2018-10-02 Sunpower Corporation System for manufacturing a shingled solar cell module
USD1009775S1 (en) 2014-10-15 2024-01-02 Maxeon Solar Pte. Ltd. Solar panel
US20140124014A1 (en) 2012-11-08 2014-05-08 Cogenra Solar, Inc. High efficiency configuration for solar cell string
US9947820B2 (en) 2014-05-27 2018-04-17 Sunpower Corporation Shingled solar cell panel employing hidden taps
US11949026B2 (en) 2014-05-27 2024-04-02 Maxeon Solar Pte. Ltd. Shingled solar cell module
US11482639B2 (en) 2014-05-27 2022-10-25 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
KR102424714B1 (ko) * 2014-08-08 2022-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
USD933585S1 (en) 2014-10-15 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
USD896747S1 (en) 2014-10-15 2020-09-22 Sunpower Corporation Solar panel
USD999723S1 (en) 2014-10-15 2023-09-26 Sunpower Corporation Solar panel
USD913210S1 (en) 2014-10-15 2021-03-16 Sunpower Corporation Solar panel
US10861999B2 (en) 2015-04-21 2020-12-08 Sunpower Corporation Shingled solar cell module comprising hidden tap interconnects
US10535790B2 (en) * 2015-06-25 2020-01-14 Sunpower Corporation One-dimensional metallization for solar cells
CN110828591B (zh) 2015-08-18 2023-05-02 迈可晟太阳能有限公司 太阳能面板
US10573763B2 (en) 2015-12-29 2020-02-25 Sunpower Corporation Solar cell having a plurality of sub-cells coupled by a metallization structure having a metal bridge
US10673379B2 (en) 2016-06-08 2020-06-02 Sunpower Corporation Systems and methods for reworking shingled solar cell modules

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5538902A (en) * 1993-06-29 1996-07-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of fabricating a photovoltaic device having a three-dimensional shape
JP4232597B2 (ja) * 2003-10-10 2009-03-04 株式会社日立製作所 シリコン太陽電池セルとその製造方法
US7259322B2 (en) * 2006-01-09 2007-08-21 Solyndra, Inc. Interconnects for solar cell devices
JP5025135B2 (ja) * 2006-01-24 2012-09-12 三洋電機株式会社 光起電力モジュール
JP5230089B2 (ja) * 2006-09-28 2013-07-10 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681908A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 科马斯控股股份公司 用于生产太阳能电池串的方法和装置
CN103681908B (zh) * 2012-08-31 2017-04-12 科马斯控股股份公司 用于生产太阳能电池串的方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20110214714A1 (en) 2011-09-08
EP2291864A1 (en) 2011-03-09
WO2009154575A1 (en) 2009-12-23
TW201010112A (en) 2010-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102150284A (zh) 薄膜太阳能电池互连
US7759158B2 (en) Scalable photovoltaic cell and solar panel manufacturing with improved wiring
US9929306B2 (en) Array of monolithically integrated thin film photovoltaic cells and associated methods
KR101130197B1 (ko) 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
CN102144299B (zh) 集成薄膜太阳能电池
EP2249397B1 (en) Solar cell module
US20110120530A1 (en) Back surface contact type solar cell, back surface contact type solar cell with wiring board, solar cell string, and solar cell module
US20100282288A1 (en) Solar Cell Interconnection on a Flexible Substrate
US8563347B2 (en) Method for producing a thin-film photovoltaic cell having an etchant-resistant electrode and an integrated bypass diode and a panel incorporating the same
KR101145927B1 (ko) 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
CN104756259B (zh) 太阳能电池以及太阳能电池模块
JP2008135655A (ja) 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池セル
JP5739076B2 (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
KR20200101832A (ko) 버스 바가 없는 슁글드 어레이 태양 전지 및 태양광 모듈을 제조하는 방법
TW201324823A (zh) 用於標準結晶矽太陽能電池的單片式模組組件
JP2020509596A (ja) こけら板状ソーラーモジュールを製造する方法
JP2008034744A (ja) 太陽電池モジュール
Gee et al. Simplified module assembly using back-contact crystalline-silicon solar cells
CN113169241B (zh) 光伏模组
US20140246079A1 (en) Solar cell module and method of fabricating the same
US20120295395A1 (en) Method for producing an array of thin-film photovoltaic cells having a totally separated integrated bypass diode associated with a plurality of cells and method for producing a panel incorporating the same
WO2014050193A1 (ja) 光電変換モジュール
KR101120100B1 (ko) 박막태양전지모듈 및 그 제조방법과 모듈 상호간의 연결방법
KR102084854B1 (ko) 2이상의 태양전지 셀을 포함하는 태양전지 셀 스트링 및 그의 제조방법
EP2590228B1 (en) Solar cell module and method for manufacturing same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110810