CN102148076B - 制作微阻导体用的设备及采用该设备制作微阻导体的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种制作微阻导体用的设备及采用该设备制作微阻导体的方法，所述设备包括阳极和阴极，在所述的阳极和阴极之间设有支架，在所述的阴极上连接有灯丝，在所述的支架与阴极之间设有电子透镜，在所述的支架中间设有开口，在所述的支架靠近阳极的一边上固定设置有可覆盖所述开口的第一石墨烯片。所述方法为：将所述的设备放置在真空环境中，在所述的第一石墨烯片靠近阳极一面上放置一石墨烯基片；加热灯丝，给电子透镜和阳极加上工作电压，使电子束开始轰击刚放上去的石墨烯基片；控制轰击的能量，使石墨烯基片产生微小的位移，使石墨烯基片与第一石墨烯片的晶格对齐；反复多次上述操作，以使石墨烯基片叠加的厚度达到预定值。

Description

制作微阻导体用的设备及采用该设备制作微阻导体的方法

技术领域

本发明涉及一种制作微阻导体用的设备，本发明还涉及一种采用该设备制作微阻导体的方法。

背景技术

众所周知，导电是自由电荷移动的过程。自由电荷主要有离子和电子两种。离子导电伴随着化学反应，一般不作为电力传输来使用。导线导电的过程就是电子在电场的作用下沿着导体移动振动的过程。电子自由电荷在移动中与原子核或原子发生碰撞，这就是电阻。所以，如果导体内沿着电场方向存在一条或一条以上没有原子核的管路的话，就可以避免电子与原子核的碰撞，减少传导中的能量损耗，成为一种电阻极小的微阻导体。这种微阻导体不同于超导体，因为它内部的磁感应没有消失，电子与电子之间还会发生碰撞。它也不同于纳米管，因为它是连续的，中间与两端均没有凸出或凹陷。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，用于制造微阻导体的设备。

本发明的另一个目的是提供一种采用所述设备制作微阻导体的方法。

为了达到上述目的，本发明采用以下方案：

一种制作微阻导体用的设备，其特征在于：包括阳极和阴极，在所述的阳极和阴极之间设有支架，在所述的阴极上连接有加热时使阴极发射出大量的电子的灯丝，在所述的支架与阴极之间设有可将阴极发射的电子流整理成平行发射的电子束的电子透镜，在所述的支架中间设有可让所述电子束穿过的开口，在所述的支架靠近阳极的一边上固定设置有可覆盖所述开口的第一石墨烯片。

如上所述的制作微阻导体用的设备，其特征在于所述的支架平面与电子束运动方向垂直的金属片。

一种如上所述设备制作微阻导体的方法，其特征在于包括以下步骤：

A、将所述的设备放置在真空环境中，在所述的第一石墨烯片靠近阳极一面上放置一石墨烯基片；

B、加热灯丝，给电子透镜和阳极加上工作电压，使电子束开始轰击刚放上去的石墨烯基片；

C、控制轰击的能量，使石墨烯基片产生微小的位移，使石墨烯基片与第一石墨烯片的晶格对齐；

D、反复多次上述操作，以使石墨烯基片叠加的厚度达到预定值。

如上所述的方法，其特征在于所述的石墨烯基片叠加的厚度在三层以上。

晶格对齐后的叠片，经过整形、加压、封装等处理成为微电阻导体商品，也可以再施加一定频相的震动等方法，使其原子重新按照某种规律排列。

综上所述，本发明的有益效果：

本发明设备结构简单，操作方便，采用本发明设备制作微阻导体的方法简单，采用石墨烯作为基体和电子筛，能生产出电阻极小的微阻导体。

附图说明

图1为本发明设备的示意图；

具体实施方式

下面结合附图说明和具体实施方式对本发明做进一步描述：

实施例1

本发明制作微阻导体用的设备，包括阳极1和阴极2，在所述的阳极1和阴极2之间设有支架3，所述的支架是平行的金属片，在所述的阴极2上连接有加热时使阴极2发射出大量的电子的灯丝4，在所述的支架3与阴极2之间设有可将阴极2发射的电子流整理成平行发射的电子束的电子透镜5，在所述的支架3中间设有可让所述电子束穿过的开口6，其中所述的电子束与支架3平面垂直在所述的支架3靠近阳极1的一边上固定设置有可覆盖所述开口6的第一石墨烯片7。

采用上述设备制作微阻导体的方法，包括以下步骤：

A、将所述的设备放置在真空环境中，在所述的第一石墨烯片7靠近阳极1一面上放置一石墨烯基片8；

B、加热灯丝，给电子透镜5和阳极1加上工作电压，使电子束开始轰击刚放上去的石墨烯基片8；

C、由于石墨烯质量很小，石墨烯与石墨烯之间的摩擦系数很小，控制轰击的能量，使石墨烯基片8产生微小的位移，使石墨烯基片8与第一石墨烯片7的晶格对齐；

D、反复多次上述操作，以使石墨烯基片8叠加的厚度达到预定值。其中石墨烯基片8叠加的厚度在三层以上。

本发明中晶格对齐后叠在一起的石墨烯可以进一步整形，通过加压等方法进行封装，或施加以一定频率的振荡，使其产生新的符合某种规律的排列，形成新的材料。

Claims (4)

1.一种制作微阻导体用的设备，其特征在于：包括阳极(1)和阴极(2)，在所述的阳极(1)和阴极(2)之间设有支架(3)，在所述的阴极(2)上连接有加热时使阴极(2)发射出大量的电子的灯丝(4)，在所述的支架(3)与阴极(2)之间设有可将阴极(2)发射的电子流整理成平行发射的电子束的电子透镜(5)，在所述的支架(3)中间设有可让所述电子束穿过的开口(6)，在所述的支架(3)靠近阳极(1)的一边上固定设置有可覆盖所述开口(6)的第一石墨烯片(7)。

2.根据权利要求1所述的制作微阻导体用的设备，其特征在于所述的支架(3)平面与电子束运动方向垂直的金属片。

3.一种采用权利要求1所述设备制作微阻导体的方法，其特征在于包括以下步骤：

A、将所述的设备放置在真空环境中，在所述的第一石墨烯片(7)靠近阳极(1)一面上放置一石墨烯基片(8)；

B、加热灯丝，给电子透镜(5)和阳极(1)加上工作电压，使电子束开始轰击刚放上去的石墨烯基片(8)；

C、控制轰击的能量，使石墨烯基片(8)产生微小的位移，使石墨烯基片(8)与第一石墨烯片(7)的晶格对齐；

D、反复多次上述操作，以使石墨烯基片(8)叠加的厚度达到预定值。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述的石墨烯基片(8)叠加的厚度在三层以上。

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