CN102141832B - 具负电压抑制功能的电压控制电路 - Google Patents
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Abstract
一种电压控制电路，包括电压控制芯片、低通场效应管、第一及第二电子开关及开关机信号输入端，第一电子开关的第一端连接至电压控制芯片的低通驱动引脚，第一电子开关的第二端连接至低通场效应管的栅极，第一电子开关的控制端连接至第二电子开关的第一端，第二电子开关的第二端接地，第二电子开关的控制端连接开关机信号输入端，第一电子开关的控制端还通过电阻连接电源，第一电子开关的控制端还通过电阻接地，开关机信号输入端为低电平时，第二电子开关截止而第一电子开关导通，开关机信号输入端为高电平时，第二电子开关导通而第一电子开关截止。该电压控制电路可抑制所述低通场效应管产生负电压。
Description
技术领域
本发明涉及一种电压控制电路。
背景技术
目前，电脑主机上的一些硬体（如硬盘）的工作电压通常是由电脑主机板上的一电压控制电路的电压输出端提供，该电压控制电路通常包括一电压控制芯片（如型号为MAX8546的直流降压控制芯片）及与所述电压控制芯片相连的若干电子元件（如场效应管、电感、电容等）。然而，在电脑关机时，与所述电压控制电路的电压输出端相连的低通场效应管会被所述电压控制芯片控制导通，以使所述低通场效应管对地短路，然后该低通场效应管会自我放电（self-dicharge），从而导致电压输出端产生负电压现象，所述负电压可能会损坏硬体或造成硬体寿命降低。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种可有效抑制负电压产生的电压控制电路。
一种具负电压抑制功能的电压控制电路，包括一电压控制芯片、一电压输出端、一连接在所述电压控制芯片与电压输出端之间的低通场效应管及一负电压抑制单元，所述负电压抑制单元包括一第一电子开关、一第二电子开关、一第一电阻、一第二电阻、一电源及一开关机信号输入端，所述第一电子开关的第一端连接至所述电压控制芯片的低通驱动引脚，所述第一电子开关的第二端连接至所述低通场效应管的栅极，所述第一电子开关的控制端连接至所述第二电子开关的第一端，所述第二电子开关的第二端接地，所述第二电子开关的控制端连接所述开关机信号输入端，所述第一电子开关的控制端还通过所述第一电阻连接所述电源，所述第一电子开关的控制端还通过所述第二电阻接地，所述开关机信号输入端为低电平时，所述第二电子开关截止而所述第一电子开关导通，所述开关机信号输入端为高电平时，所述第二电子开关导通而所述第一电子开关截止。
相较现有技术，所述电压控制电路通过在所述电压控制芯片与低通场效应管之间设置所述负电压抑制单元，以使所述电压控制电路在系统开机时控制所述第一电子开关导通，而在系统关机时控制所述第一电子开关截止，从而使所述低通场效应管在系统关机时不会产生负电压，保证了与所述电压输出端连接的电子设备在系统关机时不会被负电压损坏。
附图说明
下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述：
图1是本发明具负电压抑制功能的电压控制电路较佳实施方式的电路图。
主要元件符号说明
电压控制电路 10
电压控制芯片 U
低通场效应管 QL
高通场效应管 QH
电感 L
电容 C1-C5
电阻 R、R1、R2
第一直流电源 Vcc
第二直流电源 Vdd
电压输出端 Vout
负电压抑制单元 12
第一场效应管 Q1
第二场效应管 Q2
开关机信号输入端 PWR_ON
具体实施方式
请参考图1，本发明具负电压抑制功能的电压控制电路10的较佳实施方式包括一电压控制芯片U、一低通场效应管QL、一高通场效应管QH、一电感L、五个电容C1-C5、一电阻R、一第一直流电源Vcc（如12V）、一第二直流电源Vdd（如24V）、一负电压抑制单元12及一电压输出端Vout。本实施方式中，所述电压控制芯片U为一MAX8546的直流降压控制芯片，此处仅给出了所述电压控制芯片U与电压输出端Vout之间的部分电路关系，图中也仅示出了电压控制芯片U上的三个引脚（高通驱动引脚DH、输出引脚LX、低通驱动引脚DL），其他部分为现有技术，故不再详细说明。
所述负电压抑制单元12包括两电阻R1及R2、一第一场效应管Q1、一第二场效应管Q2及一开关机信号输入端PWR_ON。本实施方式中，所述第一及第二场效应管Q1及Q2均为NMOS型场效应管，其他实施方式中也可根据需要选用其他类型的电子开关，如三极管等。
所述电压控制芯片U的高通驱动引脚DH连接至所述高通场效应管QH的栅极，所述高通场效应管QH的漏极分别通过所述电容C1及C2接地，所述高通场效应管QH的源极连接至所述电压控制芯片U的输出引脚LX。所述电压控制芯片U的输出引脚LX通过所述电感L连接所述直流电源Vcc及所述电压输出端Vout，并依次通过所述电阻R及电容C3接地。所述输出引脚LX分别通过所述电容C4及C5接地。
所述电压控制芯片U的低通驱动引脚DL连接至所述第一场效应管Q1的漏极，所述第一场效应管Q1的源极连接所述低通场效应管QL的栅极。所述低通场效应管QL的漏极连接至所述电压控制芯片U的输出引脚LX，所述低通场效应管QL的源极接地。所述第一场效应管Q1的栅极连接所述第二场效应管Q2的漏极、并通过所述电阻R1连接所述第二电源Vdd、还通过所述电阻R2接地。所述第二场效应管Q2的源极接地，所述第二场效应管Q2的栅极连接所述开关机信号输入端PWR_ON。
为方便理解本发明，现举一实例说明本发明的工作原理，例如，当所述电压控制电路10为一电脑主机板（未示出）上用来给一硬盘（未示出）提供可以工作电压的电压控制电路时，所述电压控制芯片U将接收所述电脑主机板上其他电路（未示出）提供的PWM（Pulse-Width Modulation，脉宽调制）信号的控制，并通过所述电压输出端Vout输出相应的电压给所述硬盘。其他实施方式中，所述硬盘也可以是其他类型的电子设备。
工作时，电脑开机后，所述开关机信号输入端PWR_ON将接收一低电平的开机信号给所述第二场效应管Q2，此时所述第二场效应管Q2将截止，所述第一场效应管Q1将导通（相当于在所述低通驱动引脚DL与低通场效应管QL之间设置一段导线），所述低通驱动引脚DL将正常的输出驱动信号给所述低通场效应管QL，所述电压输出端Vout将正常的输出电压给所述硬盘。
当电脑关机后，所述开关机信号输入端PWR_ON将接收一高电平的关机信号给所述第二场效应管Q2，此时所述第二场效应管Q2将导通，所述第一场效应管Q1将截止（相当于将所述低通驱动引脚DL与低通场效应管QL之间的通道断开），所述低通驱动引脚DL将不会控制所述低通场效应管QL导通，进而不会使所述低通场效应管QL产生负电压而损坏所述硬盘。
Claims (4)
1.一种具负电压抑制功能的电压控制电路，包括一电压控制芯片、一电压输出端及一连接在所述电压控制芯片与电压输出端之间的低通场效应管，其特征在于：所述电压控制电路还包括一负电压抑制单元，所述负电压抑制单元包括一第一电子开关、一第二电子开关、一第一电阻、一第二电阻、一电源及一开关机信号输入端，所述第一电子开关的第一端连接至所述电压控制芯片的低通驱动引脚，所述第一电子开关的第二端连接至所述低通场效应管的栅极，所述第一电子开关的控制端连接至所述第二电子开关的第一端，所述第二电子开关的第二端接地，所述第二电子开关的控制端连接所述开关机信号输入端，所述第一电子开关的控制端还通过所述第一电阻连接所述电源，所述第一电子开关的控制端还通过所述第二电阻接地，所述开关机信号输入端为低电平时，所述第二电子开关截止而所述第一电子开关导通，所述开关机信号输入端为高电平时，所述第二电子开关导通而所述第一电子开关截止。
2.如权利要求1所述的具负电压抑制功能的电压控制电路，其特征在于：所述开关机信号输入端接收一电脑的开关机信号，所述电脑开机时所述开关机信号为低电平，所述电脑关机时所述开关机信号为高电平。
3.如权利要求2所述的具负电压抑制功能的电压控制电路，其特征在于：所述电压输出端用于提供电压给一硬盘。
4.如权利要求1所述的具负电压抑制功能的电压控制电路，其特征在于：所述第一电子开关及第二电子开关均为NMOS型场效应管，第一端、第二端、控制端分别对应漏极、源极、栅极。
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