CN102133776A - 一种多晶铸锭的线切割方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及多晶铸锭线切割技术领域，特别是一种多晶铸锭的线切割方法，该生产方法如下：(一)标记：将多晶铸锭进行开方得到硅块，对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进行标识，以区分硅块的A、B面，B面靠近坩埚，A面是B面的对应面；(二)将开方后得硅块经IR测试、LT测试、截断、磨面；(三)粘棒：将区分A、B面的硅块的B面粘结在晶托上，其他硅块正常粘棒，待粘胶固化后上棒切片；(四)切片：将固化好的硅块上机切片，区分A、B面的硅块的A面为入刀面。将杂质和硬点少的A面作为入刀面，钢线比较容易进入晶体，大大降低了跳线、蹦边等不良记录，大大提高了硅片的出片率，降低了硅片切割成本，提高了企业的经济效率。

Description

一种多晶铸锭的线切割方法

技术领域

本发明涉及多晶铸锭线切割技术领域。

背景技术

在现多晶晶锭长晶工艺过程中，晶体是以陶瓷坩埚为载体进行结晶、生长。为防止硅晶体粘附坩埚造成裂锭等不良影响，铸锭工艺中坩埚需要喷涂SiNx细粉。这样在晶体的生长过程中，坩埚以及表面涂层中SiNx的杂质优先向靠近坩埚的多晶硅锭扩散，造成此表面金属杂质和SiC、SiN及SiCNx等硬度系数明显高内部的多晶硅。目前在多晶铸锭切片工艺中，采用的工艺方法一般是：将开方、截断、磨面、粘棒，线切割。在粘棒时，因为对入刀面不进行选择，如果将位于铸锭四周的硅块的靠近坩埚的一面作为入刀面，由于该面硬度系数高，容易造成跳线、蹦边甚至断线等不良影响，降低硅片的合格率，增加了硅片的切割成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种多晶铸锭的线切割方法，解决开方后多晶铸锭边缘靠近坩埚的硅块切片合格率偏低的问题，达到提高多晶铸锭的硅片出片率，降低硅片的切割成本的目的。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种多晶铸锭的线切割方法，该生产方法如下：

(一)、标记：将多晶铸锭进行开方得到硅块，对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进行标识，以区分硅块的A、B面，B面靠近坩埚，A面是B面的对应面；

(二)、将开方后得硅块经IR测试、LT测试、截断、磨面；

(三)、粘棒：将区分A、B面的硅块的B面粘结在晶托上，其他硅块正常粘棒，待粘胶固化后上棒切片；

(四)、切片：将固化好的硅块上机切片，区分A、B面的硅块的A面为入刀面。

本发明的有益效果是：通过对开方后铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块标识A面、B面，将B面粘在玻璃板上，通过玻璃板固定在晶托上，这样在硅块上机进行线切割的时候，杂质含量较低的A面为入刀面，杂质和硬点高的B面为出刀面。这样切割的好处是，刚开始切割时，由于A面的杂质和硬点少，钢线比较容易进入晶体，大大降低了跳线、蹦边等不良记录；如果将B面为入刀面，由于B面靠近坩埚导致该面的金属杂质、SiC、SiNx及SiCNx含量较高，钢线不容易切入晶体，导致跳线等不良记录偏高。甚至容易导致断线而引起晶棒报废、车间产能损失、原材料辅材浪费等问题。因此本发明大大提高了硅片的出片率，降低了硅片切割成本，提高了企业的经济效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明；

图1是本发明中多晶硅锭开方后的示意图；

图2是本发明中标记A、B面的硅块的示意图；

图3是本发明中标记A、B面的硅块粘棒的示意图。

具体实施方式

一种多晶铸锭的线切割方法，该生产方法如下：

(一)、标记：将多晶铸锭进行开方得到硅块，对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进行标识，以区分硅块的A、B面，B面靠近坩埚，A面是B面的对应面。

为方便描述，在在图1中对硅块进行编号，编号1至16号的开方后得到的硅块为需要区分硅块的A B面的硅块。其余编号的硅块无需进行标识。进行标识的方法只要方便区分A面、B面即可采用。

(二)、将开方后得硅块经IR测试、LT测试、截断、磨面；

(三)、粘棒：如图2和3所示，将区分A、B面的硅块的B面粘结在晶托上，其他硅块正常粘棒，待粘胶固化后上棒切片；

(四)、切片：将固化好的硅块上机切片，区分A、B面的硅块的A面为入刀面。

Claims (1)

1.一种多晶铸锭的线切割方法，该生产方法如下：

(一)、标记：将多晶铸锭进行开方得到硅块，对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进行标识，以区分硅块的A、B面，B面靠近坩埚，A面是B面的对应面；

(二)、将开方后得硅块经IR测试、LT测试、截断、磨面；

(三)、粘棒：将区分A、B面的硅块的B面粘结在晶托上，其他硅块正常粘棒，待粘胶固化后上棒切片；

(四)、切片：将固化好的硅块上机切片，区分A、B面的硅块的A面为入刀面。

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