CN102132362A - 电感器结构 - Google Patents

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Abstract

一种电感器结构，包括：第一环(301)和第二环(302)；连接至第一环的第一端(303)的第一馈送线(308)，连接至第二环的第一端(306)的第二馈送线(309)，第一馈送线和第二馈送线的每一个均延伸通过由第一和第二环中的一个所包围的面积；以及交叉部(310)，与第一环的第一端和第二环的第一端相邻，交叉部将第一环耦合至第二环，以使得从第一馈送线流到第二馈送线的电流以第一旋转方向环绕第一环以及以与第一旋转方向相反的第二旋转方向环绕第二环。

Description

电感器结构
技术领域
本发明涉及例如用于压控振荡器(VCO)的电感器结构。本发明尤其可应用于收发机中所使用的VCO。
背景技术
电感器通常用于被其他电路环绕的环境中。这种电感器的问题在于它们所辐射的磁场会干扰周围电路的操作。因此，期望配置一种电感器以在远处使其磁场分量的抵消最大化。位于电感器远处适当方位的电路的其他元件因此会经受最小的、作为由电感器辐射的磁场结果的干扰。
为解决该问题所设计的一种电感器配置为8字形状。WO 2004/012213描述了这种电感器，其在图1中示意性地示出。电流经由馈送线(feed line)101进入电感器，该馈送线在8字形状的边界外部从其底部延伸至其上部环。电流在由箭头表示的方向上环绕该结构流动。电流经由馈送线102离开电感器，该馈送线在8字形状的边界外部从其下部环延伸至其底部。由于8字结构中间的交叉部分，电流环绕下部环顺时针流动，而环绕上部环逆时针流动。如使用图1中的传统符号所表示的，由环绕下部环顺时针流动的电流所创建的磁场朝向纸张的方向，而由环绕上部环逆时针流动的电流所创建的磁场指向远离纸张的方向。磁力线结合，使得在电感器平面中的大部分磁场分量都包含在8字结构的区域内。因此，在电感器的平面中远离电感器处达到了磁场分量的抵消程度。
理论上，磁场分量的总体抵消可以沿着平分8字电感器结构的轴，使得下部环在轴的一侧，而上部环在轴的另一侧。当两个环相同并且优选相对于该轴对称时，实现总体抵消。从两个环辐射的磁场分量在幅值上相等但方向相反。对于这种结构，少量的残留磁场分量将在除了沿上述轴之外的该结构远处的各个地方残留。
图1的电感器结构没有相对于电感器平面中所限定的任何轴对称。图1的设计中进一步损害了抵消，这是因为馈送线101、102有利于由下部环辐射的磁场。通过相对于由上部环包围的面积来减小由下部环包围的面积来实现这种效应的部分补偿。尽管如此，但在远离电感器的所有方向上存在显著的磁场分量。
US7151430描述了其他的8字电感器设计，在图2中示意性示出了其中之一。电流经由处于下部环底部的馈送线201进入电感器。电流在由箭头表示的方向上环绕8字结构流动，并且经由也附至下部环底部的馈送线202离开电感器。与图1一样，电流环绕下部环顺时针流动，而环绕上部环逆时针流动。图2的电感器结构相对于平分8字结构的轴203对称，使得下部环的一半和上部环的一半在轴的一侧，而下部环的另一半和上部环的另一半在轴的另一侧。作为由该结构所表现的对称的结果，由两个环辐射的磁场在一些方面比图1的电感器结构更好地匹配。
图2的结构相对于第二轴204不对称。这是因为馈送线201、202连接至下部环的两端。由下部环辐射的磁场与由上部环辐射的磁场相比是歪斜的，这是因为交叉部中两个环之间的紧耦合。因此，影响了远离电感器的磁场分量的抵消。因此，总磁场在远离电感器的所有方向上残留。该总磁场能够造成对于周围电路的明显干扰。
因此，需要一种改进的电感器设计，其减小远离电感器的总磁场。
发明内容
根据本发明的第一实施方式，提供了一种电感器结构，包括：第一环和第二环；第一馈送线，连接至第一环的第一端，以及第二馈送线，连接至第二环的第一端，第一馈送线和第二馈送线中每一个均延伸通过由第一环和第二环之一所包围的区域；以及交叉部，与第一环的第一端以及第二环的第一端相邻，交叉部将第一环耦合至第二环，以使得从第一馈送线流到第二馈送线的电流以第一旋转方向环绕第一环并且以与第一旋转方向相反的第二旋转方向环绕第二环。
根据本发明的另一实施方式，提供了一种电感器结构，包括：第一环和第二环；第一馈送线，连接至第一环的第一端，以及第二馈送线，连接至第二环的第一端，第一馈送线和第二馈送线中每一个均延伸到电感器结构的平面外；以及交叉部，与第一环的第一端和第二环的第一端相邻，交叉部将第一环耦合至第二环，以使得从第一馈送线流到第二馈送线的电流以第一旋转方向环绕第一环并且以与第一旋转方向相反的第二旋转方向环绕第二环。
第一馈送线可以从第一环的第一端延伸出电感器结构的平面。第二馈送线可以从第二环的第一端延伸出电感器结构的平面。
第一馈送线可以延伸通过由第一环和第二环中的一个所包围的面积，以及第二馈送线可以延伸通过由第一环和第二环中的另一个所包围的面积。可选地，第一馈送线可以延伸通过由第一环和第二环中的一个所包围的面积，以及第二馈送线可以延伸通过由第一环和第二环中的相同一个所包围的面积。第一馈送线和第二馈送线的每一个均可以延伸通过第一环和第二环的单个环。此外，第一馈送线和第二馈送线中每一个均可以延伸到其延伸所通过的第一环和第二环中的一个的外边缘。
优选地，由第一环包围的面积等于由第二环包围的面积。优选地，第一环具有与第二环相等的尺寸和形状。
优选地，电感器结构相对于两个轴对称。适当地，电感器结构相对于平分电感器结构的第一轴对称，使得第一环在轴的一侧，第二环在轴的另一侧。适当地，电感器相对于平分电感器结构的第二轴对称，使得第一环的第一半和第二环的第一半在第二轴的一侧，而第一环的第二半和第二环的第二半在第二轴的另一侧。
电感器结构可以为八角形轮廓。
第一环和第二环的每一个均可以包括第一线匝和第二线匝。对于每一个环，第二线匝可以环绕第一线匝。
优选地，交叉部位于电感器结构的中心区域中。
适当地，连接第一环和第二环以形成8字形状。
适当地，通过平面基板上的金属化来形成电感器结构。
根据本发明的第三实施方式，提供了一种包括上述电感器结构的集成电路。
附图说明
现在，将参照附图通过示例方式来描述本发明。附图中：
图1是现有技术的8字电感器的示意图；
图2是又一现有技术的8字电感器的示意图；
图3a是根据本发明实施方式的在每一个环上具有一个线匝的8字电感器的示意图；
图3b是根据本发明另一实施方式的8字电感器的示意图；
图3c是根据本发明又一实施方式的8字电感器的示意图；
图3d是从其平面引出的8字电感器的示意图；
图4是根据本发明实施方式的在每一个环上具有两个线匝的8字电感器的示意图。
具体实施方式
图3a示出了根据本发明一个实施方式的电感器的一般布置的示意图。
该电感器包括在8字布置中连接的两个环。两个环是相同的。一条馈送线在8字结构的中心区域中连接至一个环。另一条馈送线在中心区域中连接至另一环。两条馈送线彼此平行地通过由一个环包围的面积。电感器结构相对于电感器平面内的两条垂直轴对称。相对于现有技术设计，该结构增加的对称性使得更加有效地在电感器的远处抵消由8字电感器的两个环所产生的磁场，尤其是沿着位于两个环之间的轴。
应该理解，在以下描述中，设计电感器结构，使得沿着至少一条轴基本实现远处磁场分量的完全抵消。在该说明书中描述的特性并不旨在必须作为电感器结构设计的结果而导致磁场分量的绝对抵消。因此，对于电感器结构部分的具体相对位置描述被解释为意味着这些部分被定位为与实现远处磁场分量的基本抵消的特定位置足够近。类似地，对面积、尺寸、形状、长度、磁通量等的等同性被解释为意味着相比较的量之间的类似性为实现远处磁场分量的基本抵消的程度。类似地，关于电感器结构或部分电感器结构相对于轴对称被解释为包括以下这种结构或部分结构，其尽管没有完全相对于该轴对称但足够近以表现出实现远处磁场分量的基本抵消的所述对称性。
该电感器结构包括在8字布置中连接的第一环301和第二环302。第一环301是打开的，并具有两个端部303、304。类似地，第二环302是打开的，并具有两个端部305、306。环的所有四个端部303、304、305、306彼此接近并接近轴307。轴307平分8字结构，使得第一环完全在该轴的一侧，而第二环完全在另一侧。优选地，第一环的端部303、304以及第二环的端部305、306在8字结构的中央。
第一馈送线308连接至第一环的第一端部303。第二馈送线309连接至第二环的第一端部306。馈送线延伸通过由第一环301所包围的面积到达它们与8字结构的边界交叉的第一环的外部。在图3a所示本发明的实施方式中，馈送线彼此平行。优选地，馈送线垂直于轴307，使得由第一环301和第一馈送线308包围的面积等于由第一环301和第二馈送线309所包围的面积。
图3b、图3c和图3d示出了根据本发明其他实施方式的馈送线的可替换位置。在图3b中，第一馈送线308延伸通过由第一环301包围的面积，第二馈送线309延伸通过由第二环302包围的面积。优选地，馈送线与轴307垂直，使得由第一环301和第一馈送线308包围的面积等于由第二环302和第二馈送线309所包围的面积。与图3a相关联地描述图3b的电感器结构，除了馈送线的位置和要求又一开口(第二馈送线309通过其延伸)的罩326(稍后进行描述)。
在图3c中，第一馈送线308延伸通过由第二环302所包围的面积，第二馈送线309延伸通过由第一环301所包围的面积。优选地，馈送线与轴307垂直，使得由第二环302和第一馈送线308包围的面积等于由第一环301和第二馈送线309所包围的面积。与图3a相关联地描述图3c的电感器结构，除了馈送线的位置和要求又一开口(第一馈送线308通过其延伸)的罩326(稍后进行描述)。
在图3d中，馈送线延伸出电感器的平面。
返回图3a，通过交叉部310耦合第一环的第二端部304和第二环的第二端部305。在图3a中，交叉部310直接将第一环的第二端部304连接至第二环的第二端部305。第一环的第一端部303在交叉部的一侧与交叉部310相邻。第二环的第一端部306在交叉部的另一侧与交叉部310相邻。交叉部310整个在8字结构的中心区域内。在本发明的实施方式中，通过以8字结构为中心的圆圈(其具有小于xr的半径)来限定中心区域。在该定义中，r是将8字结构的中心点连接至一个环的外边缘的直线的平均长度。环的外边缘是在8字结构的内部和外部之间形成边界的边缘。在图3a中，通过阴影线示出外边缘。外边缘不包括与轴307相邻的两个环的对向边缘311、312、313、314。优选地，x在1/3至1/8的范围内。更优选地，x为1/7。
电感器使用交流电(a.c)来操作。以下描述描绘了当电流以从第一馈送线308到第二馈送线309的第一方向流动时电感器的操作。应该理解，当电流交替以从第二馈送线309流到第一馈送线308时，应用以下所述的相反操作。
电流经由第一馈送线308进入电感器。电流以图3a上的箭头所示方向环绕电感器流动。电流经由第二馈送线309离开电感器。连接第一环301和第二环302，使得从第一馈送线308流向第二馈送线309的电流以第一旋转方向在第一环301周围循环，且以相反的第二旋转方向在第二环302周围循环。在图3a中，正如图中箭头所示，电流在第一环301周围以逆时针方向流动，而在第二环302周围以顺时针方向流动。
第一环301的形状和尺寸与第二环303的形状和尺寸相同。因此，由每个环所包围的面积也是相同的。在本发明的一个实施方式中，8字结构为八边形轮廓，使得第一环的外边缘为半个八边形的形状，以及第二环的外边缘为另半个八边形的形状。优选地，第一环的半个八边形包括八边形的三侧315、316、317以及八边形的两个半侧318、319。第二环具有相同布置的八边形侧，其包括八边形的三侧320、321、322以及两个半侧323、324。环的剩余边缘位于8字结构的内部，并且将外边缘连接至环的端部。在图3a中，第一内边缘312将第一环301的外边缘318的端点连接至第一环的第一端部303。外边缘318的端点为在8字结构的中心与第一环的第一端部303相同的一侧上最接近轴307的点。类似地，第二内边缘314将第一环301的外边缘319的端点连接至第一环的第二端部304。对于第二环302，类似地定义内边缘311和313。优选地，内边缘311、312、313和314为直线。优选地，它们彼此平行且平行于轴307。在本发明的可替换实施方式中，8字结构具有四侧面的轮廓，例如正方形轮廓。在这种实施方式中，以与图3a的八边形轮廓的外边缘类似的方式布置外边缘，其中，第一环的外边缘为正方形的一半的形状，第二环的外边缘为正方形的另一半的形状。八边形轮廓可能优于四侧面轮廓，原因在于八边形轮廓使用芯片上较小的面积来实现类似的电感和Q值(质量值)。有利地，八边形轮廓电感器与四侧面轮廓电感器相比为芯片上的其他部件释放空间。
磁通量为用于量化作用于面积上的磁场的术语。磁通量是对于穿过给定面积的磁场线的数量的测量。在简化的术语中，所生成的通过给定面积的磁通量与乘以该面积的垂直于该面积的磁通量密度分量成比例。
φ∝B*S
其中，φ是磁通量，B是垂直于该面积的磁通量密度分量，以及S是面积。磁通量密度B与磁场H成正比。
磁通量密度取决于电感器的长度。
由于由环生成的通量取决于由环所包围的面积以及环中电感器的长度，因此当8字电感器的两个环具有相等的面积并使用相等的电感器长度时，8字电感器的两个环生成相同的通量。在图3a中，第一环301和第二环302包围相等的面积并使用相等的电感器长度。通过每个环的磁通量相等。因此，沿着轴307存在的由每个环生成的磁场分量抵消。此外，减小了在除沿着轴307之外的其他方向上远离电感器处所产生的总磁场。
第一环301和第二环302彼此等同，并且两条馈送线308、309在8字结构的中心连接至第一环和第二环。从而，与先前设计相比，在总体的8字结构中存在着更高程度的对称性。电感器相对于第一轴307对称。电感器还相对于平分8字结构的第二轴325对称，使得下部环的一半和上部环的一半在该轴的一侧，而下部环的另一半和上部环的另一半在该轴的另一侧。第二轴325与第一轴307垂直并且在8字结构的中心处与第一轴307交叉。与图2中仅相对于一个轴对称的现有设计相比，该电感器相对于两个轴对称。本发明的第一环和第二环的布置与现有技术的环相比更好地匹配。从而，与现有技术的设计相比，由本发明电感器的第一环301所辐射的磁场分量与由第二环302所辐射的磁场分量在幅值上更均等地匹配但在方向上与其相反。在电感器的远处，与现有技术的技术相比，相应地实现了更大程度的磁场分量的抵消，尤其沿着第一轴307。电感器的“远处”是指至少10r的距离，其中，r如先前所定义的。优选地，“远处”是指至少5r的距离。更优选地，“远处”是指至少r的距离。
在图3a的实施方式中，电流以一个方向在第一馈送线308中流动，并且以相反方向在第二馈送线309中流动。如果馈送线是平行的，则由第一馈送线308生成的磁场与由第二馈送线309生成的磁场在幅值上相等但方向相反。如果馈送线近似占用相同的位置，则它们各自的磁场贡献彼此抵消，并且它们对于电感没有贡献。然而，图3a的馈送线没有占用严格相同的位置，因此，它们共同提供了较小的磁场贡献。这整个包含在第一环301的面积内。馈送线增加电感器结构的电阻，这减小了结构的Q因子(质量因子)。
在图3b和图3c的实施方式中，电流在第一馈送线308和第二馈送线309中以相同的方向流动。如果馈送线是平行的，则由第一馈送线308生成的磁场与由第二馈送线309生成的磁场在幅值上相等且方向相同。从而，将通过每条馈送线的组合磁场贡献来限制在远处实现的总体磁场抵消。
在图3d的实施方式中，馈送线位于与电感器平面不同的平面中。环通常可以为规则的八边形形状，或者包括规则八边形的五边和第六边，或者可以为任何其他适当的形式。环301、302从电感器结构的中心引出电感器平面。为此，电感器可以在一金属化层中形成，并且馈送线可以延伸出该层的平面。便利地，馈送线可以终止于其上形成金属化的半导体基板中的有源器件。馈送线在点303、306处结合环，点303、306可以为垂直于其中形成电感器的平面延伸的柱或通孔。馈送线延伸至图3d的平面内或外。
由于馈送线不需要延伸到电感器的环的外围，因此图3d的实施方式具有馈送线可以被缩短的优点。这使得电感器结构的质量因子(馈送线不对其产生贡献)相对于其电阻增加。
在图3d的实施方式中，馈送线从它们与环的附接点直接延伸到平面外。馈送线可以在电感器的平面中部分地延伸，然后垂直于该平面延伸。
电感器可以被罩326所环绕。优选地，罩为八边形。馈送线在罩326的一个边缘中延伸通过小开口327。优选地，开口327被定位为使得馈送线自它们与电感器的连接点以直线穿过罩。
电感器结构可以进一步包括抽头328。抽头328连接电感器至电源电压。抽头的一端连接至电感器的交叉部310。抽头328从交叉部310开始延伸，通过由第二环302所包围的面积达到第二环302与8字结构的边界交叉的外部。如果交叉部310位于8字的中心区域，则抽头被称为中央抽头。优选地，抽头以平行于馈送线308、309的直线延伸。抽头延伸通过罩326中的又一开口329。
图4示出了本发明的又一实施方式，其中，通过增加电感器的长度来获得更大的电感值。这可以使用图3a的电感器布局来实现。然而，如果在芯片上制造电感器，则期望限制电感器所需的芯片面积。除了第一环和第二环的每一个均由两个线匝组成以外，图4的布置类似于图3a的布置。因此，在没有相应的明显增加芯片面积消耗的情况下，增加了电感器长度，产生显著较高的电感值。
在图4的实施方式中，第一环401包括第一线匝403和第二线匝404。第二线匝404平行于第一线匝403延伸。第二线匝404在第一线匝403外部延伸，使得第二线匝404在第一线匝403与8字结构的外部之间形成边界，第一线匝403在第二线匝404与8字结构的内部之间形成边界。第一线匝和第二线匝在8字结构的外边缘处没有彼此交叉。优选地，第一环的第一线匝和第二线匝具有与对于图3a所描述的相同的八边形轮廓。第二环402与第一环401进行相同布置，其包括第一线匝405和第二线匝406。
第一馈送线408连接至第一环的第一端部410(其是第一环的第一线匝的第一端部)。第二馈送线409连接至第二环的第一端部411(其是第二环的第二线匝的第一端部)。馈送线按照与图3a所描述的相同方式延伸通过由第一环所包围的面积。在可替换实施方式中，馈送线可以如参照图3b、图3c和图3d所描述的一样进行定位。
由阴影线内包围的面积所表示的交叉部418将第一环401耦合至第二环402。在图4中，交叉部在8字的中心区域。该中心区域可以如先前参照图3a所定义的中心区域来定义。在图4的具体布置中，交叉区域418将第一环的第一线匝的第二端部412连接至第二环的第一线匝的第一端部413。交叉区域418还将第二环的第二线匝的第二端部417连接至第一环的第二线匝的第一端部416。最后，交叉部418还将第一环的第二线匝的第二端部414连接至第二环的第二线匝的第二端部415。在图4中，在8字结构的中心区域中发生连接环的线匝的所有电感器部的交叉。换句话说，通过交叉部418连接第一环的第一线匝403和第二环的第一线匝405，使得它们形成了第一8字形状。通过交叉部连接第一环的第二线匝404和第二环的第二线匝406，使得它们形成了第二8字形状。第一8字形状和第二8字形状在交叉部418中彼此连接。
除了交叉部之外，第二8字形状围绕并平行于第一8字形状，使得第一8字形状面对总体电感器结构的内部，而第二8字结构面对总体电感器结构的外部。
如参照图3a所描述的，电感器使用交流来进行操作。如图3a的描述，仅在以下描述一个电流方向。应该理解，当电流改变方向时，应用相反的操作。
电流经由第一馈送线408进入电感器。电流以图4上箭头所示方向在电感器周围流动。电流经由第二馈送线409离开电感器。如在图3a中，连接第一环401和第二环402使得从第一馈送线408流向第二馈送线409的电流在第一环401周围以第一旋转方向循环且在第二环402周围以相反的第二旋转方向循环。电流在第一环401的第一线匝403和第二线匝404的每一个周围以相同的方向流动。电流在第二环402的第一线匝405和第二线匝406的每一个周围以相同的方向流动。在图4所示的实施方式中，如图上箭头所示，电流在第一环401周围以逆时针方向流动，而在第二环402周围以顺时针方向流动。
两个环401、402的磁场分量以与参照图3a描述的相同方式沿着轴407抵消。
在优选实施方式中，如参照图3a所描述的，图4的电感器结构进一步包括罩426和中央抽头428。
本领域的技术人员应该理解，本发明的范围延伸到包括在每个环中包括任何数量线匝的8字电感器。
在本发明的优选实施方式中，通过平面基板上的金属化形成电感器。适当地，在集成电路上形成电感器。
可以在罩326中使用固体金属物体，以限制基板表面中电流的传播。罩可以由一组同心断裂金属环来制造。金属环断裂以避免电感器周围的短路线圈。可替换地，罩可以由所有金属层上的虚拟金属填充来制造。虚拟金属填充包括彼此没有电接触的小金属颗粒。金属颗粒的形状可以为正方形。该方法主要被用于防止与在低密度区域(例如，电感器的内侧)中下垂相关联的问题。可以必要地使用该方法来符合制造质量控制。又一可替换实施方式为根本不使用罩。在这种情况下，在由电感器包围的面积内部使用金属填充和/或有源和无源部件。
优选但不排外地，可通过导电材料来限定电感器，优选材料为金属导线或轨道(track)。优选地，在电绝缘材料基板上或通过绝缘材料基板来限定导线或轨道。
优选但不排外地，可通过导电材料来限定馈送线，优选材料为金属导线或轨道。优选地，在电绝缘材料基板上或通过绝缘材料基板来限定导线或轨道。
本发明的电感器可以在期望将电感器的磁场与另一部件隔离的环境中使用。在这种环境中，电感器和另一部件应该优选被布置为使得另一部件的相对定向为沿着电感器的第一轴307、407。这是因为沿着电感器的第一轴307、407来实现最有效的电感器磁场的有效抵消。另一部件可以为电感器，并且可以期望消除两个电感器之间的电磁耦合。
本发明的电感器可以适当地在压控振荡器(VCO)中实现。在这种实现方式中，馈送线将电感器连接至VCO的其他部件，并且中央抽头将电感器连接至DC电源电压。VCO可以适当地用于向收发机的发射和/或接收链所使用的混频器提供稳定的频率振荡信号。可以期望减小VCO的电感器与收发机中的另一部件之间的相互电磁耦合。该另一部件可以为另一个电感器。另一部件可以为收发机的另一VCO中的电感器。
本发明的电感器还可以适当地在不平衡变换器中实现。不平衡变换器在期望将电感器的磁场与周围电路隔离的环境中在平衡和不平衡信号之间转换，以避免由电磁耦合所引起的干扰问题。
申请人引起对本发明可包括本文所公开的含蓄的、明确的或者任何概括的任何特征或特征组合的事实，而不对任何权利要求的范围进行限制。根据以上描述，本领域的技术人员将会明白，可以在本发明的范围内进行各种修改。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种用于结合至集成电路的电感器结构，包括：
第一环和第二环；
连接至所述第一环的第一端的第一馈送线，连接至所述第二环的第一端的第二馈送线，其中，所述第一馈送线延伸通过由所述第一环和所述第二环中的一个所包围的面积，所述第二馈送线延伸通过由所述第一环和所述第二环中的相同的所述一个所包围的面积；
以及
交叉部，所述交叉部与所述第一环的所述第一端和所述第二环的所述第一端相邻，所述交叉部将所述第一环耦合至所述第二环，以使从所述第一馈送线流到所述第二馈送线的电流以第一旋转方向环绕所述第一环以及以与所述第一旋转方向相反的第二旋转方向环绕所述第二环。
2.根据权利要求1所述的电感器结构，其中，所述第一馈送线延伸通过由所述第一环和所述第二环中的一个所包围的面积，以及所述第二馈送线延伸通过由所述第一环和所述第二环中的另一个所包围的面积。
3.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述第一馈送线和所述第二馈送线的每一个均延伸通过所述第一环和所述第二环的单个环。
4.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述第一馈送线和所述第二馈送线的每一个均延伸到其所延伸通过的所述第一环和所述第二环中的一个的外边缘。
5.一种电感器结构，包括：
第一环和第二环；
在所述电感器结构的中心处连接至所述第一环的第一端的第一馈送线，在所述电感器结构的中心处连接至所述第二环的第一端的第二馈送线，所述第一馈送线和所述第二馈送线的每一个均延伸出所述电感器结构的平面；以及
交叉部，所述交叉部与所述第一环的所述第一端和所述第二环的所述第一端相邻，所述交叉部将所述第一环耦合至所述第二环，以使得从所述第一馈送线流到所述第二馈送线的电流以第一旋转方向环绕所述第一环以及以与所述第一旋转方向相反的第二旋转方向环绕所述第二环。
6.根据权利要求5所述的电感器结构，其中，所述第一馈送线从所述第一环的所述第一端延伸出所述电感器结构的平面，以及所述第二馈送线从所述第二环的所述第一端延伸出所述电感器结构的平面。
7.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，由所述第一环包围的面积等于由所述第二环包围的面积。
8.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述第一环具有与所述第二环相等的尺寸和形状。
9.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述电感器结构相对于两个轴对称。
10.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述电感器结构相对于平分所述电感器结构的第一轴对称，使得所述第一环在所述轴的一侧，所述第二环在所述轴的另一侧。
11.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述电感器结构相对于平分所述电感器结构的第二轴对称，使得所述第一环的第一半和所述第二环的第一半在所述第二轴的一侧，所述第一环的第二半和所述第二环的第二半在所述第二轴的另一侧。
12.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述电感器结构为八角形轮廓。
13.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述第一环和所述第二环的每一个均包括第一线匝和第二线匝。
14.根据权利要求13所述的电感器结构，其中，对于每一个所述环，所述第二线匝环绕所述第一线匝。
15.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述交叉部在所述电感器结构的中心区域。
16.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，连接所述第一环和所述第二环以形成8字形状。
17.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，通过平面基板上的金属化来形成所述电感器结构。
18.一种集成电路，包括根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构。
19.一种电感器结构，基本上与参照附图在本文所描述的一样。
20.一种集成电路，基本上与参照附图在本文所描述的一样。

Claims (21)

1.一种电感器结构，包括：
第一环和第二环；
连接至所述第一环的第一端的第一馈送线，连接至所述第二环的第一端的第二馈送线，所述第一馈送线和所述第二馈送线的每一个均延伸通过由所述第一环和所述第二环中的一个所包围的面积；
以及
交叉部，所述交叉部与所述第一环的所述第一端以及所述第二环的所述第一端相邻，所述交叉部将所述第一环耦合至所述第二环，以使得从所述第一馈送线流到所述第二馈送线的电流以第一旋转方向环绕所述第一环并且以与所述第一旋转方向相反的第二旋转方向环绕所述第二环。
2.根据权利要求1所述的电感器结构，其中，所述第一馈送线延伸通过由所述第一环和所述第二环中的一个所包围的面积，以及所述第二馈送线延伸通过由所述第一环和所述第二环中的另一个所包围的面积。
3.根据权利要求1所述的电感器结构，其中，所述第一馈送线延伸通过由所述第一环和所述第二环中的一个所包围的面积，以及所述第二馈送线延伸通过由所述第一环和所述第二环中的相同的所述一个所包围的面积。
4.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述第一馈送线和所述第二馈送线的每一个均延伸通过所述第一环和所述第二环的单个环。
5.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述第一馈送线和所述第二馈送线的每一个均延伸到其延伸通过的所述第一环和所述第二环中的一个的外边缘。
6.一种电感器结构，包括：
第一环和第二环；
连接至所述第一环的第一端的第一馈送线，连接至所述第二环的第一端的第二馈送线，所述第一馈送线和所述第二馈送线的每一个均延伸出所述电感器结构的平面；以及
交叉部，所述交叉部与所述第一环的所述第一端以及所述第二环的所述第一端相邻，所述交叉部将所述第一环耦合至所述第二环，以使得从所述第一馈送线流到所述第二馈送线的电流以第一旋转方向环绕所述第一环并且以与所述第一旋转方向相反的第二旋转方向环绕所述第二环。
7.根据权利要求6所述的电感器结构，其中，所述第一馈送线从所述第一环的所述第一端延伸出所述电感器结构的平面，以及所述第二馈送线从所述第二环的所述第一端延伸出所述电感器结构的平面。
8.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，由所述第一环包围的面积等于由所述第二环包围的面积。
9.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述第一环具有与所述第二环相等的尺寸和形状。
10.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述电感器结构相对于两个轴对称。
11.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述电感器结构相对于平分所述电感器结构的第一轴对称，使得所述第一环在所述轴的一侧，所述第二环在所述轴的另一侧。
12.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述电感器结构相对于平分所述电感器结构的第二轴对称，使得所述第一环的第一半和所述第二环的第一半在所述第二轴的一侧，所述第一环的第二半和所述第二环的第二半在所述第二轴的另一侧。
13.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述电感器结构为八角形轮廓。
14.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述第一环和所述第二环的每一个均包括第一线匝和第二线匝。
15.根据权利要求14所述的电感器结构，其中，对于每一个所述环，所述第二线匝环绕所述第一线匝。
16.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，所述交叉部在所述电感器结构的中心区域。
17.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，连接所述第一环和所述第二环以形成8字形状。
18.根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构，其中，通过平面基板上的金属化来形成所述电感器结构。
19.一种集成电路，包括根据前述权利要求中任一项所述的电感器结构。
20.一种电感器结构，基本上与参照附图在本文所描述的一样。
21.一种集成电路，基本上与参照附图在本文所描述的一样。
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