发明内容
鉴于上述现有技术存在的缺陷,本发明的目的是提出一种光伏并网逆变器的改进型主电路结构,以实现完全抑制上述尖峰共模漏电流。
本发明的上述目的,其实现的技术方案之一为:
光伏并网逆变器的改进型主电路结构,作为基础的已有主电路结构包含非隔离DC/DC变换器、电容C、电容Cin、由功率开关器件V1~V4和二极管D1~D4一对一成组构成的H桥、由Lf1、Lf2和Cf组成的滤波回路、由功率开关器件V5、二极管D5和二极管D7组成的电网电压正半周的第一续流回路以及由功率开关器件V6、二极管D6和二极管D8组成的电网电压负半周的第二续流回路,所述已有主电路的输入端为PV光伏电池板,电池板的正极与电容C1的一端、电容Cin的正极、非隔离DC/DC变换器的一个输入端相接于节点C,电池板的负极与电容C2的一端、电容Cin的负极、非隔离DC/DC变换器的另一个输入端相接于节点D,电容C1与电容C2的另一端接地;非隔离DC/DC变换器的一个输出端与电容C的正极、H桥相接于节点E,且非隔离DC/DC变换器的另一个输出端与电容C的负极、H桥相接于节点F;定义H桥功率开关器件V1的发射极与V2的集电极相接于节点A,且功率开关器件V3的发射极与V4的集电极相接于节点B,第一续流回路、第二续流回路和滤波回路并联至节点A和节点B之间;滤波回路中Lf1的一端与电容Cf的一端相接于电网电压e的L端,且滤波回路中Lf2的一端与电容Cf的另一端相接于电网电压e的N端,其特征在于:所述改进型主电路结构具有由电容C5和电容C6串联构成的半H桥电容组,电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,电容C5的另一端连接至节点C,电容C6的另一端连接至节点D;或者所述改进型主电路结构具有由电容C5和电容C6、电容C3和电容C4串并联构成的H桥电容组,其中电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,电容C3与电容C4相接于电网电压e的N端,且电容C5的另一端与电容C3的另一端相接于节点C,电容C6的另一端与电容C4的另一端相接于节点D。
进一步地,所述改进型主电路结构对应于半H桥电容组还接有EMI滤波器,所述EMI滤波器的输入端之一与滤波回路中Lf1的一端、电容Cf的一端相接于节点G,输入端之二与滤波回路中Lf2的一端、电容Cf的另一端相接于节点H,其两输出端接入电网电压e的L端和N端,且EMI滤波器的一端接地;所述半H桥电容组的电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,或相接于节点G。
进一步地,所述改进型主电路结构对应于H桥电容组还接有EMI滤波器,所述EMI滤波器的输入端之一与滤波回路中Lf1的一端、电容Cf的一端相接于节点G,输入端之二与滤波回路中Lf2的一端、电容Cf的另一端相接于节点H,其两输出端接入电网电压e的L端和N端,且EMI滤波器的一端接地;所述H桥电容组的电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,并且电容C3与电容C4相接于电网电压e的N端,或所述H桥电容组的电容C5与电容C6相接于节点G,并且电容C3与电容C4相接于节点H。
本发明的上述目的,其实现的技术方案之二为:
光伏并网逆变器的改进型主电路结构,作为基础的已有主电路结构包含非隔离DC/DC变换器、电容C、电容Cin、由功率开关器件V1~V4及二极管D1~D4一对一成组构成的H桥、由Lf1、Lf2和Cf组成的滤波回路、由功率开关器件V5、二极管D5和二极管D7组成的电网电压正半周的第一续流回路以及由功率开关器件V6、二极管D6和二极管D8组成的电网电压负半周的第二续流回路,所述已有主电路的输入端为PV光伏电池板,电池板的正极与电容C1的一端、电容Cin的正极、非隔离DC/DC变换器的一个输入端相接于节点C,电池板的负极与电容C2的一端、电容Cin的负极、非隔离DC/DC变换器的另一个输入端相接于节点D,电容C1与电容C2的另一端接地;非隔离DC/DC变换器的一个输出端与电容C的正极、H桥相接于节点E,且非隔离DC/DC变换器的另一个输出端与电容C的负极、H桥相接于节点F;定义H桥功率开关器件V1的发射极与V2的集电极相接于节点A,且功率开关器件V3的发射极与V4的集电极相接于节点B,第一续流回路、第二续流回路和滤波回路并联至节点A和节点B之间;滤波回路中Lf1的一端与电容Cf的一端相接于电网电压e的L端,且滤波回路中Lf2的一端与电容Cf的另一端相接于电网电压e的N端,其特征在于:所述改进型主电路结构具有由电容C5和电容C6串联构成的半H桥电容组,电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,电容C5的另一端连接至节点E,电容C6的另一端连接至节点F;或者所述改进型主电路结构具有由电容C5和电容C6、电容C3和电容C4串并联构成的H桥电容组,其中电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,电容C3与电容C4相接于电网电压e的N端,且电容C5的另一端与电容C3的另一端相接于节点E,电容C6的另一端与电容C4的另一端相接于节点F。
进一步地,所述改进型主电路结构对应于半H桥电容组还接有EMI滤波器,所述EMI滤波器的输入端之一与滤波回路中Lf1的一端、电容Cf的一端相接于节点G、输入端之二与滤波回路中Lf2的一端、电容Cf的另一端相接于节点H,其两输出端接入电网电压e的L端和N端,且EMI滤波器的一端接地;所述半H桥电容组的电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,或相接于节点G。
进一步地,所述改进型主电路结构对应于H桥电容组还接有EMI滤波器,所述EMI滤波器的输入端之一与滤波回路中Lf1的一端、电容Cf的一端相接于节点G、输入端之二与滤波回路中Lf2的一端、电容Cf的另一端相接于节点H,其两输出端接入电网电压e的L端和N端,且EMI滤波器的一端接地;所述H桥电容组的电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,并且电容C3与电容C4相接于电网电压e的N端,或所述H桥电容组的电容C5与电容C6相接于节点G,并且电容C3与电容C4相接于节点H。
本发明的上述目的,其实现的技术方案之三为:
光伏并网逆变器的改进型主电路结构,作为基础的已有主电路结构包含电容C、由功率开关器件V1~V4及二极管D1~D4一对一成组构成的H桥、由Lf1、Lf2和Cf组成的滤波回路、由功率开关器件V5、二极管D5和二极管D7组成的电网电压正半周的第一续流回路以及由功率开关器件V6、二极管D6和二极管D8组成的电网电压负半周的第二续流回路,所述已有主电路的输入端为PV光伏电池板,电池板的正极与电容C1的一端、电容C的正极、H桥开关功率器件V1的集电极、开关功率器件V3的集电极相接于节点C,电池板的负极与电容C2的一端、电容C的负极、H桥开关功率器件V2的发射极、开关功率器件V4的发射极相接于节点D,电容C1与电容C2的另一端接地;定义H桥功率开关器件V1的发射极与V2的集电极相接于节点A,且功率开关器件V3的发射极与V4的集电极相接于节点B,第一续流回路、第二续流回路和滤波回路并联至节点A和节点B之间;滤波回路中Lf1的一端与电容Cf的一端相接于电网电压e的L端,且滤波回路中Lf2的一端与电容Cf的另一端相接于电网电压e的N端,其特征在于:所述改进型主电路结构具有由电容C5和电容C6串联构成的半H桥电容组,电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,电容C5的另一端连接至节点C,电容C6的另一端连接至节点D;或者所述改进型主电路结构具有由电容C5和电容C6、电容C3和电容C4串并联构成的H桥电容组,其中电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,电容C3与电容C4相接于电网电压e的N端,且电容C5的另一端与电容C3的另一端相接于节点C,电容C6的另一端与电容C4的另一端相接于节点D。
进一步地,所述改进型主电路结构对应于半H桥电容组还接有EMI滤波器,所述EMI滤波器的输入端之一与滤波回路中Lf1的一端、电容Cf的一端相接于节点G、输入端之二与滤波回路中Lf2的一端、电容Cf的另一端相接于节点H,其两输出端接入电网电压e的L端和N端,且EMI滤波器的一端接地;所述半H桥电容组的电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,或相接于节点G。
进一步地,所述改进型主电路结构对应于H桥电容组还接有EMI滤波器,所述EMI滤波器的输入端之一与滤波回路中Lf1的一端、电容Cf的一端相接于节点G、输入端之二与滤波回路中Lf2的一端、电容Cf的另一端相接于节点H,其两输出端接入电网电压e的L端和N端,且EMI滤波器的一端接地;所述H桥电容组的电容C5与电容C6相接于电网电压e的L端,并且电容C3与电容C4相接于电网电压e的N端,或所述H桥电容组的电容C5与电容C6相接于节点G,并且电容C3与电容C4相接于节点H。
上述三个技术方案中,所述功率开关器件V1~V6可选包括绝缘栅双极晶体管IGBT、金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、晶闸管SCR、可关断晶闸管GTO和集成门极换向晶闸管IGCT中的一种或几种混用;所述二极管D1~D6为绝缘栅双极晶体管IGBT的体内二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的体内二极管或外接二极管。
应用本发明光伏并网逆变器的改进型主电路结构,较之于现有技术其突出效果为:PV光伏电池板的直流输出电能经非隔离光伏并网逆变器逆变并输出到电网时,可实现完全抑制尖峰共模漏电流,从而更有效地抑制了共模漏电流,提高了并网逆变器的逆变效率,同时降低了电磁噪声。
具体实施方式
下面先分析图3所示尖峰共模电流产生的原因,然后结合实施例附图,对本发明具体实施方式作进一步详述,以使本发明技术方案更易于理解和掌握。
主电路结构
由于这里要分析的是共模漏电流,其频率成分一般都很高,所以可以不考虑差模电流成分和低频电流成分,则图2中的非隔离DC/DC变换器、正半周的第一续流回路(由V5、D5、D7组成)、负半周第二续流回路(由V6、D6、D8组成)、滤波电容Cf可以略去,如图4所示,图中用C3、C4分别等效代表图2中的CPV+、CPV-,并假定C3=C4,光伏板PV的电压为udc。
设电容C3的端电压为uc3,电容C4的端电压为uc4,如果电网电压e=0,则uc3=uc4=udc/2。当V1~V4不工作(都关断),在电网电压e的正半周:当e的幅值小于udc/2时,二极管D1反向截止,C3、C4保持uc3=uc4=udc/2;当e的幅值大于udc/2时,二极管D1正向导通,Lf1与C3、C4发生谐振,Lf1上反电势先是右正、左负,后又转为左正、右负,并对电容C3充电,而电容C4与e串联后对C放电,见图5。该电势的跳变叠加到图5中H桥的A端的共模电压上,形成共模电流icom,如图7、图8所示。该充放电是单方向的,因为反向谐振时D1截止,因此图7中iLf(=icom)只有正值(在正半周),没有负值。然后e继续对C3充电,C4与e继续对C放电。图7为udc=550V、e=198V时,uc3、uc4的仿真波形。图8是图7波形的局部放大,由图8看出,在e的峰值(仿真时取e=198V,其峰值为280V)之前,二极管D1反向截止,uc3=uc4=udc/2=550/2=275(V)。当e的幅值越过275V时(图7、图8中的A点),二极管D1正向导通,由于Lf1和C3、C4间发生谐振,Lf1上反电势uLf先为右正左负,后转为左正右负,因此uLf的波形出现上下尖峰。由于二极管D1的作用,iLf只出现正尖峰电流。
反之,在电网电压e的负半周:当e的幅值(绝对值)小于udc/2时,二极管D2反向截止,C3、C4保持uc3=uc4=udc/2;当e的幅值(绝对值)大于udc/2时,二极管D2正向导通,Lf1又与C3、C4发生谐振,Lf1上反电势先是左正右负,后转为右正左负,并对电容C4充电,而电容C3与e串联后对C放电,见图6。该电势的跳变叠加到图6中H桥的A端的共模电压上,形成共模电流icom,如图7、图8所示。同理,该充放电是单方向的,因为反向谐振时D2截止,因此图7中iLf(=icom)只有负值(在负半周),没有正值。然后e继续对C4充电,C3与e串联后继续对C放电。由图8看出,在e的负峰值之前,二极管D2反向截止,uc3=uc4=udc/2=550/2=275(V)。当e的幅值(绝对值)越过275V时(图7、图8中的B点),二极管D2正向导通,由于Lf1与C3、C4发生谐振,Lf1上反电势先是左正右负,后转为右正左负,因此uLf的波形出现上下尖峰。由于二极管D2单向导电作用,iLf只出现负尖峰电流。
以上是在假定V1~V4不工作时的情况分析,即此时的共模电流受二极管D1、D2的约束,只有单向极性,如图8中iLf所示,该电流就是PV板的共模电流icom。但当V1~V4导通时,当e的幅值大于udc/2时,二极管D1(e的正半周)或D2(e的负半周)正向导通,e与电容C3和C4谐振,此时iLf不是如图8所示的单向性(图8在仿真时也是令V1~V4关断),而是正反交替的(如图3中下侧波形所示),图3中上侧波形为共模电压,100V/div,下测波形为共模电流,200mA/div(原定标为2A,在电流钳上绕了10圈电流线,所以2A/10=200mA)。
本发明光伏并网逆变器的改进型主电路结构实施例一,如图9所示:该并网逆变器主电路包括非隔离DC/DC变换器,电容C,电容Cin,由功率开关器件V1~V4及二极管D1~D4一对一成组构成的H桥,由Lf1、Lf2和Cf组成的滤波回路,由功率开关器件V5、二极管D5和二极管D7组成的电网电压正半周的第一续流回路以及由功率开关器件V6、二极管D6和二极管D8组成的电网电压负半周的第二续流回路,所述已有主电路的输入端为PV光伏电池板,电池板的正极与电容C1的一端、电容Cin的正极、非隔离DC/DC变换器的一个输入端相接于节点C;电池板的负极与电容C2的一端、电容Cin的负极、非隔离DC/DC变换器的另一个输入端相接于节点D,电容C1与电容C2的另一端接地;非隔离DC/DC变换器的一个输出端与电容C的正极、H桥相接于节点E,且非隔离DC/DC变换器的另一个输出端与电容C的负极、H桥相接于节点F;定义H桥功率开关器件V1的发射极与V2的集电极相接于节点A,且功率开关器件V3的发射极与V4的集电极相接于节点B,第一续流回路、第二续流回路和滤波回路并联至节点A和节点B之间;电网电压e的L端与滤波回路中Lf1的一端、电容Cf的一端相接于节点G,且电网电压e的N端与滤波回路中Lf2的一端、电容Cf的另一端相接于节点H,其特别之处为具有一个由电容C3、C4、C5、C6组成的H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、Lf1的另一端相接于节点G;C3的一端与C4的一端、Lf2的另一端相接于节点H;C5的另一端与C3的另一端、PV的正极相接于节点C;C6的另一端与C4的另一端、PV的负极相接于节点D。
此外,对应于H桥电容组还具有EMI滤波器,该EMI滤波器设于H桥电容组与电网电压e之间。
与前面的分析一样,只考虑共模电压和电流时,可以把图9简化成图10,图中C3、C4分别代表图2中的CPV+、CPV-,C5和C6是另加的。C3~C6组成一个H桥电容组,如果C3=C4=C5=C6,当e=0,则有uc3+uc4=udc/2+udc/2=udc,uc5+uc6=udc/2+udc/2=udc。只考虑e的绝对值,即设e≥0,则有:
在e的正半周(L端为正,N端为负)
uc3=udc/2+e/2 (1)
uc6=udc/2+e/2 (2)
uc5=udc/2-e/2 (3)
uc4=udc/2-e/2 (4)
在e的负半周(L端为负,N端为正)
uc3=udc/2-e/2 (5)
uc6udc/2-e/2 (6)
uc5=udc/2+e/2 (7)
uc4=udc/2+e/2 (8)
由式(1)~(8)可看出,uc3和uc4的波形必然随着e的幅值的变化而在直流电压udc/2的基础上呈正弦变化的,不存在图5和图6中因二极管D1或D2的导通所引起的Lf1与C3、C4的谐振问题,从而造成uc3和uc4的急剧跳变。也可看成,无论是D1或V1导通,还是D2或V2导通,如果忽略其压降,则可认为C5或C6是与Lf1直接并联的(见图10),由于C5或C6的箝制作用,自然Lf1上不可能有急剧变化的反电势。图11是仿真波形,仿真时,udc=550V、e=198V时,可以看出uc3是在正偏压(275V,站在N端看C3上端)的基础上作正弦变化的,而uc4是在负偏压(-275V,站在N端看C4下端)的基础上作正弦变化的。uc3和uc4上没有出现如图7所示的急剧跳变,所以也就没有图7中出现的尖峰电压uLf和尖峰电流iLf。
分析与比较
图12为本发明主电路结构的共模电压uPV+(上侧)和共模电流icom(下侧)的波形,由图可看出,该共模电压uPV+还是50Hz的正弦,没有图3、图7那样的急剧跳变。由于该频率很低,电容C1和C2对其呈现的阻抗很大,因此,共模电流icom很小,而尖峰共模电流全部消失了。本图中示波器的电流定标为2A,由于本实验的电流钳量程较大(500A级),为防止精度太粗,测试时特地在电流钳上绕了10圈电流线,因此必须将读到的icom除以10才是真实值。图中的icom的单峰最高约为五分之一格,即400mA,除以10圈后为40mA,该数值远低于VDE0126-1-1标准中规定的300mA极限值。因此说,使用本发明技术能有效抑制因PV的分布电容引起的共模电流及由此引起的电磁噪声。
其它可行的实施方式
实施例二
如图13所示,Lf1的另一端与电容Cf的一端、EMI滤波器的一个输入端相连于节点G;Lf2的另一端与电容Cf的另一端、EMI滤波器的另一输入端相连于节点H;一个由电容C3、C4、C5、C6组成的H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、EMI滤波器的一个输出端、e的L端连接;C3的一端与C4的一端、EMI滤波器的另一个输出端、e的N端及大地连接;C5的另一端与C3的另一端、PV的正极相接于节点C;C6的另一端与C4的另一端、PV的负极相接于节点D。
实施例三
如图14所示,Lf1的另一端与Cf的一端、e的L端连接;Lf2的另一端与Cf的另一端、e的N端及大地连接;一个由电容C3、C4、C5、C6组成的H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、Lf1的另一端相接于节点L;C3的一端与C4的一端、Lf2的另一端相接于节点N;C5的另一端与C3的另一端、PV的正极相接于节点C;C6的另一端与C4的另一端、PV的负极相接于节点D。
实施例四
如图15所示,Lf1的另一端与Cf的一端、EMI滤波器的一个输入端相接于节点G;Lf2的另一端与Cf的另一端、EMI滤波器的另一输入端相接于节点H;EMI滤波器的一个输出端与e的L端连接;EMI滤波器的另一个输出端与e的N端及大地连接;一个由电容C5、C6组成的半H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、Lf1的另一端相接于节点G;C5的另一端与PV的正极相接于节点C;C6的另一端与PV的负极相接于节点D。
实施例五
如图16所示,Lf1的另一端与Cf的一端、EMI滤波器的一个输入端相接于节点G;Lf2的另一端与Cf的另一端、EMI滤波器的另一输入端相接于节点H;EMI滤波器的一个输出端与e的L端连接;EMI滤波器的另一个输出端与e的N端及大地连接;一个由电容C5、C6组成的半H桥电容组,其中C5的一端与电容C6的一端、EMI滤波器的一个输出端相接于节点L;C5的另一端与PV的正极相接于节点C;C6的另一端与PV的负极相接于节点D。
实施例六
如图17所示,Lf1的另一端与Cf的一端、e的L端连接;Lf2的另一端与Cf的另一端、e的N端及大地连接;一个由电容C5、C6组成的半H桥电容组,其中C5的一端与电容C6的一端、Lf1的另一端相接于节点L;C5的另一端与PV的正极相接于节点C;C6的另一端与PV的负极相接于节点D。
实施例七
如图18所示,一个由电容C3、C4、C5、C6组成的H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、Lf1的另一端、EMI滤波器的一个输入端相接于节点G;C3的一端与C4的一端、Lf2的另一端、EMI滤波器的另一个输入端相接于节点H;C5的另一端与C3的另一端、电容C的正极相接于节点E;C6的另一端与C4的另一端、电容C的负极相接于节点F。
实施例八
如图19所示,一个由电容C3、C4、C5、C6组成的H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、EMI滤波器的一个输出端、e的L端连接;C3的一端与C4的一端、EMI滤波器的另一个输出端、e的N端及大地连接;C5的另一端与C3的另一端、电容C的正极相接于节点E;C6的另一端与C4的另一端、电容C的负极相接于节点F。
实施例九
如图20所示,一个由电容C3、C4、C5、C6组成的H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、e的L端连接;C3的一端与C4的一端、e的N端及大地连接;C5的另一端与C3的另一端、电容C的正极相接于节点E;C6的另一端与C4的另一端、电容C的负极相接于节点F。
实施例十
如图21所示,一个由电容C5、C6组成的半H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、Lf1的另一端、EMI滤波器的一个输入端相接于节点G;C5的另一端与C的正极相接于节点E;C6的另一端与C的负极相接于节点F。
实施例十一
如图22所示,一个由电容C5、C6组成的半H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、Lf1的一个输出端相接于节点L;C5的另一端与C的正极相接于节点E;C6的另一端与C的负极相接于节点F。
实施例十二
如图23所示,一个由电容C5、C6组成的半H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、Lf1的一个输出端相接于节点L;C5的另一端与C的正极相接于节点E;C6的另一端与C的负极相接于节点F。
实施例十三
如图24所示,PV的正极与C1的一端(这里用虚线表示)、C的正极、V1的集电极、D1的阴极、V3的集电极、D3的阴极相接于节点C;PV的负极与C2的一端(这里也用虚线表示)、C的负极、V2的发射极、D2的阳极、V4的发射极、D4的阳极相接于节点D;C1的另一端接地,C2的另一端也接地;一个由电容C3、C4、C5、C6组成的H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、Lf1的另一端和EMI滤波器的一个输入端相接于节点G;C3的一端与C4的一端、Lf2的另一端和EMI滤波器的另一个输入端相接于节点H;C5的另一端与C3的另一端、PV的正极相接于节点C;C6的另一端与C4的另一端、PV的负极相接于节点D。
实施例十四
如图25所示,一个由电容C3、C4、C5、C6组成的H桥电容组,其中C5的一端、C6的一端、EMI滤波器的一个输出端相接于e的L端,C3的一端、C4的一端、EMI滤波器的另一个输出端相接于e的N端,且C5的另一端与C3的另一端、PV的正极相接于节点C;C6的另一端与C4的另一端、PV的负极相接于节点D。
实施例十五
如图26所示,一个由电容C3、C4、C5、C6组成的H桥电容组,其中C5的一端和C6的一端相接于e的L端,C3的一端和C4的一端相接于e的N端,且C5的另一端与C3的另一端、PV的正极相接于节点C;C6的另一端与C4的另一端、PV的负极相接于节点D。
实施例十六
如图27所示,一个由电容C5、C6组成的半H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、Lf1的另一端、EMI滤波器的一个输入端相接于节点G;C5的另一端与PV的正极相接于节点C;C6的另一端与PV的负极相接于节点D。
实施例十七
如图28所示,一个由电容C5、C6组成的半H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、EMI滤波器的一个输出端相接于节点L;C5的另一端与PV的正极相接于节点C;C6的另一端与PV的负极相接于节点D。
实施例十八
如图29所示,一个由电容C5、C6组成的半H桥电容组,其中C5的一端与C6的一端、Lf1的另一端相接于节点L;C5的另一端与PV的正极相接于节点C;C6的另一端与PV的负极相接于节点D。
以上诸多实施例中,功率开关器件V1~V6可选包括绝缘栅双极晶体管IGBT、金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、晶闸管SCR、可关断晶闸管GTO和集成门极换向晶闸管IGCT中的一种或几种混用;所述二极管D1~D6为绝缘栅双极晶体管IGBT的体内二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的体内二极管或外接二极管。需要强调的是,以上各实施例中凡用到EMI滤波器的,其必有一端为接地。
本技术领域中的普通技术人员应当认识到,以上的实施例仅是用来说明本本发明实质性特征的,而非用作对本发明的限定,只要在本发明的实质精神范围内,对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明的权利要求书范围内。