CN102130087B - 三维集成电路金属导体轨道及制备方法 - Google Patents
三维集成电路金属导体轨道及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102130087B CN102130087B CN 201010584001 CN201010584001A CN102130087B CN 102130087 B CN102130087 B CN 102130087B CN 201010584001 CN201010584001 CN 201010584001 CN 201010584001 A CN201010584001 A CN 201010584001A CN 102130087 B CN102130087 B CN 102130087B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductor rail
- dimensional integrated
- plating
- integrated circuit
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 20
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- -1 metal complex compound Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 210000004877 mucosa Anatomy 0.000 claims description 6
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 claims description 6
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 4
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003109 Disodium ethylene diamine tetraacetate Substances 0.000 claims description 3
- ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L EDTA disodium salt (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].OC(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- RCEAADKTGXTDOA-UHFFFAOYSA-N OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[Na] Chemical compound OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[Na] RCEAADKTGXTDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000019301 disodium ethylene diamine tetraacetate Nutrition 0.000 claims description 3
- CYUUZGXOQDCCGH-UHFFFAOYSA-N dodecyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)CCCCCCCCCCC CYUUZGXOQDCCGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000276 potassium ferrocyanide Substances 0.000 claims description 3
- VZOPRCCTKLAGPN-ZFJVMAEJSA-L potassium;sodium;(2r,3r)-2,3-dihydroxybutanedioate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VZOPRCCTKLAGPN-ZFJVMAEJSA-L 0.000 claims description 3
- 229940074446 sodium potassium tartrate tetrahydrate Drugs 0.000 claims description 3
- XOGGUFAVLNCTRS-UHFFFAOYSA-N tetrapotassium;iron(2+);hexacyanide Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[Fe+2].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] XOGGUFAVLNCTRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 3
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000000320 mechanical mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 16
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000011532 electronic conductor Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
本发明涉及一种三维集成电路金属导体轨道及制备方法。它是以金属或金属化合物添加物与二氧化钛为原料在塑性材料为基底制成。金属原子与二氧化钛的摩尔比：0.1-2.3∶1，制备工艺是利用激光分离出金属晶核，先低磷化学镀镍，然后化学镀铜，再中磷化学镀镍，形成金属导体轨道。本发明从导体轨道所依托的塑性材料上进行改进和提高，使承载材料结构含有相对少量的形成晶核的添加物成份，使其在制备导体轨道的过程中性能稳定。提高了导体轨道与承载材料之间的附着力，提高了产品质量，减少污染。
Description
技术领域
本发明涉及三维集成电路金属导体轨道的制备技术，特别是一种三维集成电路金属导体轨道及制备方法。
背景技术
三维导体轨道结构是一种较为先进的电子集成电路器件，与传统的二维(平面)集成电路相比，这种三维集成电路的导体轨道结构具有明显的优越性，应用也更加广泛。
在导体轨道结构的制备技术中，导体轨道承载材料的制备占据十分重要的地位。在已公开的文献和专利报道中，目前不导电承载材料的制备方法包括以下几种。
1)为了制造精细附着的导体轨道结构，在不导电的承载材料中掺入金属螯合物，其结构为尖晶石结构或类尖晶石结构的含铜化合物。且利用激光射线裂解出所构造的金属化晶核，这种方法可用于由热塑性的塑料采用喷铸方法制造电路载体。
2)采用摸块化的互连器件来制造三维喷铸电路载体。
上述两种方法的缺点在于金属螯合络合物的热稳定性对于现代高温塑料如LCP的加工处理温度处于临界范围内，因此该方法仅能有限制地应用在对于将来的无铅焊接工艺变得越来越重要的材料领域中。此外金属螯合合成体必须采用相对较高的掺杂，以在激光作用下得到足够密度的晶核用于快速金属化，然而高的合成体成份通常会损害承载材料所需的重要性能，如断裂强度和韧性等。
3)由激光射线分离出的金属化晶核通过金属微粒的隔离而物理钝化，其缺点是因为被隔离的微粒明显大于典型的金属螯合合成体的分子，所以导电性能比较差。
4)目前普遍采用在塑性材料中加入添加物的方法，其存在问题是由于添加物在塑性材料中分布的不均匀，对电子导体轨道的金属涂层的附着力有不利影响，从而影响了电子导体轨道的制备。
发明内容
本发明的目的是针对上述存在问题，提供一种金属导体轨道及制备方法，该方法从导体轨道所依托的塑性材料上进行改进和提高，使承载材料结构含有相对少量的形成晶核的添加物成份，使其在制备导体轨道的过程中性能稳定。提高了导体轨道与承载材料之间的附着力，提高了产品质量，减少污染。
本发明提供的金属导体轨道是以金属或金属化合物添加物与二氧化钛为原料在塑性材料为基底制成，其中，金属原子与二氧化钛的摩尔比：0.1-2.3∶1，制备工艺是利用激光分离出金属晶核，先低磷化学镀镍，然后化学镀铜，再中磷化学镀镍，形成金属导体轨道。
所述添加物为纳米级金属元素：Fe、Ni、Co、Ag、Pd、Au、Os、Pt、或其金属的络合物、金属的无机和有机物。
其中以金属元素钯(Pd)、银(Ag)为最佳。
本发明提供的一种金属导体轨道的制备方法包括的具体步骤：
1)在工程塑料ABS、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等热稳定材料中通过加热和机械混合的方法把金属元素Fe、Ni、Co、Ag、Pd、Au、Os、Pt、或其金属的络合物、金属的无机和有机物、二氧化钛添加到塑料中。
2)把含有金属元素添加剂的塑料用注塑机注塑成型为构件。
3)用激光射线在构件的表面照射出特定形状的线路图型；经过激光照射的特定形状区域，分解出金属晶核；
4)金属晶核区域进行低磷化学镀镍、化学镀铜、再中磷化学镀镍就形成了金属导体轨道。
所述的激光射线波长为335-1064nm，照射时间为0.01-1秒；
所述的低磷化学镀镍的镀镍液配方：PH＝8-9，温度60-70℃，硫酸镍27g/L；次磷酸钠20g/L；醋酸钠15g/L；焦磷酸钾30g/L；柠檬酸4g/L；十二烷基月桂酸1g/L。镀镍层的厚度为0.5-3微米，可选0.5-1微米。
化学镀铜的镀铜液配方：PH＝12，温度60℃；无水硫酸铜12g/L；酒石酸钾钠43g/L；乙二胺四乙酸二钠14g/L；甲醛(37％)21ml/L；亚铁氰化钾36mg/L；联吡啶0.06g/L；氢氧化钠调PH值；空气搅拌。化学镀铜的速率为2微米/小时。
再中磷化学镀镍镀镍液配方：PH＝4.8-5，温度80-86℃，硫酸镍27g/L；次磷酸钠24g/L；醋酸钠15g/L；乳酸30g/L；柠檬酸4g/L；十二烷基硫酸钠1g/L。镀镍层的厚度为5-13微米。要求镀层厚度2-3微米。
所述的化学镀铜层的厚度为1-12微米，可选8-12微米。温度60℃；PH＝11-12，镀铜时间约300-400分钟。
所述的构件为手机机壳、手机天线和其它三维集成电路的电子产品。
所述的特定形状的线路图型是手机天线的形状或需电磁屏蔽区域的形状或其他电路的形状等。
本发明适用制造三维立体集成电路和二维平面集成电路的承载材料。本发明也适用电子轨道的制备。
本发明的一个特点是在承载材料上金属化的工艺方法的改进，由于加入的金属元素的不同，先采用低磷化学镀镍；提高形成的金属导体和载体的附着力的质量、再进行化学镀铜和中磷化学镀镍。
本发明的优点是：
通过在不导电的塑性材料中加入热稳定性差、在酸性或碱性水溶液中稳定且不溶解的金属或金属化合物作为添加物来实现。金属元素钯和银的盐，由于热稳定性较差，在激光照射下很容易被分解成金属单质，形成金属晶核。而且，钯和银这两种元素的化学特性对于化学镀镍是高活性的，高选择性的，比化学镀铜的活性和选择性高。另外，由于钛元素是过渡元素，含有d-电子轨道，所以二氧化钛的化学特性比主族元素的二氧化硅或硅酸的选择性高，由此载体形成的金属导体轨道比传统工艺制备的金属导体轨道在性能上强。
通过在不导电的塑性材料中添加化学元素或化合物使承载材料性能提高，由于添加物为纳米级金属元素，粒度小，在载体材料中分散更均匀、激光镭射形成的导体轨道边缘更整齐有序、塑性材料的各项指标保持性好，生产加工后的电子导体轨道附着力强。特别是：
1)金属元素添加物为纳米级的尺度，微粒更小在塑料中分散的更均匀，对载体塑料的强度等性能影响小，
2)金属元素添加物为纳米级的尺度，微粒更小在塑料中分散的更均匀，激光镭射形成的导体轨道边缘更整齐有序。
3)金属元素添加物为热稳定性差的，这样在激光照射下，更容易完全分解成金属单质。使得表面金属元素最大化。提高电子导体轨道与承载材料之间的附着力。
具体实施方式
实施例1
在注塑机(住重SH160C，日本住友重机械株式会社制造)中将质量为65％的聚对苯二甲酸丁二醇酯、26％的纳米级二氧化钛和含9％的纳米级钯金属元素化合物二亚硝基二氨钯进行均匀混合，颗粒在175℃的温度下，注塑成型，被加工成一个手机机壳。然后使用ND:YAG激光器。以波长为1064nm，在机壳照射时间为0.01秒，照射出手机天线的形状，在金属化过程中，经过激光照射的特定形状区域，分解出金属晶核钯。
分别进行低磷化学镀镍，化学镀铜、再中磷化学镀镍过程，形成了金属导体轨道。这些金属导体轨道可以起到电磁耦合，信号与电流传输和/或电磁屏蔽等作用。
低磷化学镀镍：镀镍液配方：PH＝8.5，温度65℃，硫酸镍27g/L；次磷酸钠20g/L；醋酸钠15g/L；焦磷酸钾30g/L；柠檬酸4g/L；十二烷基月桂酸1g/L。镀镍时间10分钟，镀镍层的厚度为0.5微米。
化学镀铜：镀铜液配方：PH＝12，温度60℃；无水硫酸铜12g/L；酒石酸钾钠43g/L；乙二胺四乙酸二钠14g/L；甲醛(37％)21ml/L；亚铁氰化钾36mg/L；联吡啶0.06g/L；氢氧化钠调PH值；空气搅拌。化学镀铜时间为3200分钟。镀铜层厚度为：11微米。
中磷化学镀镍：镀镍液配方：PH＝4.8-5.0，温度84-86℃，硫酸镍27g/L；次磷酸钠24g/L；醋酸钠15g/L；乳酸30g/L；柠檬酸4g/L；十二烷基硫酸钠1g/L。镀镍层的厚度为2微米。镀镍时间为10分钟。
实施例2
在一台注塑机中用83％质量的聚对苯二甲酸丁二醇酯和11％质量的纳米二氧化钛和含6％质量的纳米级银金属元素络合物Ag(SCN)，进行混合。颗粒在180-185℃下被加工成一个手机机壳。以下操作同实施例1。
本发明通过对塑性材料中金属添加物的改变，改变了传统的三维集成电路导体轨道的生产工艺和化学镀铜的方法，特别是：
1)金属元素添加物为纳米级的尺度，微粒更小在塑料中分散的更均匀，对载体塑料的强度等性能影响小，
2)金属元素添加物为纳米级的尺度，微粒更小在塑料中分散的更均匀，激光镭射形成的导体轨道边缘更整齐有序。
3)金属元素添加物为热稳定性差的，这样在激光照射下，更容易完全分解成金属单质。使得表面金属元素最大化。提高电子导体轨道与承载材料之间的附着力。
4)采用低磷化学镀镍打底，可以提高金属导体和塑性材料之间的结合力，其原因是低磷化学镀镍的内应力比化学镀铜小。提高了产品质量。
5)改变生产工艺和化学镀铜的方法，可以减少污染环境的甲醛的用量，至少减少用量50％-65％。
Claims (5)
1.一种三维集成电路金属导体轨道的制备方法，该三维集成电路金属导体轨道是以塑性材料为基底，在塑性材料中添加微量纳米金属元素或该纳米金属络合物，用注塑机注塑成型为构件，用激光射线在构件的表面照射出特定形状的线路图型；经过激光照射的特定形状区域，分离出金属晶核；其特征在于：
在工程塑料ABS或聚对苯二甲酸丁二醇酯中，通过加热和机械混合的方法把纳米金属元素或纳米金属络合物、二氧化钛添加到塑料中混合均匀直接注塑成型为构件，金属原子与二氧化钛的摩尔比：0.1-2.3∶1；
所述的纳米金属元素为：Fe、Ni、Co、Ag、Pd、Os、Pt；
所述的激光射线波长为335-1064nm，照射时间为0.01-1秒；
在金属晶核区域进行低磷化学镀镍、化学镀铜、再中磷化学镀镍；
所述的低磷化学镀镍的镀镍液配方：pH＝8-9，温度60-70℃，硫酸镍27g/L；次磷酸钠20g/L；醋酸钠15g/L；焦磷酸钾30g/L；柠檬酸4g/L；十二烷基月桂酸1g/L；镀镍层的厚度为0.5-3微米。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的化学镀铜层的厚度为5-12微米；化学镀铜液配方：pH＝12，温度60℃；无水硫酸铜12g/L；酒石酸钾钠43g/L；乙二胺四乙酸二钠14g/L；37％的甲醛21ml/L；亚铁氰化钾36mg/L；联吡啶0.06g/L。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的中磷化学镀镍液配方：pH＝4.8-5，温度80-86℃，硫酸镍27g/L；次磷酸钠24g/L；醋酸钠15g/L；乳酸30g/L；柠檬酸4g/L；十二烷基硫酸钠1g/L；镀镍层的厚度为5-13微米；镀层厚度2-3微米。
4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的构件为手机机壳、手机天线或其它三维集成电路的电子产品。
5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的特定形状的线路图形是手机天线的形状或需电磁屏蔽区域的形状或其它电路的形状。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010584001 CN102130087B (zh) | 2010-12-10 | 2010-12-10 | 三维集成电路金属导体轨道及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010584001 CN102130087B (zh) | 2010-12-10 | 2010-12-10 | 三维集成电路金属导体轨道及制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102130087A CN102130087A (zh) | 2011-07-20 |
| CN102130087B true CN102130087B (zh) | 2013-04-24 |
Family
ID=44268100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201010584001 Active CN102130087B (zh) | 2010-12-10 | 2010-12-10 | 三维集成电路金属导体轨道及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102130087B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102543855B (zh) * | 2012-01-19 | 2014-07-09 | 讯创(天津)电子有限公司 | 三维集成电路结构及材料的制造方法 |
| CN103517570B (zh) * | 2012-06-28 | 2018-09-25 | 广州光宝移动电子部件有限公司 | 电子线路的制作方法及壳体 |
| CN102817018A (zh) * | 2012-09-13 | 2012-12-12 | 格林精密部件（惠州）有限公司 | 外壳激光成型装饰加工方法及制作设备 |
| CN104250732B (zh) * | 2013-06-27 | 2018-02-09 | 比亚迪股份有限公司 | 一种化学镀铜混合物及其制备方法、化学镀铜方法和化学镀铜镀件 |
| CN103985536B (zh) * | 2014-04-25 | 2017-02-01 | 讯创(天津)电子有限公司 | 三维无线充电线圈的制造方法与装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101502190A (zh) * | 2006-08-14 | 2009-08-05 | 麦克德米德有限公司 | 提高高分子材料与金属表面粘合性的方法 |
| CN101747650A (zh) * | 2009-12-17 | 2010-06-23 | 比亚迪股份有限公司 | 塑料组合物及其应用以及塑料表面选择性金属化的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005784A2 (de) * | 2001-07-05 | 2003-01-16 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Leiterbahnstrukturen und verfahren zu ihrer herstellung |
-
2010
- 2010-12-10 CN CN 201010584001 patent/CN102130087B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101502190A (zh) * | 2006-08-14 | 2009-08-05 | 麦克德米德有限公司 | 提高高分子材料与金属表面粘合性的方法 |
| CN101747650A (zh) * | 2009-12-17 | 2010-06-23 | 比亚迪股份有限公司 | 塑料组合物及其应用以及塑料表面选择性金属化的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| H. Sakata等.Laser-induced forward transfer of TiO2–Au nanocomposite films.《APPLIED PHYSICS LETTERS》.2005,第86卷第114104-1页至第114104-3页. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102130087A (zh) | 2011-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102130087B (zh) | 三维集成电路金属导体轨道及制备方法 | |
| KR101578585B1 (ko) | 플라스틱 기재의 표면을 금속화하는 방법 및 이로 제조한 플라스틱 물품 | |
| CN102543855B (zh) | 三维集成电路结构及材料的制造方法 | |
| CN102950283B (zh) | 一种电子浆料用超细镀银铜粉的制备方法 | |
| CN103128308B (zh) | 一锅法制备致密银包铜粉的方法 | |
| CN101591488B (zh) | 油墨及利用该油墨制作导电线路的方法 | |
| KR101410676B1 (ko) | 무전해 구리 및 레독스 커플 | |
| CN104072542B (zh) | 酰胺膦酸金属配合物、相应的复合材料及其制备方法 | |
| US9538665B2 (en) | Process for electroless copper deposition on laser-direct structured substrates | |
| CN102586764A (zh) | 选择性金属化基底的方法以及根据该方法制备的电路板 | |
| KR101672474B1 (ko) | 레이저 직접 구조화용 코팅제 조성물, 열가소성 수지 조성물 및 이를 이용한 레이저 직접 구조화 방법 | |
| JP2004534408A (ja) | コンダクタートラック構造物およびその製造方法 | |
| KR20110119780A (ko) | 플라스틱 물품의 제조 방법 및 이를 사용하여 제조된 플라스틱 물품 | |
| EP2725118B1 (en) | A process for electroless plating and a solution used for the same | |
| CN105296976A (zh) | 化学镀铜液及化学镀铜的方法 | |
| CN1936078A (zh) | 一种新型复合导电微球及其制备方法 | |
| CN103476199A (zh) | 基于铜自催化和化学镀铜的印制电路加成制备方法 | |
| CN110499500A (zh) | 一种无机非金属材料5g三维镭雕手机天线的制作方法 | |
| CN103491716A (zh) | 图案导电线路的结构及形成方法 | |
| CN102936726A (zh) | 环氧树脂封装电子元件表面的多层金属化处理方法 | |
| TW200301673A (en) | Circuit board and method of producing the same | |
| CN115023059A (zh) | 一种介质材料表面共形导电线路的制造方法 | |
| CN104001930B (zh) | 高温电子浆料用铅/银核壳复合粉的制备方法 | |
| CN107445176B (zh) | 锡锑掺杂浅色电绝缘激光活化可金属化粉末的制备方法 | |
| CN117701142A (zh) | 改性pai基高熵陶瓷涂料、涂层及陶瓷基板电子电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: GUO FUCHUN LIU DONGSHENG Free format text: FORMER OWNER: LIU DONGSHENG Effective date: 20111221 Owner name: XUNCHUANG (TIANJIN) ELECTRONICS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: GUO FUCHUN Effective date: 20111221 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 300350 JINNAN, TIANJIN TO: 300385 XIQING, TIANJIN |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20111221 Address after: 300385, No. 4, No. 12, Tian Cheng Industrial Park, Hongyuan Road, Xiqing Economic Development Zone, Tianjin, Applicant after: INNETECH (TIANJIN) ELECTRONICS Co.,Ltd. Co-applicant after: Guo Fuchun Co-applicant after: Liu Dongsheng Address before: 300350, No. nine, one street, Xin Qiao Industrial Area, Xinzhuang Town, Jinnan District, Tianjin Applicant before: Guo Fuchun Co-applicant before: Liu Dongsheng |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Free format text: FORMER OWNER: GUO FUCHUN LIU DONGSHENG Effective date: 20140211 |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20140211 Address after: 300385, No. 4, No. 12, Tian Cheng Industrial Park, Hongyuan Road, Xiqing Economic Development Zone, Tianjin, Patentee after: INNETECH (TIANJIN) ELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: 300385, No. 4, No. 12, Tian Cheng Industrial Park, Hongyuan Road, Xiqing Economic Development Zone, Tianjin, Patentee before: INNETECH (TIANJIN) ELECTRONICS Co.,Ltd. Patentee before: Guo Fuchun Patentee before: Liu Dongsheng |
|
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Liu Dongsheng Inventor after: Zhao Xin Inventor before: Guo Fuchun Inventor before: Liu Dongsheng |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: GUO FUCHUN LIU DONGSHENG TO: LIU DONGSHENG ZHAO XIN |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Metal conductor tracks and preparation methods for three-dimensional integrated circuits Effective date of registration: 20230614 Granted publication date: 20130424 Pledgee: Tianjin Zhongguancun Science and Technology Financing Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: INNETECH (TIANJIN) ELECTRONICS Co.,Ltd. Registration number: Y2023120000040 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Granted publication date: 20130424 Pledgee: Tianjin Zhongguancun Science and Technology Financing Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: INNETECH (TIANJIN) ELECTRONICS Co.,Ltd. Registration number: Y2023120000040 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Metal conductor tracks and preparation methods for three-dimensional integrated circuits Granted publication date: 20130424 Pledgee: Tianjin Zhongguancun Science and Technology Financing Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: INNETECH (TIANJIN) ELECTRONICS Co.,Ltd. Registration number: Y2024120000048 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |