CN102097937A

CN102097937A - 一种稳压式电源变换电路

Info

Publication number: CN102097937A
Application number: CN2011100026296A
Authority: CN
Inventors: 朱晓杰
Original assignee: DAILY SILVER IMP MICROELECTRONICS Co Ltd
Current assignee: China Core Integrated Circuit Ningbo Co Ltd
Priority date: 2011-01-07
Filing date: 2011-01-07
Publication date: 2011-06-15
Anticipated expiration: 2031-01-07
Also published as: CN102097937B

Abstract

本发明公开了一种稳压式电源变换电路，包括限流控制模块、供电模块、控制集成电路、MOSFET管和输出电压控制模块，限流控制模块接入输入电压，限流控制模块分别与供电模块、MOSFET管的漏极及输出电压控制模块连接，供电模块分别与控制集成电路的电源、MOSFET管的源极和衬底及输出电压控制模块连接，控制集成电路的控制电压输入端与输出电压控制模块连接，控制集成电路的控制信号输出端与MOSFET管的栅极连接，MOSFET管的漏极与输出电压控制模块连接；优点在于其通过限流控制模块、供电模块、控制集成电路、MOSFET管和输出电压控制模块，而无需电感变压器和光耦等反馈器件便能够实现交流/直流或者直流/直流的电压变换，极大地降低了电路的成本，同时减小了实际电路的体积。

Description

一种稳压式电源变换电路

技术领域

本发明涉及一种电源变换电路，尤其是涉及一种稳压式电源变换电路。

背景技术

多年来，各种用于恒压恒流的电源变换电路已经得到快速发展和广泛应用，包括反激式电源变换电路、正激式电源变换电路、线性电源变换电路等，其中反激式电源变换电路由于其无需输出滤波电感，因此效率高、稳定性好，在高压到低压的小功率电源转换领域有着广泛应用，如应用于离线式AC/DC（交流/直流）电源适配器、充电器和移动设备的备用电源等。

图1给出了一种典型的通过变压器次级线圈来控制的恒压恒流输出反激式电源变换器的简化电路。变压器11主要包括三个绕组，分别为初级绕组NP、次级绕组NS及辅助绕组NA。反激式电源变换器电路包括一个作为初级开关的MOSFET 管12、采样电阻13、次级整流管14、输出电容15、光耦16、稳压器17、稳压器限流电阻18、稳压器电容19、输出分压反馈电阻20和21、整流二极管22、启动电阻23、电容24及峰值电流模式PWM控制集成电路25，控制集成电路25启动的初始能量由启动电阻23和电容24提供，当反激式电源变换器电路稳定后，变压器11的辅助绕组NA通过整流二极管22为控制集成电路25提供能量，反激式电源变换器电路通过光耦16和稳压器17反馈输出电压的变化，控制MOSFET管12的开启时间，同时通过采样电阻13控制输出电流。

图2为另一种典型的通过变压器初级线圈来控制的恒压恒流输出反激式电源变换器的简化电路。与图1所示的反激式电源变换器电路相比，图2所示的反激式电源变换器电路不包含图1中的光耦16和变压器次级线圈电流感应元件（包括稳压器17、稳压器限流电阻18、稳压器电容19、输出分压反馈电阻20和21），其通过电阻26和电阻27直接采样控制变压器11的辅助绕组NA的电压，从而控制次级线圈（即次级绕组NS）的输出电压。

上述两种反激式电源变换器电路实现电源变换都需要应用变压器，通过变压器的初级绕组、次级绕组及辅助绕组之间的关系来进行电压变换和维持整个电路系统的工作。相比电阻、电容等分立器件，由于变压器由铜线线圈绕组和磁芯组成，其所占体积较大，同时成本也较高，因此致使应用变压器的反激式电源变换器电路的成本也较高，尤其是图1所示的反激式电源变换器电路，其还需要光耦等器件，更加增加了成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种稳压式电源变换电路，其无需电感变压器便能够实现交流/直流或者直流/直流的电压变换，且体积小、成本低，可以用于替换目前小功率应用的反激式电源变换电路。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种稳压式电源变换电路，其特征在于包括限流控制模块、供电模块、控制集成电路、MOSFET管和输出电压控制模块，所述的限流控制模块接入输入电压，所述的限流控制模块分别与所述的供电模块、所述的MOSFET管的漏极及所述的输出电压控制模块相连接，所述的供电模块分别与所述的控制集成电路的电源端、所述的MOSFET管的源极和衬底及所述的输出电压控制模块相连接，所述的控制集成电路的控制电压输入端与所述的输出电压控制模块相连接，所述的控制集成电路的控制信号输出端与所述的MOSFET管的栅极相连接，所述的MOSFET管的漏极与所述的输出电压控制模块相连接；所述的供电模块在所述的限流控制模块接入输入电压后为所述的控制集成电路提供工作电压，所述的输出电压控制模块形成控制电压并传输控制电压给所述的控制集成电路，所述的控制集成电路根据控制电压的大小输出高电平或低电平控制所述的MOSFET管开启或关闭，所述的输出电压控制模块形成输出电压。

所述的限流控制模块主要由第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第一二极管及第一PNP三极管组成，所述的第一电阻的第一端、所述的第二电阻的第一端、所述的第二电容的第一端及所述的第一二极管的正极相连接，其公共连接端接入输入电压，所述的第一电阻的第二端、所述的第一电容的第一端及所述的第一PNP三极管的基极相连接，其公共连接端分别与所述的供电模块和所述的输出电压控制模块相连接，所述的第一电容的第二端分别与所述的第一二极管的负极及所述的第一PNP三极管的发射极相连接，所述的第一PNP三极管的集电极与所述的输出电压控制模块相连接，所述的第二电阻的第二端与所述的第二电容的第二端相连接，其公共连接端分别与所述的MOSFET管的漏极和所述的输出电压控制模块相连接。

所述的输出电压控制模块主要由第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第三电容、第二二极管、第二PNP三极管、齐纳二极管及第五电容组成，所述的第三电阻的第一端、第三电容的第一端、第二PNP三极管的发射极及所述的第六电阻的第一端相连接，其公共连接端分别与所述的限流控制模块和所述的供电模块相连接，所述的第三电阻的第二端、所述的第四电阻的第一端及所述的第二PNP二极管的基极相连接，所述的第四电阻的第二端与所述的齐纳二极管的负极相连接，所述的第三电容的第二端与所述的齐纳二极管的正极相连接，其公共连接端分别与所述的限流控制模块和所述的MOSFET管的漏极相连接，所述的第二PNP二极管的集电极与所述的第五电阻的第一端相连接，其公共连接端与所述的限流控制模块相连接，所述的第五电阻的第二端与所述的第二二极管的正极相连接，所述的第二二极管的负极、所述的第六电阻的第二端及所述的第五电容的第一端相连接，其公共连接端与所述的控制集成电路的控制电压输入端相连接，所述的第五电容的第二端与所述的控制集成电路的地端相连接，所述的第三电容的两端之间形成输出电压。

所述的第三电阻、所述的第四电阻、所述的齐纳二极管和所述的第二PNP三极管构成稳压电路。

所述的供电模块主要由第七电阻和第四电容组成，所述的第七电阻的第一端分别与所述的限流控制模块和所述的输出电压控制模块相连接，所述的第七电阻的第二端与所述的第四电容的第一端相连接，其公共连接端与所述的控制集成电路的电源端相连接，所述的第四电容的第二端分别与所述的控制集成电路的地端、所述的MOSFET管的源极和衬底及所述的输出电压控制模块相连接。

所述的控制集成电路主要由电压检测模块、信号放大模块和驱动输出模块组成，所述的电压检测模块的输入端为所述的控制集成电路的控制电压输入端与所述的输出电压控制模块相连接，所述的电压检测模块的输出端与所述的信号放大模块的输入端相连接，所述的信号放大模块的输出端与所述的驱动输出模块的输入端相连接，所述的驱动输出模块的输出端与所述的MOSFET管的栅极相连接；所述的电压检测模块检测所述的输出电压控制模块形成的控制电压的大小，所述的电压检测模块的输出信号经所述的信号放大模块放大处理后传输给所述的驱动输出模块，所述的驱动输出模块的输出端为所述的控制集成电路的控制信号输出端输出高电平或低电平控制所述的MOSFET管开启或关闭。

所述的电压检测模块包括第一比较器、第二比较器和下拉电流源，所述的第一比较器的正相输入端、所述的第二比较器的反相输入端和所述的下拉电流源的电流流入端均与所述的输出电压控制模块相连接，接入所述的输出电压控制模块形成的控制电压，所述的第一比较器的反相输入端接入第一比较电平，所述的第一比较器的输出端与所述的下拉电流源的控制端相连接，所述的下拉电流源的电流流出端接所述的控制集成电路的地端，所述的第二比较器的正相输入端接入第二比较电平，所述的第二比较器的输出端与所述的信号放大模块的输入端相连接，其中，所述的第一比较电平大于所述的第二比较电平，所述的输出电压控制模块形成的控制电压在所述的第二比较电平和所述的第一比较电平之间反复震荡。

所述的信号放大模块包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述的第一NMOS管的漏极和所述的第二NMOS管的漏极均接所述的控制集成电路的电源端，所述的第一NMOS管的栅极和所述的第一PMOS管的栅极相连接作为所述的信号放大模块的输入端与所述的电压检测模块的输出端相连接，所述的第一NMOS管的源极、所述的第一PMOS管的漏极、所述的第二NMOS管的栅极和所述的第二PMOS管的栅极相连接，所述的第一PMOS管的源极和衬底及所述的第二PMOS管的源极和衬底均接所述的控制集成电路的地，所述的第二NMOS管的源极和所述的第二PMOS管的漏极相连接作为所述的信号放大模块的输出端与所述的驱动输出模块的输入端相连接。

所述的驱动输出模块包括第三PMOS管、第四PMOS管、第八电阻和第九电阻，所述的第三PMOS管的漏极接所述的控制集成电路的电源端，所述的第三PMOS管的栅极与所述的第四PMOS管的栅极相连接作为所述的驱动输出模块的输入端与所述的信号放大模块的输出端相连接，所述的第三PMOS管的源极和衬底均与所述的第八电阻的第一端相连接，所述的第八电阻的第二端、所述的第九电阻的第一端和所述的第四PMOS管的漏极相连接，其公共连接端作为所述的驱动输出模块的输出端与所述的MOSFET管的栅极相连接，所述的第九电阻的第二端及所述的第四PMOS管的源极和衬底均接所述的控制集成电路的地。

与现有技术相比，本发明的优点在于其通过限流控制模块、供电模块、控制集成电路、MOSFET管和输出电压控制模块，而无需电感变压器和光耦等反馈器件便能够实现交流/直流或者直流/直流的电压变换，极大地降低了电路的成本，同时减小了实际电路的体积。通过输出电压控制模块中的稳压电路的调节，即改变第三电阻和第四电阻的电阻值比例或者改变齐纳二极管的齐纳电压，能够准确地设定需要的输出电压值；通过调节限流控制模块中的第一电阻即限流电阻的大小，可以设定电源变换电路输出电流的最大值。

附图说明

图1为一种典型的通过变压器次级线圈来控制的恒压恒流输出反激式电源变换器的简化电路；

图2为另一种典型的通过变压器初级线圈来控制的恒压恒流输出反激式电源变换器的简化电路；

图3为本发明的稳压式电源变换电路的模块图；

图4为本发明的稳压式电源变换电路的具体电路图；

图5为本发明的控制集成电路的电路图；

图6为本发明的控制集成电路实现控制电压的电压值控制的波形图。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。

本发明提出的一种稳压式电源变换电路，如图3所示，其主要包括限流控制模块430、供电模块410、控制集成电路440、MOSFET管450和输出电压控制模块420，限流控制模块430接入输入电压VIN，限流控制模块430分别与供电模块410、MOSFET管450的漏极及输出电压控制模块420相连接，供电模块410分别与控制集成电路440的电源端VDD、MOSFET管450的源极和衬底及输出电压控制模块420相连接，控制集成电路440的控制电压输入端VC与输出电压控制模块420相连接，控制集成电路440的控制信号输出端Gate与MOSFET管450的栅极相连接，MOSFET管450的漏极与输出电压控制模块420相连接。供电模块410在限流控制模块430接入输入电压VIN后为控制集成电路440提供工作所需的电压，输出电压控制模块420形成控制电压Vc并传输控制电压Vc给控制集成电路440，控制集成电路440根据控制电压Vc的大小输出高电平或低电平控制MOSFET管450开启或关闭，使输出电压控制模块420工作维持形成输出电压Vout，即控制集成电路440与输出电压控制模块420共同作用，通过控制控制电压Vc的大小实现对MOSFET管450的开关控制，从而实现对输出电压Vout的精确控制。本发明的稳压式电源变换电路，输入电压VIN为直流电压，或者交流电压（如市电）经过整流后的电压，经过稳压式电源变换电路控制，实现直流Vout输出。

在此具体实施例中，如图4所示，限流控制模块430主要由第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、第一二极管D1及第一PNP三极管P1组成，其中R1为限流电阻，输出电压控制模块420主要由第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第三电容C3、第二二极管D2、第二PNP三极管P2、齐纳二极管Z1及第五电容C5组成，供电模块410主要由第七电阻R7和第四电容C4组成，第一电阻R1的第一端、第二电阻R2的第一端、第二电容C2的第一端及第一二极管D1的正极相连接，其公共连接端接入输入电压VIN，第一电阻R1的第二端、第一电容C1的第一端及第一PNP三极管P1的基极相连接，其公共连接端分别与供电模块410的第七电阻R7的第一端和输出电压控制模块420的第三电容C3的第一端、第三电阻R3的第一端、第二PNP三极管P2的发射极及第六电阻R6的第一端的公共连接端相连接，第一电容C1的第二端分别与第一二极管D1的负极及第一PNP三极管P1的发射极相连接，第一PNP三极管P1的集电极与输出电压控制模块420的第二PNP三极管P2的集电极与第五电阻R5的第一端的公共连接端相连接，第二电阻R2的第二端与第二电容C2的第二端相连接，其公共连接端分别与MOSFET管450的漏极和输出电压控制模块420的第三电容C3的第二端与齐纳二极管Z1的正极的公共连接端相连接；第三电阻R3的第一端、第三电容C3的第一端、第二PNP三极管P2的发射极及第六电阻R6的第一端相连接，其公共连接端分别与限流控制模块430的第一电阻R1的第二端、第一电容C1的第一端及第一PNP三极管P1的基极的公共连接端和供电模块410的第七电阻R7的第一端相连接，第三电阻R3的第二端、第四电阻R4的第一端及第二PNP二极管P2的基极相连接，第四电阻R4的第二端与齐纳二极管Z1的负极相连接，第三电容C3的第二端与齐纳二极管Z1的正极相连接，其公共连接端分别与限流控制模块430的第二电阻R2的第二端与第二电容C2的第二端的公共连接端和MOSFET管450的漏极相连接，第二PNP二极管P2的集电极与第五电阻R5的第一端相连接，其公共连接端与限流控制模块430的第一PNP三极管P1的集电极相连接，第五电阻R5的第二端与第二二极管D2的正极相连接，第二二极管D2的负极、第六电阻R6的第二端及第五电容C5的第一端相连接，其公共连接端与控制集成电路440的控制电压输入端VC相连接，第五电容C5的第二端分别与控制集成电路440的地端VSS、MOSFET管450的源极和衬底及供电模块410的第四电容C4的第二端相连接，第三电容C3的两端之间形成输出电压Vout；第七电阻R7的第一端分别与限流控制模块430的第一电阻R1的第二端、第一电容C1的第一端及第一PNP三极管P1的基极的公共连接端和输出电压控制模块420的第三电容C3的第一端、第三电阻R3的第一端、第二PNP三极管P2的发射极及第六电阻R6的第一端的公共连接端相连接，第七电阻R7的第二端与第四电容C4的第一端相连接，其公共连接端与控制集成电路440的电源端VDD相连接，第四电容C4的第二端分别与控制集成电路440的地端VSS、MOSFET管450的源极和衬底及输出电压控制模块420的第五电容C5的第二端相连接。

在此具体实施例中，如图3至图5所示，控制集成电路440主要由电压检测模块501、信号放大模块502和图腾柱结构的驱动输出模块503组成，电压检测模块501的输入端即为控制集成电路440的控制电压输入端VC与输出电压控制模块420相连接，电压检测模块501的输出端与信号放大模块502的输入端相连接，信号放大模块502的输出端与驱动输出模块503的输入端相连接，驱动输出模块503的输出端与MOSFET管450的栅极相连接；电压检测模块501检测输出电压控制模块420形成的控制电压Vc的大小，电压检测模块501的输出信号经信号放大模块502放大处理后传输给驱动输出模块503，驱动输出模块503的输出端即为控制集成电路440的控制信号输出端Gate输出高电平或低电平控制MOSFET管450开启或关闭。

在此，如图5所示，电压检测模块501包括第一比较器COMP1、第二比较器COMP2和下拉电流源Ipull，第一比较器COMP1的正相输入端、第二比较器COMP2的反相输入端和下拉电流源Ipull的电流流入端均与输出电压控制模块420相连接，接入输出电压控制模块420形成的控制电压Vc，第一比较器COMP1的反相输入端接入第一比较电平VH，第一比较器COMP1的输出端与下拉电流源Ipull的控制端相连接，下拉电流源Ipull的电流流出端接控制集成电路440的地端VSS，第二比较器COMP2的正相输入端接入第二比较电平VL，第二比较器COMP2的输出端与信号放大模块502的输入端相连接，第一比较电平VH和第二比较电平VL均由电压检测模块501内部的基准电路（在图中未示出）产生，其中，第一比较电平VH大于第二比较电平VL，且第一比较电平VH和第二比较电平VL均小于控制集成电路440的电源，输出电压控制模块420形成的控制电压Vc在第二比较电平VL和第一比较电平VH之间反复震荡；信号放大模块502包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2，第一NMOS管NM1的漏极和第二NMOS管NM2的漏极均接控制集成电路440的电源端VDD，第一NMOS管NM1的栅极和第一PMOS管PM1的栅极相连接作为信号放大模块502的输入端与电压检测模块501的输出端相连接，第一NMOS管NM1的源极、第一PMOS管PM1的漏极、第二NMOS管NM2的栅极和第二PMOS管PM2的栅极相连接，第一PMOS管PM1的源极和衬底及第二PMOS管PM2的源极和衬底均接控制集成电路440的地VSS，第二NMOS管NM2的源极和第二PMOS管PM2的漏极相连接作为信号放大模块502的输出端与驱动输出模块503的输入端相连接；驱动输出模块503包括第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第八电阻R8和第九电阻R9，第三PMOS管PM3的漏极接控制集成电路440的电源端VDD，第三PMOS管PM3的栅极与第四PMOS管PM4的栅极相连接作为驱动输出模块503的输入端与信号放大模块502的输出端相连接，第三PMOS管PM3的源极和衬底均与第八电阻R8的第一端相连接，第八电阻R8的第二端、第九电阻R9的第一端和第四PMOS管PM4的漏极相连接，其公共连接端作为驱动输出模块503的输出端与MOSFET管450的栅极相连接，第九电阻R9的第二端及第四PMOS管PM4的源极和衬底均接控制集成电路440的地VSS。

在此，电压检测模块501检测控制电压Vc的值，使其在第二比较电平VL和第一比较电平VH之间震荡，当控制电压Vc大于第一比较电平VH时，第二比较器COMP2输出低电平，驱动输出模块503关闭，第一比较器COMP1输出高电平，打开下拉电流源Ipull，让控制电压Vc放电，拉低控制电压Vc的电压值；当控制电压Vc小于第二比较电平VL时，第一比较器COMP1输出低电平，下拉电流源Ipull关闭，第二比较器COMP2输出高电平，通过信号放大，打开驱动输出模块503，驱动输出模块503控制MOSFET管450开启，打开输出电压控制模块420的第二PNP三极管P2，通过输出电压控制模块420的第五电阻R5、第二二极管D2给第五电容C5充电，从而拉高控制电压Vc的电压值。本控制集成电路实现控制电压的电压值控制的波形图如图6所示。

本发明的稳压式电源变换电路通过接入输入电压VIN后，电流通过第一电阻R1、第七电阻R7流入控制集成电路440的电源端VDD（即使供电模块410启动，提供给控制集成电路440工作所需的电压），控制集成电路440启动，同时电流通过第一电阻R1、第六电阻R6给第五电容C5充电，此时第五电容C5上的电压小于控制集成电路440的电压检测模块501的第二比较电平VL，控制集成电路440的控制信号输出端Gate即驱动输出模块503的输出端输出高电平，驱动MOSFET管450开启。此时输入电压VIN的电流就会通过第一电阻R1、第三电阻R3、第四电阻R4及齐纳二极管Z1流到控制集成电路440的地端VSS，设第一电阻R1、第三电阻R3和第四电阻R4的阻值分别为R₁、R₃、R₄，齐纳二极管Z1的齐纳电压为VZD、流过的电流为Is，则图4中所示‘＋’、‘－’两个输出端口之间的压差即输出电压Vout为Vout=VZD+（R₃+R₄）×Is。随着MOSFET 管450的开启，流过齐纳二极管Z1的电流Is慢慢变大，第三电阻R3两端的压差VX慢慢变大，当第三电阻R3两端的压差VX大于第二PNP三极管P2的发射结正向导通电压VBE2时，第二PNP三极管P2开启，电流从第二PNP三极管P2的集电极流出，通过第五电阻R5和第二二极管D2给第五电容C5充电，此充电电流一般较大，第五电容C5上的电压即控制电压Vc很快上升，达到控制集成电路440的电压检测模块501的第一比较电平VH，控制集成电路440的控制信号输出端Gate即驱动输出模块503的输出端输出低电平，MOSFET 管450关闭，控制集成电路440的下拉电流源Ipull开启，使控制电压Vc的电压值下降。当控制电压Vc的电压值下降到第二比较电平VL时，又进入下一个开启周期，从而往复工作。这样，在VX= VBE2时，即为输出电压Vout稳定时刻，此时Is=VBE2/ R₃，因此输出电压Vout被控制在Vout=VZD+（R₃+R₄）/ R₃×VBE2。

本发明的限流控制模块430主要起到过流保护的作用，用以控制输出电流的最大值，防止输出电流过大，在本发明的稳压式电源变换电路工作时，设限流控制模块430的输出电流为Iout，该电流是输入电压通过第一电阻R1（即限流电阻）流到限流控制模块430的输出端，在第一电阻R1上产生了电压降Va，Va=Iout×R₁，当输出电流Iout增大时，电压降Va也随之增大，如果电压降Va增大到第一PNP三极管P1的发射结正向导通电压VBE1时，第一PNP三极管P1就会开启，电流将会从第一PNP三极管P1的集电极流出，经过输出电压控制模块420的第五电阻R5和第二二极管D2，流入第五电容C5，从而使控制电压Vc升高到控制集成电路440的电压检测模块501的第一比较电平VH以上，此时控制集成电路440的控制信号输出端Gate即驱动输出模块503的输出端会输出低电平，关闭MOSFET管450，实现输出最大电流的控制，那么输出最大电流的时刻即为Va＝VBE1的时刻，因此，输出电流最大限制点为I_limit=Va/ R₁= VBE1/ R₁。

Claims

1.一种稳压式电源变换电路，其特征在于包括限流控制模块、供电模块、控制集成电路、MOSFET管和输出电压控制模块，所述的限流控制模块接入输入电压，所述的限流控制模块分别与所述的供电模块、所述的MOSFET管的漏极及所述的输出电压控制模块相连接，所述的供电模块分别与所述的控制集成电路的电源端、所述的MOSFET管的源极和衬底及所述的输出电压控制模块相连接，所述的控制集成电路的控制电压输入端与所述的输出电压控制模块相连接，所述的控制集成电路的控制信号输出端与所述的MOSFET管的栅极相连接，所述的MOSFET管的漏极与所述的输出电压控制模块相连接；所述的供电模块在所述的限流控制模块接入输入电压后为所述的控制集成电路提供工作电压，所述的输出电压控制模块形成控制电压并传输控制电压给所述的控制集成电路，所述的控制集成电路根据控制电压的大小输出高电平或低电平控制所述的MOSFET管开启或关闭，所述的输出电压控制模块形成输出电压。

2.根据权利要求1所述的一种稳压式电源变换电路，其特征在于所述的限流控制模块主要由第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第一二极管及第一PNP三极管组成，所述的第一电阻的第一端、所述的第二电阻的第一端、所述的第二电容的第一端及所述的第一二极管的正极相连接，其公共连接端接入输入电压，所述的第一电阻的第二端、所述的第一电容的第一端及所述的第一PNP三极管的基极相连接，其公共连接端分别与所述的供电模块和所述的输出电压控制模块相连接，所述的第一电容的第二端分别与所述的第一二极管的负极及所述的第一PNP三极管的发射极相连接，所述的第一PNP三极管的集电极与所述的输出电压控制模块相连接，所述的第二电阻的第二端与所述的第二电容的第二端相连接，其公共连接端分别与所述的MOSFET管的漏极和所述的输出电压控制模块相连接。

3.根据权利要求1或2所述的一种稳压式电源变换电路，其特征在于所述的输出电压控制模块主要由第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第三电容、第二二极管、第二PNP三极管、齐纳二极管及第五电容组成，所述的第三电阻的第一端、第三电容的第一端、第二PNP三极管的发射极及所述的第六电阻的第一端相连接，其公共连接端分别与所述的限流控制模块和所述的供电模块相连接，所述的第三电阻的第二端、所述的第四电阻的第一端及所述的第二PNP二极管的基极相连接，所述的第四电阻的第二端与所述的齐纳二极管的负极相连接，所述的第三电容的第二端与所述的齐纳二极管的正极相连接，其公共连接端分别与所述的限流控制模块和所述的MOSFET管的漏极相连接，所述的第二PNP二极管的集电极与所述的第五电阻的第一端相连接，其公共连接端与所述的限流控制模块相连接，所述的第五电阻的第二端与所述的第二二极管的正极相连接，所述的第二二极管的负极、所述的第六电阻的第二端及所述的第五电容的第一端相连接，其公共连接端与所述的控制集成电路的控制电压输入端相连接，所述的第五电容的第二端与所述的控制集成电路的地端相连接，所述的第三电容的两端之间形成输出电压。

4.根据权利要求3所述的一种稳压式电源变换电路，其特征在于所述的第三电阻、所述的第四电阻、所述的齐纳二极管和所述的第二PNP三极管构成稳压电路。

5.根据权利要求3所述的一种稳压式电源变换电路，其特征在于所述的供电模块主要由第七电阻和第四电容组成，所述的第七电阻的第一端分别与所述的限流控制模块和所述的输出电压控制模块相连接，所述的第七电阻的第二端与所述的第四电容的第一端相连接，其公共连接端与所述的控制集成电路的电源端相连接，所述的第四电容的第二端分别与所述的控制集成电路的地端、所述的MOSFET管的源极和衬底及所述的输出电压控制模块相连接。

6.根据权利要求5所述的一种稳压式电源变换电路，其特征在于所述的控制集成电路主要由电压检测模块、信号放大模块和驱动输出模块组成，所述的电压检测模块的输入端为所述的控制集成电路的控制电压输入端与所述的输出电压控制模块相连接，所述的电压检测模块的输出端与所述的信号放大模块的输入端相连接，所述的信号放大模块的输出端与所述的驱动输出模块的输入端相连接，所述的驱动输出模块的输出端与所述的MOSFET管的栅极相连接；所述的电压检测模块检测所述的输出电压控制模块形成的控制电压的大小，所述的电压检测模块的输出信号经所述的信号放大模块放大处理后传输给所述的驱动输出模块，所述的驱动输出模块的输出端为所述的控制集成电路的控制信号输出端输出高电平或低电平控制所述的MOSFET管开启或关闭。

7.根据权利要求6所述的一种稳压式电源变换电路，其特征在于所述的电压检测模块包括第一比较器、第二比较器和下拉电流源，所述的第一比较器的正相输入端、所述的第二比较器的反相输入端和所述的下拉电流源的电流流入端均与所述的输出电压控制模块相连接，接入所述的输出电压控制模块形成的控制电压，所述的第一比较器的反相输入端接入第一比较电平，所述的第一比较器的输出端与所述的下拉电流源的控制端相连接，所述的下拉电流源的电流流出端接所述的控制集成电路的地端，所述的第二比较器的正相输入端接入第二比较电平，所述的第二比较器的输出端与所述的信号放大模块的输入端相连接，其中，所述的第一比较电平大于所述的第二比较电平，所述的输出电压控制模块形成的控制电压在所述的第二比较电平和所述的第一比较电平之间反复震荡。

8.根据权利要求7所述的一种稳压式电源变换电路，其特征在于所述的信号放大模块包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述的第一NMOS管的漏极和所述的第二NMOS管的漏极均接所述的控制集成电路的电源端，所述的第一NMOS管的栅极和所述的第一PMOS管的栅极相连接作为所述的信号放大模块的输入端与所述的电压检测模块的输出端相连接，所述的第一NMOS管的源极、所述的第一PMOS管的漏极、所述的第二NMOS管的栅极和所述的第二PMOS管的栅极相连接，所述的第一PMOS管的源极和衬底及所述的第二PMOS管的源极和衬底均接所述的控制集成电路的地，所述的第二NMOS管的源极和所述的第二PMOS管的漏极相连接作为所述的信号放大模块的输出端与所述的驱动输出模块的输入端相连接。

9.根据权利要求8所述的一种稳压式电源变换电路，其特征在于所述的驱动输出模块包括第三PMOS管、第四PMOS管、第八电阻和第九电阻，所述的第三PMOS管的漏极接所述的控制集成电路的电源端，所述的第三PMOS管的栅极与所述的第四PMOS管的栅极相连接作为所述的驱动输出模块的输入端与所述的信号放大模块的输出端相连接，所述的第三PMOS管的源极和衬底均与所述的第八电阻的第一端相连接，所述的第八电阻的第二端、所述的第九电阻的第一端和所述的第四PMOS管的漏极相连接，其公共连接端作为所述的驱动输出模块的输出端与所述的MOSFET管的栅极相连接，所述的第九电阻的第二端及所述的第四PMOS管的源极和衬底均接所述的控制集成电路的地。