CN102095759A - 一种基于y型沸石薄膜材料的神经元有害气体传感器 - Google Patents
一种基于y型沸石薄膜材料的神经元有害气体传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102095759A CN102095759A CN 201010560297 CN201010560297A CN102095759A CN 102095759 A CN102095759 A CN 102095759A CN 201010560297 CN201010560297 CN 201010560297 CN 201010560297 A CN201010560297 A CN 201010560297A CN 102095759 A CN102095759 A CN 102095759A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sensor
- gas
- type zeolite
- zeolite
- harmful
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 claims 1
- VONWDASPFIQPDY-UHFFFAOYSA-N dimethyl methylphosphonate Chemical compound COP(C)(=O)OC VONWDASPFIQPDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 6
- 238000001453 impedance spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- CAAULPUQFIIOTL-UHFFFAOYSA-L methyl phosphate(2-) Chemical compound COP([O-])([O-])=O CAAULPUQFIIOTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
本发明属于电子气敏器件技术领域,涉及到一种基于Y型沸石薄膜材料的神经元有害气体传感器,特别涉及到该气体传感器的沸石敏感薄膜的制备方法。其特征是在传感器中,先将Y型沸石薄膜沉积到SiO2或者Al2O3基板上,然后再将金叉指电极打印到沸石薄膜顶面;传感器的工作温度在250到350摄氏度范围内;传感器信号是在1-1MHz之间扫描的阻抗谱图在流动空气和以空气为背景的神经元有害气体的氛围下的变化;传感器的实时监测信号是在固定频率下,传感器阻抗值的变化。本发明的效果和益处是,相对于报道的块体材料传感器,利用沸石薄膜材料制备的传感器表现出更好的,更灵敏的对神经元有害气体的模拟试剂甲基磷酸二甲酯的感应性能。
Description
技术领域
本发明属于电子气敏器件技术领域,涉及到一种基于Y型沸石薄膜材料的神经元有害气体传感器。特别涉及到该气体传感器的沸石敏感薄膜的制备方法。
背景技术
沸石材料是一种重要的工业材料,广泛的应用于工业催化,分子筛以及化学传感器中。在化学气体传感器应用方面,前期的工作主要是利用其催化性能来提高传感器的选择性能。直到最近,人们才开始研究直接利用其离子导电的电性能开发气体传感器。其传感器的基本结构是在具有铂或者金叉指电极的Si基板或者Al2O3基板上,利用丝网印刷技术沉积ZSM5型沸石材料的厚膜。开发的传感器主要用于氨气和碳氢化合物的检测。国内上海交通大学的黄宜平教授也尝试了利用喷墨打印的方法,将13X型的沸石厚膜涂覆在具有叉指电极的Si基板上,所制备的传感器在所施加的低频下表现出一定的对神经元有害气体的模拟试剂甲基磷酸二甲酯(DMMP)感应性能,但其选择性能较差,归其原因在于较低频率下,其感应信号主要来源于金属电极和13X敏感材料间的界面,故而没有充分利用沸石微孔这一独特结构。美国俄亥俄州立大学的Li和Dutta等人将Y型沸石压制成块体,所制备的传感器在3000Hz的频率下工作,发现传感器表现出良好的对DMMP的感应性能和对多种常见气体的选在性。但其传统的块体结构设计,使其表面积大大降低,感应信号强度较低,传感器经过20分钟后,对约100ppm的DMMP的信号变化不超过8%,最佳的灵敏度仅为0.09/ppm,不利于实际应用。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于Y型沸石薄膜材料的神经元有害气体传感器。本发明要解决的技术问题是利用磁控溅射或者射频溅射的方法将Y型沸石薄膜沉积在SiO2或者Al2O3不导电基板上,利用具有高比表面积的沸石薄膜取代块体沸石材料,从而获得更好的对神经元有害气体模拟试剂甲基磷酸二甲酯的感应信号。
本发明的技术方案是首先利用磁控溅射或者射频溅射的方法将Y型沸石薄膜沉积在SiO2或者Al2O3不导电基板上。附图1和2分别给出了所制备薄膜典型的XRD和表面微观形貌表征。最后,利用丝网印刷技术在上述获得的沸石薄膜表面上印刷如附图3中所示的金叉指电极。得到最终的沸石薄膜气敏传感器。
本发明的效果和益处是,相对于报道的块体材料传感器,利用沸石薄膜材料制备的传感器表现出更好的,更灵敏的对神经元有害气体的模拟试剂甲基磷酸二甲酯的感应性能。同时,相对于文献中报道的先在基板上印刷叉指电极,后沉积沸石膜的技术,本发明将电极沉积在薄膜之上,这样避免了由基板带来的对传感器工作时的不利影响。
附图说明
附图1是制备的沸石薄膜的X射线衍射图。
附图2是制备的沸石薄膜表面微观结构扫描电镜图。
附图3是金叉指电极示意图。
图中:A 0.2mm;B 0.2mm。
附图4是传感器在320℃时对约100ppmDMMP的阻抗谱响应图。
图中:1传感器在流动空气中的阻抗谱曲线;2传感器在背景为空气,约100ppm DMMP浓度氛围中经过10分钟后的阻抗谱曲线;3传感器在背景为空气,约100ppm DMMP浓度氛围中经过40分钟后的阻抗谱曲线。
附图5是传感器在320℃,固定频率在3000Hz下,感应信号随不同浓度的DMMP的变化图。
具体实施方式
以下结合技术方案和附图详细叙述本发明的具体实施例。
在SiO2或者Al2O3制备上制备Y型沸石薄膜材料。利用磁控溅射或者射频溅射的方法将Y型沸石薄膜沉积在SiO2或者Al2O3不导电基板上,获得要制备的Y型沸石薄膜的种子薄膜。然后将沉积有种子薄膜的SiO2或者Al2O3基板一起放入到装有Y型沸石颗粒悬浊胶体的Teflon容器中,接着将Teflon容器密封并置入高温高压釜中,在100℃条件下恒温水热处理8-24个小时。然后取出具有处理后的种子薄膜的基板并将其在500-700℃之间进行2-4个小时的退火处理,获得最终的沸石薄膜。薄膜厚度控制在0.1微米到1微米之间。Y型沸石颗粒悬浊胶体的制备如下:首先将Al(OH)3,TMAOH,Ludox SM-3硅酸盐溶液和NaOH原料按照摩尔比为1∶3∶3∶2的比例混合,搅拌获得粘稠胶体,然后将胶体陈化3-7个小时。将所制备的胶体放进一个Teflon容器内,在密封静止条件下加热到100℃后,恒温3-7天即得到所需的Y型沸石颗粒悬浊胶体。
制备传感器。利用丝网印刷技术,将金浆印刷到上述获得的沸石薄膜表面上,获得附图3所示的金叉指电极。金叉指电极的线宽度是200微米,线与线之间的宽度为200微米。
传感器的测试。将所制备传感器置于一流动空气气氛下,并将传感器元件加热到其工作温度范围在250-350℃之间,然后引入甲基磷酸二甲酯气体分子。通过利用交流阻抗谱仪测量传感器在给定频率范围内(1-106Hz)所获得的阻抗谱在空气和在以空气为背景的DMMP氛围下的变化,作为传感器的信号。附图4给出了典型的所制备的传感器在约为100ppm的氛围下,传感器阻抗谱的变化情况。传感器经过10分钟后,传感器电阻变化(即感应信号)达到22%,相对于块体沸石传感器,传感器信号增加2倍多。附图5给出了在固定所施加的频率为3000Hz情况下,所测得传感器阻抗变化值(传感器信号)与浓度之间的关系,传感器表现出线性感应性能,其灵敏度达到0.25/ppm,是传统块体材料的近3倍。
Claims (2)
1.一种基于Y型沸石薄膜材料的神经元有害气体传感器,其特征是在传感器中,先将Y型沸石薄膜沉积到SiO2或者Al2O3基板上,然后再将金叉指电极打印到沸石薄膜顶面;传感器的工作温度在250-350℃范围内;传感器信号是在1-106Hz之间扫描的阻抗谱图在流动空气和以空气为背景的神经元有害气体的氛围下的变化;传感器的实时监测信号是在固定频率下,传感器阻抗值的变化。
2.一种沸石薄膜制备方法,其特征是首先利用磁控或者射频溅射方法在基板上沉积一层沸石材料,然后将其置入到相应的胶体溶液中进行水热处理。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010560297 CN102095759A (zh) | 2010-11-18 | 2010-11-18 | 一种基于y型沸石薄膜材料的神经元有害气体传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010560297 CN102095759A (zh) | 2010-11-18 | 2010-11-18 | 一种基于y型沸石薄膜材料的神经元有害气体传感器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102095759A true CN102095759A (zh) | 2011-06-15 |
Family
ID=44128939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201010560297 Pending CN102095759A (zh) | 2010-11-18 | 2010-11-18 | 一种基于y型沸石薄膜材料的神经元有害气体传感器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102095759A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102495104A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-06-13 | 大连理工大学 | 一种基于ZnO表面涂层的Y型沸石材料的神经元有害气体传感器 |
CN110702752A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-01-17 | 河北工业大学 | 用于氨气气体检测的气敏传感器的制作方法 |
CN113325042A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-08-31 | 吉林大学 | 一种钠型mtw分子筛及其制备方法和应用、氨气气体传感器及其制备方法和应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006071480A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アンモニアガスセンサ |
CN101241081A (zh) * | 2008-03-11 | 2008-08-13 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种苯氨基甲酸甲酯含量的测定方法 |
WO2009074471A1 (de) * | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Gassensor |
US20090288961A1 (en) * | 2008-03-12 | 2009-11-26 | Dileep Singh | COMPACT ELECTROCHEMICAL BIFUNCTIONAL NOx/O2 SENSORS WITH INTERNAL REFERENCE FOR HIGH TEMPERATURE APPLICATIONS |
CN101762564A (zh) * | 2009-12-25 | 2010-06-30 | 北京理工大学 | 一种基于薄包层长周期光纤光栅耦合谐振腔的生物化学传感器 |
-
2010
- 2010-11-18 CN CN 201010560297 patent/CN102095759A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006071480A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アンモニアガスセンサ |
WO2009074471A1 (de) * | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Gassensor |
CN101241081A (zh) * | 2008-03-11 | 2008-08-13 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种苯氨基甲酸甲酯含量的测定方法 |
US20090288961A1 (en) * | 2008-03-12 | 2009-11-26 | Dileep Singh | COMPACT ELECTROCHEMICAL BIFUNCTIONAL NOx/O2 SENSORS WITH INTERNAL REFERENCE FOR HIGH TEMPERATURE APPLICATIONS |
CN101762564A (zh) * | 2009-12-25 | 2010-06-30 | 北京理工大学 | 一种基于薄包层长周期光纤光栅耦合谐振腔的生物化学传感器 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102495104A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-06-13 | 大连理工大学 | 一种基于ZnO表面涂层的Y型沸石材料的神经元有害气体传感器 |
CN110702752A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-01-17 | 河北工业大学 | 用于氨气气体检测的气敏传感器的制作方法 |
CN113325042A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-08-31 | 吉林大学 | 一种钠型mtw分子筛及其制备方法和应用、氨气气体传感器及其制备方法和应用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103543184B (zh) | 一种基于四氧化三钴纳米针的气敏传感器及其制备方法 | |
KR101191386B1 (ko) | 센서용 산화물 반도체 나노섬유 제조 방법 및 그를 이용한 가스 센서 | |
Liu et al. | Highly selective and stable mixed-potential type gas sensor based on stabilized zirconia and Cd2V2O7 sensing electrode for NH3 detection | |
Molaei et al. | Crystallographic characteristics and p-type to n-type transition in epitaxial NiO thin film | |
CN113030194B (zh) | 气体传感器阵列、三种醇种类及其浓度的识别方法 | |
CN104502418B (zh) | 基于ZnO/α-Fe2O3复合氧化物半导体的丙酮气体传感器及其制备方法 | |
CN102248737B (zh) | 以WO3为基材的Cr2O3或NiO的多孔薄膜材料的制备方法及制备气敏传感器的方法 | |
CN109828009B (zh) | 一种基于金属氧化物半导体薄膜材料的h2s气体传感器及其制备方法 | |
Stuckert et al. | The effect of Ar/O2 and H2O plasma treatment of SnO2 nanoparticles and nanowires on carbon monoxide and benzene detection | |
De Fonseca et al. | Detection of VOCs by microwave transduction using dealuminated faujasite DAY zeolites as gas sensitive materials | |
Briand et al. | Micromachined semiconductor gas sensors | |
CN104965008A (zh) | 一种丙酮气体传感器及其制备方法 | |
CN102095759A (zh) | 一种基于y型沸石薄膜材料的神经元有害气体传感器 | |
Saha et al. | Nanoporous γ-alumina based novel sensor to detect trace moisture in high temperature and high pressure environment | |
Itoh et al. | Effect of Pt electrodes in cerium oxide semiconductor-type oxygen sensors evaluated using alternating current | |
CN108169291A (zh) | 基于分等级结构的Zn掺杂CdS纳米敏感材料的乙醇传感器、制备方法及其应用 | |
Sun et al. | A dense diffusion barrier limiting current oxygen sensor for detecting full concentration range | |
CN103760196A (zh) | 一种水钠锰矿型二氧化锰纳米片氢气传感器及其制备方法 | |
CN1797806A (zh) | 氢半导体传感器气敏元件及其制作方法 | |
Wang et al. | Potentiometric sensor based on chromium vanadate sensing electrode for high temperature ammonia detection | |
Borhade et al. | Synthesis, characterization and gas sensing performance of nano-crystalline ZrO 2, 5% Y/ZrO 2 and Ag–5% Y/ZrO 2 catalyst | |
Liu et al. | Tin oxide nanoparticles synthesized by gel combustion and their potential for gas detection | |
Sun et al. | Room-temperature high-performance ammonia gas sensor based on hydroxyapatite film | |
CN102495104A (zh) | 一种基于ZnO表面涂层的Y型沸石材料的神经元有害气体传感器 | |
CN109030484B (zh) | 一种比色湿度传感器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110615 |