CN102081274A - 一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法 - Google Patents
一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102081274A CN102081274A CN2010106003787A CN201010600378A CN102081274A CN 102081274 A CN102081274 A CN 102081274A CN 2010106003787 A CN2010106003787 A CN 2010106003787A CN 201010600378 A CN201010600378 A CN 201010600378A CN 102081274 A CN102081274 A CN 102081274A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vanadium dioxide
- dioxide film
- terahertz wave
- thin film
- wave modulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
本发明提出了一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法，它由基底、二氧化钒薄膜和表面金属超材料三层结构构成。这种太赫兹波调制装置利用二氧化钒可逆相变过程中光电参数突变量大和相变时间短的特性，实现太赫兹波的强度调制。装置调制方法是采用外加热量、偏压或激光激发中的一种或多种途径来激发二氧化钒薄膜。本发明采用二氧化钒薄膜为核心动态功能材料来设计和制备太赫兹波动态调制器件，可以解决目前太赫兹动态器件调制效率低、调制速度慢的问题。
Description
技术领域
本发明属于太赫兹波应用技术领域，特别涉及一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法。
背景技术
太赫兹（Terahertz）波是指频率在0.1~10THz（波长为3000~30μm）范围内的电磁波，其波段位于毫米波与红外线之间，是宏观电磁理论向微观量子理论过渡的区域，有着重要的学术和应用研究价值。近年来，随着THz辐射源及探测技术的发展，THz技术在物理学、材料学、生物医学、天文学和国防等领域的应用得到很大发展。
THz波的瞬时带宽很宽（0.1~10THz），用于通信可以获得高达10GB/s的无线传输速度，远高于目前的宽带技术。同时，THz波相对于其他波段的电磁波具有非常强的互补特征。与微波和毫米波相比，THz波系统可以获得更高的分辨率，具有突出的抗干扰能力；与激光相比，THz系统具有视场宽、搜索能力好、适用于恶劣天气条件等优点。因此，THz通信能以极高的带宽进行高保密卫星通信。
对于THz通信，需要使用调制器对传输过程中的THz波进行调制，以控制其强度、相位或者频率。作为THz通信系统中的重要一环，THz波调制器的研究已逐渐成为一个热点。通过探讨和发掘新型功能材料，研究其介电常数、磁导率、折射率等电磁参数可调的特性，可以为THz调制器件的开发提供广泛的思路。中国专利 CN 101881919 A提出一种基于非线性光子晶体的光控THz波调制器，利用光子晶体点缺陷的缺陷模频率的动态迁移来实现对THz波的通、断调制。中国专利 CN 100424550 C和CN 101546047 A分别公开了一种光子晶体THz波调制器装置及其方法、一种光控平板式光子晶体THz波调制装置及其方法，它们利用光子晶体的光子禁带边缘调制THz波信号的方法，对THz波进行强度调制。这类带隙迁移型太赫兹调制器的带隙边缘往往达不到很陡峭，因而其调制性能指标通常不是很理想。近年来，对人工复合的超材料的研究不断取得进展。利用超材料奇异的物理性质，可以实现THz波的频率和强度调制。2006年，Hou-Tong Chen等人首次提出在超材料结构上利用外加偏压激发的方式来调制THz波的幅度（H. T. Chen, W. J. Padilla, A. J. Taylor, et al. Active terahertz metamaterial device. Nature, 2006, 44:597-600）。同年，Padilla等也提出通过外加激光激发的方式来实现基于超材料的THz动态器件的强度可调（W. J. Padilla, A. J. Taylor.Dynamical electric and magnetic Metamaterials response at terahertz frequencies. Phys. Rev. Lett., 2006, 96, 107401:1-4）。该器件是在一块GaAs半导体基片上刻蚀出超材料周期结构，当对器件外加脉冲激光时，半导体基片中的载流子发生变化，从而引起THz波传输幅度的变化和谐振频率的动态蓝移。但是，目前超材料THz动态功能器件普遍存在开关效率和速率低的问题。因此，以超材料结构设计为基础的THz动态器件，需要选择更加合适的核心动态功能材料才能进一步提高THz动态器件的调制效率和速率。选择电性能突变量大、突变迅速的材料替代目前一般的半导体材料是解决上述问题的关键。
作为一种典型的光学和电学开关材料，二氧化钒晶体在68℃会发生单斜结构半导体相二氧化钒(M)和四方结构金属相二氧化钒(R) 之间的可逆相变（SMT），相变过程伴随着光、电等物理性质的急剧变化。同时，其SMT相变过程相当迅速，可以在ps量级完成，且相变前后电阻率的变化最高可达5个数量级。利用这种特性，二氧化钒晶体在非致冷红外焦平面阵列、光存储器件、热敏光电开关等领域的应用研究已取得较大进展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法。
该调制装置由基底、二氧化钒薄膜和表面金属超材料三层结构构成。其中，二氧化钒薄膜均匀生长在基底表面，然后再在二氧化钒薄膜表面制备金属超材料结构。
所述的二氧化钒薄膜通过溶胶凝胶、溅射、气相沉积、真空蒸发工艺中的至少一种来制备，薄膜厚度为30 ~ 800nm。
所述的基底材料为硅、砷化镓、石英、蓝宝石中的至少一种，其厚度为0.1 ~ 3mm。
所述的金属超材料结构通过刻蚀法在二氧化钒薄膜表面实现。
基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制方法是利用外加热量、偏压或激光中的一种或多种途径来激发二氧化钒薄膜，使其发生单斜结构半导体相二氧化钒(M)和四方结构金属相二氧化钒(R) 之间的可逆相变（SMT）。在由半导体相向金属相转变过程中，二氧化钒薄膜的电阻率大幅减小，其对于THz波的透过率急剧下降；由金属相回复半导体相转变过程中，二氧化钒薄膜的电阻率大幅增加，其对于THz波的透过率急剧增大，从而实现对THz波的强度调制。
本发明采用二氧化钒薄膜为核心动态功能材料来设计和制备THz动态调制器件。其优点在于，无论是外加热量、偏压还是外加激光激励，二氧化钒薄膜SMT过程中的电阻率突变量及其对THz波的透过率变化大，相变速度快（ps量级），可以实现效率更高、速度更快的动态调制。
附图说明
图 1. 本发明装置的结构示意图；该装置由基底（1）、二氧化钒薄膜（2）和表面金属超材料结构（3）组成。
图2. 一种利用二氧化钒薄膜相变特性调制太赫兹波的工作原理示意图；通过外加热量来激发二氧化钒薄膜相变。相变前后，二氧化钒薄膜对THz波具有积极的响应，薄膜相变前后透过率变化高于80%，并且谐振波频率发生偏移。从而可以实现对THz波的强度调制。
具体实施方式
以下通过具体实施方式对本发明进行进一步的说明：
实施例1
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法。该调制装置由基底、二氧化钒薄膜和表面金属超材料三层结构构成。其中，二氧化钒薄膜通过溶胶凝胶法均匀生长在厚度为0.8mm的硅基底表面，薄膜厚度控制在80nm左右，然后在二氧化钒薄膜表面刻蚀制备金属超材料结构。
利用外加热量激发二氧化钒薄膜，使其发生单斜结构半导体相二氧化钒(M)和四方结构金属相二氧化钒(R) 之间的可逆相变（SMT）。在升温到68℃以上时，二氧化钒薄膜由半导体相向金属相转变，薄膜的电阻率大幅减小，其对于THz波的透过率急剧下降；在降温至68℃以下时，二氧化钒薄膜由金属相回复半导体相，薄膜的电阻率大幅增加，其对于THz波的透过率急剧增大，从而实现对THz波的强度调制。
实施例2
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法。该调制装置由基底、二氧化钒薄膜和表面金属超材料三层结构构成。其中，二氧化钒薄膜通过磁控溅射法均匀生长在厚度为1mm的石英基底表面，薄膜厚度控制在600nm左右，然后在二氧化钒薄膜表面刻蚀制备金属超材料结构。
利用波长为600nm，功率为400mW的外加激光激发二氧化钒薄膜，使其发生单斜结构半导体相二氧化钒(M)和四方结构金属相二氧化钒(R) 之间的可逆相变（SMT）。在由半导体相向金属相转变的过程中，二氧化钒薄膜的电阻率大幅减小，其对于THz波的透过率急剧下降；由金属相回复半导体相转变的过程中，二氧化钒薄膜的电阻率大幅增加，其对于THz波的透过率急剧增大，从而实现对THz波的强度调制。
实施例3
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法。该调制装置由基底、二氧化钒薄膜和表面金属超材料三层结构构成。其中，二氧化钒薄膜通过气相沉积法均匀生长在厚度为2mm的蓝宝石基底表面，薄膜厚度控制在200nm左右，然后在二氧化钒薄膜表面刻蚀制备金属超材料结构。
首先利用外加电场使薄膜预置到35℃，然后再输入强度为20V的直流电压信号，使二氧化钒薄膜发生单斜结构半导体相二氧化钒(M)和四方结构金属相二氧化钒(R) 之间的可逆相变（SMT）。在由半导体相向金属相转变的过程中，二氧化钒薄膜的电阻率大幅减小，其对于THz波的透过率急剧下降；由金属相回复半导体相转变的过程中，二氧化钒薄膜的电阻率大幅增加，其对于THz波的透过率急剧增大，从而实现对THz波的强度调制。
Claims (6)
1.一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法，其特征在于该调制装置由基底（1）、二氧化钒薄膜（2）和表面金属超材料（3）三层结构构成；其中，二氧化钒薄膜均匀生长在基底表面，然后再在二氧化钒薄膜表面制备金属超材料结构。
2.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法，其特征在于二氧化钒薄膜厚度为30 ~ 800nm。
3.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法，其特征在于基底材料为硅、砷化镓、石英和蓝宝石中的至少一种，其厚度为0.1 ~ 3mm。
4.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法，其特征在于金属超材料结构通过刻蚀法在二氧化钒薄膜表面实现。
5.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法，其特征在于该装置利用二氧化钒可逆相变过程中光、电等物理性质急剧变化的特性，实现太赫兹波的调制。
6.根据权利要求5所述的基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制方法，其特征在于二氧化钒可逆相变是利用外加热量、偏压或激光中的一种或多种途径来激发。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010106003787A CN102081274A (zh) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010106003787A CN102081274A (zh) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102081274A true CN102081274A (zh) | 2011-06-01 |
Family
ID=44087319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010106003787A Pending CN102081274A (zh) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102081274A (zh) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102593599A (zh) * | 2012-02-29 | 2012-07-18 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种负磁导率超材料 |
| CN103178351A (zh) * | 2013-02-27 | 2013-06-26 | 华中科技大学 | 一种频率可调的太赫兹波超材料调制器 |
| CN103247839A (zh) * | 2013-04-02 | 2013-08-14 | 华中科技大学 | 一种开关可控的太赫兹波超材料完美吸收器及其控制方法 |
| CN103364973A (zh) * | 2013-06-29 | 2013-10-23 | 天津大学 | 一种柔性太赫兹波调制器 |
| CN104635358A (zh) * | 2013-11-06 | 2015-05-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于铁电薄膜的太赫兹调制器及其制作方法 |
| CN105044930A (zh) * | 2015-08-14 | 2015-11-11 | 电子科技大学 | 半导体太赫兹波光调制器 |
| CN108258568A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-07-06 | 北京工业大学 | 一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源 |
| CN108345130A (zh) * | 2018-02-13 | 2018-07-31 | 四川大学 | 基于相变材料阻抗匹配的高效太赫兹动态调控装置及方法 |
| CN108535794A (zh) * | 2017-06-21 | 2018-09-14 | 南京邮电大学 | 基于电磁超表面和有源介质的光存储器 |
| CN108736980A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | 清华大学 | 一种太赫兹波通讯方法 |
| CN109031707A (zh) * | 2018-08-22 | 2018-12-18 | 电子科技大学 | 一种垂直结构的二氧化钒太赫兹调制器及其调控方法 |
| CN109263165A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-01-25 | 西南交通大学 | 一种多频带选控的中低频吸隔振超颖材料 |
| CN110133759A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-08-16 | 电子科技大学 | 一种基于vo2的动态太赫兹超透镜 |
| CN110221367A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-09-10 | 电子科技大学 | 一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器及其调控方法 |
| CN110530523A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-03 | 浙江大学 | 基于相变滞回的空间可分辨热辐射器件、控制系统及方法 |
| CN110850606A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-02-28 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于相变材料的动态可调结构色器件及其制备方法 |
| CN110911850A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-24 | 中国人民解放军空军工程大学 | 一种调节柔性超材料薄膜局部应变的吸波特性调控方法 |
| CN111491438A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-08-04 | 合肥工业大学 | 一种基于二氧化钒相变薄膜的可擦写平面微波器件 |
| CN114001821A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-02-01 | 南开大学 | 基于光热声机制的室温太赫兹波功率测量装置及测量方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006102181A1 (en) * | 2005-03-21 | 2006-09-28 | Massachusetts Institute Of Technology (Mit) | Real-time, continuous-wave terahertz imaging using a microbolometer focal-plane array |
| US7397055B2 (en) * | 2005-05-02 | 2008-07-08 | Raytheon Company | Smith-Purcell radiation source using negative-index metamaterial (NIM) |
| WO2008110775A1 (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Sands, Howard Simon | Security mark |
| US7446929B1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Photonic device including at least one electromagnetic resonator operably coupled to a state-change material |
| CN101694558A (zh) * | 2009-10-21 | 2010-04-14 | 电子科技大学 | 一种用于太赫兹波调制的超材料结构 |
-
2010
- 2010-12-22 CN CN2010106003787A patent/CN102081274A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006102181A1 (en) * | 2005-03-21 | 2006-09-28 | Massachusetts Institute Of Technology (Mit) | Real-time, continuous-wave terahertz imaging using a microbolometer focal-plane array |
| US7397055B2 (en) * | 2005-05-02 | 2008-07-08 | Raytheon Company | Smith-Purcell radiation source using negative-index metamaterial (NIM) |
| WO2008110775A1 (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Sands, Howard Simon | Security mark |
| US7446929B1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Photonic device including at least one electromagnetic resonator operably coupled to a state-change material |
| CN101694558A (zh) * | 2009-10-21 | 2010-04-14 | 电子科技大学 | 一种用于太赫兹波调制的超材料结构 |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102593599A (zh) * | 2012-02-29 | 2012-07-18 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种负磁导率超材料 |
| CN103178351B (zh) * | 2013-02-27 | 2016-08-10 | 华中科技大学 | 一种频率可调的太赫兹波超材料调制器 |
| CN103178351A (zh) * | 2013-02-27 | 2013-06-26 | 华中科技大学 | 一种频率可调的太赫兹波超材料调制器 |
| CN103247839A (zh) * | 2013-04-02 | 2013-08-14 | 华中科技大学 | 一种开关可控的太赫兹波超材料完美吸收器及其控制方法 |
| CN103247839B (zh) * | 2013-04-02 | 2015-04-15 | 华中科技大学 | 一种开关可控的太赫兹波超材料完美吸收器及其控制方法 |
| CN103364973A (zh) * | 2013-06-29 | 2013-10-23 | 天津大学 | 一种柔性太赫兹波调制器 |
| CN104635358A (zh) * | 2013-11-06 | 2015-05-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于铁电薄膜的太赫兹调制器及其制作方法 |
| CN105044930A (zh) * | 2015-08-14 | 2015-11-11 | 电子科技大学 | 半导体太赫兹波光调制器 |
| CN108736980A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | 清华大学 | 一种太赫兹波通讯方法 |
| CN108535794A (zh) * | 2017-06-21 | 2018-09-14 | 南京邮电大学 | 基于电磁超表面和有源介质的光存储器 |
| CN108258568A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-07-06 | 北京工业大学 | 一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源 |
| CN108258568B (zh) * | 2018-01-12 | 2020-04-17 | 北京工业大学 | 一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源 |
| CN108345130A (zh) * | 2018-02-13 | 2018-07-31 | 四川大学 | 基于相变材料阻抗匹配的高效太赫兹动态调控装置及方法 |
| CN109031707A (zh) * | 2018-08-22 | 2018-12-18 | 电子科技大学 | 一种垂直结构的二氧化钒太赫兹调制器及其调控方法 |
| CN109031707B (zh) * | 2018-08-22 | 2023-01-17 | 电子科技大学 | 一种垂直结构的二氧化钒太赫兹调制器及其调控方法 |
| CN109263165A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-01-25 | 西南交通大学 | 一种多频带选控的中低频吸隔振超颖材料 |
| CN109263165B (zh) * | 2018-10-26 | 2024-01-30 | 西南交通大学 | 一种多频带选控的中低频吸隔振超颖材料 |
| CN110133759A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-08-16 | 电子科技大学 | 一种基于vo2的动态太赫兹超透镜 |
| CN110133759B (zh) * | 2019-04-23 | 2020-06-16 | 电子科技大学 | 一种基于vo2的动态太赫兹超透镜 |
| CN110221367A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-09-10 | 电子科技大学 | 一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器及其调控方法 |
| CN110530523A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-03 | 浙江大学 | 基于相变滞回的空间可分辨热辐射器件、控制系统及方法 |
| CN110850606A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-02-28 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于相变材料的动态可调结构色器件及其制备方法 |
| CN110911850A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-24 | 中国人民解放军空军工程大学 | 一种调节柔性超材料薄膜局部应变的吸波特性调控方法 |
| CN111491438A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-08-04 | 合肥工业大学 | 一种基于二氧化钒相变薄膜的可擦写平面微波器件 |
| CN114001821A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-02-01 | 南开大学 | 基于光热声机制的室温太赫兹波功率测量装置及测量方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102081274A (zh) | 一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法 | |
| Savinov et al. | Modulating sub-THz radiation with current in superconducting metamaterial | |
| Marshall et al. | Heterogeneous integration on silicon photonics | |
| CN103178351A (zh) | 一种频率可调的太赫兹波超材料调制器 | |
| CN104678598A (zh) | 太赫兹调制器、太赫兹调制器的制备方法和调谐方法 | |
| Jiang et al. | Electrically triggered VO 2 reconfigurable metasurface for amplitude and phase modulation of terahertz wave | |
| CN101551568A (zh) | 微带共振结构太赫兹波调制装置及其方法 | |
| CN110515223A (zh) | 一种基于二氧化钒的太赫兹动态相位调制器 | |
| CN105044929A (zh) | 基于石墨烯微环结构的热光调制器及其制造方法 | |
| CN108539423A (zh) | 石墨烯基互补型非对称Π型结构THz调制器及制备方法 | |
| Wang et al. | In2Se3 nanosheets for harmonic mode-locked fiber laser | |
| Shan et al. | Phonon‐Assisted Electro‐Optical Switches and Logic Gates Based on Semiconductor Nanostructures | |
| Li et al. | Multifunctional terahertz metasurface based on GeTe medium | |
| Padilla et al. | Properties of dynamical electromagnetic metamaterials | |
| CN111564678B (zh) | 基于对称性破坏微盘阵列的太赫兹开关及方法 | |
| CN103091871B (zh) | 基于铌酸锂长程表面等离子体波波导和多频带微带天线的微波光波转换器 | |
| Hu et al. | Photo-induced high modulation depth terahertz modulator based on VOx–Si–VOx hybrid structure | |
| Song et al. | MoTe $ _ {\text {2}} $ Covered Polarization-Sensitive THz Modulator Toward 6G Technology | |
| Zhou et al. | Multifunctional metasurface for ultrafast all-optical efficient modulation of terahertz wave | |
| Yi et al. | Electrooptic modulation in future all-silicon integrated microwave circuits: An introduction of gated MOSFET devices with increased optical emissions | |
| CN111082287B (zh) | 一种MoSe2/铁磁金属太赫兹辐射源、制备及太赫兹波激发方法 | |
| Wang et al. | A metamaterial terahertz modulator based on complementary planar double-split-ring resonator | |
| Qiao et al. | Multi-band terahertz active device with complementary metamaterial | |
| Chen et al. | Active terahertz metamaterials | |
| Xie et al. | Recent development in integrated Lithium niobate photonics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110601 |