CN102054641A - 一种栅控行波管栅极的制作工艺及其模压磨具 - Google Patents

一种栅控行波管栅极的制作工艺及其模压磨具 Download PDF

Info

Publication number
CN102054641A
CN102054641A CN 201010527968 CN201010527968A CN102054641A CN 102054641 A CN102054641 A CN 102054641A CN 201010527968 CN201010527968 CN 201010527968 CN 201010527968 A CN201010527968 A CN 201010527968A CN 102054641 A CN102054641 A CN 102054641A
Authority
CN
China
Prior art keywords
grid
facial mask
aperture plate
film
endosphere
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 201010527968
Other languages
English (en)
Other versions
CN102054641B (zh
Inventor
吴华夏
江祝苗
陈明龙
王莹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui East China Institute of Optoelectronic Technology
Original Assignee
Anhui East China Institute of Optoelectronic Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui East China Institute of Optoelectronic Technology filed Critical Anhui East China Institute of Optoelectronic Technology
Priority to CN2010105279681A priority Critical patent/CN102054641B/zh
Publication of CN102054641A publication Critical patent/CN102054641A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102054641B publication Critical patent/CN102054641B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种栅控行波管栅极的制作工艺及其模压磨具,所述的栅控行波管栅极制作的工艺包括:表面清洁处理→表面涂感光胶→表面干燥处理→照相曝光→显影→表面干燥处理→刻蚀→去胶→模压成形→去应力退火,所述的栅控行波管栅极制作的工艺所用模压磨具,包括置于底座上的定位膜,一端置于定位膜内部底端并与底座相接的外球面膜,置于定位膜中的内球面膜,设于内球面一端上的钢球,内球面膜一端与外球面膜相接,二者相接面均为球面。本发明将逸出功大、熔点及沸点高、稳定性强的金属铪作为基底直接制作栅极,并采用先进的光刻工艺,将行波管栅网的加工精度提高到光学精度,本发明制作的栅极具有加工精度高,光洁度高,合格率高等优点。

Description

一种栅控行波管栅极的制作工艺及其模压磨具
技术领域
本发明属于微波真空电子器件领域,特别涉及一种栅控行波管栅极的制作工艺及其模压磨具。
背景技术
行波管是一种利用高速电子注与微波信号互作用将电子注的动能转化为微波能量的功率放大器件。行波管的应用范围十分广阔,几乎所有的卫星通讯都使用行波管作为末级放大器。在大多数雷达系统中都要使用一只或若干只行波管作为产生高频发射脉冲的大功率放大器。行波管按工作方式一般分为连续波行波管和脉冲行波管两大类。
以脉冲方式工作的行波管可以采用控制阴极电压的方法来实现对电子注的调制,称为阴控。阴控需要配备大功率调制器,设备笨重、复杂,而且耗电量大。亦可用附加调制阳极对电子注进行控制,称为阳控。阳控所需脉冲电压也比较高。同样可在阴极与阳极之间装一个控制栅便构成栅控电子枪,构成栅极控制。栅极控制,仅用较低的脉冲电压即可对电子注进行控制,因而能减小调制器体积、重量和耗电量。采用栅极控制的行波管应用更广泛。
采用栅极控制的行波管,当在栅极加负脉冲截断注电流时,如果栅极本身在高温作用下发射电子,行波管将无法实现对电子注电流的完全截至。这些无法截获的微小注电流穿过行波管时会产生不希望的信号和干扰噪声,最终影响行波管的性能。为解决栅发射的问题,栅极一般需要采用高逸出功的材料制成,这样即使在高温作用下,栅极本身不会发射电子,不会对行波管的性能产生影响。目前通常采用逸出功高的钼材料作为行波管的栅极,即使钼制作的栅网本身温度很高,纯钼电子的发射亦可忽略不计。不过,当来自阴极的钡和钡的蒸发物沉积在钼栅网上时,由于钡本身的逸出功比较小,钡及其蒸发物沉积在钼栅网后,钼栅网的逸出功就会下降到足以引起栅发射的地步。
为了抑制栅发射,必须在钼栅网表面增加覆盖层,即便来自阴极的蒸发物沉积在栅网上时,所采用的覆盖层能有效防止栅网逸出功的下降。但由于在钼基底上增加覆盖层是一件复杂的工作,在覆盖层附着不牢固时,附着在栅网上的覆盖层在高温和电子轰击下容易出现飞溅,或者随着工作时间的延长,覆盖层吸收的含氧量逐渐增加,它的性能下降,最终将导致行波管出现栅发射。
发明内容
本发明的目的是提供一种栅控行波管栅极的制作工艺及其模压磨具,由此制作出的栅极能解决栅控行波管的栅发射问题。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
利用逸出功大、熔点及沸点高、密度大、稳定性强的金属铪直接制作栅极。摒弃电火花制作行波管栅极的工艺,采用先进的光刻工艺制作栅极。
铪是银灰色有光泽的金属,熔点2227℃,沸点4602℃,密度13.31克/立方厘米。致密的金属铪性质不活泼,表面易形成氧化物覆盖层,在常温下很稳定。
所述的栅控行波管栅极的制作工艺流程如下:
表面清洁处理→表面涂感光胶→表面干燥处理→照相曝光→显影→表面干燥处理→刻蚀→去胶→模压成形→去应力退火。
具体为:
a.表面清洁处理
为了保证感光胶与铪金属基底之间有良好的结合牢固度,必须对铪金属基底进行仔细彻底的表面清洁处理,可用下列工序达到彻底的清洁效果:①用乳膏状的MgO在铪基底表面均匀涂擦以去除和吸附基底表面杂质粘接物;②用CrO3及H2SO4配置成1∶1的溶液,将涂擦后的栅网浸洗20~30秒;③将浸洗后的栅网取出后放入丙酮溶液中清洗脱水3分钟;④取出脱水后的栅网,用干燥空气吹干表面上的丙酮;
b.表面涂感光胶
将表面清洁干净的栅网放置在高速旋转的甩胶机旋转台上,抽真空,向栅网表面滴上感光胶,胶层厚度控制在0.8~0.9um,这一厚度必须严格控制,因为膜厚太薄就起不到保护作用,而膜太厚就会导致曝光不彻底;
c.表面干燥处理
目的是使感光胶能牢固的粘附在基片上使得在整个操作过程中感光胶不脱落,在温度为90±2℃的环境中保温15min进行干燥处理;
d.照相曝光
在紫外光照射下曝光,曝光时间为60秒;
e.显影
将3%的NaP溶液加热到190±2℃,将曝光好的栅极浸泡其中10分钟进行显影;
f.表面干燥处理
目的是使显影后的图案能够牢牢的依附在铪基片上,使在下一步刻蚀中不会因为刻蚀液和铪基片的剧烈反应而脱落。因此本工序的温度应该比c工序的温度高,而且时间要长一些,在温度为120±2℃的环境中保温25min进行干燥处理;
g.刻蚀
用FeCl3、H2O2、HNO3配成腐蚀液,腐蚀液的质量配比按照实际需求确定,控制所配溶液的腐蚀速度达2.5μm/s,若腐蚀速度太慢,则会造成侧腐,加快腐蚀速度则可避免该缺点;
h.去胶
目的是将仍然附着在栅网上的感光胶脱去,可用超生波清洗脱胶,清洗时间为5分钟以上;
i.模压成形
去完胶的栅极仍然是平面结构,最后需要通过模压成为最终的球缺形结构;模压定型时温度为350℃,模压时间为5秒,定型时间为1分钟;
j.去应力退火
为消除栅网在压制成形过程中产生的机械应力,需进行去应力退火处理,退火温度为950℃,保温时间为10分钟;为防止变形,在退火时需要用工装将栅网压紧。
作为本发明的进一步改进,所述步骤g中,腐蚀液中溶质的质量配比:FeCl3∶H2O2∶HNO3为5∶4∶1。
所述的这种栅孔行波管栅极的制作工艺所用的模压磨具,包括底座、定位膜、外球面膜、内球面膜及钢珠,所述定位膜置于底座上,所述定位膜为中空结构,所述外球面膜一端置于定位膜内部底端并与底座相接,外球面膜的另一端为球面结构,所述内球面膜的一端上具有球孔,钢球设于内球面膜的球孔内,内球面膜的另一端表面为球面结构,内球面膜置于定位膜内,内球面膜球面的一端与外球面膜球面的一端相接。
采用模压磨具模压成型工艺为:将栅极放于外球面膜的球面上,将内球面模放入定位模的内孔中,用液压机通过设在内球面膜上的钢珠对栅极进行压制定型。定型时应将装配好的模具加热到350℃,在5秒内压制成形,并保持压力停留1分钟定型;定型好的栅极不可直接取出,需要将内球模取出,将浓度为10%~20%铬酸倾倒入定位模的内孔中,等栅网自然浮起,用镊子小心夹出栅极;即完成栅极的模压成型。
本发明的优点在于:
1、本发明采用光刻工艺制作栅极,将行波管栅网的的加工精度由原来的机械加工精度提高到光学精度,具有加工精度高,光洁度高,合格率高等优点;
2、本发明采用逸出功大、熔点及沸点高、密度大、稳定性强的金属铪直接制作栅极,能够有效解决栅控行波管的栅发射问题。
附图说明
下面对本发明说明书附图所表达的内容及图中的标记作简要说明:
图1为所述的栅控行波管栅极的制作工艺流程图;
图2为所述的栅控行波管栅极的制作工艺所用模压磨具的结构图;
图中标记为:
1、底座,2、定位膜,3、外球面膜,4、内球面膜,5、钢珠,6、栅极。
具体实施方式
下面对照附图,通过对实施例的描述,对本发明的具体实施方式如所涉及的制造工艺等,作进一步详细的说明,以帮助本领域技术人员对本发明的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
如图2所示的这种栅控行波管栅极的制作工艺所用的模压磨具,包括底座1、定位膜2、外球面膜3、内球面膜4及钢珠5,所述定位膜2置于底座1上,所述定位膜2为中空结构,所述外球面膜3一端置于定位膜2内部底端并与底座1相接,外球面膜3的另一端为球面结构,所述内球面膜4的一端上具有球孔,钢球5设于内球面膜4的球孔内,内球面膜4的另一端表面为球面结构,内球面膜4置于定位膜2内,内球面膜4球面的一端与外球面膜3球面的一端相接。
所述的这种栅控行波管栅极的制作工艺,包括以下实施例:
实施例1
所述的这种栅控行波管栅极的制作工艺为:
表面清洁处理→表面涂感光胶→表面干燥处理→照相曝光→显影→表面干燥处理→刻蚀→去胶→模压成形→去应力退火。
具体为:
a.表面清洁处理:①用乳膏状的MgO在铪基底表面均匀涂擦以去除和吸附基底表面杂质粘接物;;②用CrO3及H2SO4配置成1∶1的溶液,将涂擦后的栅网浸洗20秒;③将浸洗后的栅网取出后放入丙酮溶液中清洗脱水3分钟;④取出脱水后的栅网,用干燥空气吹干丙酮;
b.表面涂感光胶:将表面清洁干净的栅网放在高速旋转的甩胶机旋转台上并抽真空,一滴一滴的向栅网表面滴上感光胶,胶层厚度控制在0.8um;
c.表面干燥处理:温度为92℃的环境中保温15min进行干燥处理;
d.照相曝光:在紫外光照射下曝光,曝光时间为60秒;
e.显影:将3%的NaP溶液加热到192℃,将曝光好的栅极浸泡其中10min进行显影;
f.表面干燥处理:在温度为122℃的环境中保温25min进行干燥处理;
g.刻蚀:用FeCl3、H2O2、HNO3配成腐蚀液,控制腐蚀速度达2.5μm/s;
h.去胶:用超生波清洗法脱胶,清洗时间为10分钟;
i.模压成形:去完胶的栅极仍然是平面结构,通过模压使其成为球缺形结构;采用如图1中所示的模具对栅网进行压制成形,所述磨具具体模压成型工艺为:将栅极6放于外球面膜3的球面上,将内球面模4放入定位模2的内孔中;用液压机通过设在内球面膜4的钢珠5对栅极6进行压制定型;定型时应将装配好的模具加热到350℃,压制5秒成形,并保持压力停留1分钟定型。定型好的栅极不可直接取出,需要将内球模取出,将浓度为10%的铬酸倾倒入定位模的内孔中,等栅网自然浮起,用镊子小心夹出栅极;
j.去应力退火:用工装将栅网压紧,退火温度为950℃,保温时间为10分钟。
实施例2
所述的这种栅控行波管栅极的制作工艺为:
表面清洁处理→表面涂感光胶→表面干燥处理→照相曝光→显影→表面干燥处理→刻蚀→去胶→模压成形→去应力退火。
具体为:
a.表面清洁处理:①用乳膏状的MgO在铪基底表面均匀涂擦;②用CrO3及H2SO4配置成1∶1的溶液,将涂擦后的栅网浸洗30秒;③将浸洗后的栅网取出后放入丙酮溶液中清洗脱水3分钟;④取出脱水后的栅网,用干燥空气吹干丙酮;
b.表面涂感光胶:将表面清洁干净的栅网放在高速旋转的甩胶机旋转台上并抽真空,一滴一滴的向栅网表面滴上感光胶,胶层厚度控制在0.9um;
c.表面干燥处理:温度为88℃的环境中保温15min进行干燥处理;
d.照相曝光:在紫外光照射下曝光,曝光时间为60秒;
e.显影:将3%的NaP溶液加热到188℃,将曝光好的栅极浸泡其中10min进行显影;
f.表面干燥处理:在温度为118℃的环境中保温25min进行干燥处理;
g.刻蚀:用FeCl3、H2O2、HNO3配成腐蚀液,控制腐蚀速度达2.5μm/s;
h.去胶:用超生波清洗法脱胶,清洗时间为15分钟;
i.模压成形:去完胶的栅极仍然是平面结构,通过模压使其成为球缺形结构;采用如图1中所示的模具对栅网进行压制成形,具体模压成型工艺为:将栅极6放于外球面膜3的球面上,将内球面模4放入定位模2的内孔中;用液压机通过设在内球面膜4的钢珠5对栅极6进行压制定型;定型时应将装配好的模具加热到350℃,压制5秒成形,并保持压力停留1分钟定型。定型好的栅极不可直接取出,需要将内球模取出,将20%的铬酸倾倒入定位模的内孔中,等栅网自然浮起,用镊子小心夹出栅极;
j.去应力退火:用工装将栅网压紧,退火温度为950℃,保温时间为10分钟。
实施例3
所述的这种栅控行波管栅极的制作工艺流程为:
表面清洁处理→表面涂感光胶→表面干燥处理→照相曝光→显影→表面干燥处理→刻蚀→去胶→模压成形→去应力退火。
具体为:
a.表面清洁处理:①用乳膏状的MgO在铪基底表面均匀涂擦;②用CrO3及H2SO4配置成1∶1的溶液,将涂擦后的栅网进行浸洗25秒;③将浸洗后的栅网取出后放入丙酮溶液中清洗脱水3分钟;④取出脱水后的栅网,用干燥空气吹干丙酮;
b.表面涂感光胶:将表面清洁干净的栅网放在高速旋转的甩胶机旋转台上并抽真空,一滴一滴的向栅网表面滴上感光胶,胶层厚度控制在0.9um;
c.表面干燥处理:温度为90℃的环境中保温15min进行干燥处理;
d.照相曝光:在紫外光照射下曝光,曝光时间为60秒;
e.显影:将3%的NaP溶液加热到190℃,将曝光好的栅极浸泡其中10min进行显影;
f.表面干燥处理:在温度为120℃的环境中保温25min进行干燥处理;
g.刻蚀:用FeCl3、H2O2、HNO3配成腐蚀液,控制腐蚀速度达2.5μm/s;
h.去胶:用超生波清洗法脱胶,清洗时间为20分钟;
i.模压成形:去完胶的栅极仍然是平面结构,通过模压使其成为球缺形结构;采用如图1中所示的模具对栅网进行压制成形,具体模压成型工艺为:将栅极6放于外球面膜3的球面上,将内球面模4放入定位模2的内孔中;用液压机通过设在内球面膜4的钢珠5对栅极6进行压制定型;定型时应将装配好的模具加热到350℃,压制5秒成形,并保持压力停留1分钟定型。定型好的栅极不可直接取出,需要将内球模取出,将浓度为15%的铬酸倾倒入定位模的内孔中,等栅网自然浮起,用镊子小心夹出栅极;
j.去应力退火:用工装将栅网压紧,退火温度为950℃,保温时间为10分钟。
所述实施例1至实施例3中,所述步骤g中,腐蚀液中溶质的质量配比:FeCl3∶H2O2∶HNO3为5∶4∶1。
经以上实施例制作的栅极,工作性能稳定,能有效解决栅极发射的问题。上面结合附图对本发明进行了示例性描述,显然本发明具体实现并不受上述方式的限制,只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进,或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种栅控行波管栅极的制作工艺,其特征在于:包括以下工序;表面清洁处理→表面涂感光胶→表面干燥处理→照相曝光→显影→表面干燥处理→刻蚀→去胶→模压成形→去应力退火;具体步骤为:
a.表面清洁处理
具体工艺为:①用乳膏状的MgO在铪基底表面均匀涂擦以去除和吸附基底表面杂质粘接物;②用CrO3及H2SO4配置成1∶1的溶液,将涂擦后的栅网浸洗20~30秒;③将浸洗后的栅网取出后放入丙酮溶液中清洗脱水3分钟;④取出脱水后的栅网,用干燥空气吹干表面上的丙酮;
b.表面涂感光胶
将表面清洁干净的栅网放置在高速旋转的甩胶机旋转台上,抽真空,向栅网表面滴感光胶,胶层厚度控制在0.8~0.9um;
c.表面干燥处理
在温度为90±2℃的环境中保温15min进行干燥处理;
d.照相曝光
在紫外光照射下曝光,曝光时间为60秒;
e.显影
将3%的NaP溶液加热到190±2℃,将曝光好的栅极浸泡其中10分钟进行显影;
f.表面干燥处理
在温度为120±2℃的环境中保温25min进行干燥处理;
g.刻蚀
用FeCl3、H2O2、HNO3配成腐蚀液,腐蚀液的质量配比按照实际需求确定;控制所配溶液的腐蚀速度达2.5μm/s; 
h.去胶
用超生波清洗脱胶,清洗时间为5分钟以上;
i.模压成形
去完胶的栅极仍然是平面结构,通过模压成为最终的球缺形结构;
j.去应力退火
为消除栅网在压制成形过程中产生的机械应力,需进行去应力退火处理,退火温度为950℃,保温时间为10分钟;为防止变形,在退火时需要用工装将栅网压紧。
2.按照权利要求1所述的栅控行波管栅极的制作工艺,其特征在于:所述步骤i中模压定型温度为350℃,模压时间为5秒,定型时间为1分钟。
3.按照权利要求1所述的栅控行波管栅极的制作工艺,其特征在于:所述步骤g中,腐蚀液中溶质的质量配比:FeCl3∶H2O2∶HNO3为5∶4∶1。
4.一种实现权利要求1所述的栅控行波管栅极的制作工艺所用的模压模具,其特征在于:其包括底座(1)、定位膜(2)、外球面膜(3)、内球面膜(4)及钢珠(5),所述定位膜(2)置于底座(1)上,所述定位膜(2)为中空结构,所述外球面膜(3)一端置于定位膜(2)内部底端并与底座(1)相接,外球面膜(3)的另一端为球面结构,所述内球面膜(4)的一端上具有球孔,钢球(5)设于内球面膜(4)的球孔内,内球面膜(4)的另一端表面为球面结构,内球面膜(4)置于定位膜(2)内,内球面膜(4)球面的一端与外球面膜(3)球面的一端相接。 
CN2010105279681A 2010-11-01 2010-11-01 一种栅控行波管栅极的制作工艺及其模压磨具 Active CN102054641B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105279681A CN102054641B (zh) 2010-11-01 2010-11-01 一种栅控行波管栅极的制作工艺及其模压磨具

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105279681A CN102054641B (zh) 2010-11-01 2010-11-01 一种栅控行波管栅极的制作工艺及其模压磨具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102054641A true CN102054641A (zh) 2011-05-11
CN102054641B CN102054641B (zh) 2012-07-18

Family

ID=43958845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010105279681A Active CN102054641B (zh) 2010-11-01 2010-11-01 一种栅控行波管栅极的制作工艺及其模压磨具

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102054641B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103901236A (zh) * 2014-03-06 2014-07-02 广东工业大学 一种超精细无极金属丝栅网封装环
CN106298401A (zh) * 2016-08-31 2017-01-04 安徽华东光电技术研究所 一种球面栅网成型用工装模具及球面栅网成型方法
CN110919304A (zh) * 2020-01-09 2020-03-27 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种真空微波振荡源栅网加工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1840272A (zh) * 2005-03-29 2006-10-04 中国科学院电子学研究所 一种对栅的加工方法
CN2874763Y (zh) * 2005-12-28 2007-02-28 安徽华东光电技术研究所 一种多注行波管浸渍钡阴极

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1840272A (zh) * 2005-03-29 2006-10-04 中国科学院电子学研究所 一种对栅的加工方法
CN2874763Y (zh) * 2005-12-28 2007-02-28 安徽华东光电技术研究所 一种多注行波管浸渍钡阴极

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103901236A (zh) * 2014-03-06 2014-07-02 广东工业大学 一种超精细无极金属丝栅网封装环
CN103901236B (zh) * 2014-03-06 2016-04-20 广东工业大学 一种超精细无极金属丝栅网封装环
CN106298401A (zh) * 2016-08-31 2017-01-04 安徽华东光电技术研究所 一种球面栅网成型用工装模具及球面栅网成型方法
CN110919304A (zh) * 2020-01-09 2020-03-27 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种真空微波振荡源栅网加工方法
CN110919304B (zh) * 2020-01-09 2021-07-06 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种真空微波振荡源栅网加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102054641B (zh) 2012-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102054641B (zh) 一种栅控行波管栅极的制作工艺及其模压磨具
JP2011023717A (ja) 透光性薄膜太陽電池モジュールのエッチング方法
CN102184821B (zh) 一种毫米波行波管的栅网的制备方法
CN108054272B (zh) 一种低成本可快速大量制备集成化微型薄膜热电器件的制造方法
JP2975766B2 (ja) 可撓性のある薄膜太陽電池の製造方法
JP7158585B2 (ja) 高いサイクル効率の電極を製造するシステム、高いサイクル効率の電極の製造方法及びその応用
CN101561629A (zh) 一种用倒梯形剖面的光刻胶制作介质边缘缓坡的方法
CN105576498B (zh) 一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法及GaAs基激光器
JP2014011412A (ja) 導電膜形成方法及び焼結進行剤
CN113113321B (zh) 半导体高密度引线框架及其制造工艺
CN111748769B (zh) 一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法
CN102958278A (zh) 一种线路板采用湿膜进行盲孔开窗的制作方法
CN115529801A (zh) 一种微通道散热器的结构及其制备方法
US20190355982A1 (en) Negative electrode of thin film battery and method for makingthesame and a thin film using the negative electrode
JP2005216722A (ja) 非水電解質二次電池用電極板およびその製造方法
CN113571275B (zh) 一种片式合金箔电阻的制造方法
CN215220765U (zh) 耐高温的纽扣电池
CN112492776B (zh) 一种超薄板内层盲孔选镀的方法
CN103716998A (zh) 一种金箔裁切方法
CN103955053A (zh) 一种通过压印制备电润湿显示单元的方法
CN114540812A (zh) 一种在金属表面制备还原石墨烯薄膜的方法
CN106357231A (zh) 薄膜微带滤波器的制作方法
CN208507478U (zh) 一种纳米箔生产电解电容器
CN108528008B (zh) 一种可降低印刷湿重的制版方法
CN101562136A (zh) Hbt工艺中介质平面平坦化的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 241000 No.01 Eshan Road, high tech Development Zone, Yijiang District, Wuhu City, Anhui Province

Patentee after: ANHUI HUADONG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY INSTITUTE Co.,Ltd.

Address before: 241000 Anhui Province, Wuhu city Yijiang District South high tech Development Zone Technology Park mansion

Patentee before: Anhui Huadong Polytechnic Institute

CP03 Change of name, title or address