CN102025357B - 放电电路 - Google Patents

放电电路 Download PDF

Info

Publication number
CN102025357B
CN102025357B CN 200910307270 CN200910307270A CN102025357B CN 102025357 B CN102025357 B CN 102025357B CN 200910307270 CN200910307270 CN 200910307270 CN 200910307270 A CN200910307270 A CN 200910307270A CN 102025357 B CN102025357 B CN 102025357B
Authority
CN
China
Prior art keywords
positive
discharge
resistance
electrically connected
triode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 200910307270
Other languages
English (en)
Other versions
CN102025357A (zh
Inventor
洪隆裕
孔圣翔
陈世权
赖志铭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiaozuo Guangyuan Technology Development Co ltd
State Grid Corp of China SGCC
Shenzhen Qichuangmei Tech Co Ltd
Jiaozuo Power Supply Co of State Grid Henan Electric Power Co Ltd
Original Assignee
Foxsemicon Integrated Technology Shanghai Inc
Foxsemicon Integrated Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Foxsemicon Integrated Technology Shanghai Inc, Foxsemicon Integrated Technology Inc filed Critical Foxsemicon Integrated Technology Shanghai Inc
Priority to CN 200910307270 priority Critical patent/CN102025357B/zh
Publication of CN102025357A publication Critical patent/CN102025357A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102025357B publication Critical patent/CN102025357B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

一种放电电路,其与功率因素校正电路的输出端电连接,且该功率因素校正电路的输出端定义为第一节点,该功率因素校正电路中具有一个滤波电容。该放电电路包括一个控制单元以及一个放电单元。该控制单元包括一个NPN型三极管,一个第一PNP型三极管以及一个第一电阻。该NPN型三极管的基极与一个外接电压电连接,其发射极接地,其集电极与该第一PNP型三极管的基极电连接,该第一PNP型三极管的发射极与该第一节点电连接,其集电极通过该第一电阻接地。该放电单元包括一个第二PNP型三极管以及一个放电电阻。该第二PNP型三极管的基极与该第一PNP型三极管的集电极电连接,其发射极通过该放电电阻与该第一节点电连接。

Description

放电电路
技术领域
本发明涉及一种放电电路,尤其涉及一种消耗功率较小且放电时间可调节的自动高压放电电路。
背景技术
驱动电路主要用来将输入的直流电压,作电压位准的调节,并使其稳定在所设定的一电压值,其利用驱动上桥及下桥功率元件的切换而产生脉波,此脉波经过电感电容组成的低通滤波器后产生稳定的直流电压,以供给各种电子产品,具体请参阅Volkan Kursun等人2004年在IEEE系统中发表的“HIGH INPUTVOLTAGE STEP-DOWN DC-DC CONVERTERS FORINTEGRATION IN A LOW VOLTAGE CMOS PROCESS”一文。
在驱动电路中,一般需要增加一个功率因素校正电路(Power Factor Corrector,PFC),用以改变输入电流的波形与相角,修正电流中的高次谐波。具体地,该功率因素校正电路包括一个滤波电容,以通过该滤波电容有效地修正电流中的高次谐波。该滤波电容的大小取决于负载的大小,负载越大,该滤波电容也就越大。
当电源接通时,负载正常工作,该滤波电容可有效地修正电流中的高次谐波,同时,该滤波电容将储存电能。然而,当电源断开时,负载停止工作,储存在该滤波电容中的电能并不能通过负载释放,而需通过自然放电将储存在该滤波电容中的电能释放,其放电时间较长,容易出现高压触电。为避免高压触电危险,一般利用电阻将储存在该滤波电容内的高压释放掉。且为了避免消耗过多功率,而选用大电阻对该滤波电容进行放电。但是,选用大电阻放电,其放电时间较长,以致储存在该滤波电容中的电压储存时间较长,仍可能导致高压触电危险。
有鉴于此,有必要提供一种消耗功率较小且放电时间可调节的放电电路。
发明内容
下面将以实施例说明一种消耗功率较小且放电时间可以调节的自动高压放电电路。
一种放电电路,其与功率因素校正电路的输出端电连接,且该功率因素校正电路的输出端定义为第一节点,该功率因素校正电路中具有一个滤波电容。该放电电路包括一个控制单元以及一个放电单元。该控制单元包括一个NPN型三极管,一个第一PNP型三极管以及一个第一电阻。该NPN型三极管的基极与一个外接电压电连接,其发射极接地,其集电极与该第一PNP型三极管的基极电连接,该第一PNP型三极管的发射极与该第一节点电连接,其集电极通过该第一电阻接地。该放电单元包括一个第二PNP型三极管以及一个放电电阻,该第二PNP型三极管的基极与该第一PNP型三极管的集电极电连接,其发射极通过该放电电阻与该第一节点电连接,其集电极接地。
相对于现有技术,当电路接通时,该功率因素校正电路正常工作,该滤波电容用于滤除电源电路中的高次谐波,并储存电能。该NPN型三极管的基极外接电压而导通,其集电极电压趋近零,该第一PNP型三极管导通,该第一PNP型三极管的集电极电压接近于第一节点电压,从而使该第二PNP型三极管截止,因此,该放电电路消耗功率较小。当电路断开时,该NPN型三极管与该第一PNP型三极管截止,该第二PNP型三极管导通,从而使储存在该滤波电容中的电能通过该放电单元自动进行放电,以避免高压触电危险。并且可以通过调节该放电电阻的阻值大小调节放电时间,实现快速放电目的。
附图说明
图1是本发明实施例提供的放电电路的电路示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施方式作进一步的详细说明。
请参见图1,本发明实施例提供的一种放电电路10,其并联于功率因素校正电路20与负载之间。具体地,该功率因素校正电路20的输入端Vin与电源输出端电连接,该功率因素校正电路20的输出端定义为第一节点A。该功率因素校正电路20中具有一个滤波电容21,其用于滤除电源电流中的高次谐波。
该放电电路10包括一个控制单元30以及一个放电单元40。
该控制单元30包括一个NPN型三极管31,一个第一PNP型三极管32以及一个第一电阻33。优选地,该控制单元30进一步包括一个分压电路34以及一个稳压电路35。
该分压电路34包括一个第二电阻341与一个第三电阻342。该第二电阻341的两端分别与该NPN型三极管31的基极以及外接电压电连接,该第三电阻342的一端与该NPN型三极管31的基极电连接,另一端接地。在本实施例中,该外接电压VDD为功率因素校正电路20输出的一个15伏左右的辅助电压,当功率因素校正电路20断开时,该外接电压VDD断开,即为0伏。
该NPN型三极管31的发射极接地,其集电极通过一个第四电阻36与该第一PNP型三极管32的基极电连接。
该稳压电路35包括一个第五电阻351以及一个与该第五电阻351电连接的第一稳压二极管352。
该第一PNP型三极管32的发射极通过该稳压电路35与第一节点A电连接,并且,该第一稳压二极管352的正极与该第一PNP型三极管32的发射极电连接。该第一PNP型三极管32的集电极通过该第一电阻33接地。
该放电单元40包括一个第二PNP型三极管41以及一个放电电阻42。该第二PNP型三极管41的基极通过一个第二稳压二极管43与该第一PNP型三极管32的集电极电连接。该第二PNP型三极管41集电极接地,其发射极通过该放电电阻42与该第一节点A电连接。优选地,该第二PNP型三极管41的发射极与该放电电阻42之间设置有一个第三稳压二极管44。
当电路接通时,该功率因素校正电路20正常工作,该滤波电容21用于滤除电源电路中的高次谐波,并储存电能。外接电压接通,该NPN型三极管31的基极电压高于其发射极电压,该NPN型三极管31导通,该NPN型三极管31的集电极电压趋近于零。该第一PNP型三极管32的发射极电压高于其基极电压,因此,该第一PNP型三极管32导通。该第二PNP型三极管41的集电极电压与其基极电压基本相等,该第二PNP型三极管41截止,因此,该放电电路消耗功率较小。
反之,当电路断开时,该功率因素校正电路20断开。该NPN型三极管31与该第一PNP型三极管32截止,该第二PNP型三极管41导通,从而使储存在该滤波电容21中的电能通过该放电单元40自动进行放电,以避免高压触电危险。
该放电电路10用于释放储存在该滤波电容21中的电能,其放电快慢取决于该放电电阻42的大小。具体地,该放电电阻42越大,放电越慢,放电时间越长,反之,该放电电阻42越小,放电越快,放电时间越短。
该放电电路10结构简单,消耗功率较小,并可以自动将储存在滤波电容21中的电能释放,以避免高压触电危险。并且,该放电电路10可以通过调节该放电电阻42的阻值大小调节放电时间,实现快速放电目的。
另外,本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化用于本发明的设计,只要其不偏离本发明的技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (6)

1.一种放电电路,其与功率因素校正电路的输出端电连接,且该功率因素校正电路的输出端定义为第一节点,该功率因素校正电路中具有一个滤波电容,该放电电路包括:
一个控制单元,其包括一个NPN型三极管,一个第一PNP型三极管以及一个第一电阻,该NPN型三极管的基极与一个外接电压电连接,其发射极接地,其集电极与该第一PNP型三极管的基极电连接,该第一PNP型三极管的发射极与该第一节点电连接,其集电极通过该第一电阻接地;
一个放电单元,其包括一个第二PNP型三极管以及一个放电电阻,该第二PNP型三极管的基极与该第一PNP型三极管的集电极电连接,其发射极通过该放电电阻与该第一节点电连接,其集电极接地。
2.如权利要求1所述的放电电路,其特征在于,该控制单元进一步包括一个分压电路,该分压电路设置于该NPN型三极管的基极与外接电压之间。
3.如权利要求2所述的放电电路,其特征在于,该分压电路包括一个第二电阻与一个第三电阻,该第二电阻的两端分别与该NPN型三极管的基极以及外接电压电连接,该第三电阻的一端与该NPN型三极管的基极电连接,另一端接地。
4.如权利要求1所述的放电电路,其特征在于,该控制单元进一步包括一个第四电阻,该第四电阻设置于该NPN型三极管的集电极与该第一PNP型三极管的基极之间。
5.如权利要求1所述的放电电路,其特征在于,该控制单元进一步包括一个稳压单元,该稳压单元设置于该第一PNP型三极管的发射极与该第一节点之间。
6.如权利要求5所述的放电电路,其特征在于,该稳压单元包括一个第五电阻以及一个与该第五电阻串联的第一稳压二极管,该第一稳压二极管的正极与该第一PNP型三极管的发射极电连接。
CN 200910307270 2009-09-18 2009-09-18 放电电路 Expired - Fee Related CN102025357B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910307270 CN102025357B (zh) 2009-09-18 2009-09-18 放电电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910307270 CN102025357B (zh) 2009-09-18 2009-09-18 放电电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102025357A CN102025357A (zh) 2011-04-20
CN102025357B true CN102025357B (zh) 2012-06-13

Family

ID=43866299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200910307270 Expired - Fee Related CN102025357B (zh) 2009-09-18 2009-09-18 放电电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102025357B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9640987B2 (en) 2014-04-11 2017-05-02 Avision Inc. Multi-stage discharge circuit for an electronic device and a multi-stage discharge method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103016823A (zh) * 2012-12-08 2013-04-03 中国航天科技集团公司第六研究院第十一研究所 冗余控制快速释放电路
CN106033883A (zh) * 2015-03-19 2016-10-19 中车大连电力牵引研发中心有限公司 放电电路
CN105717835A (zh) * 2016-02-01 2016-06-29 珠海格力电器股份有限公司 电器和主板放电控制方法及装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0625831A2 (en) * 1993-05-21 1994-11-23 Sony Corporation Radio receiver-transmitter apparatus
CN1122534A (zh) * 1994-08-29 1996-05-15 株式会社日立制作所 低失真开关
US5969560A (en) * 1995-01-23 1999-10-19 Sony Corporation Switching circuit at high frequency with low insertion loss
EP0978949A1 (fr) * 1998-08-03 2000-02-09 STMicroelectronics SA Dispositif de commutation de signaux radio-fréquences

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0625831A2 (en) * 1993-05-21 1994-11-23 Sony Corporation Radio receiver-transmitter apparatus
CN1122534A (zh) * 1994-08-29 1996-05-15 株式会社日立制作所 低失真开关
US5969560A (en) * 1995-01-23 1999-10-19 Sony Corporation Switching circuit at high frequency with low insertion loss
EP0978949A1 (fr) * 1998-08-03 2000-02-09 STMicroelectronics SA Dispositif de commutation de signaux radio-fréquences

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9640987B2 (en) 2014-04-11 2017-05-02 Avision Inc. Multi-stage discharge circuit for an electronic device and a multi-stage discharge method

Also Published As

Publication number Publication date
CN102025357A (zh) 2011-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102025272B (zh) 放电电路
CN203895095U (zh) 一种显示屏背光供电电路
CN102025357B (zh) 放电电路
CN203520222U (zh) 一种低压差线性稳压器
CN104102318A (zh) 电源电路
CN101976945A (zh) 一种开关型降压稳压器电路
CN204030954U (zh) 一种串联电容电压动态平衡电路
CN201830221U (zh) 一种复位控制电路
CN205827885U (zh) 一种lcd背光电源电路
CN205039514U (zh) 一种有效减少储能电容的掉电保护电路
CN203660640U (zh) 一种经济性掉电维持电路
CN201466716U (zh) 浪涌保护电路
CN202889195U (zh) 一种延长掉电保护时间的控制电路
CN202503331U (zh) 一种用于降低电池管理芯片自耗电的电路及电池
CN202306373U (zh) 直流降压稳压电路
CN200953596Y (zh) 复位电路及具有所述复位电路的电视机
CN206992680U (zh) 一种欠压保护电路
CN202712957U (zh) 一种直流电源的掉电维持电路
CN202472546U (zh) Mcu复位装置
CN204886132U (zh) 一种防电压脉冲电路
CN102480220B (zh) 串联型电压调整电路
CN201467324U (zh) 一种低功耗cpu待机切换电路
CN204597774U (zh) 一种负电压转换电路
CN203849635U (zh) 一种分立器件ldo替代电路
CN102780390B (zh) 矿用直流转换本安电源的缓启动电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 201600 Shanghai City, Songjiang District Songjiang Industrial Zone West science and Technology Industrial Park No. 500 Wen Ji Lu

Patentee after: Foxsemicon Integrated Technology (Shanghai) Inc.

Patentee after: Foxsemicon Integrated Technology Inc.

Address before: 201600 Shanghai City, Songjiang District Songjiang Industrial Zone West science and Technology Industrial Park No. 500 Wen Ji Lu

Patentee before: Foxsemicon Integrated Technology (Shanghai) Inc.

Patentee before: Foxsemicon Integrated Technology Inc.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: STATE GRID CORPORATION OF CHINA

Free format text: FORMER OWNER: SHENZHEN QICHUANGMEI TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20141115

Owner name: JIAOZUO POWER SUPPLY COMPANY, STATE GRID HUNAN ELE

Effective date: 20141115

Owner name: SHENZHEN QICHUANGMEI TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUSHIMAI SEMICONDUCTOR PRECISION INDUSTRY (SHANGHAI) CO., LTD.

Effective date: 20141115

Free format text: FORMER OWNER: FOXSEMICON INTEGRATED TECHNOLOGY INC.

Effective date: 20141115

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201600 SONGJIANG, SHANGHAI TO: 518000 SHENZHEN, GUANGDONG PROVINCE

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 518000 SHENZHEN, GUANGDONG PROVINCE TO: 100031 XICHENG, BEIJING

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20141115

Address after: 100031 Xicheng District West Chang'an Avenue, No. 86, Beijing

Patentee after: State Grid Corporation of China

Patentee after: JIAOZUO POWER SUPPLY COMPANY OF STATE GRID HENAN ELECTRIC POWER Co.

Patentee after: JIAOZUO GUANGYUAN TECHNOLOGY DEVELOPMENT CO.,LTD.

Address before: 518000 Guangdong city of Shenzhen province Futian District Che Kung Temple Tairan nine road Haisong building B block 1205

Patentee before: Shenzhen Qichuangmei Technology Co.,Ltd.

Effective date of registration: 20141115

Address after: 518000 Guangdong city of Shenzhen province Futian District Che Kung Temple Tairan nine road Haisong building B block 1205

Patentee after: Shenzhen Qichuangmei Technology Co.,Ltd.

Address before: 201600 Shanghai City, Songjiang District Songjiang Industrial Zone West science and Technology Industrial Park No. 500 Wen Ji Lu

Patentee before: Foxsemicon Integrated Technology (Shanghai) Inc.

Patentee before: Foxsemicon Integrated Technology Inc.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120613

Termination date: 20180918

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee