CN101999085B - 辐射检测器装置 - Google Patents
辐射检测器装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101999085B CN101999085B CN2009801125938A CN200980112593A CN101999085B CN 101999085 B CN101999085 B CN 101999085B CN 2009801125938 A CN2009801125938 A CN 2009801125938A CN 200980112593 A CN200980112593 A CN 200980112593A CN 101999085 B CN101999085 B CN 101999085B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- radiation detector
- dielectric
- flashing device
- detector device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
Abstract
在此披露了一种辐射检测器装置并且它包括一个光传感器以及一个被连接到该光传感器上的闪烁装置。该闪烁装置包括被封闭在一个壳体内的一个闪烁体晶体。该闪烁体晶体被光学地连接至该壳体的一个末端处的一个窗口上。该闪烁装置包括在该壳体的至少部分内的一种介电气体。这种介电气体被适配为减少或防止在该闪烁装置内的静电放电。
Description
技术领域
本披露是针对辐射检测器装置,具体是用于工业应用的闪烁装置。
背景技术
辐射检测器装置被用于各种工业应用中。例如,闪烁检测器被用于石油和天然气工业的测井。典型地,闪烁检测器具有闪烁体晶体,这些闪烁体晶体由对检测γ射线有效的一种活化了的碘化钠或其他材料制成。总体上,这些闪烁体晶体是被封闭在壳体或套管中,这些壳体或套管包括允许辐射诱导的闪烁光从该晶体包装件中穿过的一个窗口。光穿过一个光敏装置如一个光电倍增管,并且该光电倍增管将从该晶体发射的光子转换为电脉冲。这些电脉冲被相关联的电子装置整形并且将其数字化,并且可以作为传输至分析设备上的计数进行记录。
闪烁检测器对于测井是有用的,因为辐射(如γ射线和中子)的测量允许用户分析围绕一个钻孔的岩层。闪烁检测器可以用在钻探装置本身中,从而引起了随钻探的测量(MWD)(或随钻探测井)的通常做法。尽管如此,MWD应用经常发生在以大量的热、振动、以及冲击为特征的恶劣环境中。振动和冲击可以引起闪烁体晶体、壳体材料、窗口、闪烁装置的其他元件、或它们的任一组合失效或者其他方式的故障。
因此,工业界继续需要对闪烁装置,具体地是耐用的、强固化处理的闪烁装置的改进,这些闪烁装置可以经受工业应用的严酷环境。
发明内容
在一个具体实施方案中,披露了一种辐射检测器装置并且它包括一个光传感器以及被连接到该光传感器上的一个闪烁装置。这个闪烁装置包括被封闭在壳体内的一个闪烁体晶体。该闪烁体晶体被光学地连接至该壳体末端处的一个窗口上。该闪烁装置包括在该壳体的至少部分内的一种介电气体。该介电气体被适配为减少或防止在该闪烁装置内的静电放电。
在另一个实施方案中,披露了一种闪烁装置并且它包括被封闭在一个壳体内的一个闪烁体晶体。该闪烁体晶体被光学地连接至该壳体的一个末端处的一个窗口上。该闪烁装置包括在壳体的至少部分内的一种介电气体。该介电气体被适配为减少或防止在该闪烁装置内的静电放电。
附图说明
通过参见附图可以更好地理解本披露,并且使其许多特征和优点对于本领域技术人员变得清楚。
图1是一个辐射检测器装置的一个具体的实施方案的图;
图2A-2D是多个辐射检测器装置的多个方面的不同实施方案的图;
图3是展示了随振动增加由一个辐射检测器装置所记录的计数数目的曲线图;
图4是展示了随振动增加由一个辐射检测器装置所记录的计数数目的第二曲线图;并且
图5是展示了随振动增加由一个辐射检测器装置所记录的计数数目的第三曲线图。
在不同的图中使用相同的参考符号表示相似的或相同的事项。
具体实施方式
本披露的众多革新的传授内容将具体参照多个示例性实施方案进行说明。然而,应该理解的是这类的实施方案在此仅提供了这些革新的传授内容的许多有利的使用的少数几个实例。总体上,在本披露中做的陈述不对任何这些不同的权利要求的物品、系统或方法进行必要地限制。此外,某些陈述可能适用于某些本发明的特征但不适用于其他的特征。
图1示出了辐射检测器装置100的一个具体的实施方案。该辐射检测器装置100包括一个光传感器101、一个光管103、以及一个闪烁装置105。尽管光传感器101、光管103、以及闪烁装置105彼此分开地示出,但是应理解的是光传感器101和闪烁装置105各自是被适配为连接至光管103上的。在一个实施方案中,闪烁装置105和光传感器101可以使用偏置构件117连接至光管103上,该偏置构件提供了有助于吸收对检测器100的冲击的弹性。这些偏置构件117可以与其他已知的连接方法结合使用,如使用光学凝胶或粘合剂。此外,光传感器101被连接至电子装置130上,该电子装置被适配为基于由光传感器101输出的电脉冲对在光传感器101处所接收的光子进行计数。电子装置130可以包括一个或多个电子装置,如一个放大器、一个前置放大器、一个鉴别器、一个模数信号转换器、一个光子计数器、另一个电子装置、或它们的任一组合。
在一个实施方案中,光传感器101包括一个能够进行光谱检测和分辨的装置。例如,光传感器101可以包括一个常规的光电倍增管(PMT)或一个混合的光传感器。光传感器101适配为接收由闪烁装置105、其他的多个源、或它们的一个组合发射的光子,并且光传感器101从它接收的光子产生了电脉冲。这些电脉冲可以被所连接的电子装置130整形并且将其数字化以提供在光传感器101处接收的光子的计数。光传感器101可以被收容在由一种能够保护与光传感器101相连的电子装置的材料制成的一个管或一个壳体之内,如一种金属、金属合金、其他材料、或它们的任何的组合。
如图示的,光管103布置在光传感器101与闪烁装置105之间并且有助于该光传感器101与闪烁装置105之间的光学地连接。光管103可以包括一种石英光管、塑料光管、或另外的光管。在某些实施方案中,可以将多个光管布置在光传感器101与闪烁装置105之间。
闪烁装置105包括基本上被一个反射体109包围的一个闪烁体晶体107。在一个实施方案中,反射体109可以包括适合于反射由闪烁体晶体107发射的光的聚四氟乙烯(PTFE)或另外的材料。反射体109基本上被一个减震构件111包围。闪烁体晶体107、反射体109、以及减震构件111被收容在一个壳体113之内。壳体113可以包括一个弹簧119、或其他的稳定化机构,它与距离该光传感器101的远端的闪烁体晶体107的一个末端是界面连接的。
此外,壳体113包括一个窗口115,该窗口与距离该光传感器101的近端的闪烁体晶体107的一个第二末端界面连接。窗口115可以包括玻璃或另外的透明或半透明的材料,它们适合允许由闪烁体晶体107发射并且被反射体109反射的光子穿过闪烁装置105并且朝向光传感器101。将一个光学界面116布置在闪烁晶体107与窗口115之间。光学界面116可以包括透明的硅橡胶。在一个实施方案中,该光学界面是极化的以便通过将闪烁体晶体107和窗口115的反射指数调准以将闪烁体晶体107光学地连接至窗口115上。
当在光学界面116中包含硅橡胶时,该硅橡胶典型地包括长交联的分子,这些分子可以是极化的以将闪烁体晶体107与窗口115光学地连接。例如,光学界面116可以包括聚合的硅橡胶,该聚合的硅橡胶根据ASTM测试方法E595在真空焙烘下具有小于或等于1.0%的质量损失。更优选地,光学界面116可以包括聚合的硅橡胶,该聚合的硅橡胶根据ASTM测试方法E595在真空焙烘下具有小于或等于0.5%的质量损失。
一种电绝缘的、或介电的气体128是存在于壳体113的至少部分中,该气体被适配为减少或防止由一个或多个闪烁装置105的元件的静电放电。例如,介电气体128可以减少或防止来自闪烁体晶体107与光学界面116之间的相对运动;来自窗口115与光学界面116之间的相对运动;来自闪烁体晶体107与壳体113之间的相对运动;来自闪烁体晶体107与反射体109之间的相对运动、来自该闪烁体晶体与减震构件111之间的相对运动,或它们的任一组合产生的静电放电。
在一个实施方案中,闪烁装置105的这些构件可以在介电气体128的一种环境中进行组装,这样介电气体对128闪烁装置105进行了填充。在另一个实施方案中,闪烁装置105可以在氩气、环境干空气、或另一种气体的一种环境中组装,例如以防止闪烁体晶体107的氧化。闪烁装置105然后可以被抽至真空并且用介电气体128填充。在另一个实施方案中,辐射检测装置100可以在介电气体128的一种环境中组装,这样介电气体128可以防止或减少从光传感器101相对于辐射检测装置100的一个或多个其他元件(如一个包围光传感器101的外壳、光管103、或它们的一个组合)的运动产生的静电放电。
介电气体的实例包括:六氟化硫(SF6)、六氟乙烷(C2F6)、二氯二氟甲烷(CCl2F2)、1,2-二氯四氟乙烷(C2C12F4)、全氟-2-丁炔(C4F6)、全氟丁烯-2(C4F8)、全氟环丁烷(c-C4F8)、全氟环戊烯(C5F8)、全氟环己烯(C6F10)、全氟二甲基-环丁烷(C6F12)、氟化硫酰(SO2F2)、过氯酰氟(C1O3F)、其他气体、或它们的任一组合。在某些实施方案中,具有介电强度大于或等于4kV/mm的一种或多种介电气体可以与具有介电强度小于4kV/mm的一种或多种其他气体相混合(例如,SF6和空气;SF6和CO2;SF6和N2)。
优选地,介电气体128在标准温度和压力下具有的介电强度(即,该气体在没有该气体击穿的绝缘特性下可以经受的最大电场强度)为至少4kV/mm。在另一个实施方案中,介电气体128可以在大于STP的压力下提供。在这个实施方案中,介电气体128可以包括一种气体,该气体在1atm具有的介电强度低于4kV/mm,但它在将气体介电强度增大到4kV/mm或更大的一个压力下提供。例如,介电气体128可以在3atm下包括空气(具有的介电强度为7.4kV/mm)。
表1,以下示出了不同气体的介电强度。
气体名称 | 在STP下的介电强度(kV/mm) |
氩气 | 1.6 |
氮气 | 3.3 |
六氟化硫(SF6) | 8.9 |
二氯二氟甲烷(CCl2F2) | 8.0 |
1,2-二氯四氟乙烷(C2Cl2F4) | 6.9 |
90%SF6/10%空气 | 12.5 |
90%SF6/10%CO2 | 10.3 |
表1气体的介电强度
图2A-2D示出了一个辐射检测器装置的多个方面的不同实施方案,如在图1中图示的闪烁装置105的这些方面。例如,图2A示出了通过一个光学界面217(包含硅橡胶)界面连接至一个窗口215的一个闪烁体晶体207。闪烁体晶体207和光学界面216由于振动或冲击可以分离短的时间段,引起了一个临时缝隙220。如在图2B中示出的,窗口215和光学界面216由于这种振动或冲击可以暂时分离,引起了另一个缝隙222。
如在图2C中示出的,光学界面216与闪烁体晶体207之间(或在光学界面216与窗口215之间)的相对运动可以使一种材料从另一种材料中移开电荷。产生的电荷223和224的这些区域产生了一个电位。如果相对运动继续,则该电位可以变得足够大以产生一种静电放电。该静电放电可以产生由一个光传感器(如在图1中所示的光传感器101)检测到的光225,如可见光或紫外光。光225的检测导致了多个假的光子计数,这些假的光子计数难以从由闪烁体晶体207响应于γ射线或其他辐射而产生的闪烁光中辨别。
如在图2D中示出的,填充一种闪烁装置的介电气体228可以通过移动入由在光学界面216与闪烁体晶体207之间、在光学界面216与窗口215之间、或它们的任何组合的相对运动的造成的缝隙中来减少或防止静电放电。因此,由一个光传感器记录的假的计数可以由介电气体228减少或防止。本领域普通技术人员将认识到介电气体228可以减少或防止静电放电,该静电放电可以从在闪烁体晶体207与一个闪烁装置的其他的多个元件(如,一个壳体、反射体、减震器、或它们的任何组合)之间的电位的发展产生。
图3-4示出了一个辐射检测器装置的振动测试的结果。使用一个闪烁检测器进行测试,该闪烁检测器具有直径为约4.5cm并且长度为约10cm的一个圆柱形的NaI(T1)晶体。该晶体用一个PTFE反射体包裹并且将其插入一个带肋的硅橡胶套管中。这个晶体/PTFE/套管组件被插入一个铬镍铁合金外壳中,该外壳具有的内径为约4.9cm并且外径为约5cm。用一个0.2cm厚的透明的硅橡胶垫使该晶体湿润(wetted)到具有约0.3cm厚度的一个玻璃窗口上。使用2个同心弹簧使该晶体保持抵靠在硅橡胶上。此单元被抽至50mTorr的压力,并且然后用1个大气压的氩气进行填充。一个不锈钢端盖在该氩气气氛下被焊接上以使得该检测器密封。
然后将该检测器经受一个振动测试以检测由在该硅橡胶垫与该晶体之间、或在该硅橡胶垫与该窗口之间的静电放电造成的假的计数。将该检测器固定在一个振动台(Ling Dynamic Systems,model V810-240,由一个LDS Dactron Control控制)上。将一个光电倍增管(在1200V下的Hamamatsu R1288-32)光学地连接至该检测器的玻璃窗口上。来自该光电倍增管的信号通过一个前置放大器(Canberra model 2005)运行并且然后到达一个多通道的分析器(Aptec modelS5008)上,该分析器用于计数来自该闪烁体的大于由20keV的γ射线产生的光的等效的任何光脉冲。该振动台被程序设计为在6.47Hz/s的速率下,其中峰值加速度为30g(905ft/s2)下产生振动频率50至1000Hz一个扫描。该测试的结果在图3中示出。
随后,通过该检测器的端盖钻出具有直径为约.95cm的一个孔。该检测器被放置在一个真空室中并且抽空至5e-5Torr。该室然后用SF6(Praxair,5.5N级)填充至1个大气压。该孔然后用一种快速凝结环氧树脂填充。一个新的振动测试使用如上述的相同的设置进行。结果在图4中示出。
图3是一条曲线图,展示了由与一个辐射检测器装置(包括在1atm下的氩气)中的光传感器连通的一个光子计数器随振动增加记录的光子计数。该曲线图示出了与施加在一个辐射检测器装置上的振动频率相关的光子每秒钟计数。该曲线图示出了一个平均背景为58.6每秒钟计数(cps),以及在振动频率从50Hz至1000Hz下的一个平均数为69.4cps。由此,当50Hz至1000Hz的振动频率被施加在该辐射检测器装置上时,由该光子计数器记录的每秒钟计数是该平均背景每秒钟计数值的平均数的约118.4%(即69.4cps对比58.6cps)。
此外,该曲线图示出了随着振动频率的增加,特别是随着振动超过约780Hz,由该光子计数器记录的所有的每秒钟计数是大于该平均背景(58.6cps)和在振动下的总体平均每秒钟计数(69.4cps)两者。由此,随着振动超过约780Hz,由于此类振动的多个假的计数导致了在计数测量上的更大的不准确性,这样使得由该光子计数器记录的所有的每秒钟计数均大于该平均背景的约118.4%。值得注意地,当该振动频率是在该辐射检测器装置的共振频率一定范围内时,每秒钟计数经受来自总体平均每秒钟计数和该平均背景两者的它们的最大的偏差。如示出的,在约975Hz处的每秒钟计数是大于该平均背景的250%并且大于总体平均每秒钟计数的200%。
图4是一个第二曲线图,展示了一个辐射检测器装置(包括在1atm下的六氟化硫(SF6))中的一个光子计数器随振动增加所记录的光子计数。该曲线图示出了一个平均背景为52.9cps以及在振动下的平均为52.1cps。该曲线图演示了当从50Hz至1000Hz的振动频率被施加在该辐射检测器装置上时,该平均每秒钟计数是小于该平均背景的约116.0%。例如,在图4中示出的曲线图展示了当该辐射检测器装置包括介电气体时,该平均每秒钟计数不因为振动从50Hz至1000Hz而增加。此外,在振动下的平均每秒钟计数是在该平均背景的约2.0%之内。
此外,在振动频率大于约780Hz下的每秒钟计数不会依然高于该平均背景或从50Hz至1000Hz的平均每秒钟计数。相反地,该光子计数器记录了至少一个小于该平均背景值约116.0%的每秒钟计数。此外,当振动频率是在该辐射检测器装置的共振频率(如从950Hz至1000Hz)的一定的范围之内时,该每秒钟计数不会经受到在图3中示出的偏差。如示出的,在约975Hz处的每秒钟计数是小于该平均背景的200%并且小于总体平均每秒钟计数的150%。事实上,当施加在该辐射检测器上的振动频率是在950Hz与1000Hz之间时,在图4中示出的曲线图演示了每秒钟计数是在该平均背景和该总体平均每秒钟计数的10%之内。
图5是一个第三曲线图,展示了在一个辐射检测器装置(包括在1atm下的六氟化硫(SF6))中的一个光子计数器随振动增加所记录的光子计数。该曲线图证明了在振动频率从约1100Hz至约1500Hz的每秒钟计数是小于该平均背景的150%。事实上,在图5中示出的曲线图证明了当施加在该辐射检测器上的振动频率是在1100Hz与1500Hz之间时,每秒钟计数是在该平均背景的33%之内。此外,在从50Hz至1450Hz的振动频率施加在该辐射检测器上时,峰值每秒钟计数是小于平均背景值的200%。
在闪烁装置领域中的现有技术认识到由于在闪烁体晶体与一个闪烁装置的其他的多个元件之间的相对运动,可以产生静电放电。(参见,例如,K.Kimmich,C.Grodsinsky,“Characterizing,Simulating,and Eliminating Vibration Induced Countsin Measurement While Drilling Gamma Ray Detectors,”Applied Radiation andIsotopes,Vol.48,Iss.10-12,Oct-Dec 1997,pp.1385-1390)。静电放电的多种常规解决方案包括通过将更大的压缩应力放置在该晶体、这些其他元件、或它们的一个组合上试图使该闪烁体晶体相对于该闪烁装置的其他元件更好地稳定。其他的多种途径通过将硅润滑脂或硅油放置在该闪烁体装置的多个元件之间试图防止静电放电。
使用介电气体防止或减少静电放电具有允许更小的力施加给弹簧或其他的稳定机构(它们将该闪烁体晶体保持在原位)的附加的益处,如由于振动和冲击在该闪烁晶体与该闪烁装置的其他多个元件之间的相对运动不需要完全防止。例如,小于150磅每平方英寸(psi)的一个力,如100ps的力,或更优选地从约20psi至约60psi的一个力可以施加在该闪烁体晶体上以将它基本上保持在原位上;然而,通过试图使该晶体固定可以要求大于150psi的一个力,如200psi的一个力以减少静电放电。将更小的力施加在该闪烁体晶体上可以减少闪烁体晶体变形和破坏,允许使用更大的闪烁体晶体,使得组装该闪烁装置更加容易,并且产生了其他的多个优点。此外,弹簧或其他的稳定机构可以随着G-负载增加而失效。例如,一旦G-负载超过30G(如在40G-50G的范围内)弹簧可以开始失效。此外,介电气体不会出现在使用硅油或润滑脂(特别是在高温下)所看到的漏泄、限制(containment)、鼓泡或降解的问题。
在此的说明这些实施方案的这些图旨在提供对这些不同的实施方案的结构的一个总体上的理解。这些图示并非旨在作为在此描述的所有的元件和结构的特征或方法的一个完全的说明。对于本领域的普通技术人员许多的其他实施方案在阅读该披露时应该是清楚的。可以使用其他的多个实施方案并且从该披露中产生,这样使得在不背离本披露的范围的情况下可以做出多个结构的和逻辑的替换以及多种变化。此外,这些图示仅是代表性的并不是按比例绘制的。在这些图示内的某些比例可能是扩大的,而其他的比例可能是缩到最小的。因此,该披露内容和这些附图被认为是说明性的而不是限制性的。
披露的摘要是遵循37C.F.R.§1.72(b)而提供的,并且按以下理解而提交,即它将不被用于解释或者限制权利要求的范围或含义。另外,在以上附图的详细说明中,为了使披露精简而可能将不同的特征集合在一起或者在一个单独的实施方案中描述。本披露不得被解释为反映了一种意图,即提出权利要求的实施方案要求的特征多于在每一项权利要求中清楚引述的特征。相反,如以下的权利要求反映出,发明主题可以是针对少于任何披露的实施方案的全部特征。因此,以下的权利要求被结合在附图的详细说明之中,而每一项权利要求自身独立地限定了分别提出权利要求的主题。
以上披露的主题应被认为是解说性的、而非限制性的,并且所附权利要求是旨在覆盖落在本披露的主题的真实精神和范围内的所有此类变体、改进以及其他实施方案。因此,在法律所允许的最大程度上,本披露的主题的范围应由对以下权利要求和它们的等效物可容许的最宽解释来确定,并且不应受以上的详细的说明的约束或限制。
Claims (23)
1.一种辐射检测器装置,包括:
一个光传感器;以及
一个被连接至该光传感器上的闪烁装置,该闪烁装置包括:
封闭在一个壳体内的一个闪烁体晶体,该闪烁体晶体被光学地连接至在该壳体的一个末端处的一个窗口上,以及
一种在该壳体的至少部分内的介电气体,其中该介电气体被适配为减少或防止在该闪烁装置内的静电放电,并且其中该介电气体的特征为介电强度为至少4kV/mm。
2.如权利要求1所述的辐射检测器装置,其中该介电气体包括至少一种气体,该气体的特征为在一个大气压下介电强度为至少6kV/mm。
3.如权利要求1所述的辐射检测器装置,其中该介电气体包括至少一种气体,该气体的特征为在大于一个大气压的压力下介电强度为至少4kV/mm。
4.如权利要求1-3中任一项所述的辐射检测器装置,其中该介电气体包括:六氟化硫(SF6)、六氟乙烷(C2F6)、二氯二氟甲烷(CCl2F2)、1,2-二氯四氟乙烷(C2Cl2F4)、全氟-2-丁炔(C4F6)、全氟丁烯-2(C4F8)、全氟环丁烷(c-C4F8)、全氟环戊烯(C5F8)、全氟环己烯(C6F10)、全氟二甲基-环丁烷(C6F12)、氟化硫酰(SO2F2)、过氯酰氟(ClO3F)、或它们的任一组合。
5.如权利要求1-3中任一项所述的辐射检测器装置,其中该介电气体与空气、二氧化碳、氮气、或它们的任一组合相混合。
6.如权利要求1-3中任一项所述的辐射检测器装置,其中该闪烁装置是被组装在该介电气体的一种环境中的。
7.如权利要求1-3中任一项所述的辐射检测器装置,其中将一个小于150磅每平方英寸的稳定化的力施加到该闪烁体晶体上。
8.如权利要求1-3中任一项所述的辐射检测器装置,其中该窗口是透明的或半透明的。
9.如权利要求1-3中任一项所述的辐射检测器装置,其中该窗口包括玻璃。
10.如权利要求1-3中任一项所述的辐射检测器装置,其中该静电放电包括从对于该闪烁装置的振动或冲击中产生的静电放电。
11.如权利要求1所述的辐射检测器装置,进一步包括一个光子计数器装置,该光子计数器装置被适配为对由该闪烁体晶体基于从该光传感器接收的电脉冲发射的光子进行计数,这些电脉冲由该光传感器基于在该光传感器处接收的来自该闪烁装置的光子而输出。
12.如权利要求11所述的辐射检测器装置,其中在从50Hz至1450Hz的振动频率施加在该辐射检测器装置上时,由该光子计数器记录的一个每秒钟峰计数值是小于一个平均背景值的200%。
13.如权利要求1-3中任一项所述的辐射检测器装置,其中该介电气体基本上包围了该光传感器并且其中该介电气体被适配为减少或防止从该光传感器相对于该辐射检测器装置的至少一个其他的元件的运动生成的静电放电。
14.一种闪烁装置,包括:
被封闭在一个壳体内的一个闪烁体晶体,该闪烁体晶体被光学地连接至在该壳体末端处的一个窗口上;以及
一种在该壳体的至少部分内的介电气体,其中该介电气体被适配为减少或防止在该闪烁装置内的静电放电,并且其中该介电气体的特征为介电强度为至少4kV/mm。
15.如权利要求14所述的闪烁装置,其中该介电气体包括至少一种气体,该气体的特征为在一个大气压下介电强度为至少6kV/mm。
16.如权利要求14所述的闪烁装置,其中该介电气体包括至少一种气体,该气体的特征为在大于一个大气压的压力下介电强度为至少4kV/mm。
17.如权利要求14-16中任一项所述的闪烁装置,其中该介电气体包括:六氟化硫(SF6)、六氟乙烷(C2F6)、二氯二氟甲烷(CCl2F2)、1,2-二氯四氟乙烷(C2Cl2F4)、全氟-2-丁炔(C4F6)、全氟丁烯-2(C4F8)、全氟环丁烷(c-C4F8)、全氟环戊烯(C5F8)、全氟环己烯(C6F10)、全氟二甲基-环丁烷(C6F12)、氟化硫酰(SO2F2)、过氯酰氟(ClO3F)、或它们的任一组合。
18.如权利要求14-16中任一项所述的闪烁装置,其中该介电气体与空气、二氧化碳、氮气、或它们的任一组合相混合。
19.如权利要求14-16中任一项所述的闪烁装置,其中该闪烁装置是被组装在该介电气体的一种环境中的。
20.如权利要求14-16中任一项所述的闪烁装置,其中将一个小于150磅每平方英寸的稳定化的力施加到该闪烁体晶体上。
21.如权利要求14-16中任一项所述的闪烁装置,其中该窗口是透明的或半透明的。
22.如权利要求14-16中任一项所述的闪烁装置,其中该窗口包括玻璃。
23.如权利要求14-16中任一项所述的闪烁装置,其中该静电放电包括从对于该闪烁装置的振动或冲击中产生的静电放电。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/108259 | 2008-04-23 | ||
US12/108,259 | 2008-04-23 | ||
US12/108,259 US7675040B2 (en) | 2008-04-23 | 2008-04-23 | Radiation detector device |
PCT/US2009/040668 WO2009131882A2 (en) | 2008-04-23 | 2009-04-15 | Radiation detector device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101999085A CN101999085A (zh) | 2011-03-30 |
CN101999085B true CN101999085B (zh) | 2013-11-13 |
Family
ID=41214075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009801125938A Expired - Fee Related CN101999085B (zh) | 2008-04-23 | 2009-04-15 | 辐射检测器装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7675040B2 (zh) |
CN (1) | CN101999085B (zh) |
WO (1) | WO2009131882A2 (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012058569A2 (en) | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Schlumberger Canada Limited | Integrated coupling of scintillation crystal with photomultiplier in a detector apparatus |
US9057790B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-06-16 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Scintillation detection device with pressure sensitive adhesive interfaces |
WO2014210407A1 (en) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Scintillation detector |
US9739892B2 (en) * | 2014-04-09 | 2017-08-22 | Phenix Medical Llc | Fast, high-rate, position-sensitive absolute dosimeter for ion beam therapy |
US10120099B2 (en) | 2014-07-31 | 2018-11-06 | Schlumberger Technology Corporaton | Rugged semiconductor radiation detector |
CN104360375B (zh) * | 2014-12-08 | 2018-04-03 | 清华大学 | 便携式低温半导体探测器装置 |
CN111443374A (zh) * | 2015-02-16 | 2020-07-24 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 闪烁晶体和包括其的测井设备和医学成像设备 |
CN113109854B (zh) * | 2021-03-23 | 2022-11-15 | 海南核康科技有限公司 | 一种准确检测瞬时辐射剂量率的仪器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4764677A (en) * | 1986-11-21 | 1988-08-16 | Bicron Corporation | Well logging detector |
US5262649A (en) * | 1989-09-06 | 1993-11-16 | The Regents Of The University Of Michigan | Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation |
CN1197209A (zh) * | 1998-04-03 | 1998-10-28 | 清华大学 | 车载式γ射线数字辐射成像流动检测站及其阵列探测装置 |
CN1347506A (zh) * | 1999-04-14 | 2002-05-01 | 埃克斯康特尔股份公司 | 辐射探测器和一种用在射线照相中的设备 |
US7208742B1 (en) * | 2005-12-15 | 2007-04-24 | General Electric Company | X-ray detector with radiation hard photodiode design |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2356957A1 (fr) * | 1976-06-28 | 1978-01-27 | Bicron Corp | Detecteur a scintillation a rayons gamma a haute resistance aux chocs |
JP2696860B2 (ja) | 1987-11-11 | 1998-01-14 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出素子 |
US4900937A (en) * | 1988-10-20 | 1990-02-13 | Bicron Corporation | Well logging detector with decoupling optical interface |
US4994673A (en) * | 1989-06-06 | 1991-02-19 | Solon Technologies, Inc. | Ruggedized scintillation detector |
US5208460A (en) * | 1991-09-23 | 1993-05-04 | General Electric Company | Photodetector scintillator radiation imager having high efficiency light collection |
US5869836A (en) * | 1996-09-20 | 1999-02-09 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Scintillation detector with sleeved crystal boot |
US6355932B1 (en) * | 1998-02-25 | 2002-03-12 | General Electric Company | Maximum volume ruggedized nuclear detector |
AU731139B2 (en) * | 1998-08-24 | 2001-03-22 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Modular radiation detector assembly |
FR2812089B1 (fr) * | 2000-07-21 | 2007-11-30 | Trixell Sas | Detecteur de rayonnement a duree de vie accrue |
US20070102647A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | The University Of Chicago | Multi-radiation large area detector |
-
2008
- 2008-04-23 US US12/108,259 patent/US7675040B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-15 CN CN2009801125938A patent/CN101999085B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-15 WO PCT/US2009/040668 patent/WO2009131882A2/en active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4764677A (en) * | 1986-11-21 | 1988-08-16 | Bicron Corporation | Well logging detector |
US5262649A (en) * | 1989-09-06 | 1993-11-16 | The Regents Of The University Of Michigan | Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation |
CN1197209A (zh) * | 1998-04-03 | 1998-10-28 | 清华大学 | 车载式γ射线数字辐射成像流动检测站及其阵列探测装置 |
CN1347506A (zh) * | 1999-04-14 | 2002-05-01 | 埃克斯康特尔股份公司 | 辐射探测器和一种用在射线照相中的设备 |
US7208742B1 (en) * | 2005-12-15 | 2007-04-24 | General Electric Company | X-ray detector with radiation hard photodiode design |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP平1-126583A 1989.05.18 |
K.KIMMICH et. al..Characterizing, simulating, and eliminating vibration-induced counts in measurement-while-drilling gamma ray detectors.《Appl.Radiat.Isot.》.1997,第48卷1385-1390. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090266990A1 (en) | 2009-10-29 |
WO2009131882A3 (en) | 2010-03-18 |
WO2009131882A2 (en) | 2009-10-29 |
CN101999085A (zh) | 2011-03-30 |
US7675040B2 (en) | 2010-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101999085B (zh) | 辐射检测器装置 | |
US8604416B2 (en) | Method of forming a scintillator device | |
US6222192B1 (en) | Scintillation detector without optical window | |
CA2312593C (en) | Thermal neutron detector using a scintillator with background gamma-ray shielding | |
AU2013320016B2 (en) | Photomultiplier apparatus and radiation detector incorporating such apparatus | |
GB2198448A (en) | Well logging scintillation detector | |
US5753919A (en) | Gamma ray detection and measurement device | |
CN101451433A (zh) | 用于闪烁型辐射探测器的气密封包装和中子屏蔽物 | |
CN103890615A (zh) | 用于油田应用的基于钾冰晶石闪烁体的中子探测器 | |
WO2022142606A1 (zh) | 一种随钻测井用闪烁体的封装结构 | |
WO2015020713A2 (en) | Scintillation detector package having radioactive window therein | |
US2949534A (en) | High temperature scintillation detector | |
US10132938B2 (en) | Integrated nuclear sensor | |
US8803097B2 (en) | Radiation detector device having a plurality of boot sections | |
US7884316B1 (en) | Scintillator device | |
US9446379B2 (en) | Scintillation detector | |
US9040926B2 (en) | Rugged scintillation crystal assembly | |
US10823875B2 (en) | Scintillator packaging for oilfield use | |
CN211979210U (zh) | 耐高温溴化镧铈晶体探测器 | |
US20170329040A1 (en) | Downhole logging system with solid state photomultiplier | |
Goldschmidt et al. | Risk and Reward: Optimizing NEXT | |
Zhang et al. | New Advances In Developing A High-Temperature Lwd Formation Evaluation Suite |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20131113 Termination date: 20190415 |