CN101997060A - 一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明属于晶硅太阳能电池的制作领域,具体涉及一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺。该发明采用在印刷区域镭射掺杂的方法,实现选择性发射极太阳能电池的制备,其工序包括,高方阻扩散,印刷区域镭射掺杂,磷硅玻璃去除,在进行激光镭射前不需要喷涂或旋涂任何磷源,能降低选择性发射极晶体硅太阳能电池制作的成本。与其他选择性扩散工艺相比,具有工艺简单,成本低,易于工业化生产的特点。
Description
技术领域
本发明属于晶硅太阳能电池的制作领域,具体涉及一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺。
背景技术
随着化石能源的枯竭,太阳能电池作为一种绿色能源,得到快速的发展。晶体硅太阳能电池成为目前太阳能电池领域的主流,如何降低太阳能电池的成本,提高太阳能电池的效率成为国内外晶体硅太阳能电池研究的重点。
选择性发射极太阳能电池,与传统工艺晶体硅太阳能电池相比,效率可以提高约0.5个百分点。而目前制作选择性发射极晶体硅太阳能电池的工艺复杂,成本高,例如2010年7月21日公开的申请号为201010102808.2的发明专利申请“一种硅太阳能电池的制备方法”公开了一种硅太阳能电池的制备方法,在硅片上制作PN结工艺中,采用了选择性扩散工艺法,即利用激光对硅片的一个表面上欲制作正面电极的位置处进行加热,在加热作用下,均匀粘附在这个表面上的磷源中的磷向硅片内扩散,这样在欲制作正面电极的位置处形成薄层电阻较小的重掺杂区域,有效减少了硅太阳能电池的薄层电阻,这样不仅有利于增加硅太阳能电池的开路电压,开路电压的增加,有效提高了硅太阳电池的转化效率,而且减少了硅太阳能电池的串联电阻,能够较好地满足工业化生产的目的。其具体过程为首先是在硅片的一个表面上喷涂磷源,磷源为含磷酸的浆料,然后烘干硅片以保持磷源均匀粘附在硅片的这个表面上,其次用激光对欲制作正面电极的位置处加热,随后进行后续的烧结步骤。工艺过程复杂,成本高,并且这种做法,难以保证浅结区与栅线区的方块电阻达到目标值。
发明内容
本发明的目的就是针对上述存在的缺陷,提供一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺,该发明采用在印刷区域镭射掺杂的方法,实现选择性发射极太阳能电池的制备,在进行激光镭射前不需要喷涂磷源,能降低选择性发射极晶体硅太阳能电池制作的成本。
本发明的一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺技术方案为,包含以下工艺步骤:高方阻扩散,印刷区域镭射掺杂,磷硅玻璃去除。
所述的高方阻扩散,阻值控制在70-90 ohm/sq。
所述的印刷区域镭射掺杂,采用波长为532nm或者355nm的激光在预备印刷正面电极区域镭射,镭射深度控制在50-1000nm,实现印刷区域重掺杂,阻值控制在20-40 ohm/sq。
本发明的扩散工艺具体步骤为:
1.高方阻扩散,将硅片放入扩散炉中进行扩散,阻值控制在70-90 ohm/sq。
2.印刷区域镭射掺杂,采用波长为532nm或者355nm的激光在硅片预备印刷正面电极区域镭射,镭射深度控制在50-1000nm,实现印刷区域重掺杂,阻值控制在20-40 ohm/sq。
3.磷硅玻璃去除。
本发明的有益效果为:本发明的工序包括,高方阻扩散,印刷区域镭射掺杂,磷硅玻璃去除。在高方阻的基础上,采用镭射掺杂的方法,在印刷区域进行二次扩散,实现印刷区域重掺杂,非印刷区域轻掺杂,形成选择性发射极。与现有技术相比,在进行激光镭射前不需要喷涂磷源,能降低选择性发射晶体硅太阳能电池制作的成本。与其他选择性扩散工艺相比,具有工艺简单,成本低,易于工业化生产的特点。采用该工艺制备的选择性发射晶体硅太阳能电池,具有较好的短波响应,大大降低了发射极区的少数载流子的复合几率,可以获得较高的开路电压和短路电流。采用本发明工艺制备的选择性发射晶体硅太阳能电池,经实验证明,其光电转换效率可达到18.0—18.5%。
附图说明:
图1所示为本发明的选择性发射太阳能电池结构示意图。
图1中,1.正面电极,2.印刷区域,3.非印刷区域,4.硅。
具体实施方式:
为了更好地理解本发明,下面结合附图来详细说明本发明的技术方案,但是本发明并不局限于此。
本发明的一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺技术方案为,包含以下工艺步骤:高方阻扩散,印刷区域2镭射掺杂,磷硅玻璃去除。
所述的高方阻扩散,在硅片4上进行扩散,使非印刷区域3拥有较高的方阻,阻值控制在70-90 ohm/sq。
所述的印刷区域2镭射掺杂,采用波长为532nm或者355nm的激光在预备印刷正面电极1区域(即印刷区域2)镭射,镭射深度控制在50-1000nm,将磷硅玻璃中的磷作为磷源,进行二次扩散,实现印刷区域2重掺杂,阻值控制在20-40 ohm/sq。
实施例1
将制绒清洗后的单晶硅片4,放入管式扩散炉中,扩散后方阻为80 ohm/sq;采用频率为750Hz,波长为532nm的激光,对印刷区域2镭射刻蚀200nm的深度,印刷区域2阻值为28 ohm/sq;将镭射后的硅片4,放入10%的HF溶液中清洗6min,去除磷硅玻璃;将清洗好的硅片4再进行刻蚀,镀减反射膜,印刷,烧结等工艺,得到太阳能电池片,其光电转换效率可达到18.32%。
实施例2
将制绒清洗后的单晶硅片4,放入管式扩散炉中,扩散后方阻为85 ohm/sq;采用频率为750Hz,波长为532nm的激光,对印刷区域镭射刻蚀100nm的深度,印刷区域2阻值为32 ohm/sq;将镭射后的硅片4,放入10%的HF溶液中清洗6min,去除磷硅玻璃;将清洗好的硅片4再进行刻蚀,镀减反射膜,印刷,烧结等工艺,得到太阳能电池片,其光电转换效率可达到18.27%。
Claims (3)
1.一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺,其特征在于,包含以下工艺步骤:高方阻扩散,印刷区域镭射掺杂,磷硅玻璃去除。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺,其特征在于,所述的高方阻扩散,阻值控制在70-90 ohm/sq。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺,其特征在于,所述的印刷区域镭射掺杂,采用波长为532nm或者355nm的激光在预备印刷正面电极区域镭射,镭射深度控制在50-1000nm,阻值控制在20-40 ohm/sq。
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