CN101923863B

CN101923863B - 用于垂直写入器的受控前屏蔽厚度的方法和装置

Info

Publication number: CN101923863B
Application number: CN 201010239754
Authority: CN
Inventors: P·E·安德森
Original assignee: Seagate Technology LLC
Current assignee: Seagate Technology LLC
Priority date: 2009-05-18
Filing date: 2010-05-17
Publication date: 2013-11-06
Anticipated expiration: 2030-05-17
Also published as: JP2010267370A; US8792206B2; CN101923863A; US20100290156A1; JP5720871B2

Abstract

一种用于形成具有磁写入器的换能头的方法，包括：形成与写入器极和间隙层相邻的底座，在底座上沉积前屏蔽，蚀刻所述前屏蔽，以及在蚀刻后的前屏蔽上沉积回填层。所述前屏蔽在蚀刻时具有受控厚度。

Description

用于垂直写入器的受控前屏蔽厚度的方法和装置

背景技术

硬盘驱动器(HDD)典型地包括一个或多个磁介质盘或其他磁存储介质，其中的每个都具有用于存储数据的同心数据磁道。在使用多个盘时，由具有基本相同直径的同轴盘形成堆叠。由滑块携带的换能头用于读写给定盘上的数据磁道。所述滑块由头臂组件(HAA)携带，该头臂组件包括致动器臂以及悬吊组件，该滑块可包括负载梁和万向节。该万向节可以是固定至负载梁的独立金属元件以支承其上的滑块，或者可以与负载梁整体地形成。操作期间，当相关联的盘旋转时，滑块在盘表面的小气垫上滑动。致动器臂具有枢纽，以便相对于盘可移动地定位滑块。可包括微致动器组件，以提供悬吊组件和滑块的附加精确定位。电连接沿着悬吊延伸，以将换能头电连接到位于致动器臂上或其附近的组件。这些电连接可形成于悬吊本身上，或可位于相对悬吊支承的独立互连结构上，例如折叠(flex-on)悬吊(FOS)。

磁存储介质可将数据存储为比特，且磁化方向在介质平面内，或者垂直于介质平面。更大的存储密度通常可通过垂直记录获得。

滑块包括滑块体和包括换能头的外套。该外套是电绝缘的。多个接合盘形成在滑块上，例如在滑块的后边缘或顶面上，以便将换能头的元件穿过外套电连接到外部电路。

换能头典型地包括写入器和读取器。读取器包括用于检索存储在盘(或其他磁存储介质)上的磁编码信息的传感器。来自盘表面的磁通量造成了传感器的一个或多个传感层的磁性向量的旋转，这进而造成传感器电属性的变化，该变化可以通过使电流穿过传感器并测量传感器两端的电压而检测到。取决于传感器的几何结构，传感电流可在传感器层的平面(CIP)内或者垂直于传感器层的平面(CPP)穿过。然后外部电路将电压信息转换为适当格式，并且按需处理该信息，以恢复盘上的编码信息。

用于垂直记录换能头的写入器典型地包括主极和返回极，它们在换能头的气垫表面(ABS)被间隙层彼此分开。返回极可包括沿着ABS延伸的前屏蔽(或后屏蔽)部分。前屏蔽可用于向写入器提供改进的磁场梯度，用以提高线性记录密度。主极和返回极可通过后间隙闭合器或后通孔在远离ABS的区域互相连接。一层或多层导电线圈被放置在主极和返回极之间，并由电绝缘层包封。导电线圈可具有不同的构造，例如螺旋或薄饼形构造。为了向盘(或其他磁存储介质)写入数据，电流被施加到导电线圈以在主极的极尖下的盘内生成磁场。通过反转经过线圈的电流的方向，写入到磁存储介质的数据极性被反转，并且磁转变被写入到磁存储介质的两个相邻比特之间。

磁记录头技术的进步主要是由增加HDD的记录密度的需求驱动的。随着记录密度的增长，磁存储介质的数据磁道的磁道宽度趋于变小，也就是说，磁道间距增加了。现代垂直磁记录头的性能与可提供用于写入垂直介质的磁写入场相关，其当磁道间距相对高时趋于减小。换能头的组件配置可相对于能生成的写入场影响性能。例如，相对高的磁道间距趋于限制写入器极尖的尺寸，特别是极尖宽度，并减小主极和前屏蔽之间(以及主极和返回极之间)的间隙层尺寸。所有这些因素趋于弱化写入器的性能。前屏蔽的存在也趋于在写入器可提供的磁场大小方面弱化写入器的性能。

发明概述

一种根据本发明的用于形成具有磁写入器的换能头的方法，包括：形成与写入器极和间隙层相邻的底座，在底座上沉积前屏蔽，蚀刻前屏蔽，以及在蚀刻后的前屏蔽上沉积回填层。所述前屏蔽在蚀刻时具有受控厚度。

附图说明

图1-3为根据本发明的换能头的一部分在各种制造阶段期间的横截面视图。

图4为图1-3中的换能头的该部分在制造完成后的实施例的横截面视图。

图5为图1-3中的换能头的该部分在制造后的实施例的横截面视图。

图6为换能头的实施例的一部分在各种制造阶段期间的横截面视图。

图7为图6中的换能头的该部分在制造完成后的实施例的横截面视图。

图8为根据本发明的换能头的制造方法的流程图。

图9为换能头的制造方法的实施例的流程图。

具体实施方式

一般而言，本发明提供了一种用于硬盘驱动器(HDD)的换能头中的磁写入器的前屏蔽(或后屏蔽)的受控厚度的方法和装置。前屏蔽的厚度(具有一般沿喉部高度方向限定的厚度)在限定喉部高度是显著的，并且在确定磁写入器性能方面是一个重要的参数。在现有技术中，前屏蔽的厚度已在形成换能头的气垫表面(ABS)的研磨过程期间限定。然而，研磨操作往往具有一些变量，这可能导致前屏蔽厚度的变化。取决于所期望的前屏蔽厚度、用于研磨的设备以及用于控制研磨的技术，研磨的变化可以代表前屏蔽的总厚度的一个显著部分。研磨变化的显著性随着更大的面记录密度而增加。制造期间的研磨变化也可引入相同设计的换能头之间的性能变化。因此，喉部高度的控制对于写入器性能，特别是相对高磁道间距的写入器的性能非常重要。本发明提供一种在研磨操作之前且独立于研磨操作限定前屏蔽厚度的方法。将通过查看以下描述而更好的理解本发明的细节以及本发明的进步和优点。

滑块典型地通过这样的过程形成，该过程包括处理包括稍后分离为单个滑块的多个滑块/换能头组件的晶片，尽管不使用晶片而单独形成滑块仍然是可能的。在单个滑块分离之前，晶片的处理一般被称为晶片级制造。晶片级制造可包括在滑块体上各层的选择性沉积、图案化以及材料的去除以及其他处理步骤。在许多情况下，可以同时对晶片的所有滑块/换能头组件进行处理步骤。图1-3为根据本发明的换能头40的一部分在晶片级制造的各阶段期间的横截面视图。尽管图1-3中未示出，但滑块体可位于朝向换能头40所示部分的底部。此外，应该注意到，换能头40可包括其他结构，例如图中为简化而没有示出的读取器组件。

图1为在晶片级制造期间换能头40的写入器的一部分的横截面视图。该换能头40包括主写入器极42、轭层44、间隙层46、底座48及回填物50。轭层44以及主写入器极42由磁通传导材料制成，并被安排成互相接触。主写入器极42以及轭44可具有任意适当的构造，并可使用常规方法形成。尽管未示出，但本领域普通技术人员可以理解，线圈磁耦合到主写入器极42，以便在主写入器极内生成磁场，用来以众所周知的方式进行写入操作。回填物50可用于填充位于与换能头40的写入器组件相邻的区域，且可以是电绝缘的材料。通常，回填物50用于填充在制造过程中由于图案化和其他结构部分的去除而留下的空隙。如图1的实施例所示，回填物50位置同时与主写入器极42和轭44相邻。

间隙层46与轭44相对位于主写入器极42上方并与其相邻的位置。间隙层46典型地由非铁磁材料制成。间隙层46的厚度T₁可根据特定应用的需要而变化。降低厚度T₁可有助于增加换能头40的线性记录密度能力。

底座48与主写入器极42相对位于间隙层46上方并与其相邻的位置。底座48以相对于间隙层46的相邻表面54成角α限定边缘52。角α可以为90°。在可选实施例中，角α可以小于90°。底座48的边缘52可以从间隙层46的表面54延伸经过底座48的整个厚度，并可使用常规的图案化(例如光刻)和蚀刻技术(例如离子研磨、反应离子蚀刻、反应离子束蚀刻等)形成。底座48可由碳、SiC、Al₂O₃、硬化光刻胶材料、Ta或其他合适的材料制成。

在沉积间隙层46和底座48并且限定边缘52之后，可与底座48的边缘52和间隙层46的表面54相邻沉积前屏蔽材料56。前屏蔽材料56可以是磁通传导材料，典型地为诸如NiFe之类的铁磁材料。在所示实施例中，前屏蔽材料56可使用离子束沉积(IBD)、等离子体气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)或其他合适的共形沉积技术来沉积。

如图1所示，前屏蔽材料56限定了前屏蔽第一部分56A、前屏蔽第二部分56B和前屏蔽第三部分56C。前屏蔽第一部分56A具有厚度T₂。前屏蔽第二部分56B沿着间隙层46的表面54延伸并且具有厚度T₃。前屏蔽第三部分56C沿着底座48部分延伸，并且可具有与前屏蔽第二部分56B几乎相同的厚度T₃。

图2为在晶片级制造期间，图1所示阶段之后的阶段中换能头40的写入器的该部分的横截面视图。在沉积前屏蔽材料56之后，可以蚀刻前屏蔽材料56，以便限定前屏蔽第一部分56A的表面58，并调节厚度T₂和T₃。蚀刻可以改变厚度T₂和T₃的比率，并可完全去除前屏蔽材料56被选择的部分。应该注意的是，蚀刻可以通过这样的方式选择性地执行：增加前屏蔽第一部分56A的厚度T₂，但再沉积从屏蔽第二部分56B去除的材料。用于去除前屏蔽材料56的一部分的蚀刻技术可包括离子研磨、反应离子蚀刻、反应离子束蚀刻以及其他合适的蚀刻工艺。蚀刻过程可按角度α执行(见图1)，基本平行于底座48的边缘52，以便形成基本平行于边缘52的前屏蔽第一部分56A的表面58。蚀刻之后，表面58基本为平面，并且安排为基本平行于底座48的边缘52。如图2所示，蚀刻操作已经完全去除了前屏蔽第二部分56B和前屏蔽第三部分56C(去除的前屏蔽的第二部分56B和第三部分56C在图2中显示为假想线)，留下了可表示完整的换能头40的前屏蔽结构的前屏蔽第一部分56A。

表面58的形成导致厚度T₂的最大值的限定。在所示实施例中，第一部分56A的横截面基本为矩形，并且接触间隙层46表面54。间隙层46的表面54的一部分通过假象线所示的前屏蔽材料56的一部分的去除而暴露出来。在蚀刻时，厚度T₂可大于约10nm，例如在约10-100nm的范围之内，并且在一个实施例中可以为约50-100nm，并且在另一个实施例中可以为约50nm。厚度T₂的具体值可以按照特定应用的需要而变化。

图3为在晶片级制造期间，图2所示阶段之后的阶段的换能头40的写入器的该部分的横截面视图。如图3所示，与前屏蔽第一部分56A的表面58以及间隙层46表面54相邻沉积回填物60。回填物60可以是诸如Ta之类的非铁磁材料，并且可以是与回填物50相同或不同的材料。在沉积回填物60之后，可以执行研磨操作，从而限定换能头40的ABS。

图4为换能头40的该部分的实施例在研磨操作完成后——也就是在图3所示阶段之后的阶段晶片级制造完成或接近完成——的横截面视图。换能头40被研磨操作去除的部分以假象线显示。研磨目标62在期望的ABS位置建立。研磨操作可以以常规的方式使用公知的技术和设备进行。如图4所示，研磨在与研磨目标62位置相对应的位置限定ABS 64。研磨还在ABS 64处限定主写入器极42的极尖。在所示实施例中，ABS 64与前屏蔽第一部分56A的表面58对齐并暴露该表面，并且回填物60已经被完全去除，但研磨操作并未改变前屏蔽第一部分56A的厚度T₂。研磨操作通常包括离开给定研磨目标的一些偏差。例如，在使用常规设备和技术的情况下，研磨偏差在约正负15nm(或更小)范围内都是正常的。但是，由于厚度T₂的最大值在研磨操作之前限定，所以研磨偏差将无法增加所完成的换能头40的厚度T₂，这将有助于提供更一致的性能特性。

图5为换能头40的该部分的替换实施例在研磨操作完成后，也就是图3所示的阶段之后的阶段晶片级制造完成或接近完成时的横截面视图。换能头40被研磨操作去除的部分以假象线显示。如图5所示，替换研磨目标62’选择为与前屏蔽第一部分56A的表面58间隔开距离T₄。ABS 64限定在与研磨目标62’位置相对应的位置。在所示实施例中，回填物第一部分60A在研磨操作后仍然保留，只去除回填物60的一部分。回填物第一部分60A充当隔离物，这样前屏蔽第一部分56A从ABS 64凹入。

如上所指出的，研磨操作通常包括离开给定研磨目标的一些偏差，并且研磨偏差在约正负15nm范围内都是正常的。通过将距离T₄选定为至少等于给定研磨偏差(例如，大于约15nm)，在研磨操作中厚度T₂减小的风险就可被降低或消除。如果将距离T₃选定为大于给定研磨偏差(例如，大于约15nm)，则回填物第一部分60A在研磨后仍然保留，而不管任何去除回填物60相对于研磨目标62’更接近于前屏蔽第一部分56A的附加量的研磨偏差。

回填物第一部分60A的存在可提供一些优点。例如，由于ABS 64在使用期间受到潜在的磨损(例如由于氧化、摩擦、滑块和旋转的磁存储介质之间接触等)，所以可选择回填物第一部分60A的材料属性以控制换能头40的磨损特性。回填物第一部分60A为“近点”，也就是说，它表示换能头40的写入器离开相关存储介质(例如HDD系统的磁盘)最小距离的部分。保持回填物第一部分60A随时间变化的相对恒定厚度，并且从而保持前屏蔽第一部分56A离开相关存储介质相对恒定距离的能力可能是有益的。此外，回填物第一部分60A材料属性的选择可助于控制换能头40接近主写入器极42的热机械能力。这可助于例如在换能头40操作期间控制极和屏蔽的衰退特性。

根据本发明，还可以有众多替换的前屏蔽构造。图6为制造期间换能头40’的另一实施例的一部分的横截面视图。可类似于图1所示的换能头40来构造换能头40’。然而，换能头40’之后的制造阶段可不同于换能头40。如图6所示，给出了前屏蔽第一部分56A和前屏蔽第二部分56B，其可通过适当地调节蚀刻过程，以留下整个前屏蔽第二部分56B的至少一部分(或通过完全省略蚀刻过程)而完成。在所示实施例中。前屏蔽第一部分56A和前屏蔽第二部分56B各自的横截面都基本为矩形，并且形成“L”形。表面58的形成仍然会导致限定厚度T₂最大值。

前屏蔽第二部分56B限定表面68，其可安排为基本平行于间隙层46的表面54。在所示实施例中，前屏蔽第二部分56B邻接前屏蔽第一部分56A，并且间隙层46的表面54被前屏蔽材料56所覆盖。厚度T₂可大于约10nm，例如在约10-100nm的范围之内，并且在一个实施例中可以为约50-100nm，并且在另一个实施例中可以为约50nm。前屏蔽第二部分56B可具有大致等于T₂的厚度T₃，尽管厚度T₂和T₃每个的特定值都可以按照特定应用的需要而独立变化。

与前屏蔽第一部分56A的表面58以及前屏蔽第二部分56B的表面68相邻沉积回填物60。回填物60可以是诸如Ta之类的非铁磁材料，并且可以是与回填物50相同或不同的材料。在沉积回填物60之后，可以执行研磨操作，从而限定换能头40’的ABS。

图7为图6中的换能头的该部分的一个实施例在研磨操作完成后，也就是图6所示的阶段之后的阶段在制造完成或接近完成时的横截面视图。换能头40’被研磨操作去除的部分以假想线显示。如图7所示，研磨目标62”选择为与前屏蔽第一部分56A的表面58间隔开距离T₅。ABS 64限定在与研磨目标62”位置相对应的位置。应该认识到，研磨目标62”的位置可按照特定应用的需要而变化。在所示实施例中，回填物部分60C在研磨操作后仍然保留，只去除回填物60中以假想线显示的部分。从而回填物部分60C充当隔离物，这样前屏蔽第一部分56A从ABS 64凹入。然而，前屏蔽第二部分56B延伸到ABS 64，并且暴露于ABS 64。

如上所指出的，研磨操作通常包括离开给定研磨目标的一些偏差，并且研磨偏差在约正负15nm范围内都是正常的。通过将距离T₅选定为至少等于给定研磨偏差(即大于约15nm)，在研磨操作期间前屏蔽第一部分56A的厚度T₂减小的风险就可被降低或消除。如果将距离T₅选定为大于给定研磨偏差(例如，大于约15nm)，则回填物部分60C在研磨后仍然保持与前屏蔽第一部分56A相邻，而不管任何去除回填物60相对于研磨目标62”更接近于前屏蔽第一部分56A的附加量的研磨偏差。然而，在换能头40’的这个实施例中，前屏蔽第二部分56B通常延伸到ABS 64，而不管研磨目标62”的位置或者研磨偏差量如何。这种构造可有助于减小由操作期间前屏蔽衰退导致的性能偏差，因为前屏蔽第二部分56B通常总是延伸到ABS 64。

图8为根据本发明的换能头制造方法的流程图。首先，形成轭、主写入器极和间隙层(分别为步骤100、102和104)。步骤100、102和104可以按任意特定应用所需的顺序进行。应当注意的是，这些步骤可以按常规的方式执行，并可包括任何合适的沉积、图案化、材料去除或者其他所需的工艺。在此讨论步骤100、102和104仅仅是为了提供下述方法步骤的背景。因此，在替换实施例中可省略步骤100、102和104，并可包括未具体提到的额外步骤。

其次，形成底座(步骤106)。所述底座可在间隙层上形成。应当理解的是，步骤106中底座的形成可包括任何合适的沉积、图案化、材料去除或者其他所需的工艺。所形成的底座通常提供随后将沉积前屏蔽材料的边缘。

形成底座后，与底座相邻，并且通常也与间隙层的表面相邻沉积前屏蔽材料(步骤108)。该前屏蔽材料可使用例如离子束沉积(IBD)、等离子体气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)或其他合适的共形沉积技术来沉积。然后蚀刻该前屏蔽材料(步骤110)。步骤110去除前屏蔽材料的一部分，并在适当的位置留下所沉积的前屏蔽材料的至少一部分。所保留的前屏蔽材料可具有任意期望的构造。蚀刻过程限定前屏蔽(沿喉部高度方向)的最大厚度。适于去除前屏蔽材料的该部分的蚀刻技术包括离子研磨、反应离子蚀刻、反应离子束蚀刻以及其他公知的蚀刻工艺。

在前屏蔽材料被蚀刻成所需的构造之后，与所保留的前屏蔽材料相邻沉积回填物(步骤112)。然后执行研磨操作，以限定用于换能头的ABS(步骤114)。研磨可包括设置研磨目标，然后执行研磨操作，以除去材料至研磨目标。由于之前限定了前屏蔽的最大厚度，所以该厚度在研磨操作期间不会增加。此外，如果研磨目标建立在大于或等于与研磨操作相关的研磨偏差的距离处，则研磨操作期间前屏蔽的最小厚度可保持不变。另外，如果研磨目标建立在大于与研磨操作相关的研磨偏差的距离处，那么回填物的一部分将保留为所保留的前屏蔽材料和ABS之间的隔离物。

图9为换能头制造方法的替换实施例的流程图。首先，形成轭、主写入器极和间隙层(分别为步骤200、202和204)。步骤200、202和204可以按任意特定应用所需的顺序进行。应当注意的是，这些步骤可以按常规的方式执行，并可包括任何合适的沉积、图案化、材料去除或者其他所需的过程。在此讨论步骤200、202和204仅仅是为了提供下述方法步骤的背景。因此，在替换实施例中可省略步骤200、202和204，并可包括未具体提到的额外步骤。

其次，形成底座(步骤206)。所述底座可在间隙层上形成。应当理解的是，步骤206中底座的形成可包括任何合适的沉积、图案化、材料去除或者其他所需的工艺。所形成的底座通常提供随后将沉积前屏蔽材料的边缘。

形成底座后，与底座相邻，并且通常也与间隙层的表面相邻以受控厚度沉积前屏蔽材料(步骤208)。在这一实施例中，沉积过程限定前屏蔽的最大厚度，减少或去掉了所需要的后续材料去除步骤(即蚀刻)。

在前屏蔽材料以期望的构造形成在合适的位置之后，与前屏蔽材料相邻沉积回填物(步骤210)。然后执行研磨操作，以限定用于换能头的ABS(步骤212)。研磨可包括设置研磨目标，然后执行研磨操作，以除去材料至研磨目标。由于之前限定了前屏蔽的最大厚度，所以该厚度在研磨操作期间不会增加。此外，如果研磨目标建立在大于或等于与研磨操作相关的研磨偏差的距离处，则研磨操作期间前屏蔽的最小厚度可保持不变。另外，如果研磨目标建立在大于与研磨操作相关的研磨偏差的距离处，那么回填物的一部分将保留为前屏蔽材料和ABS之间的隔离物。

尽管已经参照优选实施例对本发明进行了说明，但本领域技术人员将认识到，可在不背离本发明的精神和范畴的情况下，在形式和细节方面作出改变。例如，未特别讨论的附加结构和附加制造过程也可为本发明所用。

Claims

1.一种用于形成具有磁写入器的换能头的方法，所述方法包括：

形成与间隙层相邻的底座；

在所述底座上沉积前屏蔽；

蚀刻所述前屏蔽，其中所述前屏蔽在蚀刻时具有受控厚度；

以及

在蚀刻之后在所述前屏蔽上沉积回填物层，其中所述前屏蔽的第一部分定位在回填物层与底座之间。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

研磨所述换能头，以限定气垫表面，其中研磨所述换能头去除所述回填物层的至少一部分。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，研磨所述换能头将所述前屏蔽暴露于气垫表面。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在研磨之前限定所述前屏蔽的厚度，并且在研磨期间保持不变。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，研磨所述换能头留下气垫表面和前屏蔽之间的回填物层的一部分。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用离子束沉积技术来沉积所述前屏蔽。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用等离子体气相沉积技术来沉积所述前屏蔽。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用离子研磨技术来蚀刻所述前屏蔽。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用反应离子蚀刻技术来蚀刻所述前屏蔽。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用反应离子束蚀刻技术来蚀刻所述前屏蔽。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

形成写入器极；以及

形成与写入器极相邻的间隙层，其中所述间隙层在所述写入器极和所述底座之间延伸。

12.一种用于形成具有磁写入器的换能头的方法，所述方法包括：

形成与间隙层相邻的底座；

在所述底座上沉积前屏蔽；

在所述前屏蔽上沉积回填物层，其中所述前屏蔽的第一部分定位在回填物层与底座之间；以及

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，使用原子层沉积技术来沉积所述前屏蔽。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述前屏蔽在沉积时具有受控厚度。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：

在沉积回填物层之前蚀刻所述前屏蔽，其中蚀刻所述前屏蔽限定前屏蔽的厚度。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，使用选自下组的技术蚀刻所述前屏蔽，该组包括：离子研磨、反应离子蚀刻和反应离子束蚀刻。

17.如权利要求12所述的方法，其特征在于，研磨所述换能头将所述前屏蔽暴露于气垫表面。

18.如权利要求12所述的方法，其特征在于，研磨所述换能头留下气垫表面和前屏蔽之间的回填物层的一部分。

19.一种用于换能头的磁写入器，所述磁写入器包括：

写入器极，所述写入器极将极尖限定在所述换能头的气垫表面上；

间隙层；

底座，其中所述间隙层在所述写入器极和所述底座之间延伸；

前屏蔽，所述前屏蔽与所述底座和所述间隙层相邻定位；以及

回填物层，所述回填物层定位在气垫表面上，其中所述前屏蔽的第一部分定位在回填物层与底座之间，并且与气垫表面间隔开。

20.如权利要求19所述的写入器，其特征在于，所述前屏蔽的第二部分从所述前屏蔽的第一部分延伸到所述气垫表面。