CN101916019B - 液晶显示面板、像素阵列基板及其像素结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液晶显示面板、像素阵列基板及其像素结构。该像素结构包括至少一第一子像素电极、至少一第二子像素电极、至少一公共线、至少一电性连接至第一子像素电极的第一晶体管以及至少一电性连接至第二子像素电极的第二晶体管。公共线分别与第一子像素电极与第二子像素电极重叠耦合构成第一储存电容与第二储存电容，其中第二储存电容的电容值大于第一储存电容的电容值。第一晶体管的第一调整电容的电容值大于第二晶体管的第二调整电容的电容值。

Description

液晶显示面板、像素阵列基板及其像素结构

技术领域

本发明涉及一种液晶显示面板、像素阵列结构以及其像素结构，尤指一种绿色子像素的储存电容的电容值大于其红色子像素与蓝色子像素的储存电容的电容值的液晶显示面板、像素阵列结构以及其像素结构。

背景技术

一般而言，液晶显示面板具有重量轻、功率消耗少以及低辐射等等的优点，因此，液晶显示面板已广泛地应用于市面上多种可携式信息产品，例如笔记本电脑(notebook)以及个人数字助理(personal digital assistant，PDA)等商品。当进行液晶显示面板的驱动时，因其中的液晶分子固定在一个角度太久，会造成液晶分子产生形变惯性，使液晶显示面板无法转换画面，因此为了避免降低液晶显示面板的显示品质，一般会使用极性反转的驱动方式。

一般极性反转的驱动方式可区分为帧反转(frame inversion)、列反转(rowinversion)、行反转(column inversion)以及点反转(dot inversion)等方式。请参考图1，图1为已知液晶显示面板利用点反转的驱动方式显示白色垂直条状图案的子像素极性排列示意图。如图1所示，已知液晶显示面板10包括多个呈矩阵方式排列的子像素12。各行的子像素12分别依序为显示红色、绿色与蓝色的子像素12，且红色子像素12、与红色子像素12相邻的绿色子像素12与与绿色子像素12相邻的蓝色子像素12构成像素18。当液晶显示面板10利用点反转的驱动方式来驱动时，位于同一列的子像素12的极性排列为正极性14与负极性16交替依序排列，且位于同一行的子像素12的极性排列亦为正极性14与负极性16交替依序排列。

并且，当液晶显示面板10进行白色垂直条状图案的测试时，位于同一列的像素18呈现一亮一暗交替排列的画面，且位于同一行的像素18呈同时亮或同时暗的画面。于此驱动方式中，位于第一列已开启的红色子像素12与蓝色子像素12皆具有正极性，且位于第一列已开启的绿色子像素12则具有负极性。其中，子像素12的极性由各子像素12的像素电极的电压相较于公共电压来做判定，子像素12的极性为正极性时，像素电极的电压大于公共电压，且像素电极处于高电平。反之，像素电极的电压小于公共电压，且像素电极处于低电平。

请参考图2，图2为图1位于第一列的红色子像素/蓝色子像素的像素电极的电压与绿色子像素的像素电极的电压的时序示意图。如图1与图2所示，位于同一列中，当具有正极性14的子像素12数量较具有负极性16的子像素12的多时，即表示提供至红色子像素12与蓝色子像素12的数据信号Vd位于高电平，而提供至绿色子像素12的数据信号Vd位于低电平，公共电压Vcom的大小容易受到提供至红色子像素12与蓝色子像素12的数据信号Vd影响而往高电平的电压偏移，使驱动红色子像素12/蓝色子像素12的像素电压差变小，而使驱动绿色子像素12的像素电压差增加。进一步造成红色子像素12/蓝色子像素12所显示出的灰阶较低，而绿色子像素12所显示出的灰阶较高。因此，当液晶显示面板10利用点反转的驱动方式来进行白色垂直条状图案的测试时，液晶显示面板10会产生偏绿色(Greenish)的画面。有鉴于此，解决产生偏绿色画面的问题实为业界努力的目标。

发明内容

本发明的主要目的之一在于提供一种液晶显示面板、像素阵列基板及其像素结构，以解决上述产生偏绿色画面的问题。

为达上述的目的，本发明提供一种像素结构，设置于基板上。基板上具有第一子像素区与第二子像素区。像素结构包括至少一第一子像素电极、至少一第二子像素电极、至少一公共线、至少一第一晶体管、至少一第二晶体管以及扫描线。第一子像素电极与第二子像素电极分别设置于基板的第一子像素区与第二子像素区上。公共线设置于基板上，且越过第一子像素区以及第二子像素区。公共线分别与第一子像素电极与第二子像素电极重叠耦合构成至少一第一储存电容与至少一第二储存电容，其中第二储存电容的电容值大于第一储存电容的电容值。第一晶体管与第二晶体管设置于基板上，且分别与第一子像素电极与第二子像素电极电性连接。第一晶体管具有第一调整电容，且第二晶体管具有第二调整电容，其中第一调整电容的电容值大于第二调整电容的电容值。扫描线设置于基板上，且越过第一子像素区以及第二子像素区。扫描线分别跟第一晶体管与第二晶体管电性连接。

为达上述的目的，本发明提供一种像素阵列基板，其包括基板以及多个像素结构。基板上定义有多个像素区，呈矩阵方式排列，其中各像素区定义有第一子像素区与第二子像素区。多个像素结构分别设于各像素区中，且各像素结构包括至少一第一子像素电极、至少一第二子像素电极、至少一公共线、至少一第一晶体管、至少一第二晶体管以及扫描线。第一子像素电极与第二子像素电极分别设置于基板的第一子像素区与第二子像素区上。公共线设置于基板上，且越过第一子像素区以及第二子像素区。公共线分别与第一子像素电极与第二子像素电极重叠耦合构成至少一第一储存电容与至少一第二储存电容，其中第二储存电容的电容值大于第一储存电容的电容值。第一晶体管与第二晶体管设置于基板上，且分别与第一子像素电极与第二子像素电极电性连接。第一晶体管具有第一调整电容，且第二晶体管具有第二调整电容，其中第一调整电容的电容值大于第二调整电容的电容值。扫描线设置于基板上，且越过第一子像素区以及第二子像素区。扫描线分别跟第一晶体管与第二晶体管电性连接。

为达上述的目的，本发明提供一种液晶显示面板，其包括第一基板、多个像素结构、第二基板以及液晶层。第一基板上定义有多个像素区，呈矩阵方式排列，其中各像素区定义有第一子像素区与第二子像素区。像素结构分别设于各像素区中，且各像素结构包括至少一第一子像素电极、至少一第二子像素电极、至少一公共线、至少一第一晶体管、至少一第二晶体管以及扫描线。第一子像素电极与第二子像素电极分别设置于基板的第一子像素区与第二子像素区上。公共线设置于基板上，且越过第一子像素区以及第二子像素区。公共线分别与第一子像素电极与第二子像素电极重叠耦合构成至少一第一储存电容与至少一第二储存电容，其中第二储存电容的电容值大于第一储存电容的电容值。第一晶体管与第二晶体管设置于基板上，且分别与第一子像素电极与第二子像素电极电性连接。第一晶体管具有第一调整电容，且第二晶体管具有第二调整电容，其中第一调整电容的电容值大于第二调整电容的电容值。扫描线设置于基板上，且越过第一子像素区以及第二子像素区。扫描线分别跟第一晶体管与第二晶体管电性连接。第二基板与第一基板相对设置。液晶层设置于第一基板与第二基板之间。

本发明调整像素结构的第二储存电容至的电容值大于第一储存电容的电容值，使具有正极性的第二子像素电极对公共线所产生的耦合效应较负极性的第一子像素电极对公共线所产生的耦合效应高，进而降低公共线的公共电压的受到像素电压的影响，以解决偏绿色画面的问题。并且，本发明更调整像素结构的第二调整电容至小于第一调整电容，以避免因第二储存电容的电容值大于第一储存电容的电容值造成画面亮度不足或画面闪烁，进而可于正常显示状态下解决偏绿色画面的问题。

附图说明

图1为已知液晶显示面板利用点反转的驱动方式显示白色垂直条状图案的子像素极性排列示意图。

图2为图1位于第一列的红色子像素/蓝色子像素的像素电极的电压与绿色子像素的像素电极的电压的时序示意图。

图3为本发明子像素的等效电路示意图。

图4为本发明第一优选实施例的液晶显示面板的剖面示意图。

图5为本发明第一优选实施例的像素阵列基板的俯视示意图。

图6为本发明第一优选实施例的各像素结构的俯视示意图。

图7为本发明第一优选实施例的像素结构随着第一储存电容以及第三储存电容与第二储存电容具有不同的比例所具有的像素电压的时序曲线图。

图8为本发明第一优选实施例的各像素结构沿着图6中AA’线的剖面示意图。

图9为本发明第一优选实施例的各像素结构沿着图6中BB’线的剖面示意图。

图10为本发明第一优选实施例的第一晶体管的放大示意图。

图11为本发明第一优选实施例的第二晶体管的放大示意图。

图12为本发明第二优选实施例的像素结构的俯视示意图。

图13为本发明第三优选实施例的像素结构的俯视示意图。

图14为本发明第四优选实施例的像素结构的俯视示意图。

附图标记说明

10     液晶显示面板   12     子像素

14     正极性         16     负极性

18     像素           100    子像素

102    扫描线         104    数据线

106    晶体管              108    公共电极

110    公共线              112    储存电容

114    液晶电容            116    耦合电容

118    耦合电容            120    耦合电容

122    耦合电容            150    液晶显示面板

152    像素阵列基板        154    彩色滤光片基板

156    液晶层              158    第一基板

160    像素结构            162    第二基板

164    公共电极            166    像素区

168    第一子像素区        170    第二子像素区

172    第三子像素区        174a   第一方向

174b   第二方向            176    第一数据线

178    第二数据线          180    第三数据线

182    扫描线              184    公共线

186    第一子像素电极      188    第二子像素电极

190    第三子像素电极      192    第一晶体管

192a   第一调整电容        194    第二晶体管

194a   第二调整电容        196    第三晶体管

198    第一储存电容        200    第二储存电容

202    第三储存电容        204    第一像素电压时序曲线

206    第二像素电压时序曲线208    第三像素电压时序曲线

210    第一低电平          212    第二低电平

214    第三低电平          216    第一透明电极

218    第二透明电极        220    第三透明电极

222    绝缘层              224    保护层

226    开口                228    开口

230    第一栅极            232    第一源极

234    第一漏极            234a   第一区块

234b  第二区块             236    第一半导体层

238    第二栅极            240    第二源极

242    第二漏极            242a   第三区块

242b   第四区块              244    第二半导体层

250    像素结构              252    第一上侧子像素电极

254    第一下侧子像素电极    256    第二上侧子像素电极

258    第二下侧子像素电极    260    第三上侧子像素电极

262    第三下侧子像素电极    264    第一公共线

266    第二公共线            268    扫描线

270    第一上侧储存电容      272    第一下侧储存电容

274    第二上侧储存电容      276    第二下侧储存电容

278    第三上侧储存电容      280    第三下侧储存电容

282    第一上侧晶体管        284    第一下侧晶体管

286    第二上侧晶体管        288    第二下侧晶体管

290    第三上侧晶体管        292    第三下侧晶体管

294    第一数据线            296    第二数据线

298    第三数据线            300    第四数据线

302    第五数据线            304    第六数据线

350    像素结构              400    像素结构

402    数据线

具体实施方式

为使本发明所属技术领域的一般技术人员能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的数个优选实施例，并配合附图，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。

请参考图3，图3为本发明子像素的等效电路示意图。如图3所示，本发明的子像素100电性连接至扫描线102以及数据线104，并且子像素100包括晶体管106以及像素电极(未示于图3)。像素电极电性连接至晶体管106的漏极，且晶体管106的源极电性连接至数据线104，而晶体管106的栅极电性连接至扫描线102。并且，像素电极与公共电极108以及公共线110重叠耦合，使像素电极与公共线110之间耦合有储存电容112，像素电极与彩色滤光片基板的公共电极108之间耦合有液晶电容114。数据线104、扫描线102、公共线110以及晶体管106位于像素阵列基板上，且公共电极108位于彩色滤光片基板上。此外，晶体管106的漏极与扫描线102之间耦合有栅极-漏极之间的耦合电容116，且数据线104与扫描线102之间耦合有栅极-源极之间的耦合电容118。数据线104与阵列基板的公共线110之间耦合有阵列基板侧的数据线104-公共线110之间的耦合电容120，且数据线104与彩色滤光片基板的公共电极108之间另耦合有彩色滤光片基板侧的数据线104-公共电极108之间的耦合电容122。由此可知，当晶体管106接收到扫描信号而开启时，数据信号亦会透过晶体管106而提供至像素电极。此时，由于数据线104与公共线110或公共电极108之间具有耦合电容，亦即阵列基板侧的数据线104-公共线110之间的耦合电容120、彩色滤光片基板侧的数据线104-公共电极108之间的耦合电容122、储存电容112以及液晶电容114，因此公共线110与公共电极108上的电压会受到数据信号的影响而产生偏移。

因此，为了改善因极性不平衡所产生偏绿色画面的问题，本发明是于不改变彩色滤光片基板侧的数据线104-公共电极108之间的耦合电容122、阵列基板侧的数据线104-公共线110之间的耦合电容120以及液晶电容114的情况下，通过调整各子像素的储存电容112的大小，使单一像素区内红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素具有不同的储存电容值。由此，红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素得以具有相同大小的像素电压，进而解决偏绿色画面的问题。

请参考图4与图5，图4为本发明第一优选实施例的液晶显示面板的剖面示意图，图5为本发明第一优选实施例的像素阵列基板的俯视示意图。如图4所示，液晶显示面板150包括像素阵列基板152、彩色滤光片基板154以及液晶层156。像素阵列基板152与彩色滤光片基板154相对设置，且液晶层156设于像素阵列基板152与彩色滤光片基板154之间。其中，像素阵列基板152包括第一基板158以及多个像素结构160，且像素结构160设于第一基板158上。彩色滤光片基板154包括第二基板162以及设于第二基板162上的公共电极164。如图5所示，第一基板158上定义有多个像素区166，呈矩阵方式排列，且各像素结构160分别设于各像素区166内。各像素区166定义有第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172，且第一子像素区168、第二子像素区170与第三子像素区172沿着第一方向174a依序排列。于本优选实施例中，第一子像素区168为红色子像素区，第二子像素区170为绿色子像素区，第三子像素区172为蓝色子像素区。但本发明不以此为限，第一子像素区168、第二子像素区170或第三子像素区172亦可为红色子像素区、绿色子像素区与蓝色子像素区的任一者或为其他颜色的子像素区，使第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172的组合可显示出白色。并且，位于第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172中的液晶胞间隙(cell gap)皆相同，使液晶显示面板150位于各第一子像素区168、各第二子像素区170以及各第三子像素区172中具有相同的液晶电容。

请参考图6，且一并参考图5。图6为本发明第一优选实施例的各像素结构的俯视示意图。如图6所示，本优选实施例的各像素结构160包括第一数据线176、第二数据线178、第三数据线180、扫描线182、公共线184、第一子像素电极186、第二子像素电极188、第三子像素电极190、第一晶体管192、第二晶体管194以及第三晶体管196。第一数据线176、第二数据线178与第三数据线180分别沿着第二方向174b设置，且分别设于第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172的一侧的第一基板158上。第一数据线176、第二数据线178与第三数据线180分别电性连接至第一晶体管192、第二晶体管194以及第三晶体管196的源极。扫描线182设置于第一基板158上，且越过第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172，并与第一数据线176、第二数据线178以及第三数据线180相互交错。扫描线182分别跟第一晶体管192、第二晶体管194与第三晶体管196的栅极电性连接，且第一晶体管192、第二晶体管194与第三晶体管196的漏极分别电性连接至第一子像素电极186、第二子像素电极188以及第三子像素电极190。第一子像素电极186、第二子像素电极188以及第三子像素电极190分别设于第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172的第一基板158上，且第一子像素电极186、第二子像素电极188以及第三子像素电极190由透明导电材料所构成，例如：铟锡氧化物或铟锌氧化物等，但不以此为限。此外，公共线184设置于第一基板158上，且越过第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172。值得注意的是，公共线184分别与第一子像素电极186、第二子像素电极188与第三子像素电极190重叠耦合构成第一储存电容198、第二储存电容200与第三储存电容202。并且，第二储存电容200的电容值大于第一储存电容198的电容值与第三储存电容202的电容值，且第一储存电容198的电容值约略等于第三储存电容202的电容值。

当液晶显示面板150开始显示时，扫描线182传送扫描信号至第一晶体管192、第二晶体管194与第三晶体管196的栅极，以开启第一晶体管192、第二晶体管194与第三晶体管196。同时，第一数据线176与第三数据线180分别传送具有第一极性的显示信号至第一子像素电极186以及第三子像素电极190，且第二数据线传178传送具有第二极性的显示信号至第二子像素电极188，其中第一极性相反于第二极性。亦即，当第一极性为正极性，则第二极性为负极性，或者反之亦可。因此，本优选实施例的第一子像素电极186与第三子像素电极190具有第一极性，且第二子像素电极188具有第二极性。于本优选实施例的各像素结构160中，虽然具有正极性的子像素电极的数量依然大于具有负极性的子像素电极的数量，但本优选实施例电性连接至第一子像素电极186与第三子像素电极190的第一储存电容198与第三储存电容202小于电性连接至第二子像素电极188的第二储存电容200，因此第一子像素电极186或第三子像素电极190对公共线184所产生的耦合效应较第二子像素电极188对公共线184所产生的耦合效应低。由此，本优选实施例是将第一子像素电极186与第三子像素电极190对公共线184所产生的耦合效应的总和调整至与第二子像素电极188对公共线184所产生的耦合效应相同，亦即将正极性的显示信号与负极性的显示信号对公共线184的耦合效应调整至相同时，公共线184的电压并不会改变，因而解决了偏绿色画面的问题。

以下将进一步说明各像素结构的储存电容的比例与子像素电极的电压的关系，以说明本发明调整第一储存电容、第二储存电容以及第三储存电容所具有的功效。请参考图7，且一并参考图6，图7为本发明第一优选实施例的像素结构随着第一储存电容以及第三储存电容与第二储存电容具有不同的比例所具有的像素电压的时序曲线图。如图7所示，在第一像素电压时序曲线204中，第一储存电容198、第二储存电容200与第三储存电容202并未调整，亦即与已知液晶显示面板的电压时序图相同。并且，第一像素电压时序曲线204具有第一低电平210。于第二像素电压时序曲线206中，第一储存电容198以及第三储存电容202与液晶电容的比例为1.3，且第二储存电容200与液晶电容的比例为1.8。第二像素电压时序曲线206具有第二低电平212。于第三像素电压时序曲线208中，第一储存电容198以及第三储存电容202与液晶电容的比例为0.9，且第二储存电容200与液晶电容的比例为1.8。第三像素电压时序曲线208具有第三低电平214。值得注意的是，第一低电平210位大于第二低电平212以及第三低电平214，亦即第一低电平210偏离零电平的电压差最大。并且，第二低电平212大于第三低电平214，且第三低电平214接近零电平。由此可知，当第一储存电容198与第三储存电容202小于第二储存电容200时，像素电压的低电平偏移的情况会改善，且当第二储存电容200的电容值约略大于第一储存电容198的电容值与第三储存电容202的电容值两倍时，像素电压的低电平偏移的改善情况为优选。

请继续参考图6。本优选实施例的各像素结构160另包括第一透明电极216、第二透明电极218以及第三透明电极220，分别用于调整第一储存电容198、第二储存电容200以及第三储存电容202。其中，第一透明电极216、第二透明电极218以及第三透明电极220分别电性连接至第一子像素电极186、第二子像素电极188以及第三子像素电极190，使第一透明电极216、第二透明电极218以及第三透明电极220分别与公共线184耦合构成第一储存电容198、第二储存电容200与第三储存电容202。于本优选实施例中，第一透明电极216、第二透明电极218以及第三透明电极220是由透明导电材料所构成，例如：铟锡氧化物或铟锌氧化物等，以避免影响各像素结构160的开口率。

由于第一储存电容与第三储存电容具有相同结构，因此为了清楚说明第一储存电容、第二储存电容与第三储存电容的结构，以下描述以第一储存电容与第二储存电容为例来说明。请参考图8与图9，且一并参考图6。图8为本发明第一优选实施例的各像素结构沿着图6中AA’线的剖面示意图，图9为本发明第一优选实施例的各像素结构沿着图6中BB’线的剖面示意图。如图6与图8所示，第一透明电极216设于第一子像素电极186与公共线184之间，且各像素结构160另包括绝缘层222以及保护层224。绝缘层222设于第一透明电极216以及公共线184之间，用以电性隔离公共线184与第一透明电极216。保护层224设于第一子像素电极186以及绝缘层222之间，用以保护第一基板158上的电子元件与线路。并且，保护层224具有开口226，使第一透明电极216与第一子像素电极186互相接触。第一透明电极216与公共线184具有第一重叠面积A1，用以调整第一储存电容198。同样地，第三透明电极220设于第三子像素电极190与公共线184之间，且保护层224可另具有开口，使第三透明电极220与第三子像素电极190互相接触。并且，第三透明电极220与公共线184具有第二重叠面积A2，用以调整第三储存电容202。如图6与图9所示，第二透明电极218设于第二子像素电极188与公共线184之间，且绝缘层222设于第二透明电极218与公共线184之间。保护层224设于第二子像素电极188与绝缘层222之间，且保护层224另具有开口228，使第二透明电极220与第二子像素电极188互相接触。并且，第二透明电极218与公共线184具有第三重叠面积A3，用以调整第二储存电容200。于本优选实施例中，由于第二透明电极218的面积大于第一透明电极216或第三透明电极220的面积，使第二重叠面积A2大于第一重叠面积A1与第三重叠面积A3。由此，第二储存电容200的电容值可被调整至大于第一储存电容198的电容值与第三储存电容202的电容值。不过，本发明改变第一储存电容198、第二储存电容200与第三储存电容202的方法并不限于调整第一透明电极216、第二透明电极218与第三透明电极220的面积，亦可通过调整公共线184的大小，使第二重叠面积A2大于第一重叠面积A1与第三重叠面积A3，进而改变第一储存电容198、第二储存电容200与第三储存电容202的耦合电容值。或者是分别改变第一储存电容198、第二储存电容200与第三储存电容202的上下电极中间的介电层厚度或是介电常数，同样可以达到改变耦合电容值得目的。

值得注意的是，液晶显示面板中各子像素电极的像素电压变化量与各子像素区中的总耦合电容呈反比，因此各子像素电极的像素电压变化量会随着各子像素区的储存电容的不同而不同。然而，根据馈通电压(feed-throughvoltage)的公式，各子像素电极具有不同的像素电压变化量大时会容易造成画面亮度不足或画面闪烁(flicker)的情形发生。因此画面亮度不足或画面闪烁的情形发生时，为了使各子像素电极具有固定的像素电压变化量，各子像素区中晶体管的栅极与漏极间的耦合电容优选是跟储存电容作相反比例的调整，以平衡各子像素区中的总耦合电容对像素电压变化量的影响。请参考图10与图11，图10为本发明第一优选实施例的第一晶体管的放大示意图，图11为本发明第一优选实施例的第二晶体管的放大示意图。如图10所示，第一晶体管192包括第一栅极230、第一源极232、第一漏极234以及第一半导体层236。第一栅极230为扫描线的一部分，且第一半导体层236设于第一栅极230上，而第一源极232与第一漏极234设于第一半导体层236上，并与第一栅极230重叠。第一晶体管192具有第一调整电容192a，且第一调整电容192a由第一漏极234与第一栅极230重叠耦合而成。第一漏极234包括第一区块234a与第二区块234b，其中第一区块234a与第一半导体层236重叠，而第二区块234b未与第一半导体层236重叠，仅与第一栅极230重叠。如图11所示，第二晶体管194包括第二栅极238、第二源极240、第二漏极242以及第二半导体层244。其中第二栅极238亦为扫描线的一部分，且第二半导体层244设于第二栅极238上，而第二源极240与第二漏极242设于第二半导体层244上，并与第二栅极238重叠。第二晶体管194具有第二调整电容194a，且第二调整电容194a由第二漏极242与第二栅极238重叠耦合而成。第二漏极242包括第三区块242a与第四区块242b，且第三区块242a与第一区块234a具有相同面积，而第四区块242b的面积小于第二区块234b的面积。由此可知，本优选实施例调整第二区块234b与第四区块242b的面积，使第一漏极234与第一栅极230的重叠面积大于第二漏极242与第二栅极238的重叠面积，因此第一调整电容192a的电容值大于第二调整电容194a的电容值。此外，本优选实施例的第三晶体管与第一晶体管相同，如图10所示。第三晶体管包括第三栅极、第三源极与第三漏极。第三晶体管具有第三调整电容，且第三调整电容为第三栅极与第三漏极重叠耦合形成。因此于本优选实施例中，第三调整电容与第一调整电容192a具有相同的耦合电容值，且第三调整电容的电容值大于第二调整电容194a的电容值。本发明并不限于利用未与半导体层重叠的区块的面积来调整各调整电容，亦可调整与半导体层重叠的第一区块234a与第三区块242a的面积来调整第一调整电容192a、第二调整电容194a第三调整电容。因此，本优选实施例的液晶显示面板150得以通过将第一调整电容192a的电容值与第三调整电容的电容值调整至大于第二调整电容194a的电容值，来避免因第二储存电容200的电容值大于第一储存电容198的电容值与第三储存电容202的电容值造成画面亮度不足或画面闪烁，进而可于正常显示状态下解决偏绿色画面的问题。

请参考图12，图12为本发明第二优选实施例的像素结构的俯视示意图。下述优选实施例与第一优选实施例相同的元件或部位仍沿用相同的符号来表示，且相同的结构不再赘述。如图12所示，相较于第一优选实施例，本优选实施例的像素结构250包括第一上侧子像素电极252、第一下侧子像素电极254、第二上侧子像素电极256、第二下侧子像素电极258、第三上侧子像素电极260、第三下侧子像素电极262、第一公共线264、第二公共线266以及扫描线268。第一上侧子像素电极252与第一下侧子像素电极254设于第一子像素区168内，第二上侧子像素电极256与第二下侧子像素电极258设于第二子像素区170内，且第三上侧子像素电极260与第三下侧子像素电极262设于第三子像素区172内。第一公共线264与第二公共线266分别越过第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172。并且，第一公共线264与第一上侧子像素电极252重叠耦合形成第一上侧储存电容270，且第二公共线266与第一下侧子像素电极254重叠耦合形成第一下侧储存电容272。第一公共线264与第二上侧子像素电极256重叠耦合而成第二上侧储存电容274，且第二公共线266与第二下侧子像素电极258重叠耦合而成第二下侧储存电容276。第三上侧像素电极260与第一公共线264重叠耦合构成第三上侧储存电容278，且第三下侧像素电极262与第二公共线266重叠耦合构成第三下侧储存电容280。此外，扫描线268沿着第一方向174a设置于第一基板158上，且越过第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172。本优选实施例的第二上侧储存电容274的电容值大于第一上侧储存电容270的电容值与第三上侧储存电容278的电容值，且第一下侧储存电容272、第二下侧储存电容276与第三下侧储存电容280具有相同的耦合电容值。

此外，本优选实施例的像素结构250另包括第一上侧晶体管282、第一下侧晶体管284、第二上侧晶体管286、第二下侧晶体管288、第三上侧晶体管290、第三下侧晶体管292、第一数据线294、第二数据线296、第三数据线298、第四数据线300、第五数据线302以及第六数据线304。第一上侧晶体管282、第一下侧晶体管284、第二上侧晶体管286、第二下侧晶体管288、第三上侧晶体管290以及第三下侧晶体管292的栅极电性连接至扫描线268，且第一上侧晶体管282、第一下侧晶体管284、第二上侧晶体管286、第二下侧晶体管288、第三上侧晶体管290以及第三下侧晶体管292的源极分别电性连接第二数据线296、第一数据线294、第三数据线298、第四数据线300、第六数据线304以及第五数据线302，而第一上侧晶体管282、第一下侧晶体管284、第二上侧晶体管286、第二下侧晶体管288、第三上侧晶体管290以及第三下侧晶体管292的漏极分别电性连接第一上侧子像素电极252、第一下侧子像素电极254、第二上侧子像素电极256、第二下侧子像素电极258、第三上侧子像素电极260以及第三下侧子像素电极262。并且，第一数据线294、第二数据线296、第三数据线298、第四数据线300、第五数据线302以及第六数据线304分别沿着第二方向174b设置于第一基板158上，并沿着第一方向174a依序排列于第一基板158上，且与扫描线268交错。第一数据线294、第三数据线298与第五数据线302分别设于第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172的一侧，并分别电性连接至第二数据线296、第四数据线300与第六数据线304分别设于第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172的另一侧。

当本实施例的像素结构250开始显示时，第一数据线294、第三数据线298与第五数据线302分别传送具有第一极性的显示信号至第一下侧子像素电极254、第二上侧子像素256以及第三下侧子像素电极262，使第一下侧子像素电极254、该第二上侧子像素电极256以及该第三下侧子像素电极262具有第一极性。第二数据线296、第四数据线300与第六数据线304传送具有第二极性的显示信号至第一上侧子像素电极252、第二下侧子像素电极258以及第三上侧子像素电极260，使第一上侧子像素电极252、第二下侧子像素电极258以及第三上侧子像素电极260具有第二极性。其中，第一极性与第二极性相反。于本优选实施例中，第一极性为正极性，且第二极性为负极性，但不限于此，反之亦可。本优选实施例调整电性连接至第二上侧像素电极256的第二上侧储存电容274的电容值至大于电性连接至第一上侧像素电极252与第三上侧像素电极260的第一上侧储存电容270与第三上侧储存电容278的电容值，使负极性的第一上侧子像素电极252与第三上侧子像素电极260对第一公共线264所产生的耦合效应较正极性的第二上侧子像素电极256对第一公共线264所产生的耦合效应低。因此，偏绿色画面的问题得以被解决。

另外，第一上侧晶体管282具有第一上侧调整电容，第二上侧晶体管286具有第二上侧调整电容，且第三上侧晶体管290具有第三上侧调整电容。第一下侧晶体管284具有第一下侧调整电容，第二下侧晶体管288具有第二下侧调整电容，且第三下侧晶体管292具有第三下侧调整电容。于本优选实施例中，第二上侧调整电容小于第一上侧调整电容与第三上侧调整电容，且第一下侧调整电容、第二下侧调整电容与第三下侧调整电容具有相同的耦合电容值。由此，调降第二上侧调整电容可平衡因第二上侧储存电容增加所造成像素电压变化量不一致的情况。由于第一上侧调整电容、第一下侧调整电容、第二下侧调整电容、第三上侧调整电容以及第三下侧调整电容与上述第一优选实施例的第一调整电容具有相同结构，且第二上侧调整电容与上述第一优选实施例的第二调整电容具有相同结构，因此在此不再赘述。

本发明的像素结构不限于仅对第二上侧储存电容做调整，亦可对第二子像素区内的第二下侧储存电容做调整。并且，本发明的第一上侧晶体管、第一下侧晶体管、第二上侧晶体管、第二下侧晶体管、第三上侧晶体管以及第三下侧晶体管的源极亦不限于分别电性连接第二数据线、第一数据线、第三数据线、第四数据线、第六数据线以及第五数据线。请参考图13，图13为本发明第三优选实施例的像素结构的俯视示意图。下述优选实施例与第二优选实施例相同的元件或部位仍沿用相同的符号来表示，且相同的结构不再赘述。如图13所示，相较于第二优选实施例，本优选实施例的像素结构350的第二下侧储存电容276的电容值大于第一下侧储存电容272的电容值与第三下侧储存电容280的电容值，且第一下侧调整电容的电容值与第三下侧调整电容的电容值大于第二下侧调整电容的电容值。并且，本优选实施例的像素结构的第一上侧晶体管282、第一下侧晶体管284、第二上侧晶体管286、第二下侧晶体管288、第三上侧晶体管290以及第三下侧晶体管292的源极分别电性连接第一数据线294、第二数据线296、第四数据线300、第三数据线298、第五数据线302以及第六数据线304。

请参考图14，图14为本发明第四优选实施例的像素结构的俯视示意图。如图14所示，相较于第二优选实施例，本优选实施例的像素结构400仅包括三条数据线402，分别设于第一子像素区168、第二子像素区170以及第三子像素区172的一侧的第一基板158上，且与扫描线268交错。并且，第一上侧晶体管282与第一下侧晶体管284的源极彼此电性连接，第二上侧晶体管286与第二下侧晶体管288的源极彼此电性连接，且第三上侧晶体管290与第三下侧晶体管292的源极彼此电性连接。于本优选实施例中，第二下侧储存电容276的电容值大于第一下侧储存电容272的电容值与第三下侧储存电容280的电容值，且第二下侧调整电容的电容值小于第一下侧调整电容的电容值与第三下侧调整电容的电容值。并且，第一上侧储存电容270、第二上侧储存电容274与第三上侧储存电容278具有相同的耦合电容值，且第一上侧调整电容、第二上侧调整电容与第三上侧调整电容具有相同的耦合电容值。

综上所述，本发明调整像素结构的第二储存电容的电容值至大于第一储存电容的电容值与第三储存电容的电容值，使具有正极性的第二子像素电极对公共线所产生的耦合效应较负极性的第一子像素电极与第三子像素电极对公共线所产生的耦合效应高，进而降低公共线的公共电压的受到像素电压的影响，以解决偏绿色画面的问题。并且，本发明还调整像素结构的第二调整电容至小于第一调整电容与第三调整电容，以避免因第二储存电容的电容值大于第一储存电容的电容值与第三储存电容的电容值造成画面亮度不足或画面闪烁，进而可于正常显示状态下解决偏绿色画面的问题。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的等同变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (24)

1.一种像素结构，设置于基板上，该基板上具有第一子像素区与第二子像素区，该第二子像素区为绿色子像素区，该像素结构包括：

至少一第一子像素电极与至少一第二子像素电极，分别设置于该基板的该第一子像素区与该第二子像素区上；

至少一公共线，设置于该基板上，且越过该第一子像素区以及该第二子像素区，该至少一公共线分别与该至少一第一子像素电极与该至少一第二子像素电极重叠耦合构成至少一第一储存电容与至少一第二储存电容，其中该第二储存电容的电容值大于该第一储存电容的电容值；

至少一第一晶体管与至少一第二晶体管，设置于该基板上，分别与该第一子像素电极与该第二子像素电极电性连接，该第一晶体管具有第一调整电容，该第二晶体管具有第二调整电容，其中该第一调整电容的电容值大于该第二调整电容的电容值；以及

扫描线，设置于该基板上，且越过该第一子像素区以及该第二子像素区，该扫描线分别跟该第一晶体管与该第二晶体管电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该基板具有第三子像素区，且该像素结构还包括至少一第三子像素电极，设于该基板的该第三子像素区之上。

3.如权利要求2所述的像素结构，其中该至少一公共线与该第三子像素电极重叠耦合构成第三储存电容，且该第二储存电容的电容值大于该第三储存电容的电容值。

4.如权利要求2所述的像素结构，其中该第一子像素电极与该第三子像素电极具有第一极性，且该第二子像素电极具有第二极性，而该第一极性与该第二极性相反。

5.如权利要求4所述的像素结构，其中第一极性包括正极性，该第二极性包括负极性。

6.如权利要求2所述的像素结构，其中该第一子像素区为红色子像素区，以及该第三子像素区为蓝色子像素区。

7.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一晶体管包括第一栅极、第一源极与第一漏极，该第一调整电容为该第一栅极与该第一漏极重叠耦合形成。

8.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二晶体管包括第二栅极、第二源极与第二漏极，该第二调整电容为该第二栅极与该第二漏极重叠耦合形成。

9.如权利要求2所述的像素结构，还包括至少一第三晶体管，电性连接该第三子像素电极，该第三晶体管包括第三栅极、第三源极与第三漏极，第三调整电容为该第三栅极与该第三漏极重叠耦合形成。

10.如权利要求9所述的像素结构，另包括：

三条数据线，分别设于该基板的该第一子像素区、该第二子像素区以及该第三子像素区的一侧上，且该多个数据线与该扫描线交错，其中各数据线分别电性连接该第一晶体管、该第二晶体管与该第三晶体管。

11.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二储存电容的耦合电容值为该第一储存电容的耦合电容值的两倍。

12.如权利要求2所述的像素结构，其中该至少一第一子像素电极包括第一上侧子像素电极与第一下侧子像素电极，该至少一第二子像素电极包括第二上侧子像素电极与第二下侧子像素电极，且该至少一第三子像素电极包括第三上侧子像素电极与第三下侧子像素电极。

13.如权利要求12所述的像素结构，其中该第一下侧子像素电极、该第二上侧子像素电极以及该第三下侧子像素电极具有第一极性，且该第一上侧子像素电极、该第二下侧子像素电极以及该第三上侧子像素电极具有第二极性，而该第一极性与该第二极性相反。

14.如权利要求12所述的像素结构，其中该至少一公共线包括第一公共线与第二公共线，分别越过该第一子像素区、该第二子像素区以及该第三子像素区。

15.如权利要求14所述的像素结构，其中该至少一第一储存电容包括第一上侧储存电容以及第一下侧储存电容，该第一上侧储存电容由该第一公共线与该第一上侧子像素电极重叠耦合形成，且该第一下侧储存电容由该第二公共线与该第一下侧子像素电极重叠耦合形成。

16.如权利要求15所述的像素结构，其中该至少一第二储存电容包括第二上侧储存电容以及第二下侧储存电容，该第二上侧储存电容由该第一公共线与该第二上侧子像素电极重叠耦合而成，且该第二下侧储存电容由该第二公共线与该第二下侧子像素电极重叠耦合形成。

17.如权利要求16所述的像素结构，其中该第三上侧像素电极与该第一公共线重叠耦合构成第三上侧储存电容，且该第三下侧像素电极与该第二公共线重叠耦合构成第三下侧储存电容。

18.如权利要求17所述的像素结构，其中该第二上侧储存电容的电容值大于该第一上侧储存电容的电容值与该第三上侧储存电容的电容值，且该第二下侧储存电容的电容值大于该第一下侧储存电容的电容值与该第三下侧储存电容的电容值。

19.如权利要求18所述的像素结构，其中该至少一第一晶体管包括第一上侧晶体管以及第一下侧晶体管，分别电性连接该第一上侧子像素电极以及该第一下侧子像素电极，且该至少一第二晶体管包括第二上侧晶体管以及第二下侧晶体管，分别电性连接该第二上侧子像素电极以及该第二下侧子像素电极。

20.如权利要求19所述的像素结构，其中该第一上侧晶体管的第一上侧调整电容的电容值大于该第二上侧晶体管的第二上侧调整电容的电容值，且该第一下侧晶体管的第一下侧调整电容的电容值大于该第二下侧晶体管的第二下侧调整电容的电容值。

21.如权利要求19所述的像素结构，另包括第三上侧晶体管以及第三下侧晶体管，分别电性连接该第三上侧子像素电极以及该第三下侧子像素电极。

22.如权利要求21所述的像素结构，另包括：

六条数据线，设于该基板上，且该多个数据线与该扫描线交错，其中各数据线分别电性连接该第一上侧晶体管、该第一下侧晶体管、该第二上侧晶体管、该第二下侧晶体管、该第三上侧晶体管与该第三下侧晶体管。

23.一种像素阵列基板，其包括：

基板，该基板上定义有多个像素区，呈矩阵方式排列，其中各像素区定义有第一子像素区与第二子像素区，该第二子像素区为绿色子像素区；以及

多个像素结构，分别设于各像素区中，且各像素结构包括：

至少一第一子像素电极与至少一第二子像素电极，分别设置于该基板的各第一子像素区与各第二子像素区上；

至少一公共线，设置于该基板上，且越过该第一子像素区以及该第二子像素区，该至少一公共线分别与该至少一第一子像素电极与该至少一第二子像素电极重叠耦合构成至少一第一储存电容与至少一第二储存电容，其中该第二储存电容的电容值大于该第一储存电容的电容值；

至少一第一晶体管与至少一第二晶体管，设置于该基板上，分别与该第一子像素电极与该第二子像素电极电性连接，该第一晶体管具有第一调整电容，该第二晶体管具有第二调整电容，其中该第一调整电容的电容值大于该第二调整电容的电容值；以及

扫描线，设置于该基板上，且越过该第一子像素区以及该第二子像素区，该扫描线分别跟该第一晶体管与该第二晶体管电性连接。

24.一种液晶显示面板，包括：

第一基板，该第一基板上定义有多个像素区，呈矩阵方式排列，其中各像素区定义有第一子像素区与第二子像素区，该第二子像素区为绿色子像素区；

多个像素结构，分别设于各像素区中，且各像素结构包括：

至少一第一子像素电极与至少一第二子像素电极，分别设置于该第一基板的各第一子像素区与各第二子像素区上；

至少一公共线，设置于该第一基板上，且越过该第一子像素区以及该第二子像素区，该至少一公共线分别与该至少一第一子像素电极与该至少一第二子像素电极重叠耦合构成至少一第一储存电容与至少一第二储存电容，其中该第二储存电容的电容值大于该第一储存电容的电容值；

至少一第一晶体管与至少一第二晶体管，设置于该第一基板上，分别与该第一子像素电极与该第二子像素电极电性连接，该第一晶体管具有第一调整电容，该第二晶体管具有第二调整电容，其中该第一调整电容的电容值大于该第二调整电容的电容值；以及

扫描线，设置于该第一基板上，且越过该第一子像素区以及该第二子像素区，该扫描线分别跟该第一晶体管与该第二晶体管电性连接；第二基板，与该第一基板相对设置；以及

液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间。

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