CN101894717B - 具钻孔电极与压模包覆保险丝结构及制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具钻孔电极与压模包覆保险丝结构及制造方法，具钻孔电极与压模包覆保险丝结构包括有：一基板、一熔炼部、两电极部、以及一保护体；所述的两电极部具有圆弧状电性端面，并延伸至熔炼部正面、反面端部，且与熔炼部的第一金属薄膜电性连结，又其两电极部是由一第一金属薄膜上形成一第三金属薄膜及一第四金属薄膜所构成；另所述保护体，设有压模包覆，是施设高度压力成型所设置，具有高抗压力防爆特性。
Description
技术领域
本发明涉及一种保险丝结构及制造方法，特别涉及一种结构简易，具钻孔电极端部，可直接印刷金属薄膜与压模包覆的保险丝结构及制作方法。
背景技术
一般电子产品中，保险丝最主要的功能，就是防止超量的电流流过所述电子电路造成危险，当电路板(PCB)承载电流量超过额定最大使用电流时，常会使昂贵设备受损或烧毁，而当超额的电流流过保险丝时将使它产生高温而导致熔断电路，以保护电子电路免于受到伤害及危险，故当保险丝的基板使用塑胶材料时，不耐高温烧灼保护不完全，而且仅可使用电镀制造方式的金属薄膜，制造困难成本高，产品稳定度不佳，又，使用电镀的金属薄膜，浪费材料及生产不良率高。
再者，目前随着电器设备越来越复杂，需要的零件越来越多，电路板上的线路与电子元件也越来越密集，于是电路基板的线路趋向于微细化，电子元件采晶片化，放置于已沾有锡膏的电路板上，然后再利用一加热技术使元件固定于电路板的表面，已是常态使用方法，其可使电路板的零件可较为密集，使更多功能安置于同样面积的印刷电路板上，或者能够以面积更小的电路板维持同样的功能，然而，一般晶片化保险丝，制造上是一次大量设计在一基板上再行切割成粒，形成平齐的端面，其占用大量空间，且切割成粒时容易让端电极的金属受到损伤，浪费材料及生产不良率高。
因此现有技术概括具有如下的缺点：
1.现有的基板使用塑胶材料，不耐高温烧灼保护不完全。
2.现有的保险丝，制造上是一次大量设计在一基板上再行切割成粒，形成平齐的端面，制造困难成本高，产品稳定度不佳。
3.现有的保险丝，切割成粒时容易让端电极的金属受到损伤，浪费材料及生产不良率高。
因此，如何将上述缺失加以摒除，即为本案发明人所欲解决的技术困难点的所在。
发明内容
有鉴于所述现有问题，本案发明人基于多年从事相关产品设计的经验，潜心研究考虑于两电极端部进行熔炼部金属共接，令电阻值与熔断特性固定；因此
本发明的目的为：本发明提供一种具钻孔电极与压模包覆保险丝结构及制造方法，特别是指一种结构简易，具钻孔电极端部，是可直接印刷金属薄膜与压模包覆的保险丝结构及制作方法。
本发明的目的还在于：提供一种具钻孔电极与压模包覆保险丝结构，其基板使用BT或PCB材质，可耐高温烧灼具保护作用，并可直接印刷金属薄膜，制作简便成本低，节省材料及生产良率性，提高产品稳定度。
为实现这些本发明的目的，并且根据如所实施和概括描述的那样以及其他优点，本发明提供了一种具钻孔电极与压模包覆保险丝结构，其在于技术方案是具有：
一基板，其导热系数(thermal conductivity)在1瓦特/公尺·克耳文(W/m·K)以下，提供形成晶片保险丝的基础；
一熔炼部，设于基板上，其是由一第一金属薄膜延伸至基板端部，且在第一金属薄膜上形成一较小于第一金属薄膜的第二金属薄膜；
两电极部，是分别设于熔炼部的两侧端部；以及
一保护体，是设置完全覆盖所述熔炼部上，达成保护作用；
其特征在于，所述的两电极部具有圆弧状电性端面，并延伸至熔炼部正面、反面端部，且与熔炼部的第一金属薄膜电性连结，又其两电极部是由一第一金属薄膜上形成一第三金属薄膜及一第四金属薄膜所构成；另所述保护体，设有压模包覆，是施设高度压力成型所设置，具有高抗压力防爆特性。
在本发明的另一个方面，所述具钻孔电极与压模包覆保险丝结构，进一步包括，其中所述熔炼部的形状可为直线或曲线或螺旋线条。
在本发明的另一个方面，所述具钻孔电极与压模包覆保险丝结构，进一步包括，其中所述基板，为BT(Bismaleimide Triazine；BT)或PCB(Printed CircuitBoard；PCB)材质。
在本发明的另一个方面，所述具钻孔电极与压模包覆保险丝结构，进一步包括，其中所述熔炼部是设置所述基板正面。
在本发明的另一个方面，所述具钻孔电极与压模包覆保险丝结构，进一步包括，其中所述熔炼部是设置所述基板正面及反面。
又，本发明的制造方法的技术方案是：一种具钻孔电极与压模包覆保险丝的制造方法，其包括以下制程步骤：
(A)提供一基板，在所述基板的正/反面贴合或离子沉积，使形成第一金属薄膜；
(B)以钻床钻孔成型；
(C)在钻孔成型的位置贴合或离子沉积，使形成一相同第一金属薄膜的侧面导通电极部；
(D)制成切割对位线；
(E)在电极部位置上的第一金属薄膜上形成第三金属薄膜，不要形成位置的第一金属薄膜以微影(光阻)或印刷方式覆盖保护；
(F)在电极部位置上的第三金属薄膜上形成第四金属薄膜，不要形成位置的第三金属薄膜以微影(光阻)或印刷方式覆盖保护；
(G)在背面两侧蚀刻第一金属薄膜，形成背面电极部；
(H)在正面蚀刻第一金属薄膜，形成所需的熔炼部基材，并同步形成正面电极部；
(I)在正面第一金属薄膜上依熔断特性，形成一较小于第一金属薄膜的第二金属薄膜，形成熔炼部，其中所述第二金属薄膜熔点是低于第一金属薄膜，其第二金属薄膜尺寸依熔断特性可自由改变；
(J)形成保护体，设有压模包覆，是以高度压力成型所设置，完全覆盖设置所述熔炼部上，具有高抗压力防爆特性，达成保护所述熔炼部作用；
(K)将所述包覆体上，印刷设置一规格标示；
(L)切割成粒，完成成品。
在本发明的另一个方面，所述具钻孔电极与压模包覆保险丝的制造方法，进一步包括，其中所述制程步骤(D)具有以下子步骤：
(D-1)压膜切割对位线；
(D-2)曝光切割对位线；
(D-3)显影切割对位线；
(D-4)蚀刻切割对位线；
(D-5)去膜切割对位线。
在本发明的另一个方面，所述具钻孔电极与压模包覆保险丝的制造方法，进一步包括，其中所述制程步骤(G)具有以下子步骤：
(G-1)压膜背面电极部；
(G-2)曝光背面电极部；
(G-3)显影背面电极部；
(G-4)蚀刻背面电极部；
(G-5)去膜背面电极部；
在本发明的另一个方面，所述具钻孔电极与压模包覆保险丝的制造方法，进一步包括，其中所述制程步骤(H)具有以下子步骤：
(H-1)压膜正面电极部；
(H-2)曝光正面电极部；
(H-3)显影正面电极部；
(H-4)蚀刻正面电极部；
(H-5)去膜正面电极部；
在本发明的另一个方面，所述具钻孔电极与压模包覆保险丝的制造方法，进一步包括，其中所述制程步骤(I)可另具有以下子步骤：
(I-1)在反面第一金属薄膜上依熔断特性，形成一较小于第一金属薄膜的第二金属薄膜，形成熔炼部，其中所述第二金属薄膜熔点是低于第一金属薄膜，其第二金属薄膜尺寸依熔断特性可自由改变。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：在第一金属薄膜上形成熔点是低于第一金属薄膜的第四金属薄膜，可负载额定电压及额定两倍负载电流下，经过1秒后才熔化阻断负载电流，可达慢速熔断的效果，完成微型晶片保险丝的慢熔功效，保障用电安全，提高产品的良率及稳定度。
附图说明
图1是本发明的外观立体示意图。
图2是本发明的制造方法完成制程步骤(A)的剖视图。
图3是本发明的制造方法完成制程步骤(B)的俯视图。
图4是本发明的制造方法完成制程步骤(C)的剖视图。
图5是本发明的制造方法完成制程步骤(D)的俯视图。
图6是本发明的制造方法完成制程步骤(F)的剖视图。
图7是本发明的制造方法完成制程步骤(G)的剖视图。
图8是本发明的制造方法完成制程步骤(H)的俯视图。
图9是本发明的制造方法完成制程步骤(I)的俯视图。
图10是本发明的制造方法完成制程步骤(J)的剖视图。
图11是本发明的制造方法进行制程步骤(L)的俯视图。
附图标记说明：1-保险丝；2-基板；21-钻孔；22-对位线；3-熔炼部；30-第二金属薄膜；4-电极部；40-第一金属薄膜；400-侧面导通电极部；41-第三金属薄膜；42-第四金属薄膜；421-正面电极部；422-背面电极部；5-保护体；50-标示；51-切割；
具体实施方式
以下将本发明为达成其发明目的的整体构造设计，配合附图及实施例，作进一步详细说明如下：
首先请参阅图1所示，是本发明的外观立体示意图。其中一种具钻孔电极与压模包覆保险丝结构，具有：
一基板2，其导热系数(thermal conductivity)在1瓦特/公尺·克耳文(W/m·K)以下，提供形成晶片保险丝的基础；
一熔炼部3，设于基板2上，其是由一第一金属薄膜40延伸至基板2端部，且在第一金属薄膜40上形成一较小于第一金属薄膜40的第二金属薄膜30；
两电极部4，其分别设于熔炼部3的两侧端部；以及
一保护体5，其设置完全覆盖所述熔炼部3上，达成保护作用；
其特征在于，所述的两电极部4具有圆弧状电性端面，并延伸至熔炼部3正面、反面端部，且与熔炼部3的第一金属薄膜40电性连结，又其两电极部4是由一第一金属薄膜40上形成一第三金属薄膜41及一第四金属薄膜42所构成；另所述保护体5，设有压模包覆，是施设高度压力成型所设置，具有高抗压力防爆特性。
又，请参阅图8至图10所示，是本发明的制造方法完成制程步骤(A)至(J)的剖视图或俯视图。现说明如后：本发明的制造方法的技术方案是：一种具钻孔电极与压模包覆保险丝的制造方法，其包括以下制程步骤：
(A)提供一基板2，在所述基板的正/反面贴合或离子沉积，使形成第一金属薄膜40；
(B)以钻床钻孔21成型；
(C)在钻孔21成型的位置贴合或离子沉积，使形成一相同第一金属薄膜40的侧面导通电极部400；
(D)制成切割对位线22，其中具有以下子步骤：
(D-1)压膜切割对位线；
(D-2)曝光切割对位线；
(D-3)显影切割对位线；
(D-4)蚀刻切割对位线；
(D-5)去膜切割对位线；
(E)在电极部4位置上的第一金属薄膜40上形成第三金属薄膜41，不要形成位置的第一金属薄膜以微影(光阻)或印刷方式覆盖保护；
(F)在电极部4位置上的第三金属薄膜41上形成第四金属薄膜42，不要形成位置的第三金属薄膜以微影(光阻)或印刷方式覆盖保护；
(G)在背面蚀刻第一金属薄膜40，形成背面电极部422，其中具有以下子步骤：
(G-1)压膜背面电极部；
(G-2)曝光背面电极部；
(G-3)显影背面电极部；
(G-4)蚀刻背面电极部；
(G-5)去膜背面电极部；
(H)在正面蚀刻第一金属薄膜40，形成所需的熔炼部3基材，并同步形成正面电极部421，其中具有以下子步骤：
(H-1)压膜正面电极部；
(H-2)曝光正面电极部；
(H-3)显影正面电极部；
(H-4)蚀刻正面电极部；
(H-5)去膜正面电极部；
(I)在正面第一金属薄膜40上依熔断特性，形成一较小于第一金属薄膜40的第两金属薄膜30，形成熔炼部3，其中所述第两金属薄膜30熔点是低于第一金属薄膜40，其第两金属薄膜30尺寸依熔断特性可自由改变，用来形成不同慢速熔断规格的保险丝；又，其中所述步骤(I)可另具有以下子步骤：
(I-1)在反面第一金属薄膜40上依熔断特性，形成一较小于第一金属薄膜40的第二金属薄膜30，形成熔炼部3，其中所述第二金属薄膜30熔点是低于第一金属薄膜40，其第二金属薄膜30尺寸依熔断特性可自由改变，用来形成不同慢速熔断规格的保险丝，及制成微型大电流的晶片保险丝；
(J)形成保护体5，设有压模包覆，是以高度压力成型所设置，完全覆盖设置所述熔炼部3上，具有高抗压力防爆特性，达成保护所述熔炼部3作用；
(K)将所述包覆体上，印刷设置一规格标示50；
(L)切割51成粒，完成成品。
请参阅图2是本发明的制造方法完成制程步骤(A)的剖视图。基板2成型，是在BT(Bismaleimide Triazine；BT)基板或PCB(Printed Circuit Board；PCB)基板贴合铜箔，BT基板或PCB基板材料为含玻璃纤维等的BT基板或PCB基板，在BT基板或PCB基板上下两面贴合或离子沈积形成第一金属薄膜40；其中所述第一金属薄膜40的材料，可为金、银、铜等金属导电材料。
请参阅图3是本发明的制造方法完成制程步骤(B)的俯视图及图4是本发明的制造方法完成制程步骤(C)的剖视图。其中，钻孔21，是以钻床成型方式在BT(Bismaleimide Triazine；BT)基板或PCB(Printed Circuit Board；PCB)基板上成型，再在钻孔成型的位置两侧用贴合或离子沉积制作，使形成一相同第一金属薄膜的侧面导通电极部400；
请参阅图5是本发明的制造方法完成制程步骤(D)的俯视图。制作切割对位线22，是经过压膜、曝光、显影、蚀刻、去膜等制程。
请参阅图6是本发明的制造方法完成制程步骤(F)的剖视图。所述步骤(F)，是在第一金属薄膜40上形成第三金属薄膜41及第四金属薄膜42；其中所述第三金属薄膜41及第四金属薄膜42其材料为铜、镍或饧等金属导电材料，不需形成第三金属薄膜41及第四金属薄膜42的位置以微影(光阻)或印刷方式覆盖保护。
请参阅图7是本发明的制造方法完成制程步骤(G)的剖视图。所述步骤(G)制作背面电极，是在BT(Bismaleimide Triazine；BT)基板或PCB(PrintedCircuit Board；PCB)基板背面两侧形成电极，制作时经过压膜、曝光、显影、蚀刻、去膜等制程，且以光阻或印刷材料为遮避材料。
请参阅图8是本发明的制造方法完成制程步骤(H)的俯视图。所述步骤(H)制作正面线路，是在BT(Bismaleimide Triazine；BT)基板或PCB(PrintedCircuit Board；PCB)基板正面蚀刻第一金属薄膜40形成所需的熔炼部3基材，并同步形成正面电极，制作时经过压膜、曝光、显影、蚀刻、去膜等制程，且以光阻或印刷材料为遮避材料。
请参阅图9是本发明的制造方法完成制程步骤(I)的俯视图。所述步骤(I)正面线路镀饧，是在第一金属薄膜40上可形成第二金属薄膜30其大小视溶断特性可自由改变，制作时以光阻或印刷材料为遮避材料。
请参阅图10是本发明的制造方法完成制程步骤(J)的剖视图。所述步骤(J)形成保护体5，设有压模包覆，其是以高度压力成型所设置，完全覆盖设置所述熔炼部3上，具有高抗压力防爆特性，达成保护所述熔炼部3作用；
请参阅图11是本发明的制造方法进行制程步骤(L)的俯视图。本发明具钻孔电极与压模包覆保险丝经过切割线51切割成粒后，即为微型晶片保险丝1的成品。
为使本发明更加显现其进步性与实用性，现将其使用实施上的优点另列举如下：
1.本发明的基板使用BT或PCB材质，可耐高温烧灼具保护作用。
2.本发明的制造上先钻孔再行切割成粒，形成半弧形的端面，制作简便成本低，提高产品稳定度。
3.本发明切割成粒时，不容易让端电极的金属受到损伤，节省材料及生产良率性高。
4.具工商界及产业界上利用价值与实际所需。
综上所述，本发明在突破先前的技术结构及制造方法下，确实已达到所欲增进的功效，且也是熟悉所述项技艺者所不易于考虑到的；再者，本发明申请前未曾公开，其所具的进步性、实用性，显已符合发明专利的申请要件，依法提出发明申请。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离以下所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改，变化，或等效，但都将落入本发明的保护范围内。
Claims (8)
1.一种具钻孔电极与压模包覆保险丝结构，其具有：
一基板，其导热系数在1瓦特/公尺·克耳文以下，提供形成晶片保险丝的基础；
一熔炼部，其设于所述基板上，其是由一第一金属薄膜延伸至所述基板端部，且在所述第一金属薄膜上形成一小于所述第一金属薄膜的第二金属薄膜；
两电极部，其分别设于所述熔炼部的两侧端部；以及
一保护体，其设置完全覆盖所述熔炼部上；
其特征在于，所述的两电极部具有圆弧状电性端面，并延伸至所述熔炼部正面、反面端部，且与所述熔炼部的第一金属薄膜电性连结，又其所述两电极部是由所述第一金属薄膜上形成一第三金属薄膜及一第四金属薄膜所构成；另所述保护体，设有压模包覆，是施设高度压力成型所设置，其中，所述熔炼部设置于所述基板正面及反面。
2.根据权利要求1所述的具钻孔电极与压模包覆保险丝结构，其特征在于，所述熔炼部的形状为直线或曲线或螺旋线条。
3.根据权利要求1所述的具钻孔电极与压模包覆保险丝结构，其特征在于，所述基板为BT材质或PCB材质。
4.根据权利要求1所述的具钻孔电极与压模包覆保险丝结构，其特征在于，所述熔炼部设置于所述基板正面。
5.一种具钻孔电极与压模包覆保险丝的制造方法，其特征在于，其包括以下制程步骤：
(A)提供一基板，在所述基板的正/反面贴合或离子沉积，使形成第一金属薄膜；
(B)以钻床钻孔成型；
(C)在钻孔成型的位置贴合或离子沉积，使形成一相同所述第一金属薄膜的侧面导通电极部；
(D)制成切割对位线；
(E)在所述电极部位置上的第一金属薄膜上形成第三金属薄膜，不要形成位置的第一金属薄膜以微影或印刷方式覆盖保护；
(F)在所述电极部位置上的第三金属薄膜上形成第四金属薄膜，不要形成位 置的第三金属薄膜以微影或印刷方式覆盖保护；
(G)在背面两侧蚀刻所述第一金属薄膜，形成背面电极部；
(H)在正面蚀刻所述第一金属薄膜，形成所需的熔炼部基材，并同步形成正面电极部；
(I)在正面第一金属薄膜上依熔断特性，形成一小于所述第一金属薄膜的第二金属薄膜，形成熔炼部，其中所述第二金属薄膜熔点低于所述第一金属薄膜的熔点，其所述第二金属薄膜尺寸依熔断特性可自由改变；
(J)形成保护体，设有压模包覆，是以高度压力成型所设置，完全覆盖设置所述熔炼部上；
(K)将所述包覆体上，印刷设置一规格标示；
(L)切割成粒，完成成品，其中：
所述制程步骤(I)另具有以下子步骤：(I-1)在反面第一金属薄膜上依熔断特性，形成一小于所述第一金属薄膜的第二金属薄膜，形成熔炼部，其中所述第二金属薄膜熔点低于所述第一金属薄膜的熔点，其第二金属薄膜尺寸依熔断特性可自由改变。
6.根据权利要求5所述的具钻孔电极与压模包覆保险丝的制造方法，其特征在于，所述制程步骤(D)具有以下子步骤：
(D-1)压膜切割对位线；
(D-2)曝光切割对位线；
(D-3)显影切割对位线；
(D-4)蚀刻切割对位线；
(D-5)去膜切割对位线。
7.根据权利要求5所述的具钻孔电极与压模包覆保险丝的制造方法，其特征在于，所述制程步骤(G)具有以下子步骤：
(G-1)压膜背面电极部；
(G-2)曝光背面电极部；
(G-3)显影背面电极部；
(G-4)蚀刻背面电极部；
(G-5)去膜背面电极部。
8.根据权利要求5所述的具钻孔电极与压模包覆保险丝的制造方法，其特征在于，所述制程步骤(H)具有以下子步骤：
(H-1)压膜正面电极部；
(H-2)曝光正面电极部；
(H-3)显影正面电极部；
(H-4)蚀刻正面电极部；
(H-5)去膜正面电极部。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121024 Termination date: 20210521 |