CN101893731B - 基于光控取向液晶的微偏振检偏器阵列及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种用于同时提取入射光所有斯托克斯参数的微偏振检偏器阵列。该微偏振检偏器阵列至少包含一个超像素，其中该超像素含有三个或者三个以上的子像素，并且每个子像素用来提取入射光中的一种不同的偏振分量。此外，该微偏振检偏器阵列包括一个第一取向层，一个第二取向层和一个置于第一和第二取向层之间的液晶层。其中该液晶层中的液晶分子根据第一和第二取向层取向方向来取向以形成上述超像素。最后，本发明还提供了一种制备上述基于液晶的光控取向微偏振检偏器阵列的方法。

Description

基于光控取向液晶的微偏振检偏器阵列及其制备方法
技术领域
总体上说，本发明涉及的领域是微偏振检偏器领域，具体来讲，本发明提出了一种全新的可以同步提取和分析具有任意偏振状态的入射光的全部偏振信息的微偏振检偏器阵列及其制备方法。
背景技术
微偏振检偏器(micropolarimeter)是一种用于测量线偏振光经过一种光学活性物质(例如某些液晶材料)后旋转角度或者圆偏振光经过该物质后相位延迟的科学仪器。微偏振检偏器阵列通常跟图像传感器(例如数码相机)搭配使用从而获得包含由该微偏振检偏器阵列测得的各偏振分量的图像。
在美国专利No.5,327,285中，S.M.Faris提出了几种制备微线性检偏器的方法，其中包括对被已形成图案的光刻胶覆盖的聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)薄膜进行选择性的漂白/处理；对被已形成图案的光刻胶覆盖的聚乙烯醇薄膜进行选择性的刻蚀，包括化学刻蚀、光化学刻蚀、准分子激光刻蚀和反应离子刻蚀；对聚乙烯醇薄膜进行机械切割或碾磨；形成通过带图案的铟锡氧化物(indium tinoxide，ITO)电极施加电场控制的液晶单元。
在美国专利No.7,385,669B2中，Z.Wang等人提出了几种用于制备基于可聚合扭曲向列相(twisted nematic，TN)液晶的微线性检偏器的方法，其中包括：(a)两步紫外曝光法；(b)电场取向法；(c)多步摩擦取向法；(d)光诱导取向法。通过这些方法可以形成两种液晶微区域，其中一种工作在扭曲向列相，另外一种工作在各项同性相。在扭曲向列相中，液晶分子被以90度的角度扭曲排列并且在光学上等同于一个偏振旋转器；而在各项同性相中，液晶分子的排列是随机的。
在非专利文献“A polarization contrast retina that uses patternediodine-doped PVA film”(Proceeding of 22nd European Solid-StateCircuits Conference，pp.308-311，1996)中，Z.K.Kalayjian等人提出了一种通过形成碘掺杂聚乙烯醇薄膜图案来制备微线性检偏器的方法。其中，光刻曝光与刻蚀技术被用来对聚乙烯醇薄膜的部分区域的碘进行选择性地去掺杂。这样，通过去除上述被去掺杂区域的碘，这些区域的偏振二向色性效应被去除。
在非专利文献“F abrication of thin-film micropolarizer arrays forvisible imaging polarimetry”(Applied Optics，vol.39，no.10，pp.1486-1492，2000)中，J.Guo等人提出了一种制备薄层微线性检偏器阵列的方法。该方法通过对一种偏振二向色性染料材料进行先甩涂后摩擦取向来形成一薄层偏振膜，之后反应离子刻蚀被用来对该薄层偏振膜形成图案。
在非专利文献“Liquid-crystal micropolarizer array forpolarization-difference imaging”(Applied Optics，vol.41，no.7，pp.1291-1296，2002)中，C.K.Harnett等人提出了一种基于液晶材料的以蒸发形成的金薄膜作为液晶取向层的微线性检偏器阵列制备方法。其中金以预先确定的排列方向被蒸发到液晶材料的衬底层上，同时带胶剥离技术被用来对蒸发形成的金膜形成图案。这样每增加一个液晶的微区域，就需要增多一次以预定方向的金薄膜蒸发和一次带胶剥离来形成图案。最终该方法可以形成两个金取向层取向方向相互垂直的液晶微区域。
在非专利文献“An analog VLSI chip emulating polarizationvision of octopus retina”(IEEE Transactions on Neural Networks，vol.17，no.1，pp.222-232，2006)中，M.Momeni等人展示了一种由YVO4晶体制成的双折射微线性检偏器阵列。具体的，在YVO4晶体上，一层铝膜被先蒸发后带胶剥离地形成图案，从而形成上述双折射微线性检偏器阵列。
在非专利文献“Fabrication of a dual-tier thin film micropolarization array”(Optics Express，vol.15，no.8，pp.4994-5007，2007)中，V.Gruev等人展示了一种用于提取部分线偏振信息的双层微线性检偏器阵列。其中，该双层微线性检偏器阵列是通过在玻璃衬底上连续地覆盖和刻蚀两层聚乙烯醇薄膜而形成，而且这两层覆盖的聚乙烯醇薄膜的偏振轴方向之间保留预先确定的夹角。
前边提出的微线性检偏器的实现方法对于某些特定的应用已经足够。但是，这些微线性检偏器只可以提取入射光的线偏振信息。实际入射光的全部偏振信息要更加复杂，而且全部偏振信息的实时提取要求对入射光中的非偏振分量、线偏振分量和圆偏振分量进行同步的偏振测定。
现存微偏振检偏器的另一个缺点是较大的像素尺寸。微偏振检偏器阵列较大的像素尺寸使得它与拥有高分辨率的高端固态图像传感器的像素在尺寸上不能够匹配，以致于高分辨率的偏振成像难以实现。
另外，如何降低微偏振检偏器阵列的制备复杂度和如何提高微偏振检偏器阵列制备工艺同固态图像传感器制备工艺的兼容性已经成为亟待解决的问题。如果采用前边提出的基于选择性刻蚀的方法，那么用于提取全部偏振信息的微偏振检偏器阵列的制备将变得极其复杂。此外，微偏振检偏器阵列同固态图像传感器制备工艺的兼容性也已经成为影响最终总制备成本的一个重要因素。
发明内容
本申请提出了一种可以同时提取和分析任意偏振状态的入射光的全部偏振信息的微偏振检偏器阵列。该微偏振检偏器阵列例如可以集成到固态图像传感器上从而实现实时的完备偏振成像。
总体来说，该微偏振检偏器阵列包含一个上取向层、一个下取向层和一个置于上下取向层之间的液晶层。上述取向层上有着不同的区域，每个区域具有不同的取向方向，从而对液晶层中不同区域的液晶分子造成非一致的取向。
具体来说，在该微偏振检偏器阵列液晶层中会形成许多不同的区域(或称子像素)，每个区域的液晶分子响应于所述取向层的对应区域的取向特性而沿着不同的取向方向来取向，因而会对经过该液晶层不同区域的光造成不同的偏振效果。所以，经过每个不同区域射出的入射光将有着不同的偏振特性。
在一个实施例中，至少有四个区域将会在微偏振检偏器阵列的液晶层上形成，其中每个区域根据其对应取向层提供的取向方向而有着不同的偏振特性。当具有不同偏振分量的入射光通过该微偏振检偏器阵列时，每个不同的区域将会对应地输出从入射光中提取的不同偏振分量，其中这些偏振分量可以是线偏振分量或者圆偏振分量。
在第二实施例中，本发明提供了一种制备基于光控取向液晶的微偏振检偏器阵列的方法，其中组成该微偏振检偏器阵列的微偏振检偏器可以对入射光中的不同偏振分量进行同步的提取。上述入射光中的不同偏振分量可以是0度或90度线偏振分量，也可以是45度或135度线偏振分量，也可以是右旋或左旋圆偏振分量。
总体来说，该方法包含如下几步：形成一个具有第一光控取向方向的第一取向层；形成一个具有三个或三个以上按预先确定的图案排列的相互不重叠的取向区域的第二取向层，其中每个取向区域的光控取向方向被称为该区域的第二光控取向方向并且每个取向区域的第二光控取向方向都不同于其他取向区域的第二光控取向方向；将第二取向层与第一取向层对准；并将一层液晶材料置于上述第一和第二取向层之间。
在第三实施例中，该微偏振检偏器阵列将按如下顺序制备：提供一个带有内外表面的第一衬底和一个带有内外表面的第二衬底；在上述第一和第二衬底的每个内表面上分别淀积铟锡氧化物(ITO)层并且将其形成图案；在上述第一和第二衬底的内表面上分别甩涂一层光敏染料材料；然后对第一衬底内表面的光敏染料材料沿着预先确定的参考方向取向，并且对第二衬底的内表面的光敏染料材料沿着与上述参考方向有着预先确定的不同夹角的方向进行有光刻板遮挡的分步光控取向。
该方法还包括：将上述第一和第二衬底以内表面相对的方式粘合在一起并在两内表面之间形成一道空隙；将液晶材料注入上述空隙并在第二衬底的外表面覆盖一层其偏振轴与上述预先确定的参考方向具有预先确定夹角的偏振薄膜。
在第四实施例中，该液晶微偏振检偏器阵列可以直接制备在一个固态图像传感器上，用以实时同步地提取和分析目标图景的全部偏振信息。
在第五实施例中，本发明提供了一种用于测量入射光中各偏振分量的仪器。该仪器包括一个具有多个像素的微偏振检偏器像素阵列，其中每个像素可以对入射光中三个或三个以上的偏振分量进行实质上同步的测量。
在第六实施例中，本发明提供了一种用于测量入射光中各偏振分量的仪器。该仪器包含：一个用于接收具有一种或一种以上偏振分量的入射光的第一取向层，其中该第一取向层的取向方向称为第一光控取向方向；一个与第一取向层对准的用于输出经过旋转的或经过相位延迟的光的第二取向层，该第二取向层包含三个或三个以上按预先确定的图案排列的取向区域，其中每个取向区域的光控取向方向被称为该区域的第二光控取向方向，并且每个取向区域的第二光控取向方向都不同于剩余的其他取向区域的第二光控取向方向；一个置于第一取向层和第二取向层之间并被第一取向层和第二取向层按照第一光控取向方向和对应的第二光控取向方向来进行取向的液晶层，其中该液晶层的不同区域会对入射光造成不同的偏振旋转或相位延迟，因而这些从第二取向层的三个或三个以上区域中的每个区域射出的经过偏振旋转的或经过相位延迟的光会具有入射光中的不同偏振分量。
在第七实施例中，本发明提供了一种制备微偏振检偏器阵列的方法，其中包括：形成一个具有第一光控取向方向的第一取向层；形成一个具有三个或三个以上按预先确定的图案排列的相互不重叠的取向区域的第二取向层，其中每个取向区域的光控取向方向被称为该区域的第二光控取向方向，并且每个取向区域的第二光控取向方向都不同于剩余的其他取向区域的第二光控取向方向；将第一取向层和第二取向层对准；并将一层液晶材料置于上述第一取向层和第二取向层之间。
附图说明
图1显示了四种具有不同液晶(LC)分子排列的液晶单元：其中(a)显示45度扭曲向列相液晶单元，(b)显示负45度扭曲向列相液晶单元，(c)显示非扭曲向列相液晶单元，(d)显示电场控制的液晶单元；
图2显示了用于同步提取通过四个斯托克斯参数定义的全部偏振信息的液晶微偏振检偏器阵列的视图；
图3显示了由一层微米尺度的光控取向液晶单元和偏振轴方向沿45度的线性偏振薄膜组成的液晶微偏振检偏器阵列的另一个视图；
图4显示了液晶微偏振检偏器阵列的像素单元的侧视图及其横截面图；
图5显示了通过以超像素中不同微偏振检偏器组合来实现的全斯托克斯参数提取；
图6显示了(a)带磺酸基的含氮染料材料(sulfonic azo-dye，SD1)的化学分子式和(b)带磺酸基的含氮染料材料(SD1)的吸收光谱；
图7显示了(a)用于形成图1(d)中所示的液晶分子排列的液晶单元的铟锡氧化物电极图案的光刻版，(b)用于形成图1(a)中所示的液晶分子排列的液晶单元的光控取向层的光刻版，(c)用于形成图1(b)中所示的液晶分子排列的液晶单元的光控取向层的光刻版；
图8显示了以玻璃片为第一和第二衬底的微偏振检偏器阵列的超像素的横截面图；
图9显示了以偏振轴方向沿45度的线性偏振薄膜作为第二衬底的微偏振检偏器阵列的超像素的横截面图；
图10显示了直接制备在一个图像传感器上的微偏振检偏器阵列的超像素的横截面图；
图11显示了图8，9，和10中的微偏振检偏器的制备过程。
具体实施方式
光现象可以用电磁场在不同介质中以波的形式传播来精确描述，其中该波(又称光波)振动的方向垂直于其传播方向。光的偏振特性可以用光波传播时其电场向量末端形成的路径来定义：如果该路径持续是一条直线，那么这种光就是线偏振光；如果该路径持续是一个圆，那么这种光就是圆偏振光；如果该路径持续是一个椭圆，那么这种光就是椭圆偏振光。上述电场向量通常用来描述光波的电场分量，其中电场向量中相互垂直的分量可以在x-y平面中做如下表述：
Ex(t)＝E0x(t)·cos[(ωt+δx(t)]，(E1)
Ey(t)＝E0y(t)·cos[(ωt+δy(t)]，(E2)
其中E0x(t)和E0y(t)分别是光波在t时刻沿x轴和y轴的瞬时振幅，δx(t)和δy(t)分别是光波在t时刻的瞬时相位因子，而ω则是光波在t时刻的瞬时角频率。
斯托克斯参数(又称斯托克斯向量)完全可以用来描述光所有可能的偏振状态，它们的光强形式可以表述如下：
S0＝I0°linear+I90°linear，(E3)
S1＝I0°linear-I90°linear，(E4)
S2＝2·I45°linear-I0°linear-I90°linear，(E5)
S3＝2·IR-circular-I0°linear-I90°linear，(E6)
其中I0°linear是入射光经过0度线性检偏器后的出射光光强，I90°linear是入射光经过90度线性检偏器后的出射光光强，I45°linear是入射光经过45度线性检偏器后的出射光光强，而IR-circular是入射光经过右旋圆检偏器后的出射光光强。
图1显示了具有四种不同液晶分子排列的液晶单元：(a)45度扭曲向列相液晶单元100；(b)负45度扭曲向列相液晶单元120；(c)非扭曲向列相液晶单元140；(d)电场控制的液晶单元160，其中电场是通过两个铟锡氧化物电极162和164施加的。
在前两种液晶单元100与120中，液晶分子的排列是通过分别对液晶层顶层和底层取向来实现的，其中液晶层顶层是分别通过取向层102和122沿着一个预先确定的方向取向的，而液晶层底层是分别通过取向层104和124沿着另一个的方向取向的。其中底层取向层取向方向与顶层取向层取向方向之间的夹角叫做扭曲角，记为Φ。在液晶单元100中，顶层取向层与底层取向层之间的LC扭曲角为45度；而在液晶单元120中，顶层取向层与底层取向层之间的LC扭曲角为负45度。如果Mauguin条件满足：
Δn·d＞＞λ，(E7)
则液晶单元100和120在光学上等效于偏振旋转器并且可以认为入射光的偏振平面沿着液晶分子的排列旋转Φ度，其中Δn是液晶材料的双折射率，d是液晶层的厚度，而λ是入射光的波长。当扭曲角介于负90度与90度之间时，该液晶单元工作在低扭曲向列相(lowtwisted nematic，LTN)模式。
在液晶单元140中，液晶分子的排列是通过将顶层和底层取向层沿着预先确定的相同方向进行取向来实现的。与之对应，该液晶单元140的LC扭曲角为0度(又称非扭曲)。该非扭曲液晶单元140在光学上等同于一个其快轴沿着上述预先确定的取向方向的相位延迟器，而其对入射光的相位延迟等于2π·Δn·d/λ。特别指出的是，对于波长4·Δn·d/(4m+1)，其中m＝0，1，2，…，液晶单元140在光学上等效于一个四分之一波长相位延迟器。因而，液晶单元140可以将经过它的有着上述波长的圆偏振光转变为45度或135度的线偏振光。
在液晶单元160中，液晶分子被通过形成有图案的铟锡氧化物电极162和164施加的电场进行取向，其结果是当电场强度足够强时，这些液晶分子将以分子长轴方向与所加电场方向平行的方式进行排列。此时，液晶单元160在光学上等效于一个中性密度滤光器(即一种没有双折射效果并对入射光相互垂直的偏振分量等量吸收的光学器件)。
用于入射光全偏振分量测量的微偏振检偏器阵列的结构
图2显示了一个用于同步提取任意偏振状态的入射光的全部斯托克斯参数的微偏振检偏器阵列202的一个具体实现方式。该微偏振检偏器阵列202至少包含一个超像素204，其中每个超像素204又包含四个微偏振检偏器(即206，208，210和212)，分别用于分析入射光中的0度，90度，45度线偏分量和右旋圆偏分量。
图3显示了上述微偏振检偏器阵列202的进一步具体实现方式，其包括一个由微米尺度的光控取向液晶单元构成的液晶层302、一个偏振轴沿45度的线性偏振薄膜层314和一个光电探测器阵列316。所述的包含光控取向液晶单元的液晶层302由具有类似于图1所示的液晶分子排列的四种液晶单元(即306，308，310和312)组成，其中这四种液晶单元在光学上分别等同于一个45度偏振旋转器，一个负45度偏振旋转器，一个四分之一波长相位延迟器(对于特定波长有效)和一个中性密度滤光器。
图4描述了图2和图3中显示的超像素204的两个横截面。每个超像素204包含四个布置在45度线性偏振薄膜418上的带有不同液晶分子排列的液晶单元306，308，310和312。如上所述，这四个液晶单元在光学上分别等同于一个45度偏振旋转器，一个负45度偏振旋转器，一个四分之一波长相位延迟器(对于特定波长有效)和一个中性密度滤光器。结合上述的45度线性偏振薄膜418，这四个微偏振检偏器光学上分别等同于图2中所示的一个0度线性检偏器，一个90度线性检偏器，一个45度线性检偏器和一个右旋圆检偏器。
图5显示了用于测量入射光分别通过微偏振检偏器206，208，210和212后出射光光强的四个光电探测器，这里I206，I208，I210和I212分别用来表示这四个出射光的光强。根据斯托克斯参数的光强表达式，实时同步的全斯托克斯参数提取可以通过光电流的读出和处理电路实现，其中光电流作为光电探测器的输出正比于出射光的光强。
以玻璃片作为第一和第二衬底的微偏振检偏器阵列的制备
图8描述了上述超像素204的横截面，其中两块带有内外表面的透明薄玻璃片被分别用作第一衬底808和第二衬底814。图11略述了其制备过程，下边描述其详细的制备步骤。这里各衬底和置于其上边的不同层被统一地称作“取向层”。
方框1102和1104中的步骤描述了第一和第二取向层的形成。具体来说，一层铟锡氧化物被分别淀积在第一和第二衬底的内表面上(如图8所示)。
另外，淀积在第二衬底上的铟锡氧化物层按照预先确定的子像素图案被选择性地刻蚀。特别指出的是，图7(a)中所示的光刻板702被用于该铟锡氧化物层的刻蚀。在刻蚀过程中，被光刻板702中黑色方块所覆盖的铟锡氧化物区域被完整的保留下来，而剩余的未覆盖的铟锡氧化物区域则被完全地刻蚀。保留下来的铟锡氧化物区域则被用来形成图3中所示的液晶单元310的电极411。
然后两个衬底的内表面被一个紫外一臭氧(UVO)清洁器清洁20分钟用以除去表面的有机污染物从而增强液晶光控取向层810和812的甩涂均匀性。
至于液晶光控取向层，一种以二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂的浓度为1％的SD1溶液被以先800转/秒后3000转/秒的速度甩涂到两个衬底的内表面上，两种甩涂速度的时间分别是10秒和40秒。为了去除SD1溶液中的杂质，在甩涂之前要对该SD1溶液进行过滤。然后这个两个衬底被以110℃的温度热烘20分钟，用于去除SD1甩涂层中剩余的溶剂和增强SD1甩涂层材料对两个衬底的粘附力。图6中的(a)和(b)分别显示了带磺酸基的含氮染料材料SD1的分子结构和吸收光谱。从图6(b)中可以看出该SD1材料对紫外区域的光非常敏感，而且在大致360nm的波长处达到了吸收峰值。因而，这个SD1材料层，又叫做光控取向层，可以被投射的线偏紫外光进行光控取向，其中被光控取向后的SD1分子的长轴方向与投射的线偏紫外光的偏振方向垂直。
然后这两个涂有SD1材料的衬底内表面被无光刻板遮挡地暴露于90度线偏紫外光下15分钟。这样在整个的光控取向层上形成了SD1分子的0度光控取向。
紧接着，涂有SD1材料的第二衬底的内表面被用图7(b)中所示光刻板704遮挡地暴露于负45度线偏紫外光下15分钟，从而导致所暴露区域(如图7(b)中白色方块所示)的SD1分子沿着45度再次取向。正是上述暴露区域形成了图1(a)中45度扭曲向列相液晶单元100的取向层104。
之后，涂有SD1材料的第二衬底的内表面被用图7(c)中所示光刻板706遮挡地暴露于45度线偏紫外光下15分钟，从而导致所暴露区域(如图7(c)中白色方块所示)的SD1分子沿着负45度再次取向。正是上述暴露区域形成了图1(b)中负45度扭曲向列相液晶单元120的取向层124。
这样，光控取向层812上的剩余区域就形成了图1(c)中非扭曲向列相液晶单元140的取向层144。
在方框1106步骤中，形成的第一和第二取向层被相互对准在一起。特别指出的是，第二衬底内表面被均匀地喷涂上玻璃纤维衬垫。这些玻璃纤维衬垫具有从5微米到20微米不等的直径。之后，这两个衬底被内表面相对地粘合在一起并且在这两个内表面取向层之间形成一道空隙。根据玻璃纤维衬垫和制备工艺的不同，这道空隙的宽度大致在5±0.1微米到20±0.1微米之间。
在方框1108步骤中，带有如上所述的预先确定双折射率Δn的液晶材料被注入到这两个衬底之间。
然后，第二衬底814的外表面被用一层线性偏振薄膜816覆盖，其中该线性偏振薄膜的偏振轴方向沿着45度。
最后，一个单色滤光片806被安放在第一衬底808的外表面上用以提供单色的入射光，从而使微偏振检偏器212中的非扭曲向列相液晶单元312对于该单色波长在光学上等效于四分之一波长延迟器。
以一层线性偏振薄膜作为第二衬底的微偏振检偏器阵列的制备
图9显示了微偏振检偏器阵列的另外一种实现方式，其中一层偏振轴沿45度的具有内外表面的线性偏振薄膜被用作第二衬底916，一块具有内外表面的透明薄玻璃片被用作第一衬底908。图9中所示的微偏振检偏器的优势在于具有更小的厚度和更简单的制备工艺。详细的制备过程类似于图11所示，现总结如下。这里，第一衬底908跟它上边附着的各个层被合起来称作第一取向层，同时上述线性偏振薄膜916跟它上边附着的各个层被合起来称作第二取向层。
具体地讲，首先，一层铟锡氧化物层被分别淀积在第一和第二衬底的内表面上。图7(a)中所示的光刻板702被用来刻蚀第二衬底(即45度线性偏振薄膜916)上的铟锡氧化物层。而剩余保留下来的铟锡氧化物区域则形成了电场控制液晶单元160中所需要的电极948。
其次，第一和第二衬底908和916的内表面被紫外—臭氧(UVO)清洁器清洁20分钟，用以除去表面的有机污染物从而增强液晶光控取向层材料的甩涂均匀性。
然后，与上述相同溶剂且相同浓度的SD 1溶液被以先800转/秒后3000转/秒的速度分别甩涂到第一衬底908的铟锡氧化物电极层946和第二衬底(即线性偏振薄膜916)的内表面上，其中两种甩涂速度的时间分别是10秒和40秒。
随后，第一衬底908和第二衬底(即线性偏振薄膜916)被分别以110℃和50℃的温度热烘20分钟，用于去除SD1甩涂层中剩余的溶剂和增强SD1甩涂层对两个衬底的粘附力。
之后，这两个涂有SD1材料的衬底内表面被无光刻板遮挡地暴露于90度线偏紫外光下15分钟。这样在整个的光控取向层上形成了SD1分子的0度光控取向。
紧接着，涂有SD1材料的第二衬底(即线性偏振薄膜916)的内表面被用图7(b)中所示光刻板704遮挡地暴露于负45度线偏紫外光下15分钟，从而导致所暴露区域(如图7(b)中白色方块所示)的SD1分子沿着45度再次取向。正是上述暴露区域形成了图1(a)中45度扭曲向列相液晶单元100的取向层104。
之后，涂有SD1材料的第二衬底916的内表面被用图7(c)中所示光刻板706遮挡地暴露于45度线偏紫外光下15分钟，从而导致所暴露区域(如图7(c)中白色方块所示)的SD1分子沿着负45度再次取向。正是上述暴露区域形成了图1(b)中负45度扭曲向列相液晶单元120的取向层124。第二衬底916上涂有SD1材料的其余部分形成了图1(c)所示的非扭曲向列相液晶单元140的取向层144。
再之后，具有从5微米到20微米不等直径的玻璃纤维衬垫被均匀地喷涂在第二衬底916的内表面上。这两个具有取向层的衬底被内表面相对地粘合在一起并且在这两个内表面取向层之间形成一道空隙。这道空隙随后被上述预先确定的双折射系数为Δn的液晶材料填满。
最后，一个单色滤光片906被安放在第一衬底908的外表面上用以提供单色的入射光，从而使微偏振检偏器212中的非扭曲向列相液晶单元312对于该单色波长在光学上等效于一个四分之一波长延迟器。
直接制备在固态图像传感器上的微偏振检偏器阵列
图10描述了微偏振检偏器阵列的另外一种实现方式，即将该微偏振检偏器阵列直接制备在一个固态图像传感器1054上，从而实现实时的偏振成像。如图10所示，一块带有内外表面的透明薄玻璃片被用作第一衬底1008。该固态图像传感器1054的钝化层1050被一张带有内外表面的线性偏振薄膜1016覆盖，其中该线性偏振薄膜1016的外表面正对着该固态图像传感器1054的钝化层1050并且该线性偏振薄膜1016的偏振轴沿着45度方向。该线性偏振薄膜1016跟该固态图像传感器1054一起被称作第二衬底，其中该线性偏振薄膜1016的内表面被称作该第二衬底的内表面。其具体的制备过程类似于图8和图9所示方法。更为具体的，该固态图像传感器1054可以是互补型金属—氧化物—半导体(CMOS)图像传感器或者电荷耦合器件(CCD)图像传感器。
所属领域的技术人员应当理解上述的每个超像素204可以包括三个或三个以上的提供相似功能的子像素，这些子像素可以排列成其他图案，诸如沿着一条线，而不是如附图中所示的2乘2网格的形式。
在此引用的包括出版物、专利申请以及专利的所有参考文献以引用的方式并入此文，如同每个参考文献被单独地且具体地以引用方式整体并入本文一样。
本发明上下文(尤其是后面的权利要求)中的术语“一个”、“一种”和“该”以及类似术语的使用应当被理解为涵盖了单个和多个，除非另外指出或者前后明显矛盾之外。术语“包括”、“具有”、“包含”和“拥有”应当被理解为开放式术语(即，意味着“包括，但不限于”)，除非另外标注。此处的数值范围的引用旨在仅仅作为一种单独指出落入该范围内的每个单个值的快速方法，除非另外指出，每个单个值如同被单独引用一样地并入本说明书中。可以以任何适当的顺序执行在此所述的所有方法，除非另外指出或者前后明显矛盾之外。在此使用的任何和所有示例，或者示范性语言(例如，“诸如”)的目的仅仅在于更好地描述本发明，而不会对本发明的范围进行限制，除非另外要求。本说明书中的语言不应当被理解为将任何未要求保护的元素作为实践本发明的必要。
在此描述了本发明的优选实施例，其中包括发明人所知的实现本发明的最佳模式。在阅读了上述的描述之后，这些优选实施例的变型对于所属领域的普通技术人员来说将变得显然。发明人期望所属领域的技术人员能够适当地采用这些变型，发明人的目的是实现本发明，而不是仅仅在此描述。因此，本发明包括适用法律所允许的在此所附的权利要求中引用的主题的所有变型和等价物。而且，上述元素在本发明所有可能的变型中的任何形式的组合都包含于本发明，除非另外指出或者前后明显矛盾。
本专利申请要求于2009年5月21日提交的美国临时专利申请第61/213,259的优先权，其内容以引文方式整体并入本文。

Claims (23)

1.一种用于测量入射光中偏振分量的仪器，包括：
一个具有多个像素的微偏振检偏器像素阵列，其中每个像素对入射光中的三种或者三种以上偏振分量进行实质上同步的测量，其中所述入射光中的三种或者三种以上偏振分量包括圆偏振分量，
其中所述微偏振检偏器像素阵列包括：
用于接收具有一种或者一种以上偏振分量的入射光的第一取向层，该第一取向层具有第一光控取向方向；
与第一取向层对准的用于输出偏振特性被改变的光的第二取向层，该第二取向层具有三个或者三个以上以预先确定的图案来排列的区域，其中该三个或者三个以上区域中的每个区域都具有与第二取向层的其它区域不同的第二光控取向方向；
一个置于第一取向层和第二取向层之间并且被第一取向层和第二取向层根据第一光控取向方向和第二光控取向方向来取向的液晶层，其中该液晶层的不同区域对于入射光会有不同的偏振特性改变，从而使得经由第二取向层不同区域输出的偏振特性被改变的光包含有入射光中的不同偏振分量。
2.根据权利要求1所述的仪器，其中每个像素包含三个或者三个以上的子像素，而且该三个或者三个以上的子像素中的每个子像素对入射光中的三种或三种以上偏振分量的其中一种进行测量。
3.根据权利要求1所述的仪器，其中每个像素对入射光中的四种偏振分量进行实质上同步的测量，所述入射光中的四种偏振分量包括右旋圆偏振分量和左旋圆偏振分量中的至少一种以及0度线偏振分量、45度线偏振分量、90度线偏振分量。
4.根据权利要求1所述的仪器，其中每个像素包含四个子像素，并且每个子像素构造为测量入射光中的不同偏振分量。
5.根据权利要求1所述的仪器，其中所述液晶层通过偏振旋转和相位延迟中的至少一种方式来对入射光进行偏振特性改变。
6.根据权利要求1所述的仪器，其中所述第一取向层包含一个第一衬底层、一个第一电极层和一个第一光控取向层，其中第一电极层被置于第一衬底层和第一光控取向层的第一表面之间，同时所述液晶层被置于第一光控取向层的第二表面上。
7.根据权利要求1所述的仪器，其中所述第二取向层包含一个第二衬底层、一个第二电极层和一个第二光控取向层，其中第二电极层和第二光控取向层的不同区域根据预先确定的图案彼此无重叠地交织排列在第二衬底层上，同时所述液晶层被置于该无重叠交织排列的第二电极层和第二光控取向层上。
8.根据权利要求1所述的仪器，还包含一个置于第二取向层外表面上的偏振薄膜。
9.根据权利要求8所述的仪器，还包含一个图像传感器，其中所述偏振薄膜被覆盖在该图像传感器上，同时第二取向层的三个或者三个以上的区域与图像传感器上的三个或者三个以上的感光像素对准。
10.根据权利要求9所述的仪器，其中所述偏振薄膜的偏振轴方向与第一光控取向方向成45度的夹角。
11.根据权利要求8所述的仪器，其中从所述包含三个或三个以上区域的第二取向层和所述偏振薄膜射出的光包含右旋圆偏振分量或左旋圆偏振分量。
12.根据权利要求1所述的仪器，其中所述第二取向层中的每个区域的第二光控取向方向与所述第一取向层的第一光控取向方向成0度，45度，或者135度的夹角。
13.根据权利要求7所述的仪器，其中一个具有电场取向方向的电场通过第一电极层和第二电极层对液晶层上对应于第二电极层的部分区域施加一个电场，以使得该液晶层上对应于第二电极层的部分区域中的液晶分子以分子长轴沿着该电场取向方向的方式进行排列。
14.根据权利要求7所述的仪器，其中第二取向层中有四个以二乘二网格形式排列的区域，所述四个区域中的一个区域被第二电极层占据，另外三个区域被第二光控取向层占据，同时被第二光控取向层占据的三个区域中的每个区域都具有一个不同于其它两个区域的第二光控取向方向，而且这些被第二光控取向层占据的三个区域的第二光控取向方向与所述第一光控取向方向成0度，45度，或者135度的夹角。
15.一种制备微偏振检偏器阵列的方法，其中所述微偏振检偏器像素阵列具有多个像素，其中每个像素对入射光中的三种或者三种以上偏振分量进行实质上同步的测量，其中所述入射光中的三种或者三种以上偏振分量包括圆偏振分量，所述方法包括：
形成一个具有第一光控取向方向的第一取向层；
形成一个具有三个或者三个以上以预先确定的图案排列的不重叠区域的第二取向层，其中该三个或者三个以上区域中的每个区域都具有不同于其它区域的第二光控取向方向；
将第一取向层和第二取向层对准；
将一个液晶层置于第一取向层和第二取向层之间。
16.根据权利要求15所述的方法，其中形成第一取向层的过程包括：
提供一个第一衬底层；
在该第一衬底层上甩涂一个第一光控取向层；
对该第一光控取向层定义一个第一光控取向方向。
17.根据权利要求15所述的方法，其中形成第二取向层的过程还包括：
提供一个第二衬底层；
在该第二衬底层上甩涂一个第二光控取向层；
对该第二光控取向层上的三个或者三个以上不重叠区域中的每个区域定义一个第二光控取向方向，使得该三个或者三个以上不重叠区域中的每个区域的第二光控取向方向都不同于其它区域的第二光控取向方向。
18.根据权利要求15所述的方法，其中形成第一取向层的过程包括：
提供一个第一衬底层；
在第一衬底层上形成一个第一电极层；
在第一电极层上甩涂一个第一光控取向层；
对该第一光控取向层定义第一光控取向方向。
19.根据权利要求15所述的方法，其中形成第二取向层的过程包括：
提供一个第二衬底层；
在第二衬底层上形成一个第二电极层；
根据预先确定的图案选择性地刻蚀第二电极层；
用第二光控取向层填充第二衬底层上第二电极层被刻蚀掉的区域；
对该第二光控取向层上的三个或者三个以上的不重叠区域定义三个或者三个以上不同的第二光控取向方向，使得该三个或者三个以上不重叠区域的第二光控取向方向彼此不同。
20.根据权利要求17所述的方法，还包括：
对该第二光控取向层上的三个或者三个以上非重叠区域用偏振方向沿90度，135度或者45度的偏振光进行选择性地曝光。
21.根据权利要求19所述的方法，还包括：
对该第二光控取向层上的三个或者三个以上非重叠区域用偏振方向沿90度，135度或者45度的偏振光进行选择性地曝光。
22.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在第二取向层的外表面上覆盖一层偏振薄膜，其中该偏振薄膜的偏振轴方向与第一光控取向方向成45度夹角。
23.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在一个含有三个或者三个以上感光像素的图像传感器的有源器件表面上形成一层偏振薄膜；
在该层偏振薄膜上形成该第二取向层，其中该层偏振薄膜的偏振轴方向与第一光控取向方向成45度夹角，同时该第二取向层的三个或者三个以上区域与该图像传感器的三个或者三个以上感光像素对准。
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