CN101836291B - 引线架及其制造方法 - Google Patents

引线架及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101836291B
CN101836291B CN2009801001827A CN200980100182A CN101836291B CN 101836291 B CN101836291 B CN 101836291B CN 2009801001827 A CN2009801001827 A CN 2009801001827A CN 200980100182 A CN200980100182 A CN 200980100182A CN 101836291 B CN101836291 B CN 101836291B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
lead
lead frame
area
enhancing portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2009801001827A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101836291A (zh
Inventor
洼田昭弘
石垣友章
高松义人
小岛宪夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HIIMA ELECTRONICS Inc
Original Assignee
HIIMA ELECTRONICS Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HIIMA ELECTRONICS Inc filed Critical HIIMA ELECTRONICS Inc
Publication of CN101836291A publication Critical patent/CN101836291A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101836291B publication Critical patent/CN101836291B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49558Insulating layers on lead frames, e.g. bridging members
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

一种引线架及其制造方法,该制造方法以简便的方法制造由内引线前端至刚性增强部的距离一致,内引线前端的刚性不会参差不齐的引线架。在顶料板的周围,形成多个内引线,设有由树脂将彼此相邻接的前述内引线之间及相邻接的前述内引线与前述支承杆之间相连结的刚性增强部的引线架,其中,彼此相邻接的内引线的间隔是由用以形成刚性增强部的树脂涂敷区域至内引线的顶料板侧前端呈平行至扩展。通过如上所示的构成,当在树脂涂敷区域涂敷树脂时,所涂敷树脂液不会朝前端方向扩展,可使由树脂硬化所形成的刚性增强部至前端为止的距离均一,而使内引线前端的刚性成为均一。

Description

引线架及其制造方法
技术领域
本发明是关于在半导体装置所使用的引线架中,设置用以保持内引线前端的增强部的引线架及该引线架的制造方法。
背景技术
半导体装置是例如图1所示,在顶料板(die pad)1上搭载半导体元件11,利用缆线13将已进行银镀敷等表面处理的内引线2前端部与半导体元件11的端子12进行接线,以封装用树脂14进行封装,之后,将外引线4成形为鸥翼状。外引线4是用以与外部电路作电性连接。
如图2所示,引线架是在顶料板1的周围形成有多个内引线2,形成介于坝条(dam bar)3而与上述内引线2相连的多个外引线4,形成有具有将配置在外周部的框架5与上述顶料板1加以固定的功能的支承杆(support bar)6。在接近内引线2的前端部的部位,设有用以补强内引线前端的刚性的刚性增强部7。靠近内引线2中心部的部分、与被搭载于顶料板的半导体元件的端子作引线键合(wire bonding)而彼此相连接。此外,在制造引线架的过程中,在其形成刚性增强部7之前,内引线前端是处于由前端连结部8而彼此相连结的状态,在形成刚性增强部7之后,将前端连结部8作切断分离,而形成为如图2所示的引线架。
坝条3是在由封装用树脂14予以封装后被切断,内引线彼此间是呈绝缘。
以往,刚性增强部7是由在内引线2前端附近黏贴卷带(tape)而将内引线加以固定而进行。在由该卷带所进行的固定方法中,是必须使其配合引线架的形状而将卷带起模而予以制造,但是会因起模而产生大量废弃物,或按照引线架的种类而必须具有起模用的金属模具等,由材料、废弃、管理成本的观点来看均存在问题。
另外有由树脂加以固定而形成为刚性增强部的方法,来取代由卷带将内引线的前端部加以固定的方法。例如,在日本特开平4-170058(专利文献1)中,是记载将引线架的上面以外埋设在绝缘体中,在日本特开平2-69966(专利文献2)中,是记载在前端部的引线架的间隔埋设紫外线硬化树脂,在日本特开平5-315533(专利文献3)中,是记载由网版印刷,在引线架间配置与引线架相同厚度的绝缘性树脂,在日本特开平5-267553(专利文献4)中,是记载在引线架的前端部的引线间埋设规定有杨氏模量的树脂,在日本特开平8-139266(专利文献5)中,是记载将内引线的引线键合(wirebonding)面的背面埋设在树脂中,在日本特开平10-116957(专利文献6)中,是记载在经薄壁化的内引线的前端填充树脂,此外,在日本特开平7-99281号公报(专利文献7)中,是记载将紫外线硬化树脂填充在引线间。
但是,作为将树脂配置在内引线间的间隙的方法,当使用由压入或埋设的方法(专利文献1、2、4、5、6)时,除了必须有供树脂压入或埋设的用的大规模装置,树脂配置位置的定位困难、压入或埋设的树脂量的管理困难的问题以外,埋设的树脂面的平滑性并不均一,且在进行引线键合时,会有引线架的加热不充分等问题。在由网版印刷来涂敷树脂的方法(专利文献3)中,会有在网版的阻塞或洗涤等的管理耗费时间,由网版的筛孔渗出树脂液而使树脂连不需要的部分都涂敷到等问题。在由射流(jet)喷射所得的方法(专利文献7)中,喷射1次射流所需时间本身较短,但是在多数内引线间的间隙射流喷射树脂时,会有需要颇多的时间而使生产性反而较低的问题。
本案申请人是在之前将由将内引线间隔设为特定范围,而且将涂敷液的粘度设为特定范围,由螺杆式分配器式的涂敷而形成刚性增强部的方法申请专利(PCT/JP2007/074256),但是在该方法中,相邻接的内引线间的间隔(以下称为“内引线间隔”)会朝向内引线前端而变狭,因此会产生因毛细管现象而使树脂液朝内引线前端方向扩展的现象,尤其在内引线间的间隔不均一时,树脂液的扩展方式会变得不均一,而会有刚性增强部的位置变得不一致的课题。
专利文献1:日本专利特开平4-170058号公报;
专利文献2:日本专利特开平2-69966号公报;
专利文献3:日本专利特开平5-315533号公报;
专利文献4:日本专利特开平5-267553号公报;
专利文献5:日本专利特开平8-139266号公报;
专利文献6:日本专利特开平10-116957号公报;
专利文献7:日本专利特开平7-99281号公报。
发明内容
本发明是在如上所示的状况下完成,目的在提高由树脂涂敷方法所得的刚性增强部形成的生产性,并且防止内引线前端部的刚性不均。
本发明人等鉴于上述课题精心研究结果,发现在内引线的前端附近,内引线间隔会由树脂涂敷区域至内引线前端呈平行至扩展,由此可防止因毛细管现象而使所涂敷的树脂液朝内引线前端方向扩展,而达成本发明。
亦即,本发明的要旨在于设计一种引线架,是在用以搭载半导体芯片的顶料板的周围,形成多个内引线,形成介于连结杆(tie bar)而与上述内引线相连的多个外引线,形成具有将被配置在外周部的框架与上述顶料板加以固定的功能的支承杆,设有由树脂将彼此相邻接的上述内引线之间及相邻接的上述内引线与上述支承杆之间相连结的刚性增强部的引线架,其特征为:
上述刚性增强部是由在树脂涂敷区域涂敷热硬化性树脂或紫外线硬化性树脂,从而使树脂填充在内引线间及内引线与支承杆之间,并使上述树脂硬化而形成的,
彼此相邻接的内引线的间隔是由上述树脂涂敷区域至内引线的顶料板侧前端呈平行至扩展。
在此,先厘清本发明中的用语的涵义。
引线架是由蚀刻或冲压来加工金属薄板,但是尤其在由蚀刻进行加工时,由于无法与薄板面完全垂直地进行加工,因此内引线间隔在两面会不同。因此,本发明中的内引线间隔是设为引线键合面的背面中相邻接的内引线间的间隔。
在本发明中,称为“内引线间隔”时是指相互邻接的内引线间的间隔。
在本发明中,仅称为“前端”时,是指将前端连结部8切断时的内引线的顶料板侧前端。
本发明的第一特征在于:内引线间隔是由树脂涂敷区域至内引线的顶料板侧前端呈平行至扩展。
内引线间隔扩展的锥形是以每平均长度1000μm为0μm以上、15μm以下的比例为佳。
树脂涂敷区域的位置是以靠近树脂涂敷区域的前端的端位于距离内引线前端0.1至2mm的位置为佳。若由前端至树脂涂敷区域为止的长度过大,则所形成的刚性增强部的位置会远离前端而使内引线前端的强度不足,故较不理想。相反地若过小时,由于用以将前端连结部切断去除的引线切断领域会变窄,故较不理想。
用在刚性增强部形成的树脂是使用热硬化性树脂或紫外线硬化性树脂,尤其优选以环氧树脂及潜在性固化剂所构成的单组分热固化性树脂。
在本发明中,是在引线键合面的背面涂敷树脂液,使树脂充填在内引线间,通过使其硬化而形成刚性增强部。以涂敷方法而言,是以使用分配器(定量液体吐出装置)的涂敷方法为佳。喷嘴及分配器是可利用公知的。
在公知的引线架中,是在顶料板的周边,以放射状形成有多个的内引线,因此如图4(a)所示,内引线间隔是愈靠近前端,变得愈窄(W1<W2),在前端附近设有以每平均长度1000μm为5至15μm的比例至前端侧变窄的锥形。在如上所示的公知型的引线架中,即使将用以形成刚性增强部的树脂液涂敷在涂敷线20,也如图4(b)的箭号所示,在使树脂硬化之前,树脂液会朝内引线前端侧扩展,而且因内引线间隔的微差等而在扩展方式有所不均,因此由前端连结部的切割线X-X’至刚性增强部的距离a、b、c会变得不均一,而使切割后的内引线前端的刚性变得不均一。
在本发明中,如图5(a)所示,在前端附近,内引线间隔至前端呈平行至扩展(W1≥W2),当在涂敷线20涂敷树脂液时,如图5(b)的箭号所示,在树脂硬化之前,树脂液是朝前端的相反侧扩展,由前端连结部的切割线X-X’至刚性增强部的距离d会变得均一。因此,内引线前端的刚性会变得均一。
附图说明
图1是说明引线架的使用状态的概略图;
图2是引线架的全体概观图;
图3是用以说明制造工程的引线架半成品的局部图;
图4是用以说明公知的引线架制造方法的概略图;
图5是本发明的树脂涂敷时的内引线前端部的说明图;
图6是本发明的引线架的说明图。
符号说明
1:顶料板
2:内引线
3:坝条
4:外引线
5:框架
6:支承杆
7:刚性增强部
11:半导体元件
12:端子
13:导线
14:封装用树脂
20:树脂涂敷区域
具体实施方式
以下根据附图,来说明本发明的实施方式。
图2是本发明的引线架的全体概观图。引线架是由由冲压或蚀刻等将铜合金、镍-铁合金等导电性佳的薄板予以成型而成的框本体、及由树脂等绝缘性材料所构成的刚性增强部7所成。内引线2的前端附近是被施予银镀敷等,可作引线键合。以形成刚性增强部的绝缘性材料而言,是使用热硬化性树脂、紫外线硬化性树脂等,其中优选以环氧树脂系的单组分热固化性树脂,尤其优选以涂敷时的黏度为4Pa·s以上、54Pa·s以下的环氧树脂系单组分热固化性树脂。
图5是将本发明的引线架的前端连结部8切割前的内引线2的前端附近的局部放大图。在本发明中,前端附近的引线架间隔W为W1≥W2,设有直到前端持续扩展的锥形。该锥形优选前端侧每长度1000μm即以0至15μm的比例扩展。
在本发明中,如图5(b)所示,若将树脂液涂敷在树脂涂敷区域20,所涂敷的树脂液是在内引线间由毛细管现象朝向狭窄空间侧亦即前端相反的方向(图中箭号)扩展。因此,前端切割线X-X’与至刚性增强部的距离d成为均一。
树脂液的涂敷是由接合面的背面进行。为了使树脂液顺利地进入内引线间,优选所涂敷的树脂液的黏度是以涂敷时为4至54Pa·s。
图6是将前端连结部8切断去除后的内引线前端附近的局部图。在本发明中,所涂敷的树脂液并不会由树脂涂敷区域朝前端方向扩展,因此由使树脂硬化所形成的刚性增强部7至前端为止的距离会均一对齐,并不会发生内引线刚性的不均。
由前端至刚性增强部的距离是优选0.1至2mm。若由前端至刚性增强部为0.1mm以下,则用以将前端连结部切断去除的引线切断区域会变得过窄,若为2mm以上,则内引线前端的刚性会变小,所以较不理想。在本发明中,由于由树脂涂敷区域朝向前端方向所被涂敷的树脂液不会扩展,因此将由前端至树脂涂敷区域的距离设为0.1至2mm,从而可控制由前端至刚性增强部的距离。
此外,如图6所示,为了使支承杆6与邻接的内引线之间的刚性增强部位置与内引线相互间的刚性增强部位置相一致,最好使支承杆与邻接的内引线的间隔亦由树脂涂敷区域至前端呈平行至扩展。
此外,由于内引线与支承杆的宽幅不同,因此会有在涂敷后支承杆的涂敷面残留树脂,或树脂量仅在支承杆与邻接的内引线之间变多的情形。在如上所示的情形下,如图6所示,在支承杆6的树脂涂敷区域设置开缝,使内引线与支承杆的宽幅的差异减小即可。
产业上利用可能性
在本发明中,由内引线前端至刚性增强部的距离一致,内引线前端的刚性不会参差不齐,可抑制引线键合的不良。此外,根据本发明的制造方法,可以简便的方式来制造上述本发明的引线架。

Claims (6)

1.一种引线架,是在用以搭载半导体芯片的顶料板的周围,形成多个内引线,形成经由连结杆而与所述内引线相连的多个外引线,形成具有将被配置在外周部的框架与所述顶料板加以固定的功能的支承杆,设有由树脂将彼此相邻接的所述内引线之间及相邻接的所述内引线与所述支承杆之间相连结的刚性增强部的引线架,其特征为:
所述刚性增强部是在树脂涂敷区域涂敷热硬化性树脂或紫外线硬化性树脂,从而使树脂填充在内引线之间及内引线与支承杆之间,并使所述树脂硬化而形成的,
彼此相邻接的内引线的间隔是由所述树脂涂敷区域至内引线的顶料板侧前端呈平行至扩展。
2.如权利要求1所述的引线架,其中,相邻接的内引线与支承杆的间隔是由所述树脂涂敷区域至内引线的顶料板侧前端呈平行至扩展。
3.如权利要求1所述的引线架,其中,在所述支承杆的树脂涂敷区域设有开缝状开口部。
4.如权利要求1至3中任一项所述的引线架,其中,所述刚性增强部是由在相邻接的内引线间填充由环氧树脂及潜在性固化剂所构成的单组分热固化性树脂而构成。
5.一种引线架的制造方法,是如权利要求1至4中任一项的引线架的制造方法,其特征为:用于形成所述刚性增强部的树脂液的涂敷面为引线键合面的背面侧。
6.如权利要求5所述的引线架的制造方法,其中,涂敷所述树脂液的方法是使用分配器的涂敷方法。
CN2009801001827A 2008-03-27 2009-03-24 引线架及其制造方法 Expired - Fee Related CN101836291B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008084298A JP2009239089A (ja) 2008-03-27 2008-03-27 リードフレーム及びその製造方法
JP2008-084298 2008-03-27
PCT/JP2009/055835 WO2009119590A1 (ja) 2008-03-27 2009-03-24 リードフレーム及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101836291A CN101836291A (zh) 2010-09-15
CN101836291B true CN101836291B (zh) 2012-08-29

Family

ID=41113782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801001827A Expired - Fee Related CN101836291B (zh) 2008-03-27 2009-03-24 引线架及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2009239089A (zh)
KR (1) KR20110010688A (zh)
CN (1) CN101836291B (zh)
TW (1) TW201005899A (zh)
WO (1) WO2009119590A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
KR200488256Y1 (ko) * 2018-03-16 2019-01-04 주식회사 태명산업 조립성이 개선된 led 등기구

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4357344B2 (ja) * 2004-04-16 2009-11-04 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2007109749A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Shiima Denshi Kk リードフレーム及び該リードフレームを使用した半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201005899A (en) 2010-02-01
JP2009239089A (ja) 2009-10-15
KR20110010688A (ko) 2011-02-07
WO2009119590A1 (ja) 2009-10-01
CN101836291A (zh) 2010-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100462105B1 (ko) 수지밀봉형 반도체장치의 제조방법
CN101611484B (zh) 无引脚半导体封装及其制造方法
CN102782838B (zh) 嵌入式芯片封装体
US5789280A (en) Leadframe having secured outer leads, semiconductor device using the leadframe and method of making them
CN100380614C (zh) 部分构图的引线框架及其制造方法以及在半导体封装中的使用
CN101385139B (zh) 基于引线框架的半导体封装件中或与之相关的改进及其制造方法
CN208478317U (zh) 半导体封装件
CN101836291B (zh) 引线架及其制造方法
CN101276765A (zh) 喷墨印刷引线键合,密封剂和屏蔽
US20070004092A1 (en) Semiconductor device manufacturing method
US20220230944A1 (en) Configurable leaded package
JP2010199412A (ja) 樹脂封止型半導体装置、多面付樹脂封止型半導体装置、リードフレーム、および樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP4039298B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法ならびに成形型
JP2001077287A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPH10261741A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4421934B2 (ja) 半導体装置の製造方法
DE112007003268B4 (de) Verfahren zum Halbleiterpacken und/oder Halbleiterpackung
US10998256B2 (en) High voltage semiconductor device lead frame and method of fabrication
TW201330122A (zh) 積體電路封裝以及裝配積體電路封裝之方法
CN102044445A (zh) 无外引脚半导体封装构造的导线架制造方法
JP2007109749A (ja) リードフレーム及び該リードフレームを使用した半導体装置
CN104900545A (zh) 一种半导体封装方法
CN1788342A (zh) 用于在衬底上堆积材料的模板和方法
CN102157484B (zh) 导线架与芯片封装体
JP4840305B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120829

Termination date: 20140324