CN101834576B - 多模可调谐cmos差分低噪声放大器 - Google Patents
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Abstract
本发明属于无线通信技术领域,具体为一种多模可调谐CMOS差分低噪声放大器,可用于DCS1800、PCS1900、WCDMA和Bluetooth多种无线通信标准。本发明中的低噪声放大器采用共源共栅源极退化电感结构,输出采用LC谐振网络,通过开关调节电容阵列,实现频带可调,配合片外输入阻抗匹配网络的调节,改变谐振频率,使得低噪声放大器工作在不同模式下。本发明实现了多模接收机中前端低噪声放大器,具有功耗低、噪声低、可调谐和芯片面积小等优点。
Description
技术领域
本发明属于无线通信技术领域,具体涉及一种无线通信系统接收机前端电路低噪声放大器。
背景技术
随着无线通信技术的不断发展,新的通信标准不断涌现,设计可调节或可配置的多标准接收机成为趋势。在多标准接收机架构中,前端低噪声放大器作为无线通信接收机第一级,占有至关重要的地位。低噪声放大器尽量不恶化信噪比时放大有用的微弱信号,把信号输送到下一级混频器处理。
图1说明了低噪声放大器在无线通信接收机中的地位。作为无线通信接收机系统第一级,低噪声放大器的性能影响整个无线通信接收机:(1)低噪声放大器的噪声系数决定了无线通信接收机的噪声底限。(2)低噪声放大器需要足够的电压增益,抑制后级混频器和模拟基带对无线通信接收机系统的噪声贡献。(3)信号附近有强干扰时,低噪声放大器需要足够好的线性度,减小多阶交调分量。(4)低噪声放大器要求低输入反射系数,与前级天线或滤波器做阻抗匹配,使功率传输最大化。低噪声放大器的性能参数噪声系数、电压增益、线性度和输入反射系数是相互影响,相互制约的,设计时需要在各参数之间折衷,综合考虑。
多标准前端低噪声放大器的主要有两种结构:多个窄带低噪声放大器并联输入和宽带结构。前者可实现较好的噪声系数和增益,但是芯片面积和功耗较大。后者可实现多标准多频段覆盖,但对Blocker的抑制不够好,影响整个接收机的灵敏度。
发明内容
本发明的目的在于提出一种功耗低,芯片面积小,而且增益高,线性度好的CMOS差分低噪声放大器。
本发明设计的CMOS差分低噪声放大器,是一个可调谐的差分多标准窄带低噪声放大器,通过开关调节电容阵列改变输出谐振频率,调节片外匹配网络实现输入阻抗匹配,使得低噪声放大器可以工作在不同通信标准下。另一方面,考虑到无线通信系统的功耗要求,本发明实现了低功耗条件下低噪声、高增益、低输入反射系数和高线性度。
本发明设计的CMOS差分低噪声放大器包含共源共栅放大器、输入阻抗匹配网络、可调谐输出LC谐振网络和偏置电路;还包含第一电容C1和第二电容C2,这2个电容都是交流耦合电容;其中:
a、所述的共源共栅放大器包含第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3和第四NMOS管M4;
b、所述的输入阻抗匹配网络包括第一电感Lg1、第二电感Lg2、第三电感Ls、第三电容Cg1、第四电容Cg2、第五电容Cex1和第六电容Cex2;
c、所述的可调谐输出LC谐振网络包括第四电感Lo、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七NMOS管M7、第八NMOS管M8、第七电容Ca1、第八电容Ca2、第九电容Cb1、第十电容Cb2、第十一电容Cc1、第十二电容Cc2、第十三电容Cd1和第十四电容Cd2;可调谐输出LC谐振网络实现选频功能,并且可调谐输出LC谐振网络在直流时不消耗电压裕度,提高输出的动态范围;
d、所述的偏置电路包括第九NMOS管MB、第一电阻RB1和第二电阻RB2;
第三电感Ls和第四电感Lo为带中心抽头的差分电感;差分信号输入端先并联第三电容Cg1和第四电容Cg2,后串联第一电感Lg1和第二电感Lg2,经交流耦合电容第一电容C1和第二电容C2连接到共源共栅管第一NMOS管M1和第二NMOS管M2的栅极;第一NMOS管M1和第二NMOS管M2的栅源并联第五电容Cex1和第六电容Cex2,第一NMOS管M1和第二NMOS管M2的源极与第三电感Ls差分端相连,第三电感Ls中心端连接到电源负端GND;共源管第一NMOS管M1和第二NMOS管M2的漏极分别与共栅管第三NMOS管M3和第四NMOS管M4的源极相连;共栅管第三NMOS管M3和第四NMOS管M4的漏极连接输出匹配网络;偏置电路中第九NMOS管MB栅极漏极相连,经第一电阻RB1和第二电阻RB2连接到第一NMOS管M1和第二NMOS管M2的栅极。
本发明的优点为:
a、在低功耗条件(电路功耗4mW)下实现了用于DCS1800、PCS1900、WCDMA和Bluetooth多模可调谐差分CMOS差分低噪声放大器。
b、本发明使用两个片上带中心抽头的差分电感,减小了芯片面积。
c、设计中输入共源管栅源间并联电容,减小噪声匹配和功率匹配间的差距,并有效减小工艺偏差对输入阻抗匹配的影响。
附图说明
图1:多模无线通信系统中低噪声放大器。
图2:本发明多模可调谐CMOS差分低噪声放大器电路图。
图3:本发明中Bluetooth模式下的可调谐输出LC谐振网络。
具体实施方式
现结合附图2和附图3详细描述本发明的技术方案
如图2所示,本发明多模可调谐CMOS差分低噪声放大器包括输入匹配网络,共源共栅放大电路,可调谐输出LC谐振网络。可调节输入阻抗匹配网络由第一电感(Lg1)、第二电感(Lg2)、第三电感(Ls)、第三电容(Cg1)、第四电容(Cg2)、第五电容(Cex1)和第六电容(Cex2)组成,实现多种无线通信标准不同频带下输入阻抗匹配。在低功耗条件下,输入匹配网络中在第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)的栅源间并联第五电容(Cex1)和第六电容(Cex2),减小噪声匹配和功率匹配间的差距,并有效减小工艺偏差对输入阻抗匹配的影响。
多模可调谐CMOS差分低噪声放大器工作时,输入阻抗匹配网络经过串并联转换,从栅极看进去的阻抗为:
其中gm是输入共源管第一NMOS管(M1)和第三NMOS管(M3)的跨导,Cp是总的栅极等效寄生电容,Cgs是第一NMOS管(M1)和第三NMOS管(M3)的栅源电容,Cex是第五电容(Cex1)和第六电容(Cex2)的电容值,Ct=Cgs+Cex。在低功耗限制下,选取Ct=Cp,达到阻抗匹配所需的gm最小,同等过驱动电压下功耗最小,并且有效减小了工艺波动对输入阻抗匹配的影响。在低功耗条件下,gm较小,导致Zg的实部小于特征源阻抗Rs,片外L型匹配网络先串联电感再并联电容。从端口看进去输入阻抗的实部为(2)式,谐振时输入阻抗实部Rin=Rs,虚部为0。
共源共栅放大器包含第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)和第四NMOS管(M4)。共栅管第二NMOS管(M2)和第四NMOS管(M4)在第一NMOS管(M1)和第三NMOS管(M3)的漏极引入低阻节点,减小了第一NMOS管(M1)和第三NMOS管(M3)的Miller效应,并提高了多模可调谐CMOS差分低噪声放大器的反向隔离度,改善了电路的稳定性。
可调谐输出LC谐振网络包括第四电感(Lo)、第五NMOS管(M5)、第六NMOS管(M6)、第七NMOS管(M7)、第八NMOS管(M8)、第七电容(Ca1)、第八电容(Ca2)、第九电容(Cb1)、第十电容(Cb2)、第十一电容(Cc1)、第十二电容(Cc2)、第十三电容(Cd1)和第十四电容(Cd2)。可调谐输出LC谐振网络实现选频功能,并且可调谐输出LC谐振网络在直流时不消耗电压裕度,提高输出的动态范围。控制NMOS开关管第五NMOS管(M5)、第六NMOS管(M6)、第七NMOS管(M7)和第八NMOS管(M8)导通和关闭,实现可调谐输出LC谐振网络。当第五NMOS管(M5)的栅极电压为1.2V电源电压,第六NMOS管(M6)、第七NMOS管(M7)和第八NMOS管(M8)为0V时,第五NMOS管(M5)导通,第六NMOS管(M6)、第七NMOS管(M7)和第八NMOS管(M8)关闭,第五NMOS管(M5)等效为一个导通电阻,可调谐输出LC谐振网络谐振频率在Bluetooth的频带内中心频率的位置。应用同样的原理,可调谐输出LC谐振网络可分别实现DCS1800、PCS1900和WCDMA无线通信协议下输出LC谐振,实现电路的选频功能。NMOS开关管第五NMOS管(M5)、第六NMOS管(M6)、第七NMOS管(M7)和第八NMOS管(M8)导通时等效为电阻,同时还存在寄生电容。NMOS开关管的沟道长度选择最小尺寸,同时沟道宽度越大,导通电阻越小,但是寄生电容也越大。NMOS开关管第五NMOS管(M5)、第六NMOS管(M6)、第七NMOS管(M7)和第八NMOS管(M8)尺寸选择要在导通电阻和寄生电容之间做权衡。
共源共栅放大器中第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)和第四NMOS管(M4)在版图中采用NMOS深阱管,可有效隔离数字电路引入的衬底噪声,减小自身衬底电阻热噪声。第三电感(Ls)和第四电感(Lo)采用片上带中心抽头的差分电感,保证了信号差分性,减小了芯片面积。
多模可调谐CMOS差分低噪声放大器的功耗主要是静态直流电流功耗。在低功耗条件下,第一NMOS管(M1)和第三NMOS管(M3)的尺寸比较小,栅源电容较小,输入阻抗匹配时第一电感(Lg1)和第二电感(Lg2)感值较大,而第一电感(Lg1)和第二电感(Lg2)寄生电阻与感值是弱线性关系,导致第一电感(Lg1)和第二电感(Lg2)噪声贡献很大。所以在栅源间并联电容第五电容(Cex1)和第六电容(Cex2),实现低功耗下输入阻抗匹配,并减小第一电感(Lg1)和第二电感(Lg2)的噪声贡献。当第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)沟道热噪声和第一电感(Lg1)、第二电感(Lg2)寄生电阻噪声贡献近似相等时,总的等效输入噪声电压最小。
最后所应说明的是,以上实施仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (1)
1.一种多模可调谐差分CMOS差分低噪声放大器,包含共源共栅放大器、输入阻抗匹配网络、可调谐输出LC谐振网络和偏置电路;还包含第一电容(C1)和第二电容(C2),这2个电容都是交流耦合电容;其中:
a、所述的共源共栅放大器包含第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)和第四NMOS管(M4);
b、所述的输入阻抗匹配网络包括第一电感(Lg1)、第二电感(Lg2)、第三电感(Ls)、第三电容(Cg1)、第四电容(Cg2)、第五电容(Cex1)和第六电容(Cex2);
c、所述的可调谐输出LC谐振网络包括第四电感(Lo)、第五NMOS管(M5)、第六NMOS管(M6)、第七NMOS管(M7)、第八NMOS管(M8)、第七电容(Ca1)、第八电容(Ca2)、第九电容(Cb1)、第十电容(Cb2)、第十一电容(Cc1)、第十二电容(Cc2)、第十三电容(Cd1)和第十四电容(Cd2);其中,第七电容(Ca1)、第八电容(Ca2)和第五NMOS管(M5)串联,第五NMOS管(M5)在第七电容(Ca1)与第八电容(Ca2)之间;同理第六NMOS管(M6)在第九电容(Cb1)与第十电容(Cb2)之间,第七NMOS管(M7)在第十一电容(Cc1)与第十二电容(Cc2)之间,第八NMOS管(M8)在第十三电容(Cd1)与第十四电容(Cd2)之间;然后第四电感(Lo)与第七电容(Ca1)、第八电容(Ca2)、第九电容(Cb1)、第十电容(Cb2)、第十一电容(Cc1)、第十二电容(Cc2)、第十三电容(Cd1)和第十四电容(Cd2)组成的电容阵列并联;可调谐输出LC谐振网络实现选频功能,并且可调谐输出LC谐振网络在直流时不消耗电压裕度,提高输出的动态范围;
d、所述的偏置电路包括第九NMOS管(MB)、第一电阻(RB1)和第二电阻(RB2);
第三电感(Ls)和第四电感(Lo)为带中心抽头的差分电感;差分信号输入端先并联第三电容(Cg1)和第四电容(Cg2),后串联第一电感(Lg1)和第二电感(Lg2),经交流耦合电容第一电容(C1)和第二电容(C2)连接到共源管第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)的栅极;第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)的的栅级与源级之间并联第五电容(Cex1)和第六电容(Cex2),第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)的源极与第三电感(Ls)差分端相连,第三电感(Ls)中心端连接到电源负端(GND);共源管第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)的漏极分别与共栅管第三NMOS管(M3)和第四NMOS管(M4)的源极相连;共栅管第三NMOS管(M3)和第四NMOS管(M4)的漏极连接输出匹配网络;偏置电路中第九NMOS管(MB)栅极漏极相连,经第一电阻(RB1)和第二电阻(RB2)连接到第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)的栅极。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010141732 CN101834576B (zh) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | 多模可调谐cmos差分低噪声放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010141732 CN101834576B (zh) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | 多模可调谐cmos差分低噪声放大器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101834576A CN101834576A (zh) | 2010-09-15 |
CN101834576B true CN101834576B (zh) | 2012-12-12 |
Family
ID=42718534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201010141732 Expired - Fee Related CN101834576B (zh) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | 多模可调谐cmos差分低噪声放大器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101834576B (zh) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102611394B (zh) * | 2011-01-20 | 2015-08-19 | 联芯科技有限公司 | 低噪声放大器及具有该低噪声放大器的前端系统 |
GB2490976A (en) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | Renesas Mobile Corp | LNAs adaptable between inductively degenerated and internal impedance matching configurations |
US8378748B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-02-19 | Renesas Mobile Corporation | Amplifier |
GB2481487B (en) | 2011-05-19 | 2012-08-29 | Renesas Mobile Corp | Amplifier |
US8514021B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-08-20 | Renesas Mobile Corporation | Radio frequency integrated circuit |
US8432217B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-04-30 | Renesas Mobile Corporation | Amplifier |
US8294515B1 (en) | 2011-05-19 | 2012-10-23 | Renesas Mobile Corporation | Amplifier |
CN102386874A (zh) * | 2011-07-22 | 2012-03-21 | 复旦大学 | 一种宽带可重构负载网络 |
CN102932017B (zh) * | 2011-08-08 | 2015-03-04 | 中国科学院微电子研究所 | 一种射频接收机 |
CN102938637A (zh) * | 2011-08-15 | 2013-02-20 | 中国科学院微电子研究所 | 超宽带低噪声放大器电路 |
CN103916084A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-09 | 北京中电华大电子设计有限责任公司 | 一种增益可调的低噪声放大器电路 |
US9154087B2 (en) * | 2013-08-01 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with configurable mutually-coupled source degeneration inductors |
CN105591625B (zh) * | 2014-10-20 | 2018-11-20 | 联芯科技有限公司 | 一种lna及该lna对信号进行放大的方法 |
CN105245197A (zh) * | 2015-09-24 | 2016-01-13 | 长沙景嘉微电子股份有限公司 | 一种快速谐振选频电路 |
CN108574463A (zh) * | 2017-03-07 | 2018-09-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 低噪声放大器及射频前端电路 |
WO2019114978A1 (en) * | 2017-12-15 | 2019-06-20 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Differential cascode amplifier for optical communication with tunable pass-band frequency |
CN110350870B (zh) * | 2019-06-27 | 2023-04-07 | 伍晶 | 一种Class-F2压控振荡器 |
CN110719074B (zh) * | 2019-09-23 | 2023-06-20 | 航天科工微电子系统研究院有限公司 | 一种可调谐的宽带低噪声放大器 |
CN110868165B (zh) * | 2019-11-29 | 2023-07-11 | 山东大学 | 多适应性可切换片上低噪声放大器及工作方法 |
CN112671350B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-01-04 | 北京力通通信有限公司 | 低噪声大带宽放大器 |
CN112702022B (zh) * | 2020-12-28 | 2021-11-23 | 北京力通通信有限公司 | 低噪声大带宽信号处理装置 |
CN112671357B (zh) * | 2020-12-31 | 2021-09-17 | 锐石创芯(深圳)科技有限公司 | 低噪声放大电路 |
CN114079428B (zh) * | 2022-01-19 | 2022-04-22 | 成都明夷电子科技有限公司 | 一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1797939A (zh) * | 2004-12-29 | 2006-07-05 | 上海贝岭股份有限公司 | 一种多模低噪声放大器电路 |
CN101197556A (zh) * | 2007-12-27 | 2008-06-11 | 复旦大学 | 采用有源电感负载的可调谐窄带低噪声放大器 |
CN101656516A (zh) * | 2009-07-23 | 2010-02-24 | 复旦大学 | 一种全差分cmos超宽带低噪声放大器 |
-
2010
- 2010-04-08 CN CN 201010141732 patent/CN101834576B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1797939A (zh) * | 2004-12-29 | 2006-07-05 | 上海贝岭股份有限公司 | 一种多模低噪声放大器电路 |
CN101197556A (zh) * | 2007-12-27 | 2008-06-11 | 复旦大学 | 采用有源电感负载的可调谐窄带低噪声放大器 |
CN101656516A (zh) * | 2009-07-23 | 2010-02-24 | 复旦大学 | 一种全差分cmos超宽带低噪声放大器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101834576A (zh) | 2010-09-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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