CN101819979A - 半穿透半反射式像素结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种半穿透半反射式像素结构，其具有一穿透区以及一反射区。像素结构包括一主动元件、一覆盖层、一反射电极层、一反射电极图案以及一穿透电极层。覆盖层位于穿透区以及反射区，且覆盖主动元件，其中覆盖层具有一接触窗开口，接触窗开口至少位于穿透区。反射电极层位于反射区内。反射电极图案位于接触窗开口内并延伸至接触窗开口周围的覆盖层的一上表面上。穿透电极层位于穿透区的覆盖层的表面上，其中穿透电极层与反射电极层电性连接且穿透电极层经接触窗开口与主动元件电性连接。

Description

半穿透半反射式像素结构

技术领域

本发明涉及一种像素结构及具有存储功能的像素结构，且特别是有关于一种半穿透半反射式像素结构及具有存储功能的半穿透半反射式像素结构。

背景技术

现今社会多媒体技术相当发达，多半受惠于半导体元件或显示装置的进步。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的液晶显示器已逐渐成为市场的主流。一般液晶显示器可分为穿透式、反射式，以及半穿透半反射式三大类。其中半穿透半反射式液晶显示器可同时在光线充足与光线不足的情形下使用，因此可应用的范围较广。

就半穿透半反射式液晶显示器而言，其可同时利用背光源以及外界光源进行显示。一般而言，半穿透半反射式液晶显示器包括像素阵列基板、对向基板以及介于上述二基板的液晶层。像素阵列基板上的像素结构具有穿透区与反射区，且穿透区内是设置透明像素电极，而反射区内则是设置反射像素电极。通常，透明像素电极会与反射像素电极电性连接，且反射像素电极通过位于反射区的绝缘层中的接触窗开口与漏极电性连接。然而，在现有技术中，为了降低液晶显示器在画面静止运作的功率消耗，通常会在每一像素结构的反射区内嵌入诸如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory；SRAM)等存储元件。此举造成像素结构的反射区的可利用空间缩小。因而部分半穿透半反射式像素结构的元件将必须移往穿透区。但如何能确保此种像素结构能拥有足够的穿透率以及良好的电特性是必须予以重视的。

发明内容

本发明提供一种半穿透半反射式像素结构以及具有存储功能的半穿透半反射式像素结构，其具有足够的穿透率以及良好的电特性。

本发明提出一种半穿透半反射式像素结构，其具有一穿透区以及一反射区。像素结构包括一主动元件、一覆盖层、一反射电极层、一反射电极图案以及一穿透电极层。覆盖层位于穿透区以及反射区，且覆盖主动元件，其中覆盖层具有一接触窗开口，接触窗开口至少位于穿透区。反射电极层位于反射区内。反射电极图案位于接触窗开口内并延伸至接触窗开口周围的覆盖层的一上表面上。穿透电极层位于穿透区的覆盖层的表面上，其中穿透电极层与反射电极层电性连接且穿透电极层经接触窗开口与主动元件电性连接。

本发明另提出一种具有存储功能的半穿透半反射式像素结构，其具有一穿透区以及一反射区。像素结构包括主动元件、存储元件、覆盖层、反射电极层、反射电极图案以及穿透电极层。主动元件设置在反射区中。存储元件设置在反射区中，并且与主动元件电性连接。覆盖层位于穿透区以及反射区，且覆盖主动元件以及存储元件，其中覆盖层具有一接触窗开口，接触窗开口至少位于穿透区。反射电极层位于反射区内。反射电极图案位于接触窗开口内并延伸至接触窗开口周围的覆盖层的一上表面上。穿透电极层位于穿透区的覆盖层的表面上，其中穿透电极层与反射电极层电性连接且穿透电极层经接触窗开口与主动元件电性连接。

本发明还提出一种像素结构，其具有一第一区以及一第二区，该像素结构包括：一主动元件；一覆盖层，位于该第一区以及该第二区，且覆盖该主动元件，其中该覆盖层具有一接触窗开口，该接触窗开口至少位于该第二区；一第一电极层，位于该第一区内；一第一电极图案，位于该接触窗开口内并延伸至该接触窗开口周围的该覆盖层的一上表面上；以及一第二电极层，位于该第二区的该覆盖层的表面上，其中该第二电极层与该第一电极层电性连接且该第二电极层经该接触窗开口与该主动元件电性连接。

其中该第一电极图案自接触窗开口的边缘延伸至该覆盖层的上表面的距离为d，且1.5微米≤d≤2.0微米。

其中该第二电极层更覆盖位于该第一区的该第一电极层。

其中该接触窗开口位于该第一区以及该第二区的交界处。

其中该主动元件具有一栅极、一源极以及一漏极，该漏极自该第一区延伸至该第二区，且该接触窗开口暴露出该漏极，其中该第一电极图案的尺寸不超过该漏极在该第二区的尺寸。

其中该第二电极层覆盖该第一电极图案。

其中该第一电极层以及该第一电极图案的材料为一反射材料，且该第二电极层的材料为一透明材料。

本发明同时提出一种具有存储功能的像素结构，其具有一第一区以及一第二区，该像素结构包括：一主动元件，设置在该第一区中；一存储元件，设置在该第一区中，并且与该主动元件电性连接；一覆盖层，位于该第一区以及该第二区，且覆盖该主动元件以及该存储元件，其中该覆盖层具有一接触窗开口，该接触窗开口至少位于该第二区；一第一电极层，位于该反射区内；一第一电极图案，位于该接触窗开口内并延伸至该接触窗开口周围的该覆盖层的一上表面上；以及一第二电极层，位于该第二区的该覆盖层的表面上，其中该第二电极层与该第一电极层电性连接且该第二电极层经该接触窗开口与该主动元件电性连接。

其中该第一电极图案自接触窗开口的边缘延伸至该覆盖层的上表面的距离为d，且1.5微米≤d≤2.0微米。

其中该穿透电极层更覆盖位于该第一区的该第一电极层。

其中该接触窗开口位于该第一区以及该第二区的交界处。

其中该主动元件具有一栅极、一源极以及一漏极，该漏极自该第一区延伸至该第二区，且该接触窗开口暴露出该漏极，其中该反射电极图案的尺寸不超过该漏极在该穿透区的尺寸。

其中该存储元件包括多个薄膜晶体管。

其中该第二电极层覆盖该第一电极图案。

其中该第一电极层以及该第一电极图案的材料为一反射材料，且该第二电极层的材料为一透明材料。

基于上述，本发明将接触窗开口设置于穿透区中，且通过在接触窗开口内配置延伸至接触窗开口周围的覆盖层上的反射电极图案，使穿透电极层能经接触窗开口内的反射电极图案而与主动元件具有良好的电性连接。换言之，当像素结构的反射区已经无可利用空间的情况下，本发明的像素结构是将接触窗开口设置于穿透区中，且其仍具有足够的穿透率以及良好的电特性。

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

附图说明

图1A是根据本发明一实施例的半穿透半反射式像素结构的俯视示意图；

图1B是沿图1A的I-I’的剖面示意图；

图1C是根据本发明另一实施例的半穿透半反射式像素结构的剖面示意图；

图2A是根据本发明又一实施例的半穿透半反射式像素结构的俯视示意图；

图2B是沿图2A的I-I’的剖面示意图；

图2C是根据本发明再一实施例的半穿透半反射式像素结构的剖面示意图；

图3是根据本发明另一实施例的半穿透半反射式像素结构的俯视示意图；

图4A是根据本发明一实施例的半穿透半反射式像素结构的剖面示意图；

图4B是根据本发明另一实施例的半穿透半反射式像素结构的剖面示意图。

其中，附图标记

100、100’、100a、100a’、100b、200、200’：半穿透半反射式像素结构

101、201：基板                    102、203：栅绝缘层

104、204：覆盖层                  104a、204a：表面

105：凸起结构                     106、206：反射电极层

108、208：反射电极图案            110、210：穿透电极层

120：主动元件                     122、224：栅极

123：通道层                       124：源极

126：漏极                         222：多晶硅层

222a：源极区                      222b：漏极区

222c：通道区                      223：导电图案层

202、226：介电层                  228：源极层

230：漏极层                       d：距离

DL：数据线                        H：接触窗开口

T：穿透区                         R：反射区

S1、S2：尺寸                      SL：扫描线

具体实施方式

在半穿透半反射式像素结构的制造过程中，会先在反射区与穿透区中形成绝缘层，此绝缘层具有位于穿透区的接触窗开口。接着，在位于反射区与穿透区的绝缘层上沉积一层反射像素电极材料层，此时反射像素电极材料会填入接触窗开口。然后，移除位于穿透区的反射像素电极材料，包括移除位于接触窗开口中的反射像素电极材料，再于穿透区的绝缘层上形成透明像素电极材料层，使透明像素电极通过接触窗开口与漏极电性连接。然而，在上述工艺中，由于绝缘层通常具有较大的厚度，即接触窗开口具有较大的深度，使得移除接触窗开口中的反射像素电极材料的步骤不易进行，造成反射像素电极材料残留于接触窗开口中。这些残留于接触窗开口中的反射像素电极材料会导致而后填入接触窗开口中的透明像素电极材料有爬坡断线的问题，使得透明像素电极与漏极之间的接触阻抗偏高。因此，以下实施例所提出的像素结构，可以解决因反射像素电极材料残留于接触窗开口中导致透明像素电极材料有爬坡断线的问题，使得透明像素电极与漏极之间的接触阻抗偏高的问题。

图1A是根据本发明一实施例的半穿透半反射式像素结构的俯视示意图，以及图1B是沿图1A的I-I’的剖面示意图。请同时参照图1A及图1B，本实施例的半穿透半反射式像素结构100包括基板101、主动元件120、覆盖层104、反射电极层106、反射电极图案108以及穿透电极层110。其中，反射电极层106与穿透电极层110构成像素结构100的像素电极。

半穿透半反射式像素结构100具有反射区R以及穿透区T。基板101可为玻璃基板、塑胶基板、硅基板或是其他适用的基板。基板上101包括设置有扫描线SL、数据线DL以及主动元件120。在本实施例中，主动元件120与扫描线SL以及数据线DL电性连接。主动元件120例如是薄膜晶体管，其包括栅极122、通道层123、源极124以及漏极126。一般来说，由于主动元件120为遮光元件，因此主动元件120较佳的是设置于反射区R中。然而，在本实施例中，由于半穿透半反射式像素结构100更包括设置于反射区R中的存储元件130，使得反射区R的可用空间有限。因此，本实施例的主动元件120的漏极126例如是自反射区R延伸至穿透区T。特别说明的是，存储元件130例如是与主动元件120电性连接，其可以是基于静态随机存取存储器(StaticRandom Access Memory；SRAM)的复杂架构而设计的结构，此可参照于2009年10月20日专利申请的中国台湾专利申请号第98135396号名称为“具像素数据自我保持机能的液晶显示装置与其静止模式运作方法”的申请案。再者，如图1B所示，基板101上更配置有一覆盖栅极122的栅绝缘层102。

覆盖层104位于反射区R以及穿透区T的基板101上，并且覆盖主动元件120、扫描线SL、数据线DL以及栅绝缘层102。其中，覆盖层104具有一接触窗开口H，接触窗开口H至少位于穿透区T，且暴露出漏极126。换言之，在本实施例中，接触窗开口H例如是位于穿透区T，但在另一实施例，接触窗开口H也可以同时位于反射区R与穿透区T(将于另一实施例中详述)。其中，覆盖层104的材质例如是具有感光性质的有机材料。此外，覆盖层104例如是在反射区R具有多个凸起结构105，以增加像素结构的反射区R的反射率。而凸起结构105可以利用刻蚀的方式来形成。特别一提的是，本发明未限制覆盖层104的材质、凸起结构105的形成方式、形状、密度以及位置，本实施例的附图所绘示的凸起结构105只是为了清楚说明。

反射电极层106配置于反射区R的覆盖层104上，因此反射电极层106会覆盖凸起结构105。反射电极层106的材质例如是金属，且较佳是选用具有高反射率以及高导电性的金属材料。

反射电极图案108位于接触窗开口H内并延伸至接触窗开口H周围的覆盖层104的上表面104a上。在本实施例中，反射电极图案108自接触窗开口H的边缘延伸至覆盖层104的上表面104a的距离例如是d，且1.5微米≤d≤2.0微米。更进一步说明，为了避免反射电极图案108影响半穿透半反射式像素结构100的开口率，较佳是将反射电极图案108的尺寸S1设计成不超过漏极126在穿透区T的尺寸S2。再者，在本实施例中，反射电极图案108通过接触窗开口H而与主动元件120的漏极126电性连接，且反射电极层106与反射电极图案108例如是不接触。其中，反射电极图案108的材质例如是与反射电极层106的材质相同，且较佳是选用具有高反射率以及高导电性的金属材料。

穿透电极层110是位于穿透区T的覆盖层104的上表面104a上，其中穿透电极层110与反射电极层106电性连接且穿透电极层110经接触窗开口H与主动元件120电性连接。在本实施例中，穿透电极层110与反射电极层106例如是连接在一起。详言之，穿透电极层110与主动元件120电性连接，且穿透电极层110又与反射电极层106电性连接，因此反射电极层106亦会与主动元件120电性连接。如此一来，当操作此像素结构时，穿透电极层110与反射电极层106是处于共电位的状态。另外，穿透电极层110的材质例如是透明导电材料，例如是金属氧化物，如铟锡氧化物、铟锌氧化物或是其他金属氧化物。再者，在另一实施例中，如图1C所示，穿透电极层110也可同时覆盖位于反射区R的反射电极层106，以避免反射电极层106材料有剥离的现象发生。此外，虽然在本实施例中是以反射电极层106延伸至扫描线SL上方以及穿透电极层110延伸至数据线DL上方为例，但本发明未对反射电极层106及穿透电极层110的配置方式加以限制，换言之，在其他实施例中，反射电极层106及穿透电极层110可以有其他配置方式。

请同时参照图1A、图1B以及图1C，一般来说，在覆盖层104上形成一整层的反射电极材料层后，通常会移除位于穿透区T的覆盖层104上的反射电极材料，而仅留下位于反射区R的覆盖层104上的反射电极层106。然而，在本实施例的半穿透半反射式像素结构100的制造工艺中，更留下位于接触窗开口H内并延伸至覆盖层104的上表面104a的反射电极材料，以形成反射电极图案108。换言之，接触窗开口H内具有结构连续且完整的反射电极图案108。如此一来，在位于穿透区T的覆盖层104上形成穿透电极材料层时，穿透电极材料层能完整地覆盖在反射电极图案108上，以形成穿透电极层110，而不会有前文所述的爬坡断线问题。因此，穿透电极层110不会有异常断线的问题，且由于其与反射电极图案108之间具有良好的电性接触，故穿透电极层110亦与主动元件120具有良好的电性连接。特别注意的是，虽然在本实施例中是以半穿透半反射式像素结构100包括设置于反射区R中的存储元件130为例，但上述的像素结构设计也可以应用于不包括存储元件的半穿透半反射式像素结构中。换言之，可以根据实际情况与需求而应用本发明的半穿透半反射式像素结构。

再者，在上述的实施例中，是以接触窗开口H位于穿透区T为例，但在另一实施例，如图2A所示，接触窗开口H也可以同时位于反射区R与穿透区T。请同时参照图2A与图2B，半穿透半反射式像素结构100a的构件及配置方式与图1A及图1B所示的半穿透半反射式像素结构100的构件及配置方式大致相同，其主要不同处在于接触窗开口H的位置。详言之，在本实施例中，接触窗开口H位于反射区R以及穿透区T的交界处，因此，反射电极图案108例如是与反射电极层106连接而一体成形。穿透电极层110位于穿透区T的覆盖层104的上表面104a上，且穿透电极层110与反射电极层106电性连接且穿透电极层110经接触窗开口H与主动元件120电性连接。在本实施例中，反射电极图案108自接触窗开口H的边缘延伸至覆盖层104的上表面104a的距离例如是d，且1.5微米≤d≤2.0微米。更进一步说明，为了避免反射电极图案108影响半穿透半反射式像素结构100的开口率，较佳是将反射电极图案108的尺寸S1设计成不超过漏极126在穿透区T的尺寸S2。此外，在本实施例中，是以穿透电极层110位于穿透区T为例，但在另一实施例中，如图2C所示，穿透电极层110可以由穿透区T的覆盖层104的上表面上延伸至反射区R的上表面上，以覆盖位于反射区R的位于反射区R的反射电极层106，进而避免反射电极层106材料有剥离的现象发生。

再者，在上述的半穿透半反射式像素结构中都是以反射电极层106与穿透电极层110分别占据像素区域的上半部与下半部为例，但在其他实施例中，反射电极层106与穿透电极层110也可以有多种配置方式。举例来说，如图3所示，在一实施例的半穿透半反射式像素结构100b中，穿透电极层110例如是环绕反射电极层106，且穿透电极层110例如是覆盖或未覆盖反射电极层106。换言之，半穿透半反射式像素结构中的反射电极层与穿透电极层可以具有多种配置方式，且反射电极层与穿透电极层在像素区域中所占的比例也可以根据实际情况与需求而调整。

特别说明的是，虽然在上述的实施例中，都是以半穿透半反射式像素结构具有底栅极型态的非晶硅薄膜晶体管(bottom gate type a-Si TFT)为例来进行说明，但本发明不限于此。换言之，本发明也可以应用于具有顶栅极型态的非晶硅薄膜晶体管(top gate type a-Si TFT)、顶栅极型态的低温多晶硅薄膜晶体管(top gate type LTPS-TFT)、底栅极型态的低温多晶硅薄膜晶体管(bottom gatetype LTPS-TFT)等的半穿透半反射式像素结构中。接下来将以顶栅极型态的多晶硅薄膜晶体管为例进行说明。

图4A是根据本发明另一实施例的半穿透半反射式像素结构的剖面示意图。请参照图4A，在本实施例中，半穿透半反射式像素结构200包括基板201、主动元件、覆盖层204、反射电极层206、反射电极图案208以及穿透电极层210。半穿透半反射式像素结构200具有反射区R以及穿透区T。基板201例如是玻璃基板。主动元件例如是低温多晶硅薄膜晶体管结构，其包括依序配置于基板201上的介电层202、多晶硅层222、栅绝缘层203、栅极224、介电层226、源极层228、漏极层230以及导电图案层223。其中，多晶硅层222配置在基板201上，且此多晶硅层222中包含有源极区222a、漏极区222b以及位于源极区222a与漏极区222b之间的通道区222c。其中，源极层228与源极区222a连接，漏极层230及导电图案层223分别与漏极区222b连接，且导电图案层223通过漏极区222b与漏极层230电性连接。

覆盖层204位于反射区R以及穿透区T的基板201上，并且覆盖主动元件、扫描线(未绘示)、数据线(未绘示)以及介电层226。覆盖层204具有一接触窗开口H，接触窗开口H位于穿透区T，且暴露出导电图案层223。覆盖层204的材料、结构以及形成方式可以参照前文所述，于此不赘述。反射电极层206配置于反射区R的覆盖层204上，反射电极图案208位于接触窗开口H内并延伸至接触窗开口H周围的覆盖层204的上表面204a上。在本实施例中，反射电极图案208自接触窗开口H的边缘延伸至覆盖层204的上表面204a的距离例如是d，且1.5微米≤d≤2.0微米。更进一步说明，为了避免反射电极图案208影响半穿透半反射式像素结构200的开口率，较佳是将反射电极图案208的尺寸S1设计成不超过导电图案层223在穿透区T的尺寸S2。穿透电极层210是位于穿透区T的覆盖层204的上表面204a上，其中穿透电极层210与反射电极层206电性连接且穿透电极层210经接触窗开口H与导电图案层223电性连接，进而与主动元件的漏极层230电性连接。在本实施例中，源极层228、漏极层230以及导电图案层223譬如是由同一导电材料层图案化形成，其材质譬如为金属或金属氧化物等具导电性的材料。反射电极层206与反射电极图案208例如是不接触，且反射电极层206与反射电极图案208材质例如是相同，较佳是选用具有高反射率以及高导电性的金属材料。穿透电极层210的材料例如是金属氧化物，如铟锡氧化物、铟锌氧化物或是其他金属氧化物。顺带一提的是，虽然在本实施例中是以反射电极层206与反射电极图案208不接触为例，但在另一实施例中，根据设计需求，反射电极层206也有可能与反射电极图案208连接而一体成形。再者，在另一实施例中，如图4B所示，穿透电极层210也可同时覆盖位于反射区R的反射电极层206，以避免反射电极层206材料有剥离的现象发生。

请同时参照图4A与图4B，一般来说，在覆盖层204上形成一整层的反射电极材料层后，通常会移除位于穿透区T的覆盖层204上的反射电极材料，以形成位于反射区R的覆盖层204上的反射电极层206。然而，在本实施例的半穿透半反射式像素结构200的制造工艺中，更留下位于接触窗开口H内并延伸至覆盖层204的上表面204a的反射电极材料，以形成反射电极图案208。换言之，接触窗开口H内具有结构连续且完整的反射电极图案208。如此一来，在位于穿透区T的覆盖层204上形成穿透电极材料层时，穿透电极材料层能完整地覆盖在反射电极图案208上，以形成穿透电极层210，而不会有前文所述的爬坡断线问题。因此，穿透电极层210不会有异常断线的问题，且由于其与反射电极图案208之间具有良好的电性接触，故穿透电极层210亦与主动元件具有良好的电性连接。

综上所述，本发明通过在接触窗开口内配置延伸至接触窗开口周围的覆盖层上的反射电极图案，使穿透电极层能经接触窗开口内的反射电极图案而与主动元件具有良好的电性连接。特别是，由于反射电极图案是连续且完整的结构，而非移除不完全的残留材料，因此而后形成于接触窗开口内的穿透电极层能完整地覆盖在反射电极图案上，而不会有爬坡断线问题。因此，本发明能避免穿透电极层与主动元件之间产生接触阻抗偏高的问题。

此外，实务上，反射电极图案与反射电极层是由同一反射电极材料层所形成，因此仅须依照设计移除一部分的反射电极材料层即可形成反射电极图案与反射电极层。换言之，本发明的半穿透半反射式像素结构与现有工艺相容，且无需增加额外的步骤。再者，随着像素结构的复杂化，在像素结构的反射区内所配置的元件渐增，当像素结构的反射区已经无可利用空间的情况下，本发明的像素结构是将接触窗开口设置于穿透区中，且其仍具有足够的穿透率以及良好的电特性。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (15)

1.一种像素结构，其特征在于，其具有一第一区以及一第二区，该像素结构包括：

一主动元件；

一覆盖层，位于该第一区以及该第二区，且覆盖该主动元件，其中该覆盖层具有一接触窗开口，该接触窗开口至少位于该第二区；

一第一电极层，位于该第一区内；

一第一电极图案，位于该接触窗开口内并延伸至该接触窗开口周围的该覆盖层的一上表面上；以及

一第二电极层，位于该第二区的该覆盖层的表面上，其中该第二电极层与该第一电极层电性连接且该第二电极层经该接触窗开口与该主动元件电性连接。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一电极图案自接触窗开口的边缘延伸至该覆盖层的上表面的距离为d，且1.5微米≤d≤2.0微米。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二电极层更覆盖位于该第一区的该第一电极层。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该接触窗开口位于该第一区以及该第二区的交界处。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该主动元件具有一栅极、一源极以及一漏极，该漏极自该第一区延伸至该第二区，且该接触窗开口暴露出该漏极，其中该第一电极图案的尺寸不超过该漏极在该第二区的尺寸。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二电极层覆盖该第一电极图案。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一电极层以及该第一电极图案的材料为一反射材料，且该第二电极层的材料为一透明材料。

8.一种具有存储功能的像素结构，其特征在于，其具有一第一区以及一第二区，该像素结构包括：

一主动元件，设置在该第一区中；

一存储元件，设置在该第一区中，并且与该主动元件电性连接；

一覆盖层，位于该第一区以及该第二区，且覆盖该主动元件以及该存储元件，其中该覆盖层具有一接触窗开口，该接触窗开口至少位于该第二区；

一第一电极层，位于该反射区内；

一第一电极图案，位于该接触窗开口内并延伸至该接触窗开口周围的该覆盖层的一上表面上；以及

一第二电极层，位于该第二区的该覆盖层的表面上，其中该第二电极层与该第一电极层电性连接且该第二电极层经该接触窗开口与该主动元件电性连接。

9.根据权利要求8所述的具有存储功能的像素结构，其特征在于，该第一电极图案自接触窗开口的边缘延伸至该覆盖层的上表面的距离为d，且1.5微米≤d≤2.0微米。

10.根据权利要求8所述的具有存储功能的像素结构，其特征在于，该穿透电极层更覆盖位于该第一区的该第一电极层。

11.根据权利要求8所述的具有存储功能的像素结构，其特征在于，该接触窗开口位于该第一区以及该第二区的交界处。

12.根据权利要求8所述的具有存储功能的像素结构，其特征在于，该主动元件具有一栅极、一源极以及一漏极，该漏极自该第一区延伸至该第二区，且该接触窗开口暴露出该漏极，其中该反射电极图案的尺寸不超过该漏极在该穿透区的尺寸。

13.根据权利要求8所述的具有存储功能的像素结构，其特征在于，该存储元件包括多个薄膜晶体管。

14.根据权利要求8所述的具有存储功能的像素结构，其特征在于，该第二电极层覆盖该第一电极图案。

15.根据权利要求8所述的具有存储功能的像素结构，其特征在于，该第一电极层以及该第一电极图案的材料为一反射材料，且该第二电极层的材料为一透明材料。

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