CN101819968B - 发光二极管封装 - Google Patents

发光二极管封装 Download PDF

Info

Publication number
CN101819968B
CN101819968B CN 200910006821 CN200910006821A CN101819968B CN 101819968 B CN101819968 B CN 101819968B CN 200910006821 CN200910006821 CN 200910006821 CN 200910006821 A CN200910006821 A CN 200910006821A CN 101819968 B CN101819968 B CN 101819968B
Authority
CN
China
Prior art keywords
opening
light
emitting diode
diode chip
supporting part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 200910006821
Other languages
English (en)
Other versions
CN101819968A (zh
Inventor
陈义文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Everlight Electronics Co Ltd
Original Assignee
Everlight Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Everlight Electronics Co Ltd filed Critical Everlight Electronics Co Ltd
Priority to CN 200910006821 priority Critical patent/CN101819968B/zh
Publication of CN101819968A publication Critical patent/CN101819968A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101819968B publication Critical patent/CN101819968B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种发光二极管封装包括一承载部、一壳体、至少一发光二极管芯片以及至少一静电防护元件。壳体包覆部分承载部，该壳体具有至少一第一开口、至少一第二开口与一挡墙，挡墙分隔第一开口与第二开口，第一开口与第二开口暴露出承载部的一第一表面。发光二极管芯片配置于承载部的第一表面上，并位于第一开口中，且发光二极管芯片电性连接至承载部。静电防护元件配置于承载部的第一表面上，并位于第二开口中，且静电防护元件电性连接至承载部。

Description

发光二极管封装
技术领域
本发明是有关于一种发光二极管封装，且特别是有关于一种由壳体分隔发光二极管芯片与静电防护元件的发光二极管封装。
背景技术
由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点，发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器的指示灯或光源。近年来，更由于发光二极管朝向多色彩以及高亮度化发展，发光二极管的应用范围已拓展至大型户外显示看板及交通号志灯等，未来甚至可以取代钨丝灯和水银灯以成为兼具省电和环保功能的照明灯源。
图1A绘示已知的一种发光二极管封装的上视图，图1B绘示图1A的发光二极管封装沿着I-I’线段的剖面图。请同时参考图1A与图1B，已知的发光二极管封装100包括一导电架(leadframe)110、一壳体(housing)120、一发光二极管芯片130、一静电防护元件(ESDprotector)140、多条导线(conductive wire)150与一封装胶体(encapsulant)160。壳体120包覆部分导电架110，并具有一开口122。发光二极管芯片130与静电防护元件140配置于导电架110上且位于开口122内，并且发光二极管芯片130与静电防护元件140分别由这些导线150电性连接至导电架110。此外，封装胶体160包覆发光二极管芯片130、静电防护元件140与这些导线150。
当已知的发光二极管封装100的发光二极管芯片130受电流驱动而发光时，发光二极管芯片130所发出的部份光线会由白色的壳体120反射后，才从透明的封装胶体160往远离导电架110的方向出射。由于已知的发光二极管封装100的静电防护元件140为非透明元件，所以当发光二极管芯片130受电流驱动而发光时，非透明的静电防护元件140将会吸收发光二极管芯片130所发出的部分光线。因此，已知的发光二极管封装100的发光强度会受到非透明的静电防护元件140的影响。
发明内容
本发明提供一种发光二极管封装，可避免静电防护元件吸收发光二极管芯片所发出的光线。
本发明提出一种发光二极管封装包括一承载部、一壳体、至少一发光二极管芯片、至少一静电防护元件以及一透明封装胶体。壳体包覆部分承载部，该壳体具有至少一第一开口、至少一第二开口与一挡墙，挡墙分隔第一开口与第二开口，第一开口与第二开口暴露出承载部的一第一表面，该壳体的该挡墙具有一背向该承载部的第二表面，该第二表面具有一连通该第一开口与该第二开口的沟槽。发光二极管芯片配置于承载部的第一表面上，并位于第一开口中，且发光二极管芯片电性连接至承载部。静电防护元件配置于承载部的第一表面上，并位于第二开口中，且静电防护元件电性连接至承载部；以及一第一封装胶体，填满于该壳体的该第一开口中，并包覆该发光二极管芯片，该第一封装胶体为一透明胶体；一第二封装胶体，填满于该壳体的该第二开口中，并包覆该静电防护元件，该第二封装胶体为一透明胶体；其中该沟槽的底部相对于该承载部的高度大于该发光二极管芯片的背对承载部的表面相对于该承载部的高度。
在本发明的一实施例中，承载部的第一表面为一平面，且发光二极管芯片、静电防护元件与壳体的挡墙皆配置于平面上。
在本发明的一实施例中，静电防护元件包括齐纳二极管芯片(zener)、发光二极管芯片、萧特基二极管芯片(Schottky diode chip)、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装、表面粘着型萧特基二极管封装或电容器。
在本发明的一实施例中，当静电防护元件包括齐纳二极管芯片、发光二极管芯片、萧特基二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装或表面粘着型萧特基二极管封装时，发光二极管芯片与静电防护元件反向并联。
在本发明的一实施例中，承载部为一导电架。
在本发明的一实施例中，壳体的材质为塑料、金属或金属氧化物。
在本发明的一实施例中，第二开口位于该第一开口的周边。
基于上述，本发明的壳体的挡墙是位于静电防护元件与发光二极管芯片之间，故可避免静电防护元件吸收发光二极管芯片所发出的光线。
附图说明
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下，其中：
图1A绘示已知的一种发光二极管封装的上视图，图1B绘示图1A的发光二极管封装沿着I-I’线段的剖面图。
图2A绘示本发明一实施例的发光二极管封装的上视图，图2B绘示图2A的发光二极管封装沿I-I’线段的剖面图。
图3绘示本发明一实施例的静电防护电路的示意图。
具体实施方式
图2A绘示本发明一实施例的发光二极管封装的上视图，图2B绘示图2A的发光二极管封装沿I-I’线段的剖面图。
请同时参照图2A与图2B，本实施例的发光二极管封装200包括一承载部210、一壳体220、一发光二极管芯片230以及多个静电防护元件240，其中承载部210例如为一导电架。
壳体220包覆部分承载部210，壳体220具有一第一开口222、多个第二开口224与多个挡墙226。挡墙226分隔第一开口222与第二开口224。第一开口222与第二开口224暴露出承载部210的一第一表面212。在本实施例中，第二开口224位于壳体220的多个角落部分228a，且第一开口222位于壳体220的一中心部分228b，其中第二开口224位于第一开口222的周边。
在本实施例中，壳体220的材质为塑料、金属或金属氧化物，举例来说，壳体220的材质例如为环氧树脂(epoxy)、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、陶瓷或前述材料的组合、或是其它适合的材料。
发光二极管芯片230配置于承载部210的第一表面212上，并位于第一开口222中，且发光二极管芯片230可透过一导线270电性连接至承载部210。在其它实施例中，发光二极管芯片230可透过多个凸块(未绘示)电性连接至承载部210，换言之，发光二极管芯片230可覆晶接合至承载部210。
静电防护元件240配置于承载部210的第一表面212上，并位于第二开口224中，且静电防护元件240可透过导线270电性连接至承载部210。具体而言，在本实施例中，挡墙226位于静电防护元件240与发光二极管芯片230之间，以避免静电防护元件240吸收发光二极管芯片230所发出的光线，进而提升发光二极管封装200的发光强度。在本实施例中，承载部210的第一表面212为一平面，且发光二极管芯片230、静电防护元件240与壳体220的挡墙226皆配置于此平面上。
在本实施例中，静电防护元件240包括齐纳二极管芯片、发光二极管芯片、萧特基二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装、表面粘着型萧特基二极管封装或电容器、或者是其它适于用来作为静电防护的元件。
在本实施例中，当静电防护元件240为齐纳二极管芯片、发光二极管芯片、萧特基二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装或表面粘着型萧特基二极管封装时，发光二极管芯片230与静电防护元件240为反向并联。图3绘示本发明一实施例的静电防护电路的示意图。请参照图3，发光二极管芯片230连接到一高电压端310与一低电压端320，静电防护元件240与发光二极管芯片230并联反接，换言之，静电防护元件240的正极与发光二极管芯片230的负极电性连接，且静电防护元件240的负极与发光二极管芯片230的正极电性连接。如此一来，当静电由低电压端320导入时，可由静电防护元件240的路径将静电导出，以避免静电破坏发光二极管芯片230。
另外，在本实施例中，可由一第一封装胶体250包覆发光二极管芯片230与导线270，并填满壳体220的第一开口222。第一封装胶体250例如为一透明封装胶体，例如环氧树脂(epoxy resin)、硅胶(silicone)或紫外线固化(UV-cured)胶。
此外，在本实施例中，可由一第二封装胶体260包覆静电防护元件240与导线270，并填满壳体220的第二开口224。第二封装胶体260可为一透明封装胶体或一不透明封装胶体，且第二封装胶体260的材质可相同于第一封装胶体250的材质。
在本实施例中，当第一封装胶体250的材质相同于第二封装胶体260的材质时，壳体220的挡墙226具有一背向承载部210的第二表面226a。第二表面226a可具有一连通第一开口222与第二开口224的沟槽T，且第一封装胶体250或第二封装胶体260填满于沟槽T中，沟槽T的底部T1相对于承载部210的高度H1大于发光二极管芯片230的背对承载部210的表面232相对于承载部210的高度H2。在形成第一封装胶体250与第二封装胶体260时，沟槽T可有助于使两者相互流通而具有等高的表面252、262，以避免因胶体过多所产生的溢流问题或者是表面252、262凸起的问题。
综上所述，本发明的壳体的挡墙位于静电防护元件与发光二极管芯片之间，故可避免静电防护元件吸收发光二极管芯片所发出的光线，进而提升发光二极管封装的发光强度。此外，在形成第一封装胶体与第二封装胶体时，挡墙上的沟槽可有助于使两者相互流通而具有等高的表面，以避免因胶体过多所产生的溢流问题或者是胶体表面凸起的问题。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后所附的权利要求范围所界定的为准。

Claims (7)

1.一种发光二极管封装，包括：
一承载部；
一壳体，包覆部分该承载部，该壳体具有至少一第一开口、至少一第二开口与一挡墙，该挡墙分隔该第一开口与该第二开口，该第一开口与该第二开口暴露出该承载部的一第一表面，该壳体的该挡墙具有一背向该承载部的第二表面，该第二表面具有一连通该第一开口与该第二开口的沟槽；
至少一发光二极管芯片，配置于该承载部的该第一表面上，并位于该第一开口中，且该发光二极管芯片电性连接至该承载部；
至少一静电防护元件，配置于该承载部的该第一表面上，并位于该第二开口中，且该静电防护元件电性连接至该承载部；以及
一第一封装胶体，填满于该壳体的该第一开口中，并包覆该发光二极管芯片，该第一封装胶体为一透明胶体；
一第二封装胶体，填满于该壳体的该第二开口中，并包覆该静电防护元件，该第二封装胶体为一透明胶体；
其中该沟槽的底部相对于该承载部的高度大于该发光二极管芯片的背对承载部的表面相对于该承载部的高度。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装，其中该承载部的该第一表面为一平面，且该发光二极管芯片、该静电防护元件与该壳体的该挡墙皆配置于该平面上。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装，其中该静电防护元件包括齐纳二极管芯片、发光二极管芯片、萧特基二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装、表面粘着型萧特基二极管封装或电容器。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装，其中当该静电防护元件包括齐纳二极管芯片、发光二极管芯片、萧特基二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装或表面粘着型萧特基二极管封装时，该发光二极管芯片与该静电防护元件反向并联。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装，其中该承载部为一导电架。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装，其中该壳体的材质为塑料、金属或金属氧化物。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装，其中该第二开口位于该第一开口的周边。
CN 200910006821 2009-02-27 2009-02-27 发光二极管封装 Expired - Fee Related CN101819968B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910006821 CN101819968B (zh) 2009-02-27 2009-02-27 发光二极管封装

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910006821 CN101819968B (zh) 2009-02-27 2009-02-27 发光二极管封装

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101819968A CN101819968A (zh) 2010-09-01
CN101819968B true CN101819968B (zh) 2012-05-23

Family

ID=42654993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200910006821 Expired - Fee Related CN101819968B (zh) 2009-02-27 2009-02-27 发光二极管封装

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101819968B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104716246B (zh) 2013-12-17 2017-09-26 展晶科技(深圳)有限公司 光电元件封装结构及其制造方法
CN105679754A (zh) * 2016-01-27 2016-06-15 长兴科迪光电股份有限公司 一种大功率led封装的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1873975A (zh) * 2005-05-31 2006-12-06 三星电机株式会社 具有静电放电损坏防护功能的高亮度发光二极管
CN101030572A (zh) * 2006-03-01 2007-09-05 瑞莹光电股份有限公司 发光二极管封装及其制造方法
CN201163006Y (zh) * 2007-11-20 2008-12-10 东莞市富士达电子科技有限公司 抗静电的led发光二极管

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1873975A (zh) * 2005-05-31 2006-12-06 三星电机株式会社 具有静电放电损坏防护功能的高亮度发光二极管
CN101030572A (zh) * 2006-03-01 2007-09-05 瑞莹光电股份有限公司 发光二极管封装及其制造方法
CN201163006Y (zh) * 2007-11-20 2008-12-10 东莞市富士达电子科技有限公司 抗静电的led发光二极管

Also Published As

Publication number Publication date
CN101819968A (zh) 2010-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8497523B2 (en) Light emitting diode package
CN102130239B (zh) 全方位采光的led封装方法及led封装件
CN107086263B (zh) 显示装置及其四面发光led
JP2007227882A (ja) 発光ダイオードパッケージとその製造方法
CN101030572A (zh) 发光二极管封装及其制造方法
CN100421269C (zh) 一种低热阻的发光二极管封装装置
CN101819968B (zh) 发光二极管封装
CN104752369A (zh) 光电元件模组
CN105822909A (zh) 紫外灯丝灯
CN106601898A (zh) 发光二极管封装结构
CN201893338U (zh) Led封装结构及led发光显示模组
CN103050582A (zh) 具胶墙的发光二极管封装方法
CN209180714U (zh) 可独立定型的柔性灯丝及灯丝灯
CN208478336U (zh) Led模组、柔性灯丝及光源
US9117731B2 (en) Light emitting diode package structure
KR20130024511A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
CN201859890U (zh) 光源装置
KR20150042162A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛
CN201827845U (zh) 改进型led灯支架
KR100839122B1 (ko) 측면 발광형 ｌｅｄ 램프 및 그 제조방법과, 그 ｌｅｄ램프를 포함하는 발광장치
CN102005446A (zh) Led封装结构及led发光显示模组
KR20150062343A (ko) 측면 발광 다이오드 패키지
KR102509053B1 (ko) 발광소자 패키지 및 조명 장치
CN204986528U (zh) 液体散热式led灯具
CN208797041U (zh) 一种led封装体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120523

Termination date: 20200227

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee