CN101814866B - 一种电热驱动微结构的制作方法 - Google Patents
一种电热驱动微结构的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101814866B CN101814866B CN2010101492626A CN201010149262A CN101814866B CN 101814866 B CN101814866 B CN 101814866B CN 2010101492626 A CN2010101492626 A CN 2010101492626A CN 201010149262 A CN201010149262 A CN 201010149262A CN 101814866 B CN101814866 B CN 101814866B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cantilever
- structural
- micro
- photoresist
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229920001486 SU-8 photoresist Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 15
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 11
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 208000001840 Dandruff Diseases 0.000 claims description 3
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- DITXJPASYXFQAS-UHFFFAOYSA-N nickel;sulfamic acid Chemical compound [Ni].NS(O)(=O)=O DITXJPASYXFQAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明是一种电热驱动微结构的制作方法，属于微制造技术领域，涉及在非金属基底上制造金属器件类。通过剥离工艺获得绝缘基底上的导线层；选用与电铸微结构结合力较小的金属材料做为基底；采用牺牲层技术，在不锈钢基底上，通过两次SU-8光刻胶紫外光刻、铜晶种子层的制备和两次镍的微电铸来实现三维电热驱动悬臂微结构的制作；悬臂结构与导线层的连接采用导电胶粘连的方法。本发明具有结构强度高、层与层之间结合牢固、微电铸层内应力小、微结构侧壁垂直度好、尺寸精度高等优点，利用该方法制作的电热驱动微结构悬臂高度可达几百微米，从而可实现大位移运动的要求。
Description
技术领域
本发明属于微制造技术领域，涉及在非金属基底上制造金属器件类。
背景技术
目前，微电热驱动器已广泛应用于开关、扫描仪和显影仪等电子产品中，它克服了静电和电磁驱动器对距离依赖的弱点，具有驱动电压低、结构简单、驱动力和输出变形大以及易于同集成电路制造工艺相兼容等优点，已成为微驱动器研究的热点之一。现有微电热驱动器的制作主要是在玻璃或硅基底上通过光刻、电镀等方法实现的，如杂志《微细加工技术》2007年第4期第47-49页和杂志《传感技术学报》2009年第12期第1696-1699页。文献1以玻璃为基底，Cu做为牺牲层，光刻胶作为掩膜，通过溅射氧化铝，电镀镍结构，最后通过用浓磷酸腐蚀牺牲层Cu的方法获得镍和氧化铝的悬臂结构，由于是各向同性腐蚀，所以难以保证基座的尺寸和侧壁的垂直度，且悬臂的高度也仅有6μm，结构强度较低，位移较小。文献2通过溅射、光刻、电镀、刻蚀相结合的方法，在玻璃基底上制作出U型微电热驱动悬臂结构，此方法虽然对基座的尺寸和侧壁垂直度有所改善，悬臂的高度也提高到了30μm，但仍然无法满足大位移的要求。
目前在微驱动器领域，有大位移运动要求的场合急需大厚度的电热微驱动器。
发明内容
本发明要解决的技术难题是克服上述现有方法的不足，针对在非金属基板上制作大厚度电热驱动微结构难的问题，发明一种在非金属基底上制作大厚度电热驱动微结构的方法。制作的微结构悬臂高度可达几百微米，同时具有结构强度高、层与层之间结合牢固、微电铸层内应力小、微结构侧壁垂直度好、尺寸精度高等优点，可作为有大位移运动要求的微传感器/微驱动器的核心器件。本发明采用的技术方案是一种电热驱动微结构的制作方法，包括绝缘基底上导线层制作、金属基底前处理、悬臂支撑基座的制作、铜晶种子层的制备、悬臂层的制作、微电铸后处理、释放悬臂结构、悬臂结构与导线层的连接。其特征是，通过剥离工艺获得绝缘基底上的导线层；选用与电铸微结构结合力较小的金属材料做为基底；采用牺牲层技术，在不锈钢基底上，通过两次SU-8光刻胶紫外光刻、铜晶种子层的制备和两次镍的微电铸来实现三维电热驱动悬臂微结构的制作；悬臂结构与导线层的连接采用导电胶粘连的方法；其制作方法的具体步骤如下：
1)导线层5、5’的制作：电热驱动结构导线层5、5’是在绝缘基底上制作的导电结构，通过剥离工艺获得，在硅基底4上氧化一层二氧化硅3，通过光刻正胶2获得导线图形c；在导线图形c中和正胶2的上表面溅射厚度为450nm的铝；用丙酮去除正胶2，在二氧化硅3上获得导线层5、5’；采用温度500～550℃处理，增强导线层5、5’与二氧化硅3的结合强度，时间10～15分钟；
2)金属基底前处理：基底前处理分为机械加工前处理和表面清洗两个部分；为了便于将结构从基底上取下，基底材料选择与电铸金属镍结合力较小的不锈钢；不锈钢基底8机械加工后的表面粗糙度Ra小于0.04μm；表面清洗采用丙酮擦净后，分别在丙酮和乙醇中超声清洗约20分钟；
3)第一、第二悬臂支承基座9、9’型模制作：旋涂SU-8光刻胶7，得到SU-8光刻胶7厚度约为50μm；光刻后获得自由空间a6；
4)微电铸：微电铸工艺就是将金属镍沉积到微电铸型模的自由空间a6中，形成第一、第二悬臂支撑基座9、9’，微电铸电铸液配方为氨基磺酸镍：365～375g/L、氯化镍：6～10g/L、硼酸：55～60g/L；微电铸工艺条件为：PH值：3.9～4.1、温度：48℃～52℃、电流密度1～1.5A/dm2；
5)铜晶种子层10的制备：铜晶种子层10的制备采用溅射工艺，在SU-8光刻胶7表面溅射铜，得到的铜晶种子层厚度为200～250nm；
6)悬臂层12的制作：在铜晶种子层10上采用SU-8光刻胶7的光刻工艺获得到自由空间11，自由空间11高度约为300μm，通过微电铸对自由空间11填充金属镍形成悬臂层12；此时在不锈钢基底8上得到的第一、第二悬臂支撑基座9，9’，悬臂层12构成悬臂结构；
7)微电铸后处理：微电铸的后处理包括真空退火和微结构的精磨、抛光；真空退火是将带有光刻胶的悬臂结构放入真空退火炉中以去除悬臂结构的内应力，退火绝对真空度约为10-3Pa，温度为400～450℃，退火后使结构在真空炉中自然冷却，然后进行精磨、抛光；
8)悬臂结构的释放：悬臂结构的释放采用浓硫酸煮的方法，将带有SU-8光刻胶7的悬臂结构放入浓硫酸中，将浓硫酸放在电炉上煮沸约15分钟，待悬臂结构上的SU-8光刻胶7全部溶解后，悬臂结构从不锈钢基底8上脱落，得到悬臂结构；
9)悬臂结构与导线层5、5’的连接：悬臂结构与导线层5、5’采用导电胶粘结，该操作在显微镜下完成。
本发明的有益效果是：解决了传统的在非金属基板上制作大厚度电热驱动悬臂微结构难的问题，可获得内应力小，侧壁垂直度好，表面光洁的微结构；针对用户的具体要求，可制作出厚度达数百微米的微结构，完全满足大位移的要求；为微执行器领域提供在非金属基底上制作大厚度电热驱动微结构的方法。
附图说明
图1是电热驱动U型悬臂结构简图，图2为氧化，曝光工序，图3为显影工序，图4为溅射铝工序，图5为去胶工序，图6是去胶工序俯视图，图7是光刻工序，图8是第一次微电铸工序，图9是第一次微电铸工序俯视图，图10是铜晶种子层制备工序，图11是光刻工序，图12是第二次微电铸工序，图13是第二次微电铸工序俯视图，图14是悬臂结构释放工序，图15是悬臂结构与导线层连接工序，图16是悬臂结构与导线层连接工序俯视图，其中：
1-光刻掩膜板，2-正胶，3-二氧化硅，4-硅基底，5-导线层a，5’-导线层b，6-自由空间a，7-SU-8光刻胶，8-不锈钢基底，9-第一悬臂支撑基座，9’-第二悬臂支撑基座，10-铜晶种子层，11-自由空间b，12-悬臂层，c-导线图形，UV-紫外光。
具体实施方式
以下结合附图和技术方案详细说明本发明具体的实施方式。
例案：在硅片上制作如附图1所示的电热驱动U型悬臂微结构，U型悬臂层12厚度为300μm，具体步骤如下：
1)导线层5、5’的制作：电热驱动结构导线层5、5’是在绝缘基底上制作的导电结构，通过剥离工艺获得，见附图2至附图6。在硅基底4上氧化一层二氧化硅3，通过光刻正胶2获得导线图形c，正胶2型号为BP212，见附图2，附图3；在导线图形c中和正胶2的上表面溅射厚度为450nm的铝，见附图4；用丙酮去除正胶2，在二氧化硅3上获得导线层5、5’，见附图5，附图6；采用温度500℃处理，增强导线层5、5’与二氧化硅3的结合强度，时间10分钟；
2)金属基底前处理：基底前处理分为机械加工前处理和表面清洗两个部分；为了便于将结构从基底上取下，基底材料选择与电铸金属镍结合力较小的不锈钢；不锈钢基底8机械加工后的表面粗糙度Ra小于0.04μm；表面清洗采用丙酮擦净后，分别在丙酮和乙醇中超声清洗20分钟；
3)第一、第二悬臂支承基座9、9’型模制作：采用转速1300r/min旋涂SU-8光刻胶7，SU-8光刻胶的型号为2075，得到SU-8光刻胶7厚度约为50μm，光刻后获得自由空间a6，见附图7；
4)微电铸：微电铸工艺就是将金属镍沉积到微电铸型模的自由空间a6中，形成第一、第二悬臂支撑基座9、9’，微电铸电铸液配方为氨基磺酸镍：365g/L、氯化镍：6g/L、硼酸：55g/L；微电铸工艺条件为：PH值：3.9、温度：48℃、电流密度1A/dm2，见附图8，附图9；
5)铜晶种子层10的制备：铜晶种子层10的制备采用溅射工艺，在SU-8光刻胶7表面溅射铜，得到的铜晶种子层厚度为200nm，见附图10；
6)U型悬臂层12的制作：在铜晶种子层10上采用SU-8光刻胶7的光刻工艺获得到自由空间11，自由空间11高度约为300μm，见附图11；通过微电铸对自由空间11填充金属镍形成U型悬臂层12，见附图12，附图13；此时在不锈钢基底8上得到的第一、第二悬臂支撑基座9，9’，U型悬臂层12构成U型悬臂结构；
7)微电铸后处理：微电铸的后处理包括真空退火和微结构的精磨、抛光；真空退火是将带有光刻胶的U型悬臂结构放入真空退火炉中以去除U型悬臂结构的内应力，退火绝对真空度为10-3Pa，温度为400℃，退火后使结构在真空炉中自然冷却，然后进行精磨、抛光；
8)U型悬臂结构的释放：U型悬臂结构的释放采用浓硫酸煮的方法，将带有SU-8光刻胶7的U型悬臂结构放入浓硫酸中，将浓硫酸放在电炉上煮沸约15分钟，待U型悬臂结构上的SU-8光刻胶7全部溶解后，U型悬臂结构从不锈钢基底8上脱落，见附图14；
9)U型悬臂结构与导线层5、5’的连接：U型悬臂结构与导线层5、5’采用导电胶粘结，导电胶为UNINWELL公司的999-200系列银浆，见附图15，附图16，该操作在显微镜下完成。
采用本发明提出的电热驱动微结构的制作方法，可以在非金属基底上制作出内应力小，侧壁垂直度好，尺寸精度较高的微结构，尤其是厚度可达几百微米，保证器件具有足够的强度，满足大位移运动的要求。
Claims (1)
1.一种电热驱动微结构的制作方法，其特征是，通过剥离工艺获得绝缘基底上的导线层；选用与悬臂微结构结合力较小的金属材料做为基底；采用牺牲层技术，在不锈钢基底上，通过两次SU-8光刻胶紫外光刻、铜晶种子层的制备和两次镍的微电铸来实现悬臂微结构的制作；悬臂微结构与导线层的连接采用导电胶粘连的方法；其制作方法的具体步骤如下：
1)导线层(5、5’)的制作：电热驱动微结构导线层(5、5’)是在绝缘基底上制作的导电结构，通过剥离工艺获得，在硅基底(4)上氧化一层二氧化硅(3)，通过光刻正胶(2)获得导线图形(c)；在导线图形(c)中和正胶(2)的上表面溅射厚度为450nm的铝；用丙酮去除正胶(2)，在二氧化硅(3)上获得导线层(5、5’)；采用温度500～550℃处理，增强导线层(5、5’)与二氧化硅(3)的结合强度，时间10～15分钟；
2)金属基底前处理：金属基底前处理分为机械加工前处理和表面清洗两个部分；为了便于将悬臂微结构从金属基底上取下，金属基底材料选择与电铸金属镍结合力较小的不锈钢；不锈钢基底(8)机械加工后的表面粗糙度Ra小于0.04μm；不锈钢基底(8)的表面清洗采用丙酮擦净后，分别在丙酮和乙醇中超声清洗约20分钟；
3)第一、第二悬臂支承基座(9、9’)型模制作：旋涂SU-8光刻胶(7)，得到SU-8光刻胶(7)厚度约为50μm，光刻后获得自由空间a(6)；
4)微电铸：微电铸工艺就是将金属镍沉积到第一、第二悬臂支承基座型模(9、9’)的自由空间a(6)中，形成第一、第二悬臂支承基座(9、9’)，微电铸电铸液配方为氨基磺酸镍：365～375g/L、氯化镍：6～10g/L、硼酸：55～60g/L；微电铸工艺条件为：PH值：3.9～4.1、温度：48℃～52℃、电流密度1～1.5A/dm2；
5)铜晶种子层(10)的制备：铜晶种子层(10)的制备采用溅射工艺，在SU-8光刻胶(7)表面溅射铜，得到铜晶种子层厚度为200～250nm；
6)悬臂层(12)的制作：在铜晶种子层(10)上采用SU-8光刻胶(7)的光刻工艺获得到自由空间(11)，自由空间(11)高度约为300μm，通过微电铸对自由空间(11)填充金属镍形成悬臂层(12)；此时在不锈钢基底(8)上得到的第一、第二悬臂支撑基座(9，9’)，与悬臂层(12)一起构成悬臂微结构；
7)微电铸后处理：微电铸的后处理包括真空退火和悬臂微结构的精磨、抛光；真空退火是将带有光刻胶的悬臂微结构放入真空退火炉中以去除悬臂微结构的内应力，退火绝对真空度约为10-3Pa，温度为400～450℃，退火后使悬臂微结构在真空炉中自然冷却，然后进行精磨、抛光；
8)悬臂微结构的释放：悬臂微结构的释放采用浓硫酸煮的方法，将带有SU-8光刻胶(7)的悬臂微结构放入浓硫酸中，将浓硫酸放在电炉上煮沸约15分钟，待悬臂微结构上的SU-8光刻胶(7)全部溶解后，悬臂微结构从不锈钢基底(8)上脱落，得到悬臂微结构；
9)悬臂微结构与导线层(5、5’)的连接：悬臂微结构与导线层(5、5’)采用导电胶粘结，该操作在显微镜下完成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101492626A CN101814866B (zh) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | 一种电热驱动微结构的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101492626A CN101814866B (zh) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | 一种电热驱动微结构的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101814866A CN101814866A (zh) | 2010-08-25 |
| CN101814866B true CN101814866B (zh) | 2012-08-01 |
Family
ID=42622010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010101492626A Expired - Fee Related CN101814866B (zh) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | 一种电热驱动微结构的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101814866B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101148243A (zh) * | 2007-09-14 | 2008-03-26 | 大连理工大学 | 一种三维电铸微结构的制作方法 |
| CN101580223A (zh) * | 2009-06-18 | 2009-11-18 | 大连理工大学 | 一种压电微悬臂梁探针的制作方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2002363529A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-19 | Coventor, Incorporated | Micro-scale interconnect device with internal heat spreader and method for fabricating same |
| US6753582B2 (en) * | 2002-08-14 | 2004-06-22 | Intel Corporation | Buckling beam bi-stable microelectromechanical switch using electro-thermal actuation |
-
2010
- 2010-04-16 CN CN2010101492626A patent/CN101814866B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101148243A (zh) * | 2007-09-14 | 2008-03-26 | 大连理工大学 | 一种三维电铸微结构的制作方法 |
| CN101580223A (zh) * | 2009-06-18 | 2009-11-18 | 大连理工大学 | 一种压电微悬臂梁探针的制作方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 胡志军 等.一种新型的电热驱动MEMS微继电器的研制.《传感技术学报》.2009,第22卷(第12期),第1696-1699页. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101814866A (zh) | 2010-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100590062C (zh) | 一种三维电铸微结构的制作方法 | |
| CN104765144B (zh) | 电磁—静电混合驱动二维微扫描镜及制作方法 | |
| CN101920928B (zh) | 复合微机械部件及其制造方法 | |
| TWI436939B (zh) | 矽金屬複合材料微機械構件及其製造方法 | |
| KR100827579B1 (ko) | 박막 디바이스 및 박막 인덕터 | |
| JP3986048B2 (ja) | 裏面に金属被覆を備える、マイクロメカニカルおよびマイクロオプトメカニカルな構造物を製造するための方法 | |
| CN103103583B (zh) | 一种金属基底上制作多层金属可动微结构的方法 | |
| US5685062A (en) | Self-assembly fabrication method for planar micro-motor | |
| CN101814866B (zh) | 一种电热驱动微结构的制作方法 | |
| CN101030033A (zh) | 用叠层光刻胶牺牲层制备mems悬空结构的方法 | |
| CN107271930A (zh) | 一种折合梁结构的mems磁场传感器及制备方法 | |
| CN113460955A (zh) | 一种快速微机电磁通门芯片制造方法 | |
| TW408417B (en) | Planar-shape thin probe having electrostatic actuator manufactured by using sacrificed layer technology and its manufacturing method | |
| CN102063047B (zh) | 由可微加工材料制成的自由安装轮副以及制造所述轮副的方法 | |
| CN102320132A (zh) | 一种电场诱导液溶胶微复型的工艺 | |
| JP4515207B2 (ja) | 型の製造方法とその型を用いて製造された部品 | |
| CN1547226A (zh) | 深刻蚀平面电磁线圈及制作方法 | |
| CN103708414A (zh) | 一种磁性纳米阵列的制备及转移方法 | |
| CN105712290B (zh) | Mems静电驱动器的制作方法 | |
| CN109160481A (zh) | 基于mems工艺的二维磁驱动扫描微镜及其制备方法 | |
| CN101559915A (zh) | 一种制备mems器件的牺牲层工艺方法 | |
| CN103523743B (zh) | 一种微型摩擦式能量采集器及其制备方法 | |
| Golda et al. | Two-layer electroplated microcoils with a PECVD silicon dioxide interlayer dielectric | |
| TWI261890B (en) | Micro contact device and fabricating method thereof | |
| TW200530119A (en) | Manufacturing method for micromechanical probe structure and micromechanical probe structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120801 Termination date: 20150416 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |