CN101789465A - 一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法 - Google Patents
一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101789465A CN101789465A CN201010019302A CN201010019302A CN101789465A CN 101789465 A CN101789465 A CN 101789465A CN 201010019302 A CN201010019302 A CN 201010019302A CN 201010019302 A CN201010019302 A CN 201010019302A CN 101789465 A CN101789465 A CN 101789465A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- defect
- solar cell
- silicon solar
- electric leakage
- battery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 14
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 claims description 2
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 206010011376 Crepitations Diseases 0.000 description 1
- 229910017502 Nd:YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法,该方法通过电学和光学检测手段检测电池各种缺陷区域的漏电情况,对缺陷漏电区域精确定位,在真空、气态或液态环境中,利用激光束在缺陷漏电区域及其周围做刻蚀,切断电池缺陷漏电区域与电池其他正常工作区域的电流通道,或直接将缺陷区域刻蚀消除,从而消除漏电效应,使电池恢复正常性能。本发明的工艺可以精确消除或隔离缺陷漏电区域,对电池的损伤小,不影响电池外观,处理速度快,并可以在激光刻蚀区域设计各种装饰图案和文字,使电池更具欣赏性。
Description
技术领域
本发明属于太阳能光伏发电领域,具体涉及一种晶体硅太阳电池缺陷的修复方法。
背景技术
硅太阳电池利用p-n结的光生伏特效应实现光电转换,已经成为新能源发展主流之一。2008年晶体硅太阳电池占世界太阳电池总产量的90%左右,并且在未来一段时间将继续占据市场的主流地位。晶体硅太阳电池本身是一个p-n结二极管,根据二极管的工作特性,在电池正常工作时,会存在一定的反向漏电流,正常电池的漏电流都非常小,与之相关的电池并联电阻一般在数十欧姆以上。但是在晶体硅太阳电池的生产过程中,由于硅材料本身的杂质、裂纹等缺陷,以及生产工艺过程各种原因造成的结构缺陷,会使电池的某些区域出现严重的载流子复合或反向漏电。其主要的表现是大幅降低了电池的并联电阻,同时也会减低电池的开路电压,增加电池的串联电阻,从而使电池的性能明显降低。漏电严重的区域在工作状态下,或者外加电压下漏电流远大于正常电池,发热会明显大于正常工作区域,严重的情况下甚至会造成击穿,使表面电极熔化。
晶体硅电池正常工艺包括:去损伤—表面制绒—扩散制结—刻边隔离—正面镀膜—印刷电极—烧结。漏电性能是电池生产中关注的主要性能,造成漏电的原因主要有:硅片本身的裂纹及杂质聚集区,高温过程引起的裂痕,电池刻边不完全,p-n结磨损,印刷浆料散落,烧结过度等,其中印刷烧结环节引起的缺陷漏电效应占多数。
因此在生产中各种程度缺陷造成的低效电池数量很大,如果能消除这些缺陷漏电区域的影响,将可以明显提高电池生产的成品率和平均效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种晶体硅太阳电池缺陷修复工艺,该工艺采用电学、光学多种方法对电池的缺陷漏电区域进行检测定位,利用激光在各种环境下对缺陷漏电区域及周围进行刻蚀,消除漏电效应,恢复电池正常性能。
本发明的目的通过采取以下技术方案予以实现:
一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法,其特征在于,通过电学和光学检测手段检测晶体硅太阳电池由于各种缺陷造成的漏电情况,对有漏电效应的缺陷区域精确定位,在真空、气态或液态环境中,利用激光束在漏电缺陷区域周围做刻蚀,切断漏电缺陷区域与电池其他正常工作区域的电流通道,或直接将漏电缺陷区域刻蚀消除,从而消除漏电效应,使电池恢复正常性能。
作为本发明的具体实施方式,所述的电学和光学检测手段包括电池IV曲线测试,外观目测及显微观察,电致/光致发光--红外成像及热致变色成像等热像检测手段,光束诱导电流及电子束诱导电流等电流检测方法。
作为本发明的具体实施方式,所述的激光束采用功率为1~1000W、波长为1100~200nm的脉冲或连续激光束,在经过聚焦后达到微米至毫米量级直径的光斑照射到电池表面进行刻蚀。
作为本发明的具体实施方式,所述激光刻蚀可在多种环境下进行,比如,可在真空,空气、氮气或惰性气体,水及有机或无机溶剂中进行。
作为本发明的进一步改进,根据漏电缺陷区域的具体情况,可以在其周围设计各种外形轮廓做刻蚀隔离,同时可在隔离部分设计图形和文字,具有一定的装饰作用。
本发明提出的晶体硅太阳电池缺陷修复方法的主要手段是利用激光刻蚀,切断电池表面的电流通道,使漏电的缺陷区失去作用,或者直接刻蚀去除缺陷区域,两种手段都能消除漏电效应。该工艺可以提高电池的并联电阻,降低电池的串联电阻,提高填充因子、开路电压,最终提高电池的整体转换效率。
本发明方法的一种具体处理步骤是:
(1)对电池做IV测试,判断是否存在明显漏电;
(2)检查外观,根据外观异常初步确定缺陷区域;
(3)给电池外加电压(正向和反向偏压)或光照,利用红外摄像、热致色变等技术观察电池表面的发热情况,根据漏电效应集中发热较明显的原理,判断外观缺陷区域是否存在漏电,并检测其他不可见的缺陷漏点区域,对这些区域进行精确定位;
(4)将电池固定在工作区域,按照已定位的缺陷漏电区域,设计刻蚀隔离图样,然后利用激光做刻蚀隔离或清除;
(5)清洗处理完的电池,再做IV测试检测修复效果;
(6)如IV测试效果不明显可对隔离区再做热像测试及光生电流测试,判断失效原因再做处理。
本发明利用多项技术完成漏电电池的隔离修复工作,其主要的优点包括:
(1)结合多种技术对缺陷漏电区域精确定位,减少对电池正常区域的刻蚀影响,尽可能减小刻蚀区域,不会给电池造成明显的电流损失。
(2)对缺陷漏电区域的修复效果好,可以消除漏电通道,使电池性能恢复到正常水平。
(3)在精确定位的基础上,利用激光刻蚀,刻蚀线宽小(几十到几百微米),不会对电池的外观造成太大影响。
(4)处理过程耗时短,生产效率高。
附图说明
图1为P型晶体硅太阳电池在空气中做激光刻蚀示意图;
图2为P型晶体硅太阳电池在氮气保护中做激光刻蚀示意图;
图3为P型晶体硅太阳电池表面漏电区域激光刻蚀隔离示意图;
图标说明:1.P型基区;2.N型发射极;3.金属电极;4.激光束;5.激光刻蚀线;6.空气;7.氮气流;8.缺陷漏电区域。
具体实施方式
以下列举具体实施例对本发明进行说明。需要指出的是,实施例只用于对本发明作进一步说明,不代表本发明的保护范围,其他人根据本发明的提示做出的非本质的修改和调整,仍属于本发明的保护范围。
实施例1
采用一台波长1064nm的Nd:YAG激光器:激光脉冲频率1~30kHz,功率1~20W,振镜扫描,光束横模为低阶模式。设置激光脉冲频率为1~10kHz,扫描速度为10mm/s,激励电流为16~21A。样品为采用丝网印刷工艺的常规p型晶体硅电池成品,缺陷漏电区域为电池边缘一点。设计隔离图案为直径2mm圆形线,与电极无交点,在空气中进行刻蚀隔离。
实施例2
采用一台波长532nm的Nd:YVO4激光器:激光脉冲频率1~100kHz,功率1~10W,振镜扫描,光束横模为低阶模式。设置激光脉冲频率为1~15kHz,扫描速度为1~30mm/s,激励电流为16~25A。样品为采用丝网印刷工艺的常规p型晶体硅电池成品,缺陷漏电区域为电极细栅线上2mm长一段。设计采用3×3mm正方形刻蚀线,与电极栅线有两个交点,固定样品,在空气中用激光做刻蚀,对与电极交点处重复刻蚀保证无金属材料残余。
实施例3
采用一台波长355nm的Nd:YAG激光器:激光脉冲频率1~30kHz,功率1~5W,工作台运动扫描,光束横模为基模模式。设置激光脉冲频率为1~10kHz,扫描速度为20~200mm/s,激励电流为18~25A。样品为采用丝网印刷工艺的常规p型晶体硅电池成品,缺陷漏电区域为直径1mm一点无电极覆盖。设计采用1.5×1.5mm正方形将漏电区域覆盖,利用激光刻蚀将缺陷漏电区表层去除。
实施例4
采用一台波长355nm的Nd:YAG激光器:激光脉冲频率1~30kHz,功率1~5W,工作台运动扫描,光束横模为基模模式。设置激光脉冲频率为1~10kHz,扫描速度为20~200mm/s,激励电流为18~25A。样品为采用丝网印刷工艺的常规p型晶体硅电池成品,缺陷漏电区域为穿过多根电极细栅线,长约1cm的微裂纹。设计采用1.2×0.3cm的长方形刻蚀线,该图形与电极细栅线有多个交点。将电池固定在氮气吹除的环境下,利用激光做重复刻蚀。
实施例5
采用一台波长355nm的Nd:YAG激光器:激光脉冲频率1~30kHz,功率1~5W,工作台运动扫描,光束横模为基模模式。设置激光脉冲频率为1~10kHz,扫描速度为20~200mm/s,激励电流为18~25A。样品为采用丝网印刷工艺的常规p型晶体硅电池成品,缺陷漏电区域为直径约1.5cm的圆形浆料散落区。设计隔离图案为花瓣状,在水环境下做激光刻蚀,完成外围隔离线刻蚀后,在隔离区域内用激光刻蚀勾勒出花的内部线条,形成一个小花朵的装饰图案。
Claims (7)
1.一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法,其特征在于,通过电学和光学检测手段检测晶体硅太阳电池由于各种缺陷造成的漏电情况,对有漏电效应的缺陷区域精确定位,在真空、气态或液态环境中,利用激光束在漏电缺陷区域周围做刻蚀,切断漏电缺陷区域与电池其他正常工作区域的电流通道,或直接将漏电缺陷区域刻蚀消除,从而消除漏电效应,使电池恢复正常性能。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池缺陷修复方法,其特征在于,所述的对于电池漏电缺陷区域的电学和光学检测手段包括电池IV曲线测试,外观目测,显微观察,电致/光致发光成像,热红外成像,热致变色成像,光束诱导电流及电子束诱导电流。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池缺陷修复方法,其特征在于,所述的对电池漏电缺陷区域的激光刻蚀的气态环境为空气、氮气或惰性气体。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池缺陷修复方法,其特征在于,所述的对电池漏电缺陷区域的激光刻蚀的液态环境为水、无机溶剂或有机溶剂。
5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池缺陷修复方法,其特征在于,所述的刻蚀隔离所用的激光束采用功率为1~1000W、波长为1100~200nm的脉冲或连续激光束,经过聚焦后达到微米至毫米量级直径的激光光斑照射到电池表面进行刻蚀。
6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池缺陷修复方法,其特征在于,所述的激光刻蚀包括在漏电缺陷区周围做刻蚀,使之与正常工作区隔离;或直接刻蚀漏电缺陷区表面,消除漏电源。
7.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池缺陷修复方法,其特征在于,根据漏电缺陷区域的情况设计激光刻蚀的图样,包括图案和文字,使其具有装饰效果。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010019302A CN101789465A (zh) | 2010-01-08 | 2010-01-08 | 一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010019302A CN101789465A (zh) | 2010-01-08 | 2010-01-08 | 一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101789465A true CN101789465A (zh) | 2010-07-28 |
Family
ID=42532601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010019302A Pending CN101789465A (zh) | 2010-01-08 | 2010-01-08 | 一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101789465A (zh) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102034903A (zh) * | 2010-11-09 | 2011-04-27 | 苏州矽美仕绿色新能源有限公司 | 一种处理硅太阳能电池表面漏电的方法 |
CN102185014A (zh) * | 2010-12-02 | 2011-09-14 | 江阴浚鑫科技有限公司 | 漏电太阳能电池片的处理方法及用于该方法的工装夹具 |
CN102237441A (zh) * | 2010-12-22 | 2011-11-09 | 保定天威集团有限公司 | 应用振镜激光设备实现太阳能薄膜电池组件的透光方法 |
CN102237442A (zh) * | 2010-12-22 | 2011-11-09 | 保定天威集团有限公司 | 应用激光扫边机制作薄膜太阳能电池id的方法 |
CN103280494A (zh) * | 2013-06-14 | 2013-09-04 | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法 |
CN103930925A (zh) * | 2011-08-22 | 2014-07-16 | 佛克有限及两合公司 | 用于检查棒状烟草产品的方法和设备 |
CN104882512A (zh) * | 2014-05-12 | 2015-09-02 | 江西瑞晶太阳能科技有限公司 | 一种提高晶硅电池片并联电阻的方法 |
CN106340563A (zh) * | 2015-07-09 | 2017-01-18 | 英稳达科技股份有限公司 | 太阳能电池的制作方法 |
CN108198910A (zh) * | 2018-01-16 | 2018-06-22 | 上海大族新能源科技有限公司 | 晶体硅太阳电池的漏电处理方法 |
CN108389966A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-08-10 | 苏州协鑫纳米科技有限公司 | 防止太阳能电池短路的方法和系统 |
CN114324394A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-12 | 上海超硅半导体股份有限公司 | 一种单晶硅片无缺陷区深度的测量方法 |
CN114649444A (zh) * | 2022-03-15 | 2022-06-21 | 天合光能股份有限公司 | 一种不破坏组件结构的光伏组件短路返修方法及设备 |
CN116936396A (zh) * | 2023-09-06 | 2023-10-24 | 信基科技(北京)有限公司 | 一种识别和处理薄膜太阳电池缺陷的装置和方法 |
-
2010
- 2010-01-08 CN CN201010019302A patent/CN101789465A/zh active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102034903A (zh) * | 2010-11-09 | 2011-04-27 | 苏州矽美仕绿色新能源有限公司 | 一种处理硅太阳能电池表面漏电的方法 |
CN102185014A (zh) * | 2010-12-02 | 2011-09-14 | 江阴浚鑫科技有限公司 | 漏电太阳能电池片的处理方法及用于该方法的工装夹具 |
CN102237441A (zh) * | 2010-12-22 | 2011-11-09 | 保定天威集团有限公司 | 应用振镜激光设备实现太阳能薄膜电池组件的透光方法 |
CN102237442A (zh) * | 2010-12-22 | 2011-11-09 | 保定天威集团有限公司 | 应用激光扫边机制作薄膜太阳能电池id的方法 |
CN102237441B (zh) * | 2010-12-22 | 2013-04-17 | 保定天威集团有限公司 | 应用振镜激光设备实现太阳能薄膜电池组件的透光方法 |
CN102237442B (zh) * | 2010-12-22 | 2013-06-05 | 保定天威集团有限公司 | 应用激光扫边机制作薄膜太阳能电池id的方法 |
CN103930925B (zh) * | 2011-08-22 | 2016-10-26 | 佛克有限及两合公司 | 用于检查棒状烟草产品的方法和设备 |
CN103930925A (zh) * | 2011-08-22 | 2014-07-16 | 佛克有限及两合公司 | 用于检查棒状烟草产品的方法和设备 |
CN103280494A (zh) * | 2013-06-14 | 2013-09-04 | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法 |
CN104882512A (zh) * | 2014-05-12 | 2015-09-02 | 江西瑞晶太阳能科技有限公司 | 一种提高晶硅电池片并联电阻的方法 |
CN106340563A (zh) * | 2015-07-09 | 2017-01-18 | 英稳达科技股份有限公司 | 太阳能电池的制作方法 |
CN106340563B (zh) * | 2015-07-09 | 2017-10-10 | 英稳达科技股份有限公司 | 太阳能电池的制作方法 |
CN108198910A (zh) * | 2018-01-16 | 2018-06-22 | 上海大族新能源科技有限公司 | 晶体硅太阳电池的漏电处理方法 |
CN108389966A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-08-10 | 苏州协鑫纳米科技有限公司 | 防止太阳能电池短路的方法和系统 |
CN114324394A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-12 | 上海超硅半导体股份有限公司 | 一种单晶硅片无缺陷区深度的测量方法 |
CN114324394B (zh) * | 2021-12-28 | 2024-06-04 | 上海超硅半导体股份有限公司 | 一种单晶硅片无缺陷区深度的测量方法 |
CN114649444A (zh) * | 2022-03-15 | 2022-06-21 | 天合光能股份有限公司 | 一种不破坏组件结构的光伏组件短路返修方法及设备 |
CN114649444B (zh) * | 2022-03-15 | 2023-10-27 | 天合光能股份有限公司 | 一种不破坏组件结构的光伏组件短路返修方法及设备 |
CN116936396A (zh) * | 2023-09-06 | 2023-10-24 | 信基科技(北京)有限公司 | 一种识别和处理薄膜太阳电池缺陷的装置和方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101789465A (zh) | 一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法 | |
KR20120108724A (ko) | 태양전지 셀 생산 방법 및 장치 | |
WO2019205631A1 (zh) | 一种晶硅选择性发射极产业化印刷对位方法 | |
Abbott et al. | Laser isolation of shunted regions in industrial solar cells | |
Gecys et al. | Scribing of thin-film solar cells with picosecond and femtosecond lasers | |
US8497150B2 (en) | Method for defect isolation of thin-film solar cell | |
CN101879657A (zh) | 固体激光剥离设备和剥离方法 | |
Dunsky et al. | Solid state laser applications in photovoltaics manufacturing | |
CN108568606A (zh) | 一种mwt电池激光开孔及除渣方法及设备 | |
Wehrmann et al. | Analysis of laser scribes at CIGS thin-film solar cells by localized electrical and optical measurements | |
CN104362083A (zh) | 图形化蓝宝石衬底报废外延片的蓝宝石衬底再利用方法 | |
CN101540349A (zh) | 一种晶体硅太阳电池铝背场二次烧结工艺 | |
KR20180095413A (ko) | 태양전지의 제조 방법 | |
CN101950772B (zh) | 一种具有旁路二极管的晶体硅太阳电池的制备方法 | |
Huber et al. | Selective structuring of thin-film solar cells by ultrafast laser ablation | |
Heise et al. | Ultrafast lasers improve the efficiency of CIS thin film solar cells | |
CN102569519A (zh) | 去除带有背场结构mwt太阳能电池的背场的方法 | |
CN102832154B (zh) | 一种检测和修复薄膜太阳能电池漏电缺陷的方法 | |
Chang et al. | Precise ultrafast laser micromachining in thin-film CIGS photovoltaic modules | |
Lamb et al. | Real-time anticipation and prevention of hot spots by monitoring the dynamic conductance of photovoltaic panels | |
JP2011251317A (ja) | 薄膜の加工方法、薄膜の加工装置、及び光電変換装置の作製方法 | |
CN102157607B (zh) | 一种具有旁路二极管的晶体硅太阳电池组件的制备方法 | |
CN201498525U (zh) | 一种激光隔离硅太阳能电池表面漏电区的设备 | |
Markauskas et al. | Laser lift-off scribing of the CZTSe thin-film solar cells at different pulse durations | |
CN111370391A (zh) | 一种新型的SE Mark点图形结构及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20100728 |