CN101787113B - 应用脉冲磁场改善聚乳酸结晶性能的方法及装置 - Google Patents
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Abstract
一种应用脉冲磁场改善聚乳酸(PLA)结晶性能的方法及装置。该方法的具体步骤如下:将聚乳酸至于脉冲磁场中,脉冲磁场强度为0.1~4特斯拉,频率为1~4次/分钟,并逐渐升高炉温至聚乳酸的熔点;在熔点恒温5~15分钟,以10℃/min~40℃/min的速率快速降温至结晶温度,保温60~120分钟,以30℃/min~50℃min的速率快速降温至室温。本发明成功地利用外场(脉冲磁场)改变了聚乳酸(PLA)等温结晶产品的结晶性能,如缩短诱导期,加快成核速率,改善结晶度等。优化了现有技术中存在的缺陷,改善了聚乳酸的性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种改善聚乳酸(PLA)结晶性能的方法及装置。特别是一种应用脉冲磁场改善聚乳酸(PLA)结晶性能的方法及装置。
背景技术
诸多文献表明,磁场会对物质结晶过程产生影响。如1983年,J D Donaldson研究了磁场对海水结晶过程的影响,表明磁处理后海水结晶颗粒尺寸增大,沉淀物总量减少。1992年日本学者K Higashitani等,用光散射方法研究了磁场对晶体对晶粒的稳定性和粒度的影响,进一步肯定了磁场对结晶过程有显著影响。聚合物是一种软物质,易于对外场的变化做出响应,可以通过控制外场类型和强度以改变软物质的结构形态,通过改变外场类型和强度,可以改变和控制软物质的结构形态。1995年,Kimura首次发现PEN这种非液晶高聚物,在熔点附近发生了磁取向,这一发现打破了人们原先认为只有液晶聚合物才受磁场作用的概念。从1997年到2000年,Kimura陆续发现i-PS、i-PP等高聚物均可发生磁取向。近年来,Yanagiya等人研究了磁场对于蛋白质酶结晶性能的影响;G.Sazaki等人在磁场下研究了蛋白质结晶成核及其生长。
聚乳酸,英文名称Polylactic acid或者Polylactide,简称PLA,由生物发酵生产的乳酸经人工化学合成而得的热塑性聚合物。不像其他的树脂必须来源于石油,聚乳酸来源于可再生的像玉米、小麦、甘蔗等天然农作物,是一种完全绿色材料,近年来越来越受到全世界的关注。聚乳酸是一种可降解性的生物医用高分子材料,同时具有良好的力学性能,已广泛应用于骨科内固定器件、药物控释体系、组织工程支架材料领域。聚乳酸有四种光学异构体,其中只有PLLA和PDLLA用于生物医用材料,PDLLA是非晶态的高分子材料,PLLA是半结晶态的高分子材料,结晶度是影响PLA的物理性能和生物学反应(如细胞的生长和繁殖)的重要因素,同时对PLA在生物体内的降解能力和炎症反应有很大影响,特别是对降解速度影响较大。而不同的结晶条件可以有效的调节PLA的结晶度和微观形貌。
由于半晶性的PLA结晶速率很慢,通过注塑制得的产品常呈非晶态,大大降低了产品强度,限制了PLA的应用。因而,提高PLA结晶速率以及改善其结晶性能,成为国内外研究者的共同课题。据文献报道,对于聚乳酸(PLA)结晶性能优化的研究主要集中在辐照、添加多组分、应力场(对聚合物进行定向拉伸)和温度场等方面。这些研究给出了不同的控制聚乳酸结晶度或结晶速度的技术,但是都存在一些缺陷影响了这些技术的使用范围,如辐照处理不环保,应力场如果超出拉升比范围会改变样品晶型,添加多组分可以提高结晶速度和结晶度,但是可能影响最终产品特性。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种应用脉冲磁场改善聚乳酸(PLA)结晶性能的方法。
本发明的目的之二在于提供实现该方法的装置。
为实现以上目的,本发明采用如下技术方案:
一种应用脉冲磁场改善聚乳酸结晶性能的方法,其特征在于该方法的具体步骤如下:将聚乳酸至于脉冲磁场中,脉冲磁场强度为0.1~4特斯拉,频率为1~4次/分钟,并逐渐升高炉温至聚乳酸的熔点;在熔点恒温5~15分钟,以10℃/min~40℃/min的速率快速降温至结晶温度,保温60~120分钟,以30℃/min~50℃min的速率快速降温至室温。
一种应用脉冲磁场改善聚乳酸结晶性能的方法的装置,用来实现上述的应用脉冲磁场改善聚乳酸结晶性能的方法,包括样品炉、加热炉、冷凝水管、保温绝热材料层、铜管、热电偶和脉冲磁场装置,其特征在于所述的加热炉置于脉冲磁场装置中,加热炉的周围设置有冷凝水管和保温绝热材料层,底部设置有热电偶;盛有聚合物样品的铜管置于可密封和进行惰性气体保护的样品炉中,所述样品炉放置在加热炉中。
本发明成功地利用外场(脉冲磁场)改变了聚乳酸(PLA)等温结晶产品的结晶性能,如缩短诱导期,加快成核速率,改善结晶度等。优化了现有技术中存在的缺陷,改善了聚乳酸的性能。
附图说明:
图1为本发明中所使用之控温充磁装置。
图2为分别通过0T、2T、4T强度的脉冲磁场(频率都为4times/min)作用过的PLA结晶刚成核时的POM图片。其中(a)为无磁场状态等温结晶10min;(b)为脉冲磁场(2T 4times/min)中等温结晶3min;(c)为脉冲磁场(4T 4times/min)中等温结晶2min。
图3为聚合物热处理过程示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细描述。由于高聚物本身分子结构中具有抗磁性与顺磁性结构,当有外场作用时,分子链段的磁偶极矩将会沿着磁场方向取向排列,更有利于结晶。
具体步骤如下:
实施例一:先将聚乳酸样品至于脉冲磁场控温炉中部。然后设置控温箱温变曲线,关闭脉冲磁场,在无脉冲磁场条件下,逐渐升高炉温至聚乳酸(PLA)熔点。在熔点恒温10min,这样可以消除样品的热历史。再快速降温至结晶温度(110℃),保持这个温度60min进行等温结晶。最后关闭温控箱,快速降至室温。取出样品。
实施例二:本实例与实例一基本相同,所不同的是,在升高炉温前,按下磁场按钮与自动按钮,开启脉冲磁场,设置其的强度为2T,频率为2times/min。
实施例三:本实例与实例二基本相同,所不同的是,脉冲磁场频率为4times/min。
实施例四:本实例与实例二基本相同,所不同的是,脉冲磁场强度为4T。
实施例五:本实例与实例四基本相同,所不同的是,脉冲磁场频率为4times/min。
实施例六:本实例与实例一基本相同,所不同的是结晶温度设为120℃。
实施例七:本实例与实例六基本相同,所不同的是开启脉冲磁场,设置其的强度为2T,频率为2times/min。
实施例八:本实例与实例七基本相同,所不同的是,脉冲磁场频率为4times/min。
实施例九:本实例与实例七基本相同,所不同的是,脉冲磁场强度为4T。
实施例十:本实例与实例九基本相同,所不同的是,脉冲磁场频率为4times/min。
实施例十一:本实例与实例五基本相同,所不同的是结晶温度时间设为120min。
实施例十二:本实例与实例十一基本相同,所不同的是结晶温度设为120℃。
上述实施例的样品,通过表征,发现经过脉冲磁场作用,当固定磁场频率,增加磁场强度时,样品结晶度增加,结晶诱导期变短(如图2所示),加快了结晶速度。由于施加了磁场力,得到晶体的取向程度增高。综上所述,脉冲磁场有利于聚乳酸(PLA)球晶的增长,在一定程度上改善了PLA样品的结晶行为,改善了PLA样品的性能。
Claims (1)
1.一种应用脉冲磁场改善聚乳酸结晶性能的方法,其特征在于该方法的具体步骤如下:将聚乳酸至于脉冲磁场中,脉冲磁场强度为0.1~4特斯拉,频率为1~4次/分钟,并逐渐升高炉温至聚乳酸的熔点;在熔点恒温5~15分钟,以10℃/min~40℃/min的速率快速降温至结晶温度,保温60~120分钟,以30℃/min~50℃min的速率快速降温至室温。
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