CN101777620A - 一种以石墨材料作为基板的大功率led引线框架及制备方法 - Google Patents

一种以石墨材料作为基板的大功率led引线框架及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101777620A
CN101777620A CN200910238896A CN200910238896A CN101777620A CN 101777620 A CN101777620 A CN 101777620A CN 200910238896 A CN200910238896 A CN 200910238896A CN 200910238896 A CN200910238896 A CN 200910238896A CN 101777620 A CN101777620 A CN 101777620A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphite
layer
substrate
power led
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200910238896A
Other languages
English (en)
Inventor
胡启胜
马洪毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHENZHEN LANKE ELECTRONICS CO Ltd
Original Assignee
SHENZHEN LANKE ELECTRONICS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHENZHEN LANKE ELECTRONICS CO Ltd filed Critical SHENZHEN LANKE ELECTRONICS CO Ltd
Priority to CN200910238896A priority Critical patent/CN101777620A/zh
Publication of CN101777620A publication Critical patent/CN101777620A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明一种以石墨材料作为基板的大功率LED引线框架及制备方法,涉及半导体发光二极管产品及生产工艺,尤其是高导热大功率半导体发光二极管产品及生产工艺;它包括自下而上的底层、中间绝缘与导热层和表面导电层;底层是采用高热导率材料石墨制作基板的石墨层,中间绝缘与导热层是采用高导热陶瓷材料制作的陶瓷绝缘层,上层为金属导电层;导电层上分布有导电线路;本发明基板具有良好的导热性能、电气绝缘性能等,适用于大功率LED发光二极管器基板,以及对导热与散热要求较高的LED光源器件等。

Description

一种以石墨材料作为基板的大功率LED引线框架及制备方法
技术领域:
本发明涉及半导体发光二极管产品及生产工艺,尤其是高导热大功率半导体发光二极管产品及生产工艺。
背景技术:
在LED封装技术的不断发展的过程中,随着LED芯片的亮度等级越来越高,大功率LED取代传统照明已经成为大势所趋。而封装技术的改进、以及越来越小体积的要求、发光效率的要求越来越高等,传统的工艺改进已经不能满足越来越高的要求。这样就必须藉由材料上去根本解决LED的芯片的散热问题,以降低结温,提升光通量,延长寿命等。目前,大功率LED的引线框架的材料主要以铜、铝为主,然后在这些金属表面再用粘接的方式覆盖绝缘层,最后在绝缘层上敷设电路,而粘接用的导热的绝缘层,目前最好的进口导热胶的导热能力也只有20W/mK,一般都只有5W/mK。因此,虽然,铜、铝的导热系数都在250W/mK以上,而经过了绝缘层的阻热后,其导热能力大打折扣。使大功率LED的芯片结温不能很好的传导到外部,从而限制了大功率LED的光通量提升,使大功率LED不能很好的发挥其优势。
石墨具有低密度、耐火、吸波、低热膨胀系数以及耐化学腐蚀性能等优良性能,早期主要用于航天领域,现在由于电子产品体积越来越趋于微型化,热量散失成为关注焦点,近年石墨开始尝试应用于微电子领域。
随着科技的不断发展,功率型LED的芯片工艺不断发展,芯片亮度等级不断提升,但芯片在发光过程中因为电阻或光阻等会产生热量,这个热量就是行业所讲的结温,符号Tj。如果这个结温能够控制在85℃以下,则LED可以保持高的出光量,但随着结温的升高,LED的出光量将会下降,LED失效的可能性就会增加。只要能够将结温控制的越低,LED的寿命就越长,甚至可以进一步提升出光量。因此,如何将芯片发光时所产生的热量导出,将是关键。
发明内容:
本发明的目的在于:克服现有的技术上的不足,从基础入手,采用石墨制作引线框架,旨在有效解决芯片散热问题,改善导热性能,延长LED寿命,提高可靠性提供一种以石墨材料作为基板的大功率LED引线框架及制备方法。
它包括自下而上的底层、中间绝缘与导热层和表面导电层;底层是采用高热导率材料石墨制作基板的石墨层,中间绝缘与导热层是采用高导热陶瓷材料制作的陶瓷绝缘层,上层为金属导电层;导电层上分布有导电线路。
采用如下工艺步骤完成:
A、石墨的选择:选取含碳量在98%以上且导热系数在150W/m.K的石墨原料;
B、石墨材料加工;对选取的石墨基材进行高温2000℃真空煅烧,再进行沿轴方向的8-10T模压成型;
C、石墨材料表面处理;对表面进行整平处理至≤10^-3mm;
D、在经处理后的石墨材料表面热喷涂陶瓷绝缘层,厚度约0.1-0.5mm;
E、在陶瓷绝缘层表面敷设金属导电层,厚度约0.3-1.5mm;
F、蚀刻电路;
G、完成成品。
所述的陶瓷绝缘层其厚度在5-1500um,其导热系数在100W/mK以上,电阻>100MΩ。
本发明具有如下特点:
1、采用石墨作为主材,利用石墨的高导热性能与较底的热膨胀系数,采用热喷涂等工艺将高导热的陶瓷绝缘层强力附着在石墨表面,由于石墨的热膨胀系数与陶瓷的热膨胀系数比较接近,不至于产生形变,降低热传导能力。石墨材料具备无毒无害的环保要求,同时因为其成本低廉,可以降低大功率LED的成本,并提升出光量。
2、高导热陶瓷绝缘层也具备较低的热膨胀系数,不至于在芯片受热的情况下产生形变,与石墨或表层电路产生缝隙,降低整个引线框架的导热能力。而高导热陶瓷绝缘层具备较大的电阻,在陶瓷绝缘层厚度80um以上时,其电阻>100MΩ。
3、石墨具备一定的导电能力,但比金属稍差,相当于一个电阻,为静电耗散材料,可以吸收表面的静电,提升LED的抗静电能力。
4、高导热陶瓷具备较高的机械强度与韧度,能够避免在切削、加工等工艺环节时,与两边结合层产生裂缝,提高可靠性。
5、本发明所生产的引线框架,可以大规模运用在高可靠性的,高散热要求的器件上,如大功率LED或其他器件。
附图说明:
附图1是本发明的主视结构图;
附图2是本发明的工艺流程图。
具体实施方式:
自下而上设置底层(1)、中间绝缘与导热层(2)和表面导电层(3);底层(1)是采用高热导率材料石墨制作基板的石墨层,中间绝缘与导热层(2)是采用高导热陶瓷材料制作的陶瓷绝缘层,上层为金属导电层(3);导电层(3)上分布有导电线路。
采用如下步骤完成:
A、石墨的选择:选取含碳量在98%以上的石墨材料,且导热系数在150W/m.K的石墨原料。普通石墨导热系数在100W/m.K左右,而单晶石墨理论导热系数在2100W/m.K,所以石墨的导热能力的提升空间较大;
B、石墨材料加工;对选取的石墨基材进行高温2000℃真空煅烧,再进行沿轴方向的8-10T模压成型,重而提升石墨内部单晶致密结构,减少空隙,增加导热能力50%,到300W/m.K;
C、石墨材料表面处理;对表面进行整平处理至≤10^-3mm;
D、在经处理后的石墨材料表面热喷涂陶瓷绝缘层,厚度约0.1-0.5mm;
E、在陶瓷绝缘层表面敷设金属导电层,厚度约0.3-1.5mm;
F、蚀刻电路;
G、完成成品。
所述的陶瓷绝缘层其厚度在5-1500um,其导热系数在100W/mK以上,电阻>100MΩ。
石墨,作为一种碳系材料,石墨是一种碳原子之间呈六角环形平面网格的多层叠合晶体。虽然石墨属于无机非金属材料,但因它具有良好的热、电传导性而被称为半金属。石墨具有比某些金属还要高的热、电传导性,同时具有远比金属为低的热膨胀系数、很高的熔点和化学稳定性。利用其易于加工,成本低(约铜的1/3价格)、导热性高(约达到铜的1.2倍)等特点,以降低热阻,延长寿命,增加功率。石墨在非氧化性介质中是化学惰性的,具有很好的耐腐蚀性,除强酸和强氧化性介质外,石墨不受其他酸、碱、盐的腐蚀,不与任何有机化合物起反应。

Claims (3)

1.一种以石墨材料作为基板的大功率LED引线框架,其特征在于:它包括自下而上的底层、中间绝缘与导热层和表面导电层;底层是采用高热导率材料石墨制作基板的石墨层,中间绝缘与导热层是采用高导热陶瓷材料制作的陶瓷绝缘层,上层为金属导电层;导电层上分布有导电线路。
2.一种以石墨材料作为基板的大功率LED引线框架制备方法,其特征在于:采用如下工艺步骤完成:
A、石墨的选择:选取含碳量在98%以上且导热系数在150W/m.K的石墨原料;
B、石墨材料加工;对选取的石墨基材进行高温2000℃真空煅烧,再进行沿轴方向的8-10T模压成型;
C、石墨材料表面处理;对表面进行整平处理至≤10^-3mm;
D、在经处理后的石墨材料表面热喷涂陶瓷绝缘层,厚度约0.1-0.5mm;
E、在陶瓷绝缘层表面敷设金属导电层,厚度约0.3-1.5mm;
F、蚀刻电路;
G、完成成品。
3.如权利要求2所述的一种以石墨材料作为基板的大功率LED引线框架制备方法,其特征在于:所述的陶瓷绝缘层其厚度在5-1500um,其导热系数在100W/m K以上,电阻>100MΩ。
CN200910238896A 2009-12-31 2009-12-31 一种以石墨材料作为基板的大功率led引线框架及制备方法 Pending CN101777620A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910238896A CN101777620A (zh) 2009-12-31 2009-12-31 一种以石墨材料作为基板的大功率led引线框架及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910238896A CN101777620A (zh) 2009-12-31 2009-12-31 一种以石墨材料作为基板的大功率led引线框架及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101777620A true CN101777620A (zh) 2010-07-14

Family

ID=42514010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910238896A Pending CN101777620A (zh) 2009-12-31 2009-12-31 一种以石墨材料作为基板的大功率led引线框架及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101777620A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102299242A (zh) * 2011-09-09 2011-12-28 福建省万邦光电科技有限公司 Led封装用镀陶瓷层基板
CN115290953A (zh) * 2022-06-24 2022-11-04 杭州格蓝丰纳米科技有限公司 一种基于动态二极管的自驱动机械信号传感器及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1620592A (zh) * 2001-12-13 2005-05-25 先进能源科技公司 使用高导热插件的散热部件
JP2006086391A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Nec Schott Components Corp Ledパッケージ
CN101415295A (zh) * 2007-10-19 2009-04-22 晟茂(青岛)先进材料有限公司 一种石墨基新型电子电路板及其制作工艺
CN101593802A (zh) * 2009-07-06 2009-12-02 晶诚(郑州)科技有限公司 新型led封装用基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1620592A (zh) * 2001-12-13 2005-05-25 先进能源科技公司 使用高导热插件的散热部件
JP2006086391A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Nec Schott Components Corp Ledパッケージ
CN101415295A (zh) * 2007-10-19 2009-04-22 晟茂(青岛)先进材料有限公司 一种石墨基新型电子电路板及其制作工艺
CN101593802A (zh) * 2009-07-06 2009-12-02 晶诚(郑州)科技有限公司 新型led封装用基板

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102299242A (zh) * 2011-09-09 2011-12-28 福建省万邦光电科技有限公司 Led封装用镀陶瓷层基板
CN115290953A (zh) * 2022-06-24 2022-11-04 杭州格蓝丰纳米科技有限公司 一种基于动态二极管的自驱动机械信号传感器及其制备方法
CN115290953B (zh) * 2022-06-24 2024-05-17 杭州格蓝丰科技有限公司 一种基于动态二极管的自驱动机械信号传感器及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203481273U (zh) 一种基于AlSiC复合基板的LED光源模块
US20130271992A1 (en) Led array module and manufacturing method thereof
CN205082059U (zh) 散热电路板
CN101980389B (zh) 一种大功率led用平板式陶瓷封装散热模组及其制造方法
CN101321428A (zh) 一种高散热电路板及其制作方法
CN101764193A (zh) 一种高导热大功率led引线框架及制备方法
CN101369615B (zh) 低热阻大功率发光二极管的封装方法
CN102692000A (zh) 用于led大功率照明模组的石墨基板及制作工艺
CN105932019A (zh) 一种采用cob封装的大功率led结构
CN104022217A (zh) 一种大功率曲面led散热基板及其封装方法
CN201853747U (zh) Led的导热及散热结构
CN103165805A (zh) 电子元件
CN201986260U (zh) 一种复合pcb板
CN101777620A (zh) 一种以石墨材料作为基板的大功率led引线框架及制备方法
CN201796950U (zh) 发光二极管光源结构
CN203521463U (zh) 一种高导热的led-cob封装基板
CN202816924U (zh) 一种功率器件封装基板
CN1941347A (zh) 高导热效率电路板
CN1941346A (zh) 高导热效率电路板
CN202616297U (zh) 一种高功率led散热陶瓷基板
CN104708869A (zh) 一种高导热铝基覆铜板及其制造方法
CN201435407Y (zh) 一种新型led封装用基板
CN204720479U (zh) 一种led高散热基板
CN103887396A (zh) 一种led芯片直接焊接到铜热沉表面的发光组件及其制备方法
TW201429009A (zh) 發光二極體裝置及散熱基板的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20100714