CN101777399A - 一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,皆在提供了一种68Ge的利用率高、活度分布均匀、成本低的用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺。该工艺包括以下步骤:(1)将陶瓷微球置于硝酸和氯化锗[68Ge]的混合溶液中,振荡反应,待68Ge吸附于陶瓷微球上,取出清洗,然后晾干;(2)将干燥好的吸附有68Ge的陶瓷微球均匀装填于一端密封的不锈钢管中,将另一端用玻璃毛密封,然后将不锈钢管套于不锈钢套管中,最后将其与带有磁性的钨钢底座连接;所述的步骤(1)中混合溶液中硝酸的浓度为12~15mol/L,Ge离子的浓度≤5mg/ml,吸附时间为10~20min。
Description
技术领域
本发明涉及核医学显像领域,特别涉及一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺。
背景技术
68Ge线源作为一种用于PET衰减校正的放射源,广泛用于专用型PET及某些PET/CT显像的衰减校正中,例如SIEMENS ECAT PET、GE Advance PET、GE Discovery LS PET/CT等,尤其是专用型PET,68Ge线源校正是专用型PET显像中经典的衰减校正方法。68Ge线源通常是由表面吸附有放射性68Ge的载体微球(陶瓷、SiO2、TiO2、SnO2等)焊封于不锈钢管中制成。
目前,将68Ge均匀吸附在载体上的方法有许多种,常见的是电镀法、胶体法和吸附法。
电镀法由于工艺复杂,仪器设备要求较高,生产周期长等缺点,难以推广应用。例如,Girard TA等人在Preparation of Intense 68Ga Position Sources byElectrodeposition of 68GeCu3一文中所发表的在含氰化物稀碱溶液中以68GeCu3合金电镀于镍金属箔上。
胶体法由于操作过程中需要快速搅拌避免凝固,且胶体容易沾染器壁造成污染和68Ge的损失,也不利于推广应用。例如,Tilbury RS等人在Reusable Gelsfor Germanium-68 Sources所发表的将聚乙二醇与明胶混合物搅拌均匀后,注入容器内凝固密封。
离子交换吸附制备68Ge线源,用作吸附介质的离子交换树脂大多耐辐照性能较差,长时间照射会使树脂老化或破碎,导致剂量分布改变,影响显像校正的质量。
发明内容
本发明克服了现有技术中的不足,提供了一种68Ge利用率高、活度分布均匀、成本低的用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺。
为了解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:
一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,该工艺包括以下步骤:(1)将陶瓷微球置于硝酸和氯化锗[68Ge]的混合溶液中,振荡反应,待68Ge吸附于陶瓷微球上,取出清洗,然后晾干;(2)将干燥好的吸附有68Ge的陶瓷微球均匀装填于一端密封的不锈钢管中,将另一端用玻璃毛密封,然后将不锈钢管套于不锈钢套管中,最后将其与带有磁性的钨钢底座连接;关键在于,所述的步骤(1)中混合溶液中硝酸的浓度为12~15mol/L,Ge离子的浓度为≤5mg/ml,吸附时间为10~20min。
本发明还可以:
在步骤(1)中取出清洗为陶瓷微球从混合溶液中取出后依次用浓硝酸、稀硝酸、水、丙酮进行清洗。所述的不锈钢管内径为3~6mm,长度为150~300mm。陶瓷微球的粒径为100~200目。所述的吸附时间为15min。所述的不锈钢管内径为4mm,长度为280mm。所述的不锈钢套管与钨钢底座采用螺纹连接且焊接固定。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
该工艺中混合溶液中硝酸的浓度12~15mol/L,吸附率高,吸附均匀性好,Ge离子的浓度采用≤5mg/ml,Ge离子的利用率较高,吸附反应时间10~20min,该反应时间内吸附率较高,同时吸附均匀性较好。该发明采用不锈钢管作为线源外壳材质,采购方便,价格便宜,使生产成本大大降低,并且所采用的陶瓷微球具有较强的耐酸性而且耐辐照性能好,在高浓度硝酸环境下具有较高的吸附率,68Ge利用率高,吸附均匀性好,装填容易,线性均匀性良好。
具体实施方式
下面通过具体实施方式对本发明作进一步详细描述:
实施例中所采用的试剂均为分析纯(陶瓷微球为试剂级)
实施例1
具体制备工艺如下:
本实施例主要采用两步完成制备。
第一步68Ge的吸附。工艺中硝酸溶液浓度、Ge离子浓度以及振荡吸附时间的选择对提高Ge离子的利用率和吸附率、吸附的均匀性起着关键影响。本实施例首先将10ml浓度为15mol/L的硝酸溶液与1ml浓度为25mg/ml的氯化锗溶液混合,再加入0.1ml的无载体氯[68Ge]化锗溶液,配置成一混合体系。混合体系中硝酸溶液的浓度为13.6mol/L,Ge离子的浓度为2.3mg/ml。把3g的100~200目粒径的陶瓷微球放入混合体系中,在振荡的条件下反应15min,使陶瓷微球充分吸附68Ge。取出陶瓷微球,依次用13.6mol/L的硝酸、1mol/L的硝酸、水、丙酮清洗陶瓷微球各一次,最后晾干备用。
第二步68Ge线源的制备。将第一步中制备干燥好的吸附有68Ge的陶瓷微球均匀的装填于内径3~6mm,长度为150~300mm的一端密封的不锈钢管中,其中本实施例采用内径为4mm,长度为280mm的不锈钢管,装填完以后将不锈钢管的另一端用玻璃毛密封,然后将不锈钢管套于不锈钢套管中。其中不锈钢套管一端有外螺纹,钨钢底座带有磁性且一端有圆形槽,槽内有内螺纹,将不锈钢套管与钨钢底座螺纹连接,并用氩弧焊将其焊接。
合并洗涤液和反应液,并测量该混合液和陶瓷微球表面的放射性活度,按下列公式计算吸附效率:
吸附效率=陶瓷微球的放射性活度/(陶瓷微球的放射性活度+混合溶液的放射性活度)×100%,根据上述公式可以算出本实施例的吸附效率为90%。
实施例2
本实施例同实施例1,其不同之处在于,第一步中硝酸溶液采用10ml浓度为15mol/L与2.5ml浓度为25mg/ml的氯化锗溶液混合,配置成的混合溶液中硝酸的浓度为12mol/L,Ge离子的浓度为5mg/ml。将100~200目粒径的陶瓷微球加入混合体系中,振荡反应20min,清洗为依次用12mol/L的硝酸、1mol/L的硝酸、水、丙酮清洗陶瓷微球各一次根据公式可得出本实施例的吸附效率为
实施例3
本实施例同实施例1,其不同之处在于,第一步中硝酸溶液采用10ml浓度为15mol/L与0.2ml浓度为25mg/ml的氯化锗溶液混合,配置成的混合溶液中硝酸的浓度为15mol/L,Ge离子的浓度为0.5mg/ml。将100~200目粒径的陶瓷微球加入混合体系中,振荡反应10min,清洗为依次用15mol/L的硝酸、1mol/L的硝酸、水、丙酮清洗陶瓷微球各一次根据公式可得出本实施例的吸附效率为90%。
Claims (7)
1.一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,该工艺包括以下步骤:(1)将陶瓷微球置于硝酸和氯化锗[68Ge]的混合溶液中,振荡反应,待68Ge吸附于陶瓷微球上,取出清洗,然后晾干;(2)将干燥好的吸附有68Ge的陶瓷微球均匀装填于一端密封的不锈钢管中,将另一端用玻璃毛密封,然后将不锈钢管套于不锈钢套管中,最后将其与带有磁性的钨钢底座连接;其特征在于,所述的步骤(1)中混合溶液中硝酸的浓度为12~15mol/L,Ge离子的浓度≤5mg/ml,吸附时间为10~20min。
2.根据权利要求1所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,其特征在于,所述步骤(1)中取出清洗为从混合溶液中取出后依次用浓硝酸、稀硝酸、水、丙酮进行清洗。
3.根据权利要求1所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,其特征在于,所述的不锈钢管内径为3~6mm,长度为150~300mm。
4.根据权利要求3所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,其特征在于,陶瓷微球的粒径为100~200目。
5.根据权利要求1所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,其特征在于,所述的吸附时间为15min。
6.根据权利要求3所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,其特征在于,所述的不锈钢管内径为4mm,长度为280mm。
7.根据权利要求1所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,其特征在于,所述的不锈钢套管与钨钢底座采用螺纹连接且焊接固定。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101593567B (zh) * | 2009-06-18 | 2011-10-26 | 天津赛德生物制药有限公司 | 68Ge密封放射源的制备方法 |
CN107293345A (zh) * | 2017-06-03 | 2017-10-24 | 天津赛德医药研究院有限公司 | 锗‑68放射源源芯的制备方法 |
CN107374662A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 沈阳东软医疗系统有限公司 | 一种放射源制备及相关方法、放射源及pet系统 |
EP3401283A1 (en) * | 2017-05-10 | 2018-11-14 | ITM Isotopen Technologien München AG | Method for the manufacture of highly purified 68ge material for radiopharmaceutical purposes |
CN109564788A (zh) * | 2016-12-27 | 2019-04-02 | Itm同位素技术慕尼黑股份公司 | 68Ge/68Ga发生器 |
CN115661281A (zh) * | 2022-10-11 | 2023-01-31 | 南方医科大学 | 正电子发射断层扫描图像衰减校正方法、系统及存储介质 |
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2010
- 2010-02-03 CN CN2010101046979A patent/CN101777399B/zh active Active
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101593567B (zh) * | 2009-06-18 | 2011-10-26 | 天津赛德生物制药有限公司 | 68Ge密封放射源的制备方法 |
CN109564788A (zh) * | 2016-12-27 | 2019-04-02 | Itm同位素技术慕尼黑股份公司 | 68Ge/68Ga发生器 |
CN109564788B (zh) * | 2016-12-27 | 2023-09-08 | 艾特慕同位素技术慕尼黑欧洲股份公司 | 68Ge/68Ga发生器 |
US11306003B2 (en) | 2017-05-10 | 2022-04-19 | ITM Isotope Technologies Munich SE | Method for the manufacture of highly purified 68Ge material for radiopharmaceutical purposes |
WO2018206188A1 (en) * | 2017-05-10 | 2018-11-15 | ITM Isotopen Technologien München AG | METHOD FOR THE MANUFACTURE OF HIGHLY PURIFIED 68Ge MATERIAL FOR RADIOPHARMACEUTICAL PURPOSES |
EP3401283A1 (en) * | 2017-05-10 | 2018-11-14 | ITM Isotopen Technologien München AG | Method for the manufacture of highly purified 68ge material for radiopharmaceutical purposes |
CN110612272A (zh) * | 2017-05-10 | 2019-12-24 | Itm同位素技术慕尼黑股份公司 | 制备用于放射性药物目的的高纯度68Ge材料的方法 |
CN110612272B (zh) * | 2017-05-10 | 2022-07-08 | Itm同位素技术慕尼黑股份公司 | 制备用于放射性药物目的的高纯度68Ge材料的方法 |
AU2018264657B2 (en) * | 2017-05-10 | 2022-09-15 | ITM Isotope Technologies Munich SE | Method for the manufacture of highly purified 68Ge material for radiopharmaceutical purposes |
CN107293345B (zh) * | 2017-06-03 | 2019-06-04 | 天津赛德医药研究院有限公司 | 锗-68放射源源芯的制备方法 |
CN107293345A (zh) * | 2017-06-03 | 2017-10-24 | 天津赛德医药研究院有限公司 | 锗‑68放射源源芯的制备方法 |
US10792008B2 (en) | 2017-07-31 | 2020-10-06 | Shanghai Neusoft Medical Technology Co., Ltd. | Preparation method of radioactive source |
CN107374662A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 沈阳东软医疗系统有限公司 | 一种放射源制备及相关方法、放射源及pet系统 |
CN115661281A (zh) * | 2022-10-11 | 2023-01-31 | 南方医科大学 | 正电子发射断层扫描图像衰减校正方法、系统及存储介质 |
CN115661281B (zh) * | 2022-10-11 | 2024-03-22 | 南方医科大学 | 正电子发射断层扫描图像衰减校正方法、系统及存储介质 |
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