CN101775581B - 热处理腔 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种热处理腔,包括底座、内腔壳及腔盖,内腔壳呈中空结构,内腔壳的下端与底座密封连接,内腔壳的上端与腔盖密封连接,底座、内腔壳及腔盖形成密封的处理腔,其中,还包括呈中空结构的外腔壳,内腔壳收容于外腔壳内,外腔壳的下端与底座密封连接,外腔壳的上端与腔盖密封连接底座、腔盖、内腔壳的外壁及外腔壳的内壁形成密闭的传热腔,传热腔内设置有导流板,导流板自底座至腔盖呈螺旋状的密封连接与内腔壳的外壁与外腔壳的内壁之间,导流板、内腔壳的外壁与外腔壳的内壁形成螺旋通道。本发明热处理腔能够通过流体将处理腔原位的冷却或者是加热,能够迅速降低或者提高热处理腔内温度的热处理腔。

Description

热处理腔
技术领域
本发明涉及温控调试处理设备技术领域,更具体地涉及一种通过输入或输出热量来实现制热或制冷用的热处理腔。
背景技术
在半导体工业、电子工业及机械工业领域,为了对所使用的元件赋予某种特性,较常使用的方式是采用“蒸发镀膜处理”在元件表面沉积一层薄膜,特别的是真空蒸发镀膜技术。真空蒸发镀膜(又称真空蒸镀)是将固体材料置于真空室内,在真空条件下,将固体材料加热蒸发,蒸发出来的原子或分子能自由地弥布到容器的器壁上。当把一些加工好的薄型制品放在其中时,蒸发出来的原子或分子就会吸附在薄型制品上逐渐形成一层薄膜。因此,在真空蒸发镀膜技术获得了广泛的应用。
通常,电致发光显示设备是一种可在发光层上采用电压以使电子和空穴复合而形成图像的显示设备。由于电致发光显示设备与其他显示设备相比具有优良的特性,例如可见度好、重量轻、功耗小等,因此电致发光显示设备具有较好的市场前景。
电致发光显示设备可包括基底、阴极、阳极以及置于阴极与阳极之间的发光层,因此由阳极提供的空穴和由阴极提供的电子可在发光层中复合而形成激子,即空穴电子对,从而在从激发态跃迁到基态的同时发光。电致发光显示设备中的发光层和阴极需要通过真空蒸镀工艺,而蒸镀装置中就会包括真空腔室、蒸发源等。
真空处理腔室用于限定一个空间,在此空间内蒸发源的加热器用于加热待蒸镀材料,并使其蒸发。在薄膜沉积过程中,蒸发的工艺气体始终处于处理腔内,可以想象,不仅被涂物的表面,处理腔壁也被涂上一层薄膜。同时处理腔内较高的温度也容易造成处理腔壁存在较大的、不均匀的热应力。热应力可增加处理腔壁上沉积物的剥落,剥落又造成了真空腔内的微粒污染。另外在处理腔闭上的沉积物也增加了清理和维护的难度,进一步影响生产效率。处理腔的热壁也极易产生气体消耗和不均匀性问题,处理腔也会因为较高的热壁而造成处理强的热变形。所以冷却处理腔壁(即冷壁工艺)对提高薄片形制品有着积极的意义。
现有的真空腔室冷却方法是将水管螺旋的焊接真空腔室的外壁上,或者是在真空腔室外壁增加冷却水套。由于水管和真空腔外壁接触面积较小,所以只能用在冷却温度不高的真空腔壁。而采用水套冷却虽然冷却效果较好,但是同样存在着冷却效果不彻底的彻底、不美观等问题。
以上所描述的在处理腔壁需要冷却的情况下所做的说明,同样的,在很多情况下,需要通过对处理腔的加热或者说是烘烤来达到特定的工艺目标,比如说抽真空的时候,对处理腔的加热和烘烤是非常有必要的,处理腔的加热和烘烤是获得超高真空不可少的手段,这样做的目的也是可以提高抽真空的效率,也为下一步的处理薄片形制品提供了便利。
因此,急需一种能够通过流体将处理腔原位的冷却或者是加热,能够迅速降低或者提高热处理腔内温度的热处理腔。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够通过流体将处理腔原位的冷却或者是加热,能够迅速降低或者提高热处理腔内温度的热处理腔。
为了实现上述目的,本发明提供一种热处理腔,适用于加热或者冷却薄片形制品,包括底座、内腔壳及腔盖,所述内腔壳呈中空结构,所述内腔壳的下端与所述底座密封连接,所述内腔壳的上端与所述腔盖密封连接,所述底座、所述内腔壳及所述腔盖形成密封的处理腔,其中,还包括呈中空结构的外腔壳,所述内腔壳收容于所述外腔壳内,所述外腔壳的下端与所述底座密封连接,所述外腔壳的上端与所述腔盖密封连接所述底座、所述腔盖、所述内腔壳的外壁及所述外腔壳的内壁形成密闭的传热腔,所述传热腔内设置有导流板,所述导流板自所述底座至所述腔盖呈螺旋状的密封连接与所述内腔壳的外壁与所述外腔壳的内壁之间,所述导流板、所述内腔壳的外壁与所述外腔壳的内壁形成螺旋通道。
较佳地,还包括底板及顶板,所述外腔壳的下端与所述内腔壳的下端均与所述底板的一侧密封连接,所述底板的另一侧与所述底座连接,所述外腔壳的上端与所述内腔壳的上端均与所述顶板的一侧密封连接,所述顶板的另一侧与所述腔盖连接,所述底板、所述顶板、所述内腔壳的外壁及所述外腔壳的内壁形成所述密闭的传热腔。设置所述底板及所述顶板能够使所述密闭处理腔与外界更好的隔绝热传导,有利于对所述密闭处理腔进行原位的快速加热或冷却,降低或者提高处理腔内的温度。
较佳地,还包括入流挡块及出流挡块,所述入流挡块容置于所述螺旋通道内并与所述底板连接形成所述螺旋通道的入口端面,所述出流挡块容置于所述螺旋通道内并与所述顶板连接形成所述螺旋通道的出口端面。设置所述入流挡块及所述出流挡块封闭了所述螺旋通道且能够使流体按照规定方向流动,有利于对热处理腔进行快速加热或者冷却,降低或者提高处理腔内的温度。
较佳地,还包括入流管及出流管,所述入流管穿入所述外腔壳的下端并与所述传热腔连通,所述出流管穿入所述外腔壳的上端并与所述传热腔连通。所述入流管与所述出流管的作用是给所述螺旋通道注入外界流体,可以根据需要注入各种温度的气体、液体,以达到降低或者提高热所述密闭处理腔内温度的目的。
较佳地,还包括排流管,所述排流管穿入所述底座并与所述传热腔连通。所述排流管用于排出所述传热腔内多余的流体。
与现有技术相比,由于本发明热处理腔的外腔壳呈中空结构,所述内腔壳收容于所述外腔壳内,所述外腔壳的下端与所述底座密封连接,所述外腔壳的上端与所述腔盖密封连接所述底座、所述腔盖、所述内腔壳的外壁及所述外腔壳的内壁形成密闭的传热腔,所述传热腔内设置有导流板,所述导流板自所述底座至所述腔盖呈螺旋状的密封连接与所述内腔壳的外壁与所述外腔壳的内壁之间,所述导流板、所述内腔壳的外壁与所述外腔壳的内壁形成螺旋通道。设置所述导流板能够对流体进行很好的散热及导向的作用,当流体为冷却的液体或者气体时,本发明热处理腔的冷却率高,热交换均匀,且能够快速的冷却处理腔。本发明热处理腔通过螺旋式的流体循环,将处理腔内的热量带走,使腔体不会因为受热而变形,也能保持所述密闭处理腔保持在可控的温度范围内,更利于所述密闭处理腔内工艺环境的维持。相反的,当本发明热处理腔内的流体为带有热量的液体或者气体时,带有热量的流体将会较容易、较迅速的烘烤所述密闭处理腔。通过本发明热处理腔可以保持较好的处理气氛,即维持一个相对洁净、稳定的工艺条件,通过在本发明热处理腔内处理的薄型制品可以取得较高的成品率和良品率。而且,本发明热处理腔易于实现,且流体可以是不同的液体或气体,甚至可能是液体及气体的组合,应用范围更广。
通过以下的描述并结合附图,本发明将变得更加清晰,这些附图用于解释本发明的实施例。
附图说明
图1为本发明热处理腔的结构示意图。
图2为图1所示热处理腔的结构示意图的俯视图。
图3为图1所示热处理腔的结构示意图的截面示意图。
图4为图3所示热处理腔的局部截面示意图。
具体实施方式
现在参考附图描述本发明的实施例,附图中类似的元件标号代表类似的元件。如上所述,如图1、图2及图3所示,本发明提供一种热处理腔100,用于加热或者冷却薄片形制品,包括底座1、内腔壳20及腔盖3,所述内腔壳20呈中空结构,所述内腔壳20的下端与所述底座1密封连接,所述内腔壳20的上端与所述腔盖3密封连接,所述底座1、所述内腔壳20及所述腔盖3形成密封的处理腔,其中,还包括呈中空结构的外腔壳21,所述内腔壳20收容于所述外腔壳21内,所述外腔壳21的下端与所述底座1密封连接,所述外腔壳21的上端与所述腔盖3密封连接所述底座1、所述腔盖3、所述内腔壳20的外壁200及所述外腔壳21的内壁210形成密闭的传热腔5,所述传热腔5内设置有导流板6,所述导流板6自所述底座1至所述腔盖3呈螺旋状的密封连接与所述内腔壳20的外壁200与所述外腔壳21的内壁210之间,所述导流板6、所述内腔壳20的外壁200与所述外腔壳21的内壁210形成螺旋通道4。具体的,所述导流板6具有内边缘60及外边缘61,所述内边缘60与所述外壁200密封连接及所述外边缘61与所述内壁210密封连接且将所述传热腔5分隔成所述螺旋通道4。
较佳者,如图3所示,还包括底板9a及顶板9b,所述外腔壳21的下端与所述内腔壳20的下端均与所述底板9a的一侧密封连接,所述底板9a的另一侧与所述底座1连接,所述外腔壳21的上端与所述内腔壳20的上端均与所述顶板9b的一侧密封连接,所述顶板9b的另一侧与所述腔盖3连接,所述底板9a、所述顶板9b、所述内腔壳20的外壁200及所述外腔壳21的内壁210形成所述密闭的传热腔5。设置所述底板9a及所述顶板9b能够使所述密闭处理腔与外界更好的隔绝热传导,有利于对所述密闭处理腔进行原位的快速加热或冷却,降低或者提高处理腔内的温度。
较佳者,如图3及图4所示,还包括入流挡块7a及出流挡块7b,所述入流挡块7a容置于所述螺旋通道4内并与所述底板9a连接形成所述螺旋通道4的入口端面,所述出流挡块7b容置于所述螺旋通道4内并与所述顶板9b连接形成所述螺旋通道4的出口端面。设置所述入流挡块7a及所述出流挡块7b封闭了所述螺旋通道4且能够使流体按照规定方向流动,有利于对热处理腔进行快速加热或者冷却,降低或者提高处理腔内的温度。
较佳者,如图3及图4所示,还包括入流管8a及出流管8b,所述入流管8a穿入所述外腔壳21的下端并与所述传热腔5连通,所述出流管8b穿入所述外腔壳21的上端并与所述传热腔5连通。所述入流管8a与所述出流管8b的作用是给所述螺旋通道4注入外界流体,可以根据需要注入各种温度的气体、液体,以达到降低或者提高热所述密闭处理腔内温度的目的。
较佳者,还包括排流管10,所述排流管10穿入所述底座1并与所述传热腔5连通。所述排流管10用于排出所述传热腔5内多余的流体。
结合图1-4,由于本发明热处理腔100的外腔壳21呈中空结构,所述内腔壳20收容于所述外腔壳21内,所述外腔壳21的下端与所述底座1密封连接,所述外腔壳21的上端与所述腔盖3密封连接所述底座1、所述腔盖3、所述内腔壳20的外壁200及所述外腔壳21的内壁210形成密闭的传热腔5,所述传热腔5内设置有导流板6,所述导流板6自所述底座1至所述腔盖3呈螺旋状的密封连接与所述内腔壳20的外壁200与所述外腔壳21的内壁210之间,所述导流板6、所述内腔壳20的外壁200与所述外腔壳21的内壁210形成螺旋通道4。设置所述导流板6能够对流体进行很好的散热及导向的作用,当流体为冷却的液体或者气体时,本发明热处理腔100的冷却率高,热交换均匀,且能够快速的冷却处理腔。本发明热处理腔100通过螺旋通道4的流体循环,将处理腔内的热量带走,使腔体不容易因为受热而变形,也能保持处理腔保持在可控的温度范围内,更利于所述密闭处理腔内工艺环境的维持。相反的,当本发明热处理腔100内的流体为带有热量的液体或者气体时,带有热量的流体将会较容易、较迅速的烘烤处理腔。通过本发明热处理腔100可以保持较好的处理气氛,即维持一个相对洁净、稳定的工艺条件,通过在本发明热处理腔100内处理的薄型制品可以取得较高的成品率和良品率。而且,本发明热处理腔100易于实现,且流体可以是不同的液体或气体,甚至可能是液体及气体的组合,应用范围更广。
以上结合最佳实施例对本发明热处理腔100进行了描述,但本发明热处理腔100并不局限于以上揭示的实施例,而应当涵盖各种根据本发明的本质进行的修改、等效组合。

Claims (5)

1.一种热处理腔,适用于加热或者冷却薄片形制品,包括底座、内腔壳及腔盖,所述内腔壳呈中空结构,所述内腔壳的下端与所述底座密封连接,所述内腔壳的上端与所述腔盖密封连接,所述底座、所述内腔壳及所述腔盖形成密封的处理腔,其特征在于:还包括呈中空结构的外腔壳,所述内腔壳收容于所述外腔壳内,所述外腔壳的下端与所述底座密封连接,所述外腔壳的上端与所述腔盖密封连接所述底座、所述腔盖、所述内腔壳的外壁及所述外腔壳的内壁形成密闭的传热腔,所述传热腔内设置有导流板,所述导流板自所述底座至所述腔盖呈螺旋状的密封连接与所述内腔壳的外壁与所述外腔壳的内壁之间,所述导流板、所述内腔壳的外壁与所述外腔壳的内壁形成螺旋通道。
2.如权利要求1所述的热处理腔,其特征在于:还包括入流管及出流管,所述入流管穿入所述外腔壳的下端并与所述传热腔连通,所述出流管穿入所述外腔壳的上端并与所述传热腔连通。
3.如权利要求1所述的热处理腔,其特征在于:还包括底板及顶板,所述外腔壳的下端与所述内腔壳的下端均与所述底板的一侧密封连接,所述底板的另一侧与所述底座连接,所述外腔壳的上端与所述内腔壳的上端均与所述顶板的一侧密封连接,所述顶板的另一侧与所述腔盖连接,所述底板、所述顶板、所述内腔壳的外壁及所述外腔壳的内壁形成所述密闭的传热腔。
4.如权利要求1所述的热处理腔,其特征在于:还包括排流管,所述排流管穿入所述底座并与所述传热腔连通。
5.如权利要求3所述的热处理腔,其特征在于:还包括入流挡块及出流挡块,所述入流挡块容置于所述螺旋通道内并与所述底板连接形成所述螺旋通道的入口端面,所述出流挡块容置于所述螺旋通道内并与所述顶板连接形成所述螺旋通道的出口端面。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102419341A (zh) * 2011-12-06 2012-04-18 中南大学 水泥乳化沥青砂浆材料热变形测试仪
CN103415133B (zh) * 2013-08-06 2016-08-31 北京航空航天大学 一种催化协同旋转滑动电弧放电等离子体发生装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2326612Y (zh) * 1998-01-12 1999-06-30 深圳威士达真空系统工程有限公司 真空镀膜室的薄壳结构
CN2694132Y (zh) * 2004-02-25 2005-04-20 孙新全 双吹式采暖炉
CN1635608A (zh) * 2003-12-26 2005-07-06 清华大学 带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2326612Y (zh) * 1998-01-12 1999-06-30 深圳威士达真空系统工程有限公司 真空镀膜室的薄壳结构
CN1635608A (zh) * 2003-12-26 2005-07-06 清华大学 带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备
CN2694132Y (zh) * 2004-02-25 2005-04-20 孙新全 双吹式采暖炉

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