CN101764030A - 一种离子注入剂量控制系统及控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种离子注入剂量控制系统及控制方法,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。该系统包括剂量积分器、扫描发生器、NI运动控制器和NI实时测量与控制器。本发明的优点是能够显著地提高离子注入剂量值和均匀性的精度以及自恢复功能。
Description
技术领域
本发明专利涉及一种离子注入剂量控制系统及控制方法,特别地涉及离子注入机,属于半导体器件制造领域。
背景技术
随着半导体集成电路技术的发展,集成度越来越高,电路规模越来越大,电路中单元器件尺寸越来越小,对各半导体工艺设备提出了更高的要求。离子注入机作为半导体离子掺杂工艺线的关键设备之一,也提出了很高的要求,要求离子注入机具有:整机可靠性好、生产效率高、多种电荷态离子宽能量范围注入、精确控制束注入能量精度、精确控制束纯度、低尘粒污染、整机全自动控制、注片均匀性和重复性好等多种功能和特征。所以需要能够精确控制晶圆片注入掺杂剂量控制器,它是离子注入掺杂核心技术之一。
发明内容
本发明针对传统的离子注入剂量控制系统的缺点,提出了一种新的离子注入剂量控制系统与方法。此系统有可靠的实时性、良好的可扩展性,能极大地提高离子注入剂量的精确性和注入分布的均匀性、断点的自恢复功能。
离子注入剂量控制系统由剂量积分器、扫描发生器、NI运动控制器和NI实时测量与控制器组成(参考图1)。其中:剂量积分器用于实时采集离子束流并将其对时间的积分,然后将此积分值调制成一个PWM信号(参考图1、2)输出;扫描发生器的作用是根水平校准所获得的波形数据和NI实时测量与控制器送来的控制值产生扫描波形输出;NI运动控制器控制直线电机上、下运动完成垂直扫描并向NI实时测量与控制器提供一个同步信号,使得水平扫描与垂直扫描协调控制;NI实时测量与控制器是整个系统协调与指挥中心,完成整个系统的实时同步与控制算法,系统实时控制时序参考图3,控制流程参考图4。
附图说明
图1为一种离子注入剂量控制系统结构框图;
图2图1中两PWM信号示意图;
图3系统实时控制时序示意图;
图4系统控制流程图。
具体实施方式
离子注入机剂量控制系统是一个实时性要求非常高的(ns级精度)、功能较为复杂的、专用控制系统,为了满足此要求,选用了美国国家仪器(NI)实时测量与控制器PXI-8106RT以及NI运动控制器PXI-7352和NI FPGA PXI-7842R两种模块。NI FPGAPXI-7842R是一块现场可编程门阵列卡,它能提供最高精度为25ns时钟脉冲,由它来完成所有同步触发信号的产生和响应及两个PWM信号的采集与产生参考图2,图3。NI实时测量与控制器PXI-8106RT运行着实时操系统,能保证系统控制程序能够严格按规定的时序工作。NI运动控制器PXI-7352是一个高精度运动控制系统,它与LabVIEW-RT相结合,实现高精密实时运动控制,并且由它提供一个精确的同步脉冲,使得离子注入剂量控制系统的水平向扫描与垂直扫描同步下进行,从而才能保证整个注入均匀性。
本发明的特定实施例已对本发明的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本发明精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本发明专利的侵犯,将承担相应的法律责任。
Claims (2)
1.一种离子注入剂量控制系统,包括剂量积分器、扫描发生器、NI实时测量与控制器、NI运动控制器,其特征在于:所述的剂量积分器输出与NI实时测量与控制器的连接;所述的扫描发生器与NI实时测量与控制器的连接;所述的NI运动控制器与NI实时测量与控制器的连接。
2.如权利要求1所述的一种离子注入剂量控制系统,其特征在于:实现系统严格的实时性能要求的方法;垂直扫描与水平扫描的同步方法。
Priority Applications (1)
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CN200810238899A CN101764030A (zh) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | 一种离子注入剂量控制系统及控制方法 |
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CN101764030A true CN101764030A (zh) | 2010-06-30 |
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Cited By (3)
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CN103794446A (zh) * | 2013-10-24 | 2014-05-14 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种垂直方向角度测量的系统 |
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2008
- 2008-12-04 CN CN200810238899A patent/CN101764030A/zh active Pending
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C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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