CN101752457B

CN101752457B - 一种太阳能电池制造方法及设备

Info

Publication number: CN101752457B
Application number: CN2008102401631A
Authority: CN
Inventors: 荣延栋
Original assignee: Beijing North Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2008-12-18
Filing date: 2008-12-18
Publication date: 2011-11-02
Anticipated expiration: 2028-12-18
Also published as: CN101752457A

Abstract

本发明涉及一种太阳能电池制造方法，包括：101)制造形成PN结；102)淀积减反射膜；103)判断是否需要清洁工艺腔室，如果是，则转到步骤104)，如果否，则转到步骤105)；104)清洁工艺腔室；105)制作电极。另外，本发明还涉及一种太阳能电池制造设备，包括工艺腔室、进气装置、抽气装置，PN结形成模块，淀积模块，控制模块，腔室清洁模块，电极制作模块。本发明所提供的太阳能电池制造方法及设备，可在无需停机的前提下，当判断出工艺腔室需要进行清洁时对其进行清洁处理。因此，本发明所提供的太阳能电池制造方法及设备能够有效减少甚至消除因腔室内壁附着物脱落而对硅片造成的污染，并提高设备生产效率。

Description

一种太阳能电池制造方法及设备

技术领域

本发明涉及光伏发电技术领域，具体地，涉及一种太阳能电池的制造方法及设备。

背景技术

随着人类对石油、煤炭等资源的不断消耗，环境污染及生态破坏问题日益严重。作为一种绿色能源，对太阳能的高效利用成为各国在新能源研究、开发领域的共同目标。太阳能电池的诞生使人类向这一目标迈进了一大步，在此基础上，该领域内的技术人员正在不断努力以试图最大化地提高太阳能电池的光电转化效率。

众所周知，尽可能减少太阳能电池对光线的反射是一种提高光能利用效率的重要途径。目前，常用的减反射方法是将硅片表面制成均匀的绒面结构或者是在硅片表面淀积一层减反射膜等，有时也会同时应用以上两种方法来达到更好的减反射效果。

对于减反射膜的淀积工艺，太阳能电池的制造企业通常会采用等离子体增强化学气相淀积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，以下简称PECVD)设备来完成。如图1所示，承载有硅片2的载板3被置于PECVD设备工艺腔室1的底部，工艺腔室1的上方设置有射频电源4和进气孔5。工艺气体由进气孔5注入工艺腔室1内，在射频电源4的功率激发下形成并维持等离子体状态，部分离子被淀积在硅片2表面成为减反射膜，多余的气体则由下方的抽气孔6排出工艺腔室1。

采用上述工艺得到的减反射膜在一定程度上可有效提高光能的转化效率。然而在实际应用中，PECVD设备的腔室内壁通常会附着一层诸如减反射膜的薄膜，随着该薄膜材料的厚度不断增加，部分薄膜颗粒会掉落在后续进行工艺的硅片上，造成污染。通常，硅片上附着上述薄膜或者薄膜颗粒的现象被称为“白点”现象。这种现象通常会影响太阳能电池的性能，使产品质量下降，尤其在整板制造太阳能电池时，一旦出现“白点”，往往会导致多个甚至整板太阳能电池的性能和质量下降，造成物力、财力的浪费。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种太阳能电池的制造方法及设备，其能够有效地减少甚至消除硅片的“白点”现象，进而提高产品质量。

为此，本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包括以下步骤：101)将杂质原子掺杂到硅片中，以制造形成PN结；102)将形成有PN结的硅片放入工艺腔室，以在其表面淀积形成可降低光反射率的减反射膜；103)判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理，如果是，则转到步骤104)，如果否，则转到步骤105)；104)借助于含氟气体所形成的等离子体，对工艺腔室进行清洁处理，去除腔室内壁上的附着物，以使得所述工艺腔室在执行下一个步骤102)时保持洁净；105)在上述硅片表面印制所需的太阳能电池的电极，并干燥硅片上的浆料、去除浆料中的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触；106)取另一个硅片并转至执行步骤101)。

其中，在步骤103)中，根据实际工艺次数以及预定工艺次数判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理；或者根据对腔室内壁附着物的检测结果判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理。

其中，在步骤104)中，借助于含氟等离子体对在步骤102)中附着在腔室内壁上的附着物进行刻蚀，并将其去除。

其中，步骤104)中进行刻蚀时所需的工艺条件如下：功率为600～1500W，压力为10～150Pa，温度为350～500℃，含氟气体流量为100～1500sccm，优选的含氟气体流量为800～1000sccm。

另外，本发明还提供一种太阳能电池制造设备，包括工艺腔室、进气装置、抽气装置，其还包括以下模块：PN结形成模块，将杂质原子掺杂到硅片中，以制造形成PN结；淀积模块，将形成有PN结的硅片放入工艺腔室，以在其表面淀积形成可降低光反射率的减反射膜；控制模块，判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理，如果是，则触发腔室清洁模块；如果否，则触发电极制作模块，并在所述触发电极制作模块完成电极制作后，将另一硅片传输至所述PN结形成模块；腔室清洁模块，借助于至少由含氟气体所形成的等离子体，对工艺腔室进行清洁处理，去除腔室内壁上的附着物，以使所述工艺腔室保持洁净；电极制作模块，在上述硅片表面印制所需的太阳能电池的电极，并干燥硅片上的浆料、去除浆料中的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。

其中，控制模块根据实际工艺次数以及预定工艺次数判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理；或者根据对腔室内壁附着物的检测结果判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理。

其中，腔室清洁模块具有以下单元：腔室刻蚀单元，借助于含氟气体所形成的等离子体，对附着在腔室内壁上的附着物进行刻蚀，并将其去除；腔室吹扫单元，向工艺腔室内通入吹扫气体，当腔室压力达到预定压力值的时候停止进气，并借助于抽气装置而对工艺腔室进行抽气操作。

其中，腔室刻蚀单元所需工艺条件如下：功率为600～1500W，压力为10～150Pa，温度为350～500℃，含氟气体流量为100～1500sccm，优选的含氟气体流量为800～1000sccm。

本发明具有下述有益效果：

本发明提供的太阳能电池制造方法，在不停止制造过程的前提下，可以根据腔室内壁附着物的实际情况来确定是否需要对工艺腔室进行清洁处理。如果需要，则同样在不停止制造过程的前提下，借助于至少由含氟气体所形成的等离子体对工艺腔室内壁上的附着物进行刻蚀，以将其去除，从而达到清洁腔室的目的，进而能够有效地减少甚至消除因上述附着物脱落而对硅片造成的污染(例如硅片上的“白点”现象)，从而提高太阳能电池的性能和产品质量。

再者，由于本发明提供的太阳能电池制造方法即便是在对工艺腔室进行清洁处理的情况下，也无需停机，因而生产效率较高。而且，因为不必停机即可对工艺腔室进行清洁处理，因此，可以避免因进行湿法清洗而拆卸/组装工艺腔室所带来的繁杂程序以及工艺条件改变，进而避免因工艺条件改变所引起的产品性能和质量上的差异。

类似地，本发明提供的太阳能电池制造设备，采用了控制模块和腔室清洁模块，因而同样可以在不停止制造过程的前提下，根据腔室内壁附着物的实际情况来确定是否需要对工艺腔室进行清洁处理，并在需要清洁处理的情况下，借助于至少由含氟气体所形成的等离子体对工艺腔室内壁上的附着物进行刻蚀，以将其去除，从而达到清洁腔室的目的，进而能够有效地减少甚至消除因上述附着物脱落而对硅片造成的污染，从而提高太阳能电池的性能和产品质量，同时还能够保证较高的生产效率以及均一的产品性能和产品质量。

附图说明

图1为一种PECVD设备的工艺示意图；以及

图2为本发明提供的太阳能电池制造方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的太阳能电池制造方法及设备进行详细描述。

请参阅图2，本发明提供的太阳能电池制造方法，包括以下步骤：

101)将杂质原子掺杂到硅片中，以制造形成PN结。

具体地，借助于载流气体将所需杂质运至硅片表面以进行浅层扩散。这里，浅层扩散是指杂质原子在硅片表面以及在硅片表面以下较浅的深度范围内的扩散，通常其扩散深度仅为几百纳米。然后，借助于高温处理而使预附着在浅层处的杂质原子继续向硅片深处扩散而形成PN结。

制作不同类型的PN结，所需的杂质原子也不同，通常所用到的杂质原子包括P(磷)、B(硼)、As(砷)等。举例说明，当所要掺杂的杂质原子为P时，可以采用N₂和O₂作为载流气体，并使载流气体通过液态的POCl₃以将杂质原子P运送至高温硅片的表面。

通常，在上述步骤完成PN结扩散工艺后，为防止太阳能电池出现短路现象等问题，需要去除硅片边缘位置处的扩散层。常用的方法是，借助CF₄和O₂等工艺气体所形成的等离子体对硅片周边进行干法刻蚀。

102)在形成有PN结的硅片的表面淀积形成可降低光反射率的减反射膜。

本步骤通常借助于等离子体增强化学气相淀积设备进行减反射膜的淀积，所需工艺条件如下：功率为600～1500W，压力为10～150Pa，温度为350～500℃，SiH₄流量为100～1500sccm，NH₃流量为100～3000sccm，N₂流量为100～2000sccm。

在本发明提供的一个具体实施例中，所选用的工艺参数如下：功率1200w，压力50Pa，温度450℃，SiH₄流量800sccm，NH₃流量1200sccm，N₂流量800sccm。经上述工艺所生成的减反射膜为Si₃N₄。

103)判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理，如果是，则转到步骤104)；如果否，则转到步骤105)。

在实际工艺过程中，在腔室内壁上往往会形成一些不必要的附着物，例如，在步骤102)过程中可能会有部分减反射膜附着到腔室内壁上。经过一段时间之后，这些附着物达到一定厚度就会以颗粒或者块状等方式脱落而污染后续工艺中的硅片，因此就需要及时清除腔室内壁上的诸如减反射膜等的附着物。然而在实际应用中，这些附着物只有达到一定厚度或者累计量的情况下，才会脱落而造成对硅片的污染。因此，出于生产效率和成本的考虑，无需在每一次减反射膜淀积工艺之后都对腔室进行清洁处理，这样，就需要确定何时进行清洁处理(即，腔室清洁处理时机)，并且在确定已经达到腔室清洁处理时机时，转到步骤104)；否则，转到步骤105)。

通常，可以根据腔室内壁附着物的实际情况和以往经验来确定腔室清洁处理时机，例如，可以检测腔室内壁上附着物的厚度或者累计量，根据检测结果确定是否已经达到了腔室清洁处理时机；或者，可以设置预定工艺次数(即，实施多少次太阳能电池制造工艺后即达到了腔室清洁处理时机)，并根据实际工艺次数(即，实际所进行的太阳能电池制造工艺次数)是否达到预定工艺次数来判断是否已经达到了腔室清洁处理时机。可以设置对应于实际工艺次数的计数器，使该计数器中的数值随着实际工艺次数的增加而递增，当计算器中的数值等于所设置的预定工艺次数时，则判定已经到达腔室清洁处理时机。通常，可以将预定工艺次数设置为1～50次之间的数值，例如可以设为10次。

104)借助于至少是含氟气体所形成的等离子体，对工艺腔室进行清洁处理，去除腔室内壁上的附着物。

具体地，将完成减反射膜淀积工艺的硅片传出，借助于至少含有氟元素的工艺气体所形成的等离子体对附着在工艺腔室内壁上的诸如减反射膜等的附着物进行刻蚀，并将其去除。

其中，本步骤中的刻蚀工艺参数具体如下：功率600～1500w，压力10～150Pa，温度350～500℃，含氟气体流量为100～1500sccm，优选的含氟气体流量为800～1000sccm。例如，可以具体选用下述工艺参数的组合：功率1200w，压力100Pa，温度450℃，含氟气体流量800sccm。其中，含氟气体为选自CF₄、SF₆、NF₃中的一种，优选的采用NF₃气体。

本发明提供的太阳能电池制造方法，在步骤104)完成后，还可以包括腔室吹扫的步骤，具体为：向工艺腔室内通入吹扫气体，当腔室压力达到预定压力值的时候停止进气，并借助于抽气装置而对工艺腔室进行抽气操作。

其中，向工艺腔室内通入吹扫气体的流量范围可以设定在1000sccm～10000sccm之间，并且预定压力值可以设定在500～900毫巴之间，例如将预定压力值设定为900毫巴。在一个具体实施例中，例如可以选择以8000sccm的流量通入吹扫气体，当腔室压力达到900毫巴的时候停止进气，然后打开抽气装置将气体排出腔室。其中，吹扫气体可以选用诸如N₂等不易发生化学反应的气体。

而且，上述腔室吹扫的步骤可重复执行以将腔室吹扫干净，其重复次数可在1至200次之间选择，例如可选为10次。

105)在上述硅片表面印制所需的太阳能电池的电极，具体地，采用丝网印刷技术完成此工艺。之后，采用诸如900℃的高温对印刷好的电极进行烧结，从而干燥硅片上的浆料、去除浆料中的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。

步骤105)后，可以对制造的太阳能电池进行光电转化效率的测试，并根据光电转化效率进行分档，例如，可以将0.5％作为分档间距并根据光电转化效率值而对太阳能电池进行分档。通常，这一过程可由自动分拣机来完成。

事实上，本发明提供的太阳能电池制造方法中，在执行步骤101)之前，还可以包括对原料硅片的清洗步骤和表面制绒的步骤。

清洗步骤，采用酸性或碱性的溶液腐蚀并清除原料硅片表面上诸如油污等的污垢和/或切割损伤层。对于单晶硅而言，常用的清洗方法是在温度为80～100℃的条件下，使用浓度范围10％～30％的碱性溶液对硅片持续腐蚀0.5～1min。一般采用20％的碱性溶液，在95℃温度下，持续腐蚀50秒即可。对于多晶硅而言，则常采用酸性溶液进行清洗。当然，如果原料硅片在原料加工厂已经进行过表面清洗且表面未带有切割损伤层时，可以不用执行此步骤。

表面制绒，将硅片表面做成可降低光反射率的绒面结构。主要有以下几种制绒方法：机械刻槽、化学腐蚀、反应离子刻蚀、激光刻槽，在本实施例中采用化学腐蚀的方法制绒。

需要指出的，在实际应用中，也可以在步骤102)之前先行执行步骤103)和步骤104)，也就是说，先判断是否需要对腔室进行清洁处理，如果是，则进行清洁处理，而后执行淀积减反射膜的步骤和制作电极的步骤；如果否，则直接执行淀积减反射膜的步骤和制作电极的步骤。

进一步需要指出的是，本发明提供的上述太阳能电池制造方法不仅能够有效清洁工艺腔室，而且还具有简便工序、较高生产效率以及均一的产品性能和产品质量。原因之一便是，目前被普遍使用的太阳能电池制造方法，通常采用湿法清洗的步骤去除腔室内壁上的附着物。具体过程是：首先，停止当前工艺操作并将硅片传出；然后拆卸工艺腔室，向腔室内注入湿法清洗的清洗液，待腔室内壁上的附着物完全溶解后将清洗液排出，漂洗腔室以去除残留的清洗液成分；最后烘干并重新组装工艺腔室。这种湿法清洗虽然能达到清洁腔室的目的，但是相对于本发明提供的借助含氟等离子体刻蚀的方法而言，湿法清洗需要停止当前的工艺制造过程，并对工艺腔室进行拆卸/组装等操作。因此，通常采用的这种湿法清洗过程过于繁琐而会降低设备的生产效率，并且由于拆/装腔室导致的工艺条件变化还将破坏前后工艺的均一性。

另外，本发明还提供一种太阳能电池制造设备，包括工艺腔室、进气装置、抽气装置，其还包括：PN结形成模块，淀积模块，控制模块，腔室清洁模块，电极印制模块。

PN结形成模块，将杂质原子掺杂到硅片中，以制造形成PN结。具体地，借助于载流气体将所需杂质运至硅片表面以进行浅层扩散，并借助于高温处理而使预附着在浅层处的杂质原子继续向硅片深处扩散而形成PN结；然后借助CF₄和O₂等工艺气体所形成的等离子体对硅片周边进行干法刻蚀以便去除硅片边缘位置处的扩散层，从而防止太阳能电池出现短路现象等问题。

淀积模块，在形成有PN结的硅片的表面淀积形成可降低光反射率的减反射膜。其进行减反射膜淀积所需工艺条件类似于上述太阳能电池制造方法中步骤102)的工艺条件，故在此不再赘述。

控制模块，判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理，如果是，则触发腔室清洁模块；如果否，则触发电极制作模块。有关控制模块的工作原理类似于本发明提供的太阳能电池制造方法中步骤103)的判断过程，故在此不再赘述。

腔室清洁模块，借助于至少是含氟气体所形成的等离子体，对工艺腔室进行清洁处理，去除腔室内壁上的附着物，其具体包括腔室刻蚀单元和腔室吹扫单元。

其中，腔室刻蚀单元，采用含氟等离子体对附着在腔室内壁上的附着物进行刻蚀，并将其去除。具体包括，将完成减反射膜淀积工艺的硅片传出，借助于至少含有氟元素的工艺气体所形成的等离子体对附着在工艺腔室内壁上的诸如减反射膜等的附着物进行刻蚀，并将其去除。

其中，对工艺腔室内壁上的附着物进行刻蚀的工艺参数包括：功率600～1500W，压力10～150Pa，温度350～500℃，含氟气体流量为100～1500sccm，优选的含氟气体流量为800～1000sccm。例如，可以选用如下参数：功率1200w，压力100Pa，温度450℃，NF₃流量800sccm。上述含有氟气体为选自CF₄、SF₆、NF₃中的一种，优选的采用NF₃气体。

腔室吹扫单元，向工艺腔室内通入吹扫气体，当腔室压力达到预定压力值的时候停止进气，并借助于抽气装置而对工艺腔室进行抽气操作。

其中，向工艺腔室内通入吹扫气体的流量范围在1000sccm～10000sccm之间，例如以8000sccm流量通入吹扫气体。并且，预定压力值可以设定在500～900毫巴之间，例如将其设定为900毫巴。吹扫气体可以选用诸如N₂等不易发生化学反应的气体。

上述腔室吹扫单元可重复调用以将腔室吹扫干净，其重复次数可在1至200次之间选择，例如可选为10次。

电极制作模块，在上述硅片表面印制所需的太阳能电池的电极，并采用900℃高温烧结的方式干燥硅片上的浆料、去除浆料中的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。

此外，上述太阳能电池制成后，还可以测试太阳能电池的光电转化效率，并根据测试结果对电池进行分档。

本发明提供的太阳能电池制造设备中，还包括清洗模块和制绒模块，其中，清洗模块用于在调用PN结形成模块之前，采用酸性或碱性的溶液腐蚀并清除原料硅片表面上诸如油污等的污垢和/或切割损伤层；制绒模块用于采用机械刻槽、化学腐蚀、反应离子刻蚀、激光刻槽等方式将硅片表面做成可降低光反射率的绒面结构。

由以上描述可见，本发明提供的太阳能电池制造方法及设备，能够在无需停止制造过程的前提下，根据腔室内壁附着物的实际情况来判定是否需要对工艺腔室进行清洁处理。当判定需要对工艺腔室进行清洁处理时，则同样在无需停机的前提下，借助于至少由含氟气体所形成的等离子体对工艺腔室内壁上的附着物进行刻蚀并将其去除，从而达到清洁腔室的目的，进而能够有效地减少甚至消除因上述附着物脱落而对硅片造成的污染(例如硅片上的“白点”现象)，提高太阳能电池的性能和产品质量。而且，整个清洁过程不需停机、操作简单实用，因此可有效提高设备的生产效率，并避免进行湿法清洗而拆卸/组装工艺腔室所带来的繁杂程序以及工艺条件改变，进而避免因工艺条件改变所引起的产品性能和质量上的差异。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

101)将杂质原子掺杂到硅片中，以制造形成PN结；

102)将形成有PN结的硅片放入工艺腔室，以在其表面淀积形成可降低光反射率的减反射膜；

103)判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理，如果是，则转到步骤104)；如果否，则转到步骤105)；

104)借助于含氟气体所形成的等离子体，对工艺腔室进行清洁处理，去除腔室内壁上的附着物，以使得所述工艺腔室在执行下一个步骤102)时保持洁净；

105)在上述硅片表面印制所需的太阳能电池的电极，并干燥硅片上的浆料、去除浆料中的有机组分，使所述浆料和硅片形成良好的欧姆接触；

106)取另一个硅片并转至执行步骤101)。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在步骤103)中，根据实际工艺次数是否达到预定工艺次数判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理；或者根据对腔室内壁附着物的检测结果判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，步骤104)中，所述含氟气体流量为100～1500sccm。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述含氟气体流量为800～1000sccm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述含氟气体选自CF₄、SF₆、NF₃中的一种。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在步骤104)之后，还包括腔室吹扫步骤，具体为：向工艺腔室内通入吹扫气体，当腔室压力达到预定压力值的时候停止进气，并借助于抽气装置而对工艺腔室进行抽气操作。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述吹扫气体为N₂，其流量范围为1000sccm～10000sccm，且所述压力预定值为900毫巴。

8.根据权利要求6或7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，重复执行所述腔室吹扫步骤，并且其重复次数在1至200次之间。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤101)具体包括：借助于载流气体将所需杂质运至硅片表面以进行浅层扩散，并借助于高温处理而使预附着在浅层处的杂质原子继续向硅片深处扩散，从而制造形成PN结，然后对硅片周边进行刻蚀，去除硅片边缘位置处的扩散层。

10.一种太阳能电池制造设备，包括工艺腔室、进气装置、抽气装置，其特征在于，还包括以下模块：

PN结形成模块，将杂质原子掺杂到硅片中，以制造形成PN结；

淀积模块，将形成有PN结的硅片放入工艺腔室，以在其表面淀积形成可降低光反射率的减反射膜；

控制模块，判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理，如果是，则触发腔室清洁模块；如果否，则触发电极制作模块，并在所述触发电极制作模块完成电极制作后，将另一硅片传输至所述PN结形成模块；

腔室清洁模块，借助于至少由含氟气体所形成的等离子体，对工艺腔室进行清洁处理，去除腔室内壁上的附着物，以使所述工艺腔室保持洁净；

电极制作模块，在上述硅片表面印制所需的太阳能电池的电极，并干燥硅片上的浆料、去除浆料中的有机组分，使所述浆料和硅片形成良好的欧姆接触。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述控制模块根据实际工艺次数以及预定工艺次数判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理；或者根据对腔室内壁附着物的检测结果判断是否需要对工艺腔室内壁进行清洁处理。

12.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造设备，其特征在于，所述腔室清洁模块具有以下单元：

腔室刻蚀单元，借助于含氟气体所形成的等离子体，对附着在腔室内壁上的附着物进行刻蚀，并将其去除；

13.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造设备，其特征在于，所述腔室刻蚀单元所需工艺条件中，所述含氟气体流量为100～1500sccm。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池的制造设备，其特征在于，所述含氟气体流量为800～1000sccm。

15.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造设备，其特征在于，所述含氟气体选自CF₄、SF₆、NF₃中的一种。

16.根据权利要求12所述的太阳能电池的制造设备，其特征在于，所述吹扫气体为N₂，其流量范围为1000sccm～10000sccm，且所述压力预定值为900毫巴。