CN101752169A - 高能x光转换叠靶装置 - Google Patents
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Abstract
高能X光转换叠靶装置，涉及高能物理技术。本发明包括多层平行排列的钽箔和固定装置，各钽箔固定安装在固定装置上，各层钽箔之间为真空。本发明的有益效果是，对于强流(kA)、高功率、MeV能量的脉冲电子束与X光转换靶作用后，能够实现产生的脉冲X光在具有强照射量(大于300伦琴)的同时具有mm量级的高分辨率。
Description
技术领域
本发明涉及高能物理技术。
背景技术
强流、高能的脉冲电子束与一种具有高原子序数的材料作用后能够产生具有高分辨和强剂量的X光，该材料一般被称为X光转换靶。X光在民用及国防领域都有着广泛的应用，涉及医学X光照相、工业探伤、海关检测、高能闪光照相等。一般的X光转换靶采用的是有单一、固定厚度的材料，这种靶材料对于低能的脉冲电子束可以达到预定的要求，但对于能量在MeV、功率在GW以上的电子束来说，由于电子束对靶材料的破坏，会极大地影响到所产生的X光的分辨率和照射量。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，为了实现强流电子束与靶材料作用产生高分辨的、高强度的X光射线，提供了一种靶结构设计，能够实现产生的X光具有高分辨率和强的X光照射量。
本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，高能X光转换叠靶装置，其特征在于，包括多层平行排列的钽箔和固定装置，各钽箔固定安装在固定装置上，各层钽箔之间为真空。
各层钽箔之间的间距相等，各层钽箔之间的厚度也可相等。
具体的说，各层钽箔之间的间距为0.5mm，各层钽箔的厚度为0.05mm。所述固定装置为不锈钢边框，各层钽箔设置在不锈钢边框内。本发明的固定装置同时具有密封作用。
本发明的有益效果是，对于强流(kA)、高功率、MeV能量的脉冲电子束与X光转换靶作用后，能够实现产生的脉冲X光在具有强照射量(大于300伦琴)的同时具有mm量级的高分辨率。
以下结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的说明。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
具体实施方式
参见图1。图1的局部为剖视状态，以表示内部结构。本发明在使用状态下，为保持内部为真空，是处于密封状态的。
本发明由数十层钽箔1相互叠加构成，箔间间隔相同的距离，钽箔周围利用金属(一般采用不锈钢)材料来对整个叠靶装置进行固定。本发明的叠靶结构整体具有足够厚度，使整个靶立体空间大大增加，可以减少电子束作用时靶材装置的破坏程度，并能提高X光的强度与照相分辨率。
作为一个实施例，由24层钽箔叠加组成叠靶装置，钽箔单层厚度为0.05mm，箔间距为0.5mm。钽箔采用纯度大于99.99％的钽材料，表面平整，箔间放置厚度为0.5mm的金属(铝)环来保持相同的层间距离，并使叠靶装置结构紧凑。
经过测试证明，采用钽箔厚度为0.05mm、层间距0.5mm的实施例可以保证对X光性能要求下，取得最佳的效果。
Claims (5)
1.高能X光转换叠靶装置，其特征在于，包括多层平行排列的钽箔(1)和固定装置(2)，各钽箔固定安装在固定装置上，各层钽箔之间为真空。
2.如权利要求1所述的高能X光转换叠靶装置，其特征在于，各层钽箔之间的间距相等。
3.如权利要求1所述的高能X光转换叠靶装置，其特征在于，各层钽箔之间的厚度相等。
4.如权利要求1所述的高能X光转换叠靶装置，其特征在于，各层钽箔之间的间距为0.5mm，如权利要求1所述的高能X光转换叠靶装置，其特征在于，各层钽箔的厚度为0.05mm。
5.如权利要求1所述的高能X光转换叠靶装置，其特征在于，所述固定装置(2)为不锈钢边框，各层钽箔设置在不锈钢边框内。
Priority Applications (1)
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| CN200910265029A CN101752169A (zh) | 2009-12-29 | 2009-12-29 | 高能x光转换叠靶装置 |
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Publications (1)
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| CN101752169A true CN101752169A (zh) | 2010-06-23 |
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Family Applications (1)
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| CN200910265029A Pending CN101752169A (zh) | 2009-12-29 | 2009-12-29 | 高能x光转换叠靶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101752169A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110993470A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-10 | 西北核技术研究院 | 一种大面积拼接式强流二极管阳极靶 |
| CN111048378A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-21 | 西北核技术研究院 | 一种可旋转拼接式强流二极管阳极靶 |
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2009
- 2009-12-29 CN CN200910265029A patent/CN101752169A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110993470A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-10 | 西北核技术研究院 | 一种大面积拼接式强流二极管阳极靶 |
| CN111048378A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-21 | 西北核技术研究院 | 一种可旋转拼接式强流二极管阳极靶 |
| CN110993470B (zh) * | 2019-12-23 | 2022-09-23 | 西北核技术研究院 | 一种大面积拼接式强流二极管阳极靶 |
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| PB01 | Publication | ||
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| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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Open date: 20100623 |