CN105609151B - 一种基于吸收边原理的x射线屏蔽结构 - Google Patents
一种基于吸收边原理的x射线屏蔽结构 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及X射线辐射防护技术领域，具体公开了一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构。一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构，该结构包括第一铝合金层、屏蔽层以及第二铝合金层，其中，沿X射线入射方向依次为第一铝合金层、屏蔽层以及第二铝合金层，其中，屏蔽层由铅和/或镝和/或钽合金构成。本发明所述的一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构重量轻，能够屏蔽X射线和屏蔽X射线所产生的次级电子，达到较好的屏蔽效果。
Description
技术领域
本发明属于X射线辐射防护技术领域，具体涉及一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构。
背景技术
X射线辐射多来自于核电站、加速器、医学影像设备、X射线探伤及其他X射线生成等设施或设备，X射线辐射可能会对人、生物与电子系统等造成不同程度的损伤。
X射线辐射对电子系统最直接的作用是在电子系统的半导体元器件内部产生电离辐射效应，诱发电子-空穴对，在外加电场的作用下，电子、空穴的输运和累积，改变元器件的电参数性能，甚至导致元器件失效。同时，X射线辐照下屏蔽材料会发射较多的次级电子，这同样对半导体元器件不利，需要考虑次级电子的屏蔽。
X射线对人和生物相互作用主要是电离作用使机体受到损伤，损伤程度取决于能量、剂量和各组织对辐射的敏感程度。人体组织吸收X射线后将使体内细胞物质的分子和源自发生电离和激发，使体内高分子键断裂而破坏。
传统的X射线屏蔽一般采用铅屏蔽，存在的主要缺点如下：一是重量大，在屏蔽设备移动造成很大的困难；二是如果人或生物接触铅，会造成铅中毒等后果；三是铅材料不易与其他材料融合。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构，其可以克服现有X射线屏蔽结构的不足，具有X射线屏蔽效率高、重量轻等优点。
本发明的技术方案如下：一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构，该结构包括第一铝合金层、屏蔽层以及第二铝合金层，其中，沿X射线入射方向依次为第一铝合金层、屏蔽层以及第二铝合金层，其中，屏蔽层由铅和/或镝和/或钽合金构成。
所述的第一铝合金层的厚度为0.1mm～1mm。
所述的第二铝合金层的厚度为0.1mm～1mm。
所述的屏蔽层的厚度为0.1mm～0.5mm。
所述的屏蔽层中铅的含量不低于50％。
本发明的显著效果在于：本发明所述的一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构重量轻，能够屏蔽X射线和屏蔽X射线所产生的次级电子，达到较好的屏蔽效果。
附图说明
图1为本发明所述的一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构示意图；
图中：1、第一铝合金层；2、屏蔽层；3、第二铝合金层。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细说明。
实施例1
如图1所示，一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构，包括第一铝合金层1、屏蔽层2以及第二铝合金层3，其中，沿着X射线入射方向依次为第一铝合金层1、屏蔽层2以及第二铝合金层3，第一铝合金层1的厚度为0.1mm，屏蔽层2的厚度为0.5mm，第二铝合金层的厚度为0.5mm；屏蔽层2由铅和/或镝和/或钽合金构成，其中，铅的含量不低于50％。
实施例2
如图1所示，一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构，包括第一铝合金层1、屏蔽层2以及第二铝合金层3，其中，沿着X射线入射方向依次为第一铝合金层1、屏蔽层2以及第二铝合金层3，第一铝合金层1的厚度为0.3mm，屏蔽层2的厚度为0.1mm，第二铝合金层的厚度为0.1mm；屏蔽层2由铅和/或镝和/或钽合金构成，其中，铅的含量不低于50％。
实施例3
如图1所示，一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构，包括第一铝合金层1、屏蔽层2以及第二铝合金层3，其中，沿着X射线入射方向依次为第一铝合金层1、屏蔽层2以及第二铝合金层3，第一铝合金层1的厚度为1mm，屏蔽层2的厚度为0.3mm，第二铝合金层的厚度为1mm；屏蔽层2由铅和/或镝和/或钽合金构成，其中，铅的含量不低于50％。
Claims (3)
1.一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构，其特征在于：该结构包括第一铝合金层(1)、屏蔽层(2)以及第二铝合金层(3)，其中，沿X射线入射方向依次为第一铝合金层(1)、屏蔽层(2)以及第二铝合金层(3)，其中，屏蔽层由铅和/或镝和/或钽合金构成；所述的屏蔽层(2)的厚度为0.1mm～0.5mm，所述的屏蔽层(2)中铅的含量不低于50％。
2.根据权利要求1所述的一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构，其特征在于：所述的第一铝合金层(1)的厚度为0.1mm～1mm。
3.根据权利要求1所述的一种基于吸收边原理的X射线屏蔽结构，其特征在于：所述的第二铝合金层(3)的厚度为0.1mm～1mm。
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