CN101716837A - 膜层结构及使用该膜层结构的电子装置壳体 - Google Patents

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Abstract

一种电子装置壳体,其包括一基板及一膜层结构。所述膜层结构附着于所述基板上。所述膜层结构为一复合金属膜层,其由至少一层金属膜与至少一层介质膜交替堆叠而成,所述每层金属膜为不连续的凸块状结构,所述介质膜由不导电材料制成。本发明的电子装置壳体将每层金属膜都制成不连续的凸块状结构,且将金属膜与介质膜交替堆叠,从而使所述电子装置壳体具有镜面效果并可有效避免电子装置发出的信号被所述膜层结构遮蔽。

Description

膜层结构及使用该膜层结构的电子装置壳体
技术领域
本发明涉及一种膜层结构及使用该膜层结构的电子装置壳体。
背景技术
随着电子科技的高速发展,人们对手机的外观品质要求越来越高。现在有的手机厂商采用不容易导电的金属锡,铟等作为镀膜材料制成一层厚度较大的连续的金属膜层,从而使手机的外壳及屏幕具有金属质感及镜面效果。但由于连续的金属膜层是一层导电薄膜,手机信号在通过此薄膜时被这层导电薄膜吸收,引起手机信号被遮蔽的问题。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一具有镜面效果并可有效避免信号被遮蔽的膜层结构及使用该膜层结构的电子装置壳体。
一种膜层结构,用于附着在一基板上,其为一复合金属膜层,所述膜层结构由至少一层金属膜与至少一层介质膜交替堆叠而成,所述每层金属膜均为不连续的凸块状结构,所述介质膜由不导电的材料制成。
一种电子装置壳体,其包括一基板及上述膜层结构,所述膜层结构附着在所述基板上。
本发明的膜层结构及使用该膜层结构的电子装置壳体,将每层金属膜都制成不连续的凸块状结构,且将金属膜与介质膜交替堆叠,从而使所述电子装置壳体具有镜面效果并可有效避免电子装置发出的信号被所述膜层结构遮蔽。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的膜层结构的示意图;
图2是图1的膜层结构的第一实施方式的光谱图;
图3是图1的膜层结构的第二实施方式的光谱图;
图4是图1的膜层结构的第三实施方式的光谱图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1,为本发明实施方式提供的电子装置壳体100,其包括一基板110,一附着层120,一膜层结构130及一保护层140。
所述附着层120,膜层结构130及保护层140依次堆叠在所述基板110上。
所述基板110用于承载附着层120,膜层结构130及保护层140。在本实施方式中,所述基板110为玻璃基板。
所述膜层结构130位于所述附着层120及保护层140之间。所述膜层结构130为复合金属膜层,其由至少一层金属膜131及至少一层介质膜132交替堆叠而成。所述介质膜132由不导电的材料制成。由于镜面效果与金属的反射率有关,反射率越大,则镜面效果越好。但每种金属膜的反射率都有一个最大极限值。要使金属膜的反射率达到这个最大极限值,每种金属膜均对应有一个厚度值。本实施方式就将这种厚度的金属膜分割成多层,并在相邻的两层金属膜之间填充介质膜,这样就可保证被分割后的金属膜的反射率不变。但是由于连续的金属膜具有导电性,即使相邻的金属膜之间被不导电的介质膜分隔开,这样的复合金属膜层仍然会有导电性。根据金属镀膜的制程可知,在金属镀膜的过程中,会先形成多个不连续的凸块状结构,随着金属膜厚度逐渐增加,此不连续的凸块就会逐渐的相互连在一起,形成一个连续的金属膜。不连续的凸块状的金属膜不会导电,因此本实施方式的膜层结构130的金属膜131就采用这种不连续的凸块状结构。以金属铝为例,经实验证明,铝的最大极限反射率接近60%,此时铝膜的厚度为30nm,且铝膜的厚度为5nm时还是不连续的凸块状结构,因此为了保证金属膜为铝膜的复合金属膜层既有较好的镜面效果又不会导电,同时又为了方便镀膜的制程,就将30nm的铝膜分割成6层,每层厚度均为5nm,然后在相邻的铝膜之间填充由二氧化硅制成的介质膜,形成包括6层金属膜及5层介质膜的复合金属膜层。可以理解,也可将30nm的铝膜分成不相等的多层,每层的厚度越薄越好,比如第一层为1nm,第二层为2nm等,只要每层金属膜为不连续的凸块状结构即可。同时各金属膜131可分别采用不同的金属材料,比如第一层为铬膜,第二层为铝膜,第三层为银膜等。可以理解,所述金属膜131的材料不同,所得到的膜层结构130的反射率不同。
所述附着层120用于连接所述膜层结构130与所述基板110。所述附着层120由不导电材料制成,且该不导电材料与基板110及膜层结构130中的金属膜131或介质膜132均具有良好的粘着性。在本实施方式中,由于膜层结构130的最内层为金属膜131,基板110为玻璃基板,且二氧化硅薄膜与金属膜131及玻璃基板的粘着性均比较好,因此就采用二氧化硅薄膜作为附着层120。可以理解,若与附着层120邻接的金属膜131或介质膜132与所述基板110的粘着性比较好时,所述附着层120可省去。
所述保护层140用于对膜层结构130进行保护,防止所述膜层结构130中的金属膜131被空气氧化。所述保护层140由不导电的材料制成,且该不导电材料与金属膜131具有良好的粘着性。在本实施方式中,采用二氧化硅薄膜作为保护层140。可以理解,若所述复合金属膜层130中远离所述基板110的最外层为介质膜,则所述保护层140也可省去。
图2所示为本发明的电子装置壳体100的第一实施方式的光谱图。本实施方式的电子装置壳体100中,所述膜层结构130包括6层金属膜及5层介质膜,且所述金属膜131为5nm的铬膜,介质膜132为5nm的二氧化硅薄膜,所述附着层120及保护层140均为5nm的二氧化硅薄膜。表(一)为金属铬针对不同波长光线的折射率及消光系数。
表(一)
  波长(nm)   折射率   消光系数
  400   1.48   3.54
  450   1.99   4.22
  波长(nm)   折射率   消光系数
  500   2.75   4.46
  550   3.18   4.41
  600   3.48   4.36
  650   3.65   4.36
  700   3.84   4.37
由图2可知,当金属膜为铬膜时,所述电子装置壳体100对可见光(波长范围在400nm-700nm之间)的反射率接近60%,因此所述电子装置壳体100的反射率较高,具有较好的镜面效果。
图3所示为本发明的电子装置壳体100的第二实施方式的光谱图。本发明的电子装置壳体100的第二实施方式与第一实施方式的主要区别在于,所述膜层结构130中的金属膜131为铝膜。表(二)为金属铝针对不同波长的光线的折射率及消光系数。
表(二)
  波长(nm)   折射率   消光系数
  400   0.37   4.25
  450   0.47   4.84
  500   0.64   5.5
  550   0.82   5.99
  600   1.05   6.5
  650   1.3   7.11
  700   1.55   7.21
由图3可知,当金属膜为铝膜时,所述电子装置壳体100对可见光(波长范围在400nm-700nm之间)的反射率大于80%,因此本实施方式的电子装置壳体100的反射率较高,具有较好的镜面效果。
图4所示为本发明的电子装置壳体100的第三实施方式的光谱图。本发明的电子装置壳体100的第三实施方式与第一实施方式的主要区别在于,所述膜层结构130中的金属膜131为银膜。表(三)为金属银针对不同波长的光线的折射率及消光系数。
表(三)
  波长(nm)   折射率   消光系数
  400   0.075   1.93
  450   0.055   2.42
  500   0.05   2.87
  550   0.055   3.32
  600   0.06   3.75
  650   0.07   4.2
  700   0.08   5.05
由图4可知,当金属膜为银膜时,所述电子装置壳体100对可见光(波长范围在400nm-700nm之间)的反射率由50%到90%之间,因此所述电子装置壳体100的反射率较高,具有较好的镜面效果。
本发明的电子装置壳体100的第四实施方式与第一实施方式的主要区别在于,所述基板110为塑胶基板,且所述附着层120为一层底漆,所述保护层140为一层面漆。由于塑胶基板的材质比较软,必须采用较厚的附着层120及保护层140才可以保证整个电子装置壳体100上的膜层结构130的稳定性,但是镀较厚的膜层比较耗费时间,因此为了制程的方便,一般采用喷漆的方式来制作附着层120及保护层140。
本发明的膜层结构及使用该膜层结构的电子装置壳体,将每层金属膜都制成不连续的凸块状结构,且将金属膜与介质膜交替堆叠形成膜层结构,从而可有效避免电子装置发出的信号被所述膜层结构遮蔽,并将具有镜面效果的金属膜的总厚度分割成多层,使该电子装置壳体仍具有镜面效果。同时所述膜层结构的金属膜可使用任何金属,并不局限于不容易导电的金属,使所述膜层结构及使用该膜层结构的电子装置壳体的应用范围大大增加。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (11)

1.一种膜层结构,用于附着在一基板上,其为一复合金属膜层,所述膜层结构由至少一层金属膜与至少一层介质膜交替堆叠而成,所述每层金属膜均为不连续的凸块状结构,所述介质膜由不导电的材料制成。
2.如权利要求1所述的膜层结构,其特征在于,所述每层金属膜为铬膜,铝膜及银膜之一。
3.如权利要求1所述的膜层结构,其特征在于,所述介质膜为二氧化硅薄膜。
4.一种利用如权利要求1所述的膜层结构的电子装置壳体,其还包括一基板,所述膜层结构附着于所述基板上。
5.如权利要求4所述的电子装置壳体,其特征在于,所述电子装置壳体还包括一附着层,所述附着层位于所述膜层结构及基板之间,用于连接所述基板及复合金属膜层。
6.如权利要求5所述的电子装置壳体,其特征在于,所述附着层由不导电的材料制成。
7.如权利要求4所述的电子装置壳体,其特征在于,所述电子装置壳体还包括一保护层,所述保护层附着于所述膜层结构上,用于对膜层结构进行保护。
8.如权利要求7所述的电子装置壳体,其特征在于,所述保护层由不导电的材料制成。
9.如权利要求5或7所述的电子装置壳体,其特征在于,所述基板为玻璃基板或塑胶基板。
10.如权利要求9所述的电子装置壳体,其特征在于,所述基板为玻璃基板时,所述附着层为二氧化硅薄膜;所述基板为塑胶基板时,所述附着层为底漆。
11.如权利要求9所述的电子装置壳体,其特征在于,所述基板为玻璃基板时,所述保护层为二氧化硅薄膜;所述基板为塑胶基板时,所述保护层为面漆。
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