CN101694328B - 一种多靶太阳能吸收膜层及其生产方法 - Google Patents
一种多靶太阳能吸收膜层及其生产方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101694328B CN101694328B CN 200910193418 CN200910193418A CN101694328B CN 101694328 B CN101694328 B CN 101694328B CN 200910193418 CN200910193418 CN 200910193418 CN 200910193418 A CN200910193418 A CN 200910193418A CN 101694328 B CN101694328 B CN 101694328B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- target
- steel sheet
- base steel
- solar energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims abstract description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 107
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 37
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 24
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 12
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 4
- 239000012467 final product Substances 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 claims description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- WURBVZBTWMNKQT-UHFFFAOYSA-N 1-(4-chlorophenoxy)-3,3-dimethyl-1-(1,2,4-triazol-1-yl)butan-2-one Chemical compound C1=NC=NN1C(C(=O)C(C)(C)C)OC1=CC=C(Cl)C=C1 WURBVZBTWMNKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种多靶、耐高温、耐氧化太阳能吸收膜层，它包括基片、金属层、吸收层和保护层，所述金属层均匀覆盖在基片表面上，吸收层均匀覆盖在金属层的上面，保护层均匀覆盖在吸收层的上面。本发明还公开了上述太阳能吸收膜层的生产方法。本发明采用磁控溅射镀膜技术，五靶(铝，硅，钢)在氩气和氧气中反应溅射沉积到抛光处理过金属、玻璃等基片上形成的氧化铝、氧化硅太阳能吸收膜层，由它们生成的膜层吸收好，发射低，吸收效果α可达到0.96，红外发射率ε最低可到6，膜层为蓝黑色为主，产品在500℃高温下烘烤5小时膜层不脱落、不变色，经普通胶带黏贴膜层不脱落，具有良好的力学性能，而且该膜层很容易和太阳能建筑一体化，适合在任何地区进行安装。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能吸收膜层，特别是涉及一种多靶、耐高温、耐氧化太阳能吸收膜层。本发明还涉及一种上述太阳能吸收膜层的生产方法。
背景技术
太阳能利用最直接的有效途径之一就是把太阳能转化成热能加以利用，而决定太阳能集热器效率的主要因素是集热器对太阳辐射的吸收能力和集热器的热损大小。提高效率的总原则就是提高集热器对太阳光辐射的吸收，尽量减少热损失。而光谱选择性吸收薄膜就是对太阳的短波辐射具有良好的吸收性能而本身只有少量的热损失。因而，使用太阳光光谱选择性吸收薄膜便是提高集热器效率的最有效途径之一。目前吸收太阳光光谱选择性吸收薄膜，主要以下两形式利用(真空管式，平板式)
真空管式，以三靶磁控溅射的干涉膜为例(此种技术是同行中最好的一种)，此种膜层吸收较高，发射比较低，但是此种膜层在高温大气状态下容易氧化，变色，膜层脱落。再加上真空管的弊端，不适合搞太阳能建筑一体化。
平板式太阳能，目前国内用的吸收涂层很多，主要有以下几种：喷涂，电泳，天然氧化铝(钛)，从德国进口的镀膜的吸收翅片。平板式太阳能很容易和建筑一体化，但是平板式太阳能因为吸收层膜层较差，所以吸收较差，发射较高，很不适合在北方进行安装。
发明内容
本发明的第一个目的在于提供一种多靶太阳能吸收膜层。
本发明的第二个目的在于提供一种上述多靶太阳能吸收膜层的生产方法。
本发明的第一个目的通过以下技术方案予以实现。
一种多靶太阳能吸收膜层，其特征在于：它包括基片、金属层、吸收层和保护层，所述金属层均匀覆盖在基片表面上，吸收层均匀覆盖在金属层的上面，保护层均匀覆盖在吸收层的上面。
为提高设备的稳定性，可在吸收层和保护层之间增设过渡层，所述过渡层均匀覆盖在吸收层的上面，保护层均匀覆盖在过渡层的上面。
所述的基片为钢基片或玻璃基片。
所述金属层为金属铝层，所述吸收层为氧化铝与钢的混合基膜层，所述保护层为氧化硅膜层，所述过渡层为氧化硅层。
所述金属层的厚度为40～60nm，吸收层的厚度为120～220nm，过渡层的厚度为10～30nm，保护层的厚度为50～100nm。
所述吸收层至下而上分为三层，其中第一吸收层厚度为50～90nm，第二吸收层厚度为40～70nm，第三吸收层厚度为30～60nm。
本发明的第二个目的通过以下技术方案予以实现。
一种前述的多靶太阳能吸收膜层的生产方法，它包括以下步骤：
1、对钢基片进行清洁处理：用浓度为10％的NAOH彻底清洗钢基片，去除钢基片表面的灰尘、污物及氧化物；
2、对钢基片进行烘干：将钢基片放入烘箱烘烤，至钢基片完全烘干；
3、对钢基片进行抛光处理：将表面的氧化物，杂质，凹凸不平的打磨干净，露出纯金属本身的颜色；
4、对钢基片进行氧化处理：将抛光后的钢基片放入恒温箱，并在500摄氏度下保温1-2小时，使钢基片表面生成一层纯氧化层；
5、清理钢基片：戴至少五层一次性干净手套把烘干好的钢基片放入磁控溅射镀膜机内；将磁控溅射镀膜机的镀膜室真空度抽至5.0×10-3pa，起偏压电源清理基片，首先充入氩气使压强保持在(1～9)-1之间，起偏压电压在600v左右，时间3min即可；
6、偏压清理完钢基片后，开启钢靶，将电流放在30A，2～3min，压强3.5-1pa，转架转速每分钟3转，以增强粘结度；
7、镀金属层：镀膜室充入氩气，起直流电源A靶，电流40～45A，时间10min，压强(2.0～3.0)-1pa，转架转速1分钟一转；
8、镀吸收层：将氩气和氧气在镀膜室外完全混合，然后将混合后的氩气和氧气冲入镀膜室，使镀膜室压强保持在4.0-1pa；
其中，第一吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在40A，时间8min，转架转速一分钟3转；
第二吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在25A，时间10min，转架转速一分钟3转；
第三吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在10A，时间12min，转架转速一分钟3转；
9、镀保护层：将氩气和氧气在镀膜室外完全混合，然后将混合后的氩气和氧气冲入镀膜室，使镀膜室内压强保持在(5.5～6.5)-1pa之间，起高频直流电源硅靶，电流50A，电压设硅靶拐点电压，时间10min；
由于硅靶起靶速度较慢，可在步骤8镀吸收层和步骤9镀保护层之间增加一个硅靶过渡步骤，以生成过渡层：向镀膜室充入氩气，和少量氧气，使镀膜室压强保持在(2.0～3.0)-1pa，然后启动硅靶电流30A，时间3分钟。
上述的氩气与氧气它们之间的流量分别是氩气120～160sccm，氧气100～180sccm。
所述A1靶距为10cm，硅靶距为16cm，靶距越小粒子越容易连成一片。
转架的转速对工艺的影响膜层的形成是先沉积金属层再沉积AL2O3和SS，转速越快则在规定的时间内沉积层数越多，当工艺压强提高时，这时需要提高转速。镀金属层时，转速要尽可能的慢，吸收层要尽可能的快。当找到合适的值时，这个值就要固定住，不能轻易改动，一旦发生改变，膜层的结构随之改变。
压强越高粒子越小，功率越高时粒子越大。温度越低粒子越不规则，温度越高时粒子越接近圆形。当环境温度达到400度时，粒子就会移动，粒子之间试图结合成圆形。温度高时，材料的折射率会越高发射率会降低，当发射率高时，表明金属成分较多，需要降低AL/SS的功率。我们镀得膜层在常温下金属含量会比在高温时要高，因为在高温时会有一部分金属被氧化。膜层的使用环境更多地是高温环境，所以这时候再设定工艺时要将被氧化的那部分金属考虑进去，让金属含量稍微高出我们理论计算的数值。
与现有技术相比，本发明的一种多靶太阳能吸收膜层，采用磁控溅射镀膜技术，五靶(铝，硅，钢)在氩气和氧气中反应溅射沉积到抛光处理过金属、玻璃等基片上形成的氧化铝、氧化硅太阳能吸收膜层，由它们生成的膜层吸收好，发射较低，吸收效果α可达到0.96，红外发射率ε最低可到6，膜层为蓝黑色为主，样品在大气状态下高温500度烘烤5小时膜层不脱落，不变色，经普通胶带黏贴膜层不脱落，具有良好的力学性能。而且该膜层很容易和太阳能建筑一体化，适合在任何地区进行安装。
附图说明
图1是本发明实施例1的结构示意图；
图2是本发明实施例2的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明。
实施例一
如图1所示结构是本实施例的一种多靶太阳能吸收膜层的结构示意图，它包括钢基片1、金属层2、吸收层3和保护层4，所述金属层2均匀覆盖在钢基片1表面上，吸收层均匀覆盖在金属层2的上面，保护层4均匀覆盖在吸收层3的上面。
所述金属层2为金属铝层，所述吸收层3为氧化铝与钢的混合基膜层，所述保护层4为氧化硅膜层。
所述金属层2的厚度为50nm，吸收层3的厚度为180nm，保护层4的厚度为80nm。
所述吸收层至下而上分为三层，其中第一层厚度为70nm，第二层厚度为55nm，第三层厚度为45nm。
该多靶、耐高温、耐氧化太阳能吸收膜层的生产方法是，它包括以下步骤：
1、对钢基片进行清洁处理：用浓度为10％的NAOH彻底清洗钢基片，去除钢基片表面的灰尘、污物及氧化物；
2、对钢基片进行烘干：将钢基片放入烘箱烘烤，至钢基片完全烘干；
3、对钢基片进行抛光处理：将表面的氧化物，杂质，凹凸不平的打磨干净，露出纯金属本身的颜色；
4、对钢基片进行氧化处理：将抛光后的钢基片放入恒温箱，并在500摄氏度下保温1.5小时，使钢基片表面生成一层纯氧化层；
5、清理钢基片：戴至少五层一次性干净手套把烘干好的钢基片放入磁控溅射镀膜机内；将磁控溅射镀膜机的镀膜室真空度抽至5.0×10-3pa，起偏压电源清理基片，首先充入氩气使压强保持在(1～9)-1pa之间，起偏压电压在600v左右，时间3min即可；
6、偏压清理完钢基片后，开启钢靶，将电流放在30A，2～3min，压强3.5-1pa，转架转速每分钟3转，以增强粘结度；
7、镀金属层：镀膜室充入氩气，起直流电源A 1靶，电流40～45A，时间10min，压强(2.0～3.0)-1pa，转架转速1分钟一转；
8、镀吸收层：将氩气和氧气在镀膜室外完全混合，然后将混合后的氩气和氧气冲入镀膜室，使镀膜室压强保持在4.0-1pa；
其中，第一吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在40A，时间8min，转架转速一分钟3转；
第二吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在25A，时间10min，转架转速一分钟3转；
第三吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在10A，时间12min，转架转速一分钟3转；
9、镀保护层：将氩气和氧气在镀膜室外完全混合，然后将混合后的氩气和氧气冲入镀膜室，使镀膜室内压强保持在(5.5～6.5)-1pa之间，起高频直流电源硅靶，电流50A，电压设硅靶拐点电压，时间10min。
上述的氩气与氧气它们之间的流量分别是氩气160sccm，氧气100sccm。
所述A1靶距为10cm，硅靶距为16cm，靶距越小粒子越容易连成一片。
实施例2
如图2所示结构是本实施例的一种多靶太阳能吸收膜层的结构示意图，它包括基片1、金属层2、吸收层3、过渡层5、保护层4，所述金属层2均匀覆盖在基片1表面上，吸收层3均匀覆盖在金属层2的上面，过渡层5均匀覆盖在吸收层3的上面；保护层4均匀覆盖在过渡层5的上面；所述的基片1为钢基片；所述金属层2为金属铝层，所述吸收层3为氧化铝与钢的混合基膜层，所述过渡层5为氧化硅层；所述保护层4为氧化硅膜层，所述金属层2的厚度为60nm，吸收层3的厚度为220nm，保护层4的厚度为100nm，过渡层厚度为30nm；所述吸收层3至下而上分为三层，其中第一吸收层厚度为90nm，第二吸收层厚度为70nm，第三吸收层厚度为60nm。
本实施例的多靶、耐高温、耐氧化太阳能吸收膜层的生产方法，它包括以下步骤：
1、对钢基片进行清洁处理：用浓度为10％的NAOH彻底清洗钢基片，去除钢基片表面的灰尘、污物及氧化物；
2、对钢基片进行烘干：将钢基片放入烘箱烘烤，至钢基片完全烘干；
3、对钢基片进行抛光处理：将表面的氧化物，杂质，凹凸不平的打磨干净，露出纯金属本身的颜色；
4、对钢基片进行氧化处理：将抛光后的钢基片放入恒温箱，并在500摄氏度下保温2小时，使钢基片表面生成一层纯氧化层；
5、清理钢基片：戴至少五层一次性干净手套把烘干好的钢基片放入磁控溅射镀膜机内；将磁控溅射镀膜机的镀膜室真空度抽至5.0×10-3pa，起偏压电源清理基片，首先充入氩气使压强保持在(1～9)-1pa之间，起偏压电压在600v左右，时间3min即可；
6、偏压清理完钢基片后，开启钢靶，将电流放在30A，2～3min，压强3.5-1pa，转架转速每分钟3转，以增强粘结度；
7、镀金属层：镀膜室充入氩气，起直流电源A1靶，电流40～45A，时间10min，压强(2.0～3.0)-1pa，转架转速1分钟一转；
8、镀吸收层：将氩气和氧气在镀膜室外完全混合，然后将混合后的氩气和氧气冲入镀膜室，使镀膜室压强保持在4.0-1pa；
其中，第一吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在40A，时间8min，转架转速一分钟3转；
第二吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在25A，时间10min，转架转速一分钟3转；
第三吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在10A，时间12min，转架转速一分钟3转；
9、硅靶过渡步骤，以生成过渡层：向镀膜室充入氩气，和少量氧气，使镀膜室压强保持在(2.0～3.0)-1pa，然后启动硅靶电流30A，时间3分钟；
10、镀保护层：将氩气和氧气在镀膜室外完全混合，然后将混合后的氩气和氧气冲入镀膜室，使镀膜室内压强保持在(5.5～6.5)-1pa之间，起高频直流电源硅靶，电流50A，电压设硅靶拐点电压，时间10min；
上述的氩气与氧气它们之间的流量分别是氩气140sccm，氧气130sccm。
所述AI靶距为10cm，所述硅靶距为16cm，靶距越小粒子越容易连成一片。
本发明并不限于以上实施方式，只要是本说明书及权利要求书中提及的方案匀是可以实施的，如基片可选择钢基片，也可以选择各种硬度较高、表面光滑、耐高温、耐腐蚀、耐氧化的材料作为基片，例如玻璃、铜、铝等等。
Claims (7)
1.一种多靶太阳能吸收膜层，其特征在于：它包括基片、金属层、吸收层和保护层，所述金属层均匀覆盖在基片表面上，吸收层均匀覆盖在金属层的上面，保护层均匀覆盖在吸收层的上面；
在吸收层和保护层之间设有过渡层，所述过渡层均匀覆盖在吸收层的上面，保护层均匀覆盖在过渡层的上面；所述过渡层为氧化硅膜层，所述保护层为氧化硅膜层。
2.根据权利要求1所述的一种多靶太阳能吸收膜层，其特征在于：所述的基片为钢基片。
3.根据权利要求1所述的一种多靶太阳能吸收膜层，其特征在于：所述金属层为金属铝层，所述吸收层为氧化铝与钢的混合基膜层。
4.根据权利要求3所述的一种多靶太阳能吸收膜层，其特征在于：所述金属层的厚度为40～60nm，吸收层的厚度为120～220nm，保护层的厚度为50～100nm，吸收层与保护层之间的过渡层厚度为10～30nm。
5.根据权利要求4所述的一种多靶太阳能吸收膜层，其特征在于：所述吸收层至下而上分为三层，其中第一吸收层厚度为50～90nm，第二吸收层厚度为40～70nm，第三吸收层厚度为30～60nm。
6.如权利要求2的一种多靶太阳能吸收膜层的生产方法，它包括以下步骤：
(1)对钢基片进行清洁处理：用浓度为10％的NAOH彻底清洗钢基片，去除钢基片表面的灰尘、污物及氧化物；
(2)对钢基片进行烘干：将钢基片放入烘箱烘烤，至钢基片完全烘干；
(3)对钢基片进行抛光处理：将表面的氧化物，杂质，凹凸不平的打磨干净，露出纯金属本身的颜色；
(4)对钢基片进行氧化处理：将抛光后的钢基片放入恒温箱，并在500摄氏度下保温1-2小时，使钢基片表面生成一层纯氧化层；
(5)清理钢基片：戴至少五层一次性干净手套把烘干好的钢基片放入磁控溅射镀膜机内；将磁控溅射镀膜机的镀膜室真空度抽至5.0×10-3pa，起偏压电源清理基片，首先充入氩气使压强保持在(1～9)-1之间，起偏压电压在600v左右，时间3min即可；
(6)偏压清理完钢基片后，开启钢靶，将电流放在30A，2～3min，压强3.5-1pa，转架转速每分钟3转，以增强粘结度；
(7)镀金属层：镀膜室充入氩气，起直流电源A1靶，电流40～45A，时间10min，压强(2.0～3.0)-1pa，转架转速1分钟一转；
(8)镀吸收层：将氩气和氧气在镀膜室外完全混合，然后将混合后的氩气和氧气冲入镀膜室，使镀膜室压强保持在4.0-1pa；
其中，第一吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在40A，时间8min，转架转速一分钟3转；
第二吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在25A，时间10min，转架转速一分钟3转；
第三吸收层起A1靶，不锈钢靶，A1靶电流40A，电压控制在400～450v，不锈钢靶电流放在10A，时间12min，转架转速一分钟3转；
(9)镀保护层：将氩气和氧气在镀膜室外完全混合，然后将混合后的氩气和氧气冲入镀膜室，使镀膜室内压强保持在(5.5～6.5)-1pa之间，起高频直流电源硅靶，电流50A，电压设硅靶拐点电压，时间10min；
在步骤(8)镀吸收层和步骤(9)镀保护层之间增加一个硅靶过渡步骤，以生成过渡层：将氩气和氧气在镀膜室外完全混合，然后将混合后的氩气和氧气冲入镀膜室，使镀膜室压强保持在(2.0～3.0)-1pa，然后启动硅靶电流30A，时间3分钟。
7.根据权利要求6所述的一种多靶太阳能吸收膜层的生产方法，其特征在于：所述的氩气与氧气它们之间的比例是氩气120～160sccm，氧气100～180sccm，所述A1靶距为10cm，硅靶距为16cm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910193418 CN101694328B (zh) | 2009-10-28 | 2009-10-28 | 一种多靶太阳能吸收膜层及其生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910193418 CN101694328B (zh) | 2009-10-28 | 2009-10-28 | 一种多靶太阳能吸收膜层及其生产方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101694328A CN101694328A (zh) | 2010-04-14 |
| CN101694328B true CN101694328B (zh) | 2012-12-12 |
Family
ID=42093314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200910193418 Expired - Fee Related CN101694328B (zh) | 2009-10-28 | 2009-10-28 | 一种多靶太阳能吸收膜层及其生产方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101694328B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103423898A (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-04 | 徐秀萍 | 高发射率低空晒温度的全玻璃真空集热管 |
| CN110295354A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-10-01 | 暨南大学 | 一种过渡金属氧化物薄膜的直流反应磁控溅射沉积方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1594647A (zh) * | 2004-06-21 | 2005-03-16 | 朱德永 | 太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法 |
| DE102005061086A1 (de) * | 2004-12-31 | 2006-08-17 | Industrial Technology Research Institute, Chutung | Selektive Absorptionsschicht für Solarenergie |
| CN101294749A (zh) * | 2007-04-24 | 2008-10-29 | 梁美意 | 太阳能选择性吸收涂层的集热管及其制造方法 |
| CN101514853A (zh) * | 2008-02-20 | 2009-08-26 | 肖特股份有限公司 | 选择性吸收辐射涂层、吸收管及其制造方法 |
| CN201532044U (zh) * | 2009-10-28 | 2010-07-21 | 董晏伯 | 一种多靶、耐高温、耐氧化太阳能吸收膜层 |
-
2009
- 2009-10-28 CN CN 200910193418 patent/CN101694328B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1594647A (zh) * | 2004-06-21 | 2005-03-16 | 朱德永 | 太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法 |
| DE102005061086A1 (de) * | 2004-12-31 | 2006-08-17 | Industrial Technology Research Institute, Chutung | Selektive Absorptionsschicht für Solarenergie |
| CN101294749A (zh) * | 2007-04-24 | 2008-10-29 | 梁美意 | 太阳能选择性吸收涂层的集热管及其制造方法 |
| CN101514853A (zh) * | 2008-02-20 | 2009-08-26 | 肖特股份有限公司 | 选择性吸收辐射涂层、吸收管及其制造方法 |
| CN201532044U (zh) * | 2009-10-28 | 2010-07-21 | 董晏伯 | 一种多靶、耐高温、耐氧化太阳能吸收膜层 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101694328A (zh) | 2010-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201218622Y (zh) | 一种太阳能选择性吸收涂层 | |
| CN101666557B (zh) | 一种非真空太阳光谱选择性吸收膜层及其制备方法 | |
| CN103162452B (zh) | 抗氧化性太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法 | |
| JP5775151B2 (ja) | 熱吸収材を提供する方法 | |
| CN101344334B (zh) | 一种太阳光谱选择性吸收膜及其制备方法 | |
| CN102501459B (zh) | 一种中高温太阳能选择性吸收涂层的制备方法 | |
| CN102122006A (zh) | 太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法 | |
| CN102602071A (zh) | 一种太阳能选择性吸收涂层及其制备方法和应用 | |
| CN103032978A (zh) | 一种菲涅尔式太阳能热发电用选择性吸收涂层及其制备方法 | |
| CN103383155A (zh) | Ti合金氮化物选择性吸收膜系及其制备方法 | |
| CN100577859C (zh) | 太阳能选择性吸收涂层及其制备方法 | |
| CN104532188A (zh) | 选择性太阳能热吸收涂层的复合薄膜材料及其制备方法 | |
| CN102721216A (zh) | 高温太阳能选择性吸收涂层 | |
| CN1018021B (zh) | 太阳能选择性吸收膜及制备方法 | |
| CN101694328B (zh) | 一种多靶太阳能吸收膜层及其生产方法 | |
| CN109341116B (zh) | 一种Cr-Si-N-O太阳能选择性吸收涂层及其制备方法 | |
| CN204230256U (zh) | 低发射比的选择性太阳能热吸收涂层 | |
| CN201532044U (zh) | 一种多靶、耐高温、耐氧化太阳能吸收膜层 | |
| CN102734966A (zh) | 槽式太阳能中温选择吸收涂层 | |
| CN102618837B (zh) | 钒基高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法 | |
| CN108611610A (zh) | 一种双介质层太阳光谱选择性吸收薄膜及其制备方法 | |
| CN102721213A (zh) | 太阳能高温选择性吸收涂层 | |
| CN104505436A (zh) | 低发射比的选择性太阳能热吸收涂层及其制备方法 | |
| CN105299936B (zh) | 一种耐候性高效太阳能选择性吸收涂层及其制备方法 | |
| CN104654639B (zh) | 具有渐变性复合涂层形式的亚吸收层及其制法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121212 |