CN101671801A - 一种通过冷变形控制TiNi基记忆合金相变温度的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种通过冷变形控制TiNi基记忆合金相变温度的方法。其特征在于：对TiNi基记忆合金进行冷变形处理为片材或丝材，冷变形量分别为5％，10％，15％，25％，40％。上述冷变形量范围内，冷变形量在20％－40％范围内，TiNi基记忆合金相变温度与原始相变温度相差小。
Description
技术领域
本发明涉及形状记忆合金技术领域，特别涉及一种通过冷变形控制TiNi基记忆合金相变温度的方法。
背景技术
众所周知，TiNi基记忆合金在生产过程中要经过冷变形处理，比如冷轧、冷拉处理成形为片材或丝材才能进行应用，然而TiNi基记忆合金经过冷变形过程后，会对TiNi基记忆合金的相变温度有显著的影响，也就是说TiNi基记忆合金经过冷变形处理后合金的相变温度会升高，这就造成TiNi基记忆合金在应用过程中相变温度不稳定，因此找出冷变形量与相变温度的关系至关重要。
本发明针对这一问题，开发出一种通过冷变形控制TiNi基记忆合金相变温度的方法。经过查询，未见有相关专利发表。
发明内容
本发明涉及一种通过冷变形控制TiNi基记忆合金相变温度的方法。其特征在于：对TiNi基记忆合金进行冷变形处理为片材或丝材，冷变形量分别为5％，10％，15％，25％，40％。
上述冷变形量范围内，冷变形量在20％-40％范围内，TiNi基记忆合金相变温度与原始相变温度相差小。
附图说明
图1冷变形量对TiNi基记忆合金相变温度的影响
由图1可以看出，随冷变形量的增加，TiNi基记忆合金相变温度会升高，冷变形量为15％时相变温度达到最大。冷变形量为20％以后，TiNi基记忆合金相变温度开始下降，与原始相变温度的差减小。冷变形量在20％-40％范围内，TiNi基记忆合金相变温度与原始相变温度相差小。
具体实施方式
对比例：
TiNi基记忆合金没有经过冷变形量处理时，TiNi基记忆合金原始相变温度见表1
实施例1：
将TiNi基记忆合金经过冷变形量处理达到15％时，TiNi基记忆合金相变温度升到最高点，见表1。
实施例2：
将TiNi基记忆合金经过冷变形量处理大于25％以后，TiNi基记忆合金相变温度与原始相变温度相差小，见表1。
表1经过不同冷变形量处理的TiNi基记忆合金的相变温度
Claims (2)
1、一种通过冷变形控制TiNi基记忆合金相变温度的方法，其特征在于：对TiNi基记忆合金进行冷变形处理为片材或丝材，冷变形量分别为5％，10％，15％，25％，40％。
2、根据权利要求1所述，冷变形量在20％-40％范围内，TiNi基记忆合金相变温度与原始相变温度相差小。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN200910036257A CN101671801A (zh) | 2009-10-12 | 2009-10-12 | 一种通过冷变形控制TiNi基记忆合金相变温度的方法 |
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Publications (1)
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| CN101671801A true CN101671801A (zh) | 2010-03-17 |
Family
ID=42019214
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| CN200910036257A Pending CN101671801A (zh) | 2009-10-12 | 2009-10-12 | 一种通过冷变形控制TiNi基记忆合金相变温度的方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN101671801A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102816983A (zh) * | 2012-08-25 | 2012-12-12 | 镇江忆诺唯记忆合金有限公司 | 一种通过冷变形控制TiNiV记忆合金相变温度的方法 |
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2009
- 2009-10-12 CN CN200910036257A patent/CN101671801A/zh active Pending
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| CN102816983A (zh) * | 2012-08-25 | 2012-12-12 | 镇江忆诺唯记忆合金有限公司 | 一种通过冷变形控制TiNiV记忆合金相变温度的方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
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Open date: 20100317 |