CN101669223A - 有机传感器装置及其应用 - Google Patents
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- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005442 molecular electronic Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 4
- -1 ethylidene sulfo- Chemical class 0.000 claims description 21
- LZJCVNLYDXCIBG-UHFFFAOYSA-N 2-(5,6-dihydro-[1,3]dithiolo[4,5-b][1,4]dithiin-2-ylidene)-5,6-dihydro-[1,3]dithiolo[4,5-b][1,4]dithiine Chemical compound S1C(SCCS2)=C2SC1=C(S1)SC2=C1SCCS2 LZJCVNLYDXCIBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 6
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 claims description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 2
- NNYBQONXHNTVIJ-UHFFFAOYSA-N etodolac Chemical compound C1COC(CC)(CC(O)=O)C2=C1C(C=CC=C1CC)=C1N2 NNYBQONXHNTVIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940063718 lodine Drugs 0.000 claims description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 2
- 230000029058 respiratory gaseous exchange Effects 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004753 textile Substances 0.000 claims description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000004044 response Effects 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical class ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- UDWPONKAYSRBTJ-UHFFFAOYSA-N [He].[N] Chemical compound [He].[N] UDWPONKAYSRBTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOHKWOGFPSWROP-UHFFFAOYSA-N [S].C=C Chemical compound [S].C=C GOHKWOGFPSWROP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- OSFBJERFMQCEQY-UHFFFAOYSA-N propylidene Chemical group [CH]CC OSFBJERFMQCEQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002560 therapeutic procedure Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
- G01L1/2293—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges of the semi-conductor type
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
- G01N27/126—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising organic polymers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/611—Charge transfer complexes
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Abstract
本发明特征在于其具有对压力、电压、变形、气体和/或温度中的变化敏感的有机材料层；其中所述有机层由包括分子A的至少一种导电盐或复合物以及掺杂剂D形成，所述分子A是能够形成导电盐或复合物的电子供体或受体有机分子或高分子，其在没有掺杂时不导电，并且存在掺杂剂D，是能够利用分子或高分子A形成导电盐或复合物的电子供体或受体的化合物；以及基衬底，与所述有机材料层紧密接触。传感器装置在分子电子学或塑料电子学中是有用的，尤其在有机传感器领域中是有用的。
Description
技术领域
本发明涉及一种对压力、电压、变形、气体和/或温度变化敏感的有机传感器装置。
本发明的有机传感器装置包括与基衬底紧密接触的有机材料层。
本发明的传感器装置可应用于分子电子学或塑料电子学领域、以及具体地应用于有机传感器领域。
背景技术
传感器具有提供我们周围的物理的、化学的、生物的信息的作用。
传统上用作传感器的材料是基于无机化合物、半导体、电解液、金属和催化材料的。
然而，目前对于制造低成本的且具有其他特征的气体、温度和压力传感器存在日益增长的需要。这要求使用很少的组件和制造工艺并寻找低成本或新的材料。另外，在一些应用中，大小和重量限制也是很重要的。
为了达到这些目的，在传感器中使用有机材料提供了明显的优势，这是因为它们的低成本、加工性能、挠性、重量轻、以及可能通过化学合成来调节其性能。
绝缘有机的和固有导电聚合物已经用于传感器的制备中。通常，固有导电聚合物用作涂层材料或用于封装电极，并且非导电聚合物用来固定设备的各个试剂(例如见B.Adhikari and S.Majumdar，Prog.Polym.Sci.29(2004)699)。
国际专利WO 9303355描述了一种用于从半导体聚合物制造气体传感器的方法。该聚合物能够与气体和挥发性化合物相互作用，并且当这发生时，聚合物电阻被修改。以这种方式，传感器可以用来通过测量两个接触器之间的聚合物电阻而检测大气中气体的存在。然而，该方法需要大量步骤(大约20个)。
基于交叉指形电极和压电聚合物的有机传感器的典型实例在专利WO 2006057987中描述。电极放置在聚合物上以便可以检测和传输压力数据。
设计和制造聚合物基传感器的主要困难之一是产生与聚合物材料的电接触。微电子技术允许高精确电极的制造；不过，所述技术引起具有可比于或大于聚合物固有电阻的电阻的电接触，这导致不精确的测量。另一方面，聚合物传感器的另一个困难是由于许多种聚合物的电阻温度系数(CTR)非常高，因此，通常需要使用增加最终传感器成本的温度补偿技术的事实。这些设备的另一个困难在于聚合物通常由电化学装置来合成。因此，需要使用电化学装备并制造金属电极，通常由金或铂制造。除了由电极的分离所限制的设备的区域之外，聚合物对衬底的粘附也是一个问题。此外，聚合物有机传感器趋向于变得容易退化。
还制造了具有有机晶体管的传感器(见T.Someya，T.Sekitani，S.Iba，Y.Kato，H.Kawaguchi，T.Sakurai，PNAS 2004，101，9966)，但是为了制备这些类型的设备仍需要很多不同的阶段。
因此，非常需要寻找一种新的精确且低成本的有机传感器。
在分子导体材料中，传递盐晶体是有高度发展前景的，这是因为它们在周围环境温度中的传导性对于压力变化是非常敏感的，并且它们的传导性通常随温度线性地增加。大多数这些分子晶体是具有很低激活能量的金属或半导体，并且因此，它们的CTR低于有机聚合物的CTR。有机导体比金属和无机半导体更软，并且由于这个原因，分子导体的压电电阻率值大于传统导体的压电电阻率值。例如，在8千巴下分子超导体β-(ET)2I3[ET＝双(亚乙基二硫)四硫富瓦烯]的传导性是大于周围环境压力的数量级的量。
另一方面，专利SU 1668855描述了向β-(ET)2I3晶体施加电压的影响。
R.Lyiubovskii和collaborators还在Synthetic Metals，40(1991)155中描述了向β-(PT)2I3[PT＝双(亚丙基二硫)四硫富瓦烯]晶体施加压力之后的传导性的大幅增加；例如，在80千巴的压力下，传导性增加1300个系数。
此外，还已知通常基于四硫富瓦烯衍生物的导电有机盐晶体中的导电性，对温度具有不同类型的响应。例如见，J.M.Williams，J.R.Ferraro，R.J.Thorn，K.D.Carlson，U.Geiser，H.H.Wang，A.M.Kini，M.-H.Whangbo，Organic Superconductors(Including Fullerenes)：Synthesis，Structure，Properties，and Theory，Prentice Hall，EnglewoodCliffs，New Jersey，1992。
此外，最近已经描述了(BEDO-TTF)2Br(H2O)3[BEDO-TTF＝双(亚乙基二氧)四硫富瓦烯]的晶体和微晶层中湿度敏感的导电性(见H.Yamochi et al.J.Phys.IV France，114(2004)591)。不幸的是，从一个样本到另一样本的结果变化非常大。
然而，分子晶体的灵敏特性不能转化到瞬时应用场合。分子晶体的脆性使得它们不适于制造电子设备，因此必须寻找可替换的解决方法。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种低成本且具有高的加工性能和挠性、重量轻且可能通过化学合成来调节其性能的有机传感器装置。
根据本发明的第一方面，提供了一种有机传感器装置，其特征在于该装置由以下各项组成：
i)有机材料层，该有机材料层对压力、电压、变形、气体和/或温度的变化敏感；其中所述有机材料层由包括分子A的至少一种盐或导电复合物以及掺杂剂D形成，所述分子A为能够形成导电盐或复合物的电子给体或受体有机分子或高分子，其不进行掺杂则不具有导电性，并且所述掺杂剂D为作为能够利用分子或高分子A形成盐或导电复合物的电子受体或给体的化合物；以及
ii)基衬底，与所述有机材料层i)紧密接触，其中所述基衬底相对于所述有机材料层i)是惰性的。
本发明的第二方面是所述有机材料作为不依赖于衬底的存在的压力、变形、电压、气体和/或温度传感器的应用。
在本发明中，术语“对压力、电压、变形、周围气体和/或温度的变化敏感”理解为意指有机材料能够检测由于力直接作用至有机材料的至少部分表面的压力的变化，诸如电压、变形、剪切或由液体作用的压力，和/或有机材料能够检测与有机材料的至少部分表面接触的气体或挥发性化合物的组成的变化，和/或有机材料能够检测温度的变化。在本发明中，术语“灵敏的”用于相同的意思。
由于分子导体层可以以任何类型的衬底制备而不使用电化学方法，所以分子导体基传感器的使用消除了与聚合物基有机传感器相关联的多个问题。
本发明中制备的传感器的阻抗揭示了0-100毫巴(K＝45％)压力范围内的高压电灵敏度效应，其在医学应用中具有极大兴趣(表1)。
表示的数据还揭示了传感器对不同挥发性材料的响应是具有高度选择性的；该响应根据挥发性材料为正的或负的。这个事实使得能够使用这些传感器来检测不同的气体(表2)。
此外，表示的数据还揭示了在本发明中制备的传感器是温度敏感的，尤其是在25℃-65℃的温度范围内，这对医学和生物应用具有极大兴趣(表3)。
因此，本发明提供了一种有机传感器装置，由以下各项构成：
i)有机材料层，其对压力、电压、变形、气体和/或温度的变化敏感；其中所述有机材料层由包括分子A的至少一种盐或导电复合物以及掺杂剂D形成，所述分子A为能够形成导电盐或复合物的给体或受体有机分子或高分子，其不进行掺杂则不具有导电性，并且所述掺杂剂D为作为能够利用分子或高分子A形成盐或导电复合物的电子受体或给体的化合物；以及
ii)基衬底，与所述有机材料层i)紧密接触，其中所述基衬底相对于所述有机材料层i)是惰性的。
有利地，所述分子或高分子A选自并苯、六苯并苯、四硫富瓦烯或四氢基醌二甲烷衍生物，优选双(亚乙基硫代)四硫富瓦烯(bis(ethylenthio)tetrathiafulvalene)(BET-TTF)或双(亚乙基二硫代)四硫富瓦烯(BEDT-TTF)。
优选地，所述掺杂剂D是挥发性种类，并且有利地是选自碘、溴、溴化碘、氯或氯化碘的挥发性物质。
还优选地，所述盐选自(BEDT-TTF)2I3和(BET-TTF)2IxBr3-x，其中BET-TTF是双(亚乙基硫代)四硫富瓦烯且BEDT-TTF是双(亚乙基二硫代)四硫富瓦烯。
所述基衬底相对于对压力、电压、变形、气体或温度的变化敏感的有机层必须是惰性的，其可以是无机的，诸如氧化硅或氧化铝、金属、聚合物或三维晶体。
优选地，所述基衬底是非导电有机聚合物。更优选地，所述衬底为热塑性聚合物或弹性体。甚至更优选地，其将选自聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯或聚丙烯。
对于作为压力传感器的应用，衬底将优选地具有对循环机械装载的高阻抗，且将在装载施加下难以停止。对于该应用，由具有高压电电阻率和低温度电阻系数的材料形成的对压力、变形、电压或气体变化敏感的有机层也将是优选的，优选(BEDT-TTF)2I3作为有机层。
对于作为气体传感器的应用，衬底将优选地在存在气体的情况下不会轻易地退化，且有机材料层将优选地为(BET-TTF)2IxBr3-x。
对于作为温度传感器的应用，衬底将优选地在存在气体的情况下不会退化，且有机材料层将优选地为(BET-TTF)2IxBr3-x。
因此，最终的结果是，获得了具有不同导电表面性能的有机性材料层特性，该不同导电表面性能在挥发性气体或化合物的存在下被改变，这是由于温度变化或压力、电压或变形的应用中的变化。该灵敏有机层或衬底的形状、结构或厚度不限于此。优选地，将使用如图2中所示的隔膜型结构。灵敏有机层将用作电信号感测和转换(transductive)材料。
为了转换数据，可以使用在专利申请ES 200501879中描述的技术来在相同的灵敏有机层中设计模式、电路或设备(例如，电阻器、电容器、晶体管等)，将在下文包括其概括(见图3)。该变化敏感有机层将也以相同的方式用作电路。
专利申请ES 200501879描述了一种用于获得导电有机层上的图案的方法，由以下各项组成：
将导电有机层暴露给热源，
其中，所述导电有机层由包括分子A和掺杂剂D的盐或导电复合物形成，所述分子A为能够形成导电盐或复合物的电子供体或受体有机分子或高分子，且所述掺杂剂D为能够利用分子或高分子A形成盐或导电复合物的电子受体或供体的化合物，优选为易挥发的，
以这样的方式：即发生的热反应改变了所述有机层的化学成分，按照以下反应留下了没有掺杂剂D的区域：
可选地，热源可以根据以毫米、微米或纳米尺寸设计的图案局部地作用到导电有机层上，或通过使用具有特定的预先设计的图案的热绝缘中间掩模而大体上作用到整个表面上。
可选地，以这样的方式，即热反应发生在与有机层相接触的掩模的一部分上，还可以将掩模用在加热的有机层上。
然而，也可以使用其他类型的电接触。
对压力、气体和温度变化敏感的所述有机层可以由晶体、纤维或其他结构形成。该层的结构或形态不构成本发明的一部分，然而有利地，由纳米晶体构成的该层对于获得透明性和挠性将是有兴趣的。
灵敏有机层还可以包含金属或导电粒子或其他添加的化合物。
提供的用于在基衬底上获得所述灵敏有机层的方法不构成本发明目的的一部分。然而，有利地，将使用专利EP 19840109489、19840809或E.Laukhina et al.Synthetic Metals 70(1995)795中描述的方法，这是由于这样的事实，即其为允许直接在聚合物基衬底上制备灵敏有机层的简单而便宜的方法。灵敏有机层也可以通过其他方法制备，诸如通过基衬底上的盐或AD复合物的直接蒸发，或前体A和D化合物的直接蒸发，直接导致由盐或AD复合物形成灵敏有机层。
有利地，本发明涉及的有机传感器装置可以在聚合物衬底中制造，产生完全有机的、重量轻且透明的柔韧装置。
同样有利地，所述有机传感器装置可以以不同的尺度来制造，包括微米或纳米尺度。
有利地，除了对压力、电压或变形和/或温度变化的高度敏感性之外，所述有机传感器装置对于不同的气体可以具有选择性。
本发明还涉及在有机传感器装置的上述层i)中限定的有机材料的使用，作为用于检测压力、电压、变形、气体或温度变化的传感器元件，而不管诸如基衬底的其他元件存在或不存在。
本发明的传感器装置是在分子电子学或塑料电子学中应用的，尤其是在有机传感器的领域中。根据本发明的传感器装置对其他重要应用之中的呼吸面具、通用医疗、监控、衣服或纺织品以及智能鞋类是尤其感兴趣的。
附图说明
图1示出了根据本发明的有机传感器装置，其中对压力、变形、电压或气体的变化敏感的有机材料层1与基衬底2紧密接触。该装置放置在玻璃支架3上。
图2示出了本发明的一个优选实施例，其中有机传感器装置具有隔膜型结构。灵敏有机材料层1作为传感器材料(P＝压力、VC＝挥发性化合物、σ＝电压)并作为电信号变换器。
图3示出了使用本文中包括其概述的专利申请ES 200501879中描述的技术在相同的灵敏有机材料层上设计的图案。
图4示出了根据本发明的有机传感器装置，其中(1)指出了支架，(2)有机材料层，(3)环氧树脂，(4)玻璃管，(5)用于测量电流的两个触点和(6)用于施加电压的两个触点。在图中，(P)指压力，(G)指气体以及(Vap)指有机溶剂蒸汽。
图5示出了在环境温度为35℃下电阻器与在有机传感器装置中施加的压力的依赖关系，其中有机传感器装置由(BEDT-TTF)2I3和聚碳酸酯形成。在这幅图中，我们可以观察到根据本发明实施例的有机传感器装置的高的压电效应。
图6示出了根据本发明另一实施例的有机传感器装置的响应。具体地，在真空(P0)和混合气体(CO2和甲醇以及CO2和水)的存在下由(BEDT-TTF)2I3和聚碳酸酯形成的有机传感器装置的阻抗的变化。
图7示出了根据本发明另一实施例的灵敏有机材料的响应，具体地，在真空(P0)和O2、N2和He的存在下由(BEDT-TTF)2I3和聚碳酸酯形成的有机传感器的阻抗的变化。
图8示出了根据本发明另一实施例的灵敏有机材料的响应，具体地，在环境压力下，阻抗随着由(BET-TTF)2IxBr3-x和聚碳酸酯形成的有机传感器装置中施加的温度变化。
具体实施方式
实例1：在聚碳酸酯上覆盖一层(BEDT-TTF)2I3[BEDT-TTF：双(亚乙基二硫代)四硫富瓦烯]形成的压力感测装置。
0.98g的聚(双酚A-碳酸酯)(PC)和0.02g的双(亚乙基二硫代)四硫富瓦烯(BEDT-TTF)的混合物在50ml的1，2-二氯苯中制备并在80℃下加热直到其全部溶解。在130℃下将所得的溶液放置在玻璃表面上，允许溶剂蒸发，从而获得具有20微米厚的膜。接着，膜表面暴露于碘饱和的二氯甲烷的溶液(dissolution)的蒸汽持续三分钟。这就导致了由(BEDT-TTF)2I3盐微米和纳米级晶体形成的具有1.5微米厚的半导体表面层的形成。
切割具有8mm直径(对环境条件的阻抗为4.8千欧姆)膜的圆形样品并安装在具有环氧树脂的玻璃管上。使用利用具有20微米直径的四个铂线缆的四点dc方法来测量阻抗对压力的依赖性(图4)。膜的阻抗证明高压电效应(图5)。在0到100毫巴的压力范围内，阻抗以45％巴-1的速度线性增加。
实例2：在聚碳酸酯上覆盖一层(BET-TTF)2IxBr3-x[BET-TTF：双(亚乙基硫代)四硫富瓦烯]形成的气体感应装置。
0.98g的聚(双酚A-碳酸酯)(PC)和0.02g的双(亚乙基硫代)四硫富瓦烯(BET-TTF)的混合物在50ml的1，2-二氯苯中制备并在80℃下加热直到其全部溶解。在130℃下将所得的溶液放置在玻璃表面上，允许溶剂蒸发，从而获得具有25微米厚的膜。
实例2a
所述膜的表面暴露于溴化碘饱和的二氯甲烷溶液的蒸汽中持续五分钟。这导致了由(BET-TTF)2IxBr3-x盐微米和纳米级晶体形成的具有1.5微米厚的半导体表面层的形成。
切割具有10mm直径(对环境条件的阻抗为4.3千欧姆)的膜的圆形样品并安装在具有环氧树脂的玻璃管上。为了激活气体感测性能，将传感器放置在真空室中以消除可能在膜中被吸收的气体或杂质。使用利用具有20微米直径的四个铂线缆的四点dc方法来测量阻抗对包含水或甲醇的含CO2(CO2-bearing)气体的存在的依赖性(图4)。图6中示出了传感器的响应，其中我们可以观察到传感器是非常灵敏的并且以以下选择性的方式响应于两种气体的混合：当CO2包含甲醇时阻抗显著增加而当CO2包含水时阻抗减少。一旦产生真空则恢复阻抗的初始值。
实例2b
所述膜表面暴露于溴化碘饱和的二氯甲烷溶液的蒸汽中持续六分钟。这产生了由(BET-TTF)2IxBr3-x盐微米和纳米级晶体形成的具有1.5微米厚的半导体表面层的形成。
切割具有10mm直径(对于环境条件的阻抗为3.0千欧姆)膜的圆形样品并安装在具有环氧树脂的玻璃管上。为了激活气体感测性能，传感器放置在真空室中以消除可能在膜中被吸收的气体或杂质。该膜暴露于O2、N2和He气体中，并且使用利用具有20微米直径的四个铂线缆的四点dc方法来测量电响应。图7中示出了传感器装置的响应。我们可以观察到传感器对这些气体的存在反应不同：在真空、N2或He气氛下有机导体的阻抗相对于在O2气氛下的阻抗增加。在产生真空之后恢复阻抗的初始值。
实例2c
所述膜的表面暴露于溴化碘饱和的二氯甲烷溶液的蒸汽中持续八分钟。这形成了由(BET-TTF)2IxBr3-x盐微米和纳米级晶体形成的具有2微米厚的半导体表面层的形成。
切割具有10mm直径(对环境条件的阻抗为2.6千欧姆)的膜的圆形样品并安装在具有环氧树脂的玻璃管上。为了激活气体感测性能，传感器放置在真空室中以消除可能在膜中被吸收的气体或杂质。该膜暴露于O2、N2和He气体中，并且使用利用具有20微米直径的四个铂线缆的四点dc方法来测量电响应。图7中示出了传感器装置的响应。我们可以观察到膜对其被暴露的气体非常敏感，虽然该响应低于实施例2b中描述的膜的情况。在产生真空之后恢复阻抗的初始值。
实例2d
所述膜表面暴露于溴化碘为1mg/ml的二氯甲烷溶液的蒸汽中持续两分钟。这产生了由(BET-TTF)2IxBr3-x盐微米和纳米级晶体形成的具有1.5微米厚的半导体表面层的形成。
切割膜的2x1mm2矩形样品且使用利用具有20微米直径的四个铂线缆的四点dc方法来测量阻抗对温度的依赖性。膜的阻抗揭示了相对于温度的高效应(图8)。在28到65℃的温度范围内，阻抗以7％℃-1的速度线性减小。
试验和结果
下列包括了在根据本发明的有机传感器装置上操作的试验的结果(见表1、表2和表3)：
表1
所述表1示出了在基于有机材料(BEDT-TTF)2I3的层的传感器装置中获得的结果，其中ΔP＝P-P0是在施加的压力P和环境压力P0之间的压力差；并且其中ΔR＝R(P)-R0是在对施加的压力R(P)的阻抗和对环境压力的阻抗R0之间的阻抗差。
表2
| 气体 | ΔR/R0 |
| 氮气氦气CO2CO2+H2OCO2+CH3OH氧气 | -0.01-0.010.01-0.130.23-0.22 |
所述表2示出了在基于分子导体(BET-TTF)2IxBr3-x的传感器装置中的气体变化的传感器有机材料层的阻抗的气体灵敏度的结果的总结，其中ΔR＝R(气体)-R0是在气体的存在下层i)的阻抗和真空下层i)的阻抗R0(R0＝18千欧姆)之间的阻抗差。
表3
| N | T(℃) | R(T)(kΩ) | ΔR(kΩ) | ΔR/R0(％) |
| 1234567891011121314151617181920 | 28.00029.27630.55231.82833.10334.37935.65536.93138.20739.48340.75942.03443.31044.58645.86247.13848.41449.69050.96652.241 | 51.16450.68150.08349.55949.05948.58748.11147.60747.11946.66546.20645.74745.28744.84844.40143.98043.54743.10642.66042.212 | 0-0.483-1.081-1.605-2.105-2.577-3.053-3.557-4.045-4.499-4.958-5.417-5.877-6.316-6.763-7.184-7.617-8.058-8.504-8.952 | 0-0.94-2.11-3.14-4.11-5.04-5.97-6.95-7.91-8.79-9.69-10.59-11.49-12.34-13.22-14.04-14.89-15.75-16.62-17.50 |
| 21222324252627282930 | 53.51754.79356.06957.34558.62159.89761.17262.44863.72465.000 | 41.82641.37940.93840.55140.11839.69139.25838.78838.29737.820 | -9.338-9.785-10.226-10.613-11.046-11.473-11.906-12.376-12.867-13.344 | -18.25-19.13-19.99-20.74-21.59-22.42-23.27-24.19-25.15-26.08 |
所述表3示出了在基于有机材料(BET)2IxBr3-x层的传感器装置中获得的结果，其中ΔR＝R(T)-R0是在施加的温度处的阻抗和在环境温度处的阻抗之间的阻抗差。
Claims (18)
1.一种有机传感器装置，其特征在于所述装置由以下各项构成：
i)有机材料层，对压力、电压、变形、气体和/或温度的变化敏感；其中所述有机材料层由包括分子A的至少一种盐或导电复合物以及掺杂剂D形成，所述分子A是能够形成导电盐或复合物的电子供体或受体有机分子或高分子，其在没有掺杂时不导电，并且所述掺杂剂D是能够利用所述分子或高分子A形成盐或导电复合物的电子受体或供体的化合物；以及
ii)基衬底，与所述有机材料层i)紧密接触，其中所述基衬底相对于所述有机材料层i)是惰性的。
2.根据权利要求1所述的有机传感器装置，其特征在于，所述分子或高分子A选自并苯、六苯并苯、四硫富瓦烯或四氢基醌二甲烷衍生物。
3.根据权利要求2所述的有机传感器装置，其特征在于，所述分子或高分子A选自双(亚乙基硫代)四硫富瓦烯(bis(ethylenthio)tetrathiafulvalene)(BET-TTF)或双(亚乙基二硫代)四硫富瓦烯(BEDT-TTF)。
4.根据权利要求1所述的有机传感器装置，其特征在于，所述掺杂剂D是挥发性物质。
5.根据权利要求4所述的有机传感器装置，其特征在于，所述挥发性物质选自碘、溴、溴化碘、氯或氯化碘。
6.根据权利要求1所述的有机传感器装置，其特征在于，所述盐选自(BEDT-TTF)2I3和(BET-TTF)2IxBr3-x，其中，BET-TTF是双(亚乙基硫代)四硫富瓦烯，且BEDT-TTF是双(亚乙基二硫代)四硫富瓦烯。
7.根据权利要求1所述的有机传感器装置，其特征在于，所述基衬底相对于对压力、电压、变形、温度或气体变化敏感的所述有机层是惰性的，并且所述基衬底可以是无机的、金属的、聚合物的或三维晶体。
8.根据权利要求7所述的有机传感器装置，其特征在于，所述无机基衬底选自氧化硅或氧化铝。
9.根据权利要求7所述的有机传感器装置，其特征在于，所述基衬底是非导电有机聚合物。
10.根据权利要求9所述的有机传感器装置，其特征在于，所述基衬底是热塑性聚合物或弹性体。
11.根据权利要求10所述的有机传感器装置，其特征在于，所述基衬底选自：聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯或聚丙烯。
12.根据上述任一项权利要求所述的有机传感器装置，其特征在于，由于所述有机材料层i)是(BEDT-TTF)2I3，所述装置易于作为压力、电压和/或变形传感器应用。
13.根据权利要求1-11中任一项所述的有机传感器装置，其特征在于，由于所述有机材料层i)是(BET-TTF)2IxBr3-x，所述装置易于作为气体传感器应用。
14.根据权利要求1-11中任一项所述的有机传感器装置，其特征在于，所述有机材料层i)是(BET-TTF)2IxBr3-x，所述装置易于作为温度传感器应用。
15.根据权利要求1至14中所述的传感器装置在分子电子学或塑料电子学的领域中以及传感器的领域中的应用。
16.根据权利要求15所述的传感器装置的应用，其特征在于，所述传感器装置用于呼吸面具、通用医疗设备、监控、衣服或纺织品和智能鞋类。
17.一种由包括分子A的至少一种盐或导电复合物以及掺杂剂D形成的有机材料的应用，所述分子A是能够形成导电盐或复合物的电子供体或受体有机分子或高分子，其在没有掺杂时不导电，并且所述掺杂剂D是能够利用所述分子或高分子A形成作为压力、电压、变形和/或气体中变化的传感器的盐或导电复合物的电子供体或受体的化合物。
18.根据权利要求17所述的有机材料的应用，所述有机材料作为温度变化传感器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ES200602887A ES2299392B1 (es) | 2006-11-14 | 2006-11-14 | Dispositivo sensor organico y sus aplicaciones. |
| ESP200602887 | 2006-11-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101669223A true CN101669223A (zh) | 2010-03-10 |
Family
ID=39363852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200780049848A Pending CN101669223A (zh) | 2006-11-14 | 2007-11-13 | 有机传感器装置及其应用 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8343436B2 (zh) |
| EP (1) | EP2091093A4 (zh) |
| JP (1) | JP2010509603A (zh) |
| CN (1) | CN101669223A (zh) |
| CA (1) | CA2669614A1 (zh) |
| ES (1) | ES2299392B1 (zh) |
| WO (1) | WO2008059095A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110987250A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-10 | 武汉纺织大学 | 一种多重刺激响应结构的柔性压力传感器 |
| CN111122024A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-05-08 | 武汉纺织大学 | 一种多刺激响应结构的压力传感器 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2330405B1 (es) * | 2008-06-06 | 2010-09-21 | Consejo Superior De Investigaciones Cientificas (Csic) (45%) | Lente de contacto sensora, sistema para la monitorizacion no invasiva de la presion intraocular y metodo para poner su medida. |
| ES2372082B1 (es) * | 2010-03-02 | 2013-01-30 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas (Csic) | Sensor no invasivo para determinar características funcionales de la córnea y dispositivo que incluye dicho sensor. |
| GB2492549B (en) * | 2011-07-04 | 2015-08-26 | Pelsis Ltd | Deterrent Device |
| KR20160016809A (ko) * | 2013-05-28 | 2016-02-15 | 네스텍 소시에테아노님 | 음료 제조용 캡슐 |
| WO2017003552A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | GM Global Technology Operations LLC | Method of determining volatile organic compounds |
| US10813384B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-10-27 | Altria Client Services Llc | Electronic vaping device having formulation level indicator |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5970515A (ja) | 1982-10-14 | 1984-04-21 | Japan Vilene Co Ltd | ガラス繊維強化フエノ−ル樹脂発泡体の製造方法 |
| FR2538110A1 (fr) * | 1982-12-21 | 1984-06-22 | Commissariat Energie Atomique | Jauge piezoresistive et son procede de fabrication |
| JPS61223526A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 高圧測定法 |
| SU1668855A1 (ru) * | 1989-05-29 | 1991-08-07 | Физико-Технический Институт Им.С.У.Умарова | Тензочувствительный элемент |
| JPH04372179A (ja) * | 1991-06-21 | 1992-12-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機超電導体を用いた素子の製造方法 |
| GB9116360D0 (en) | 1991-07-29 | 1991-09-11 | Neotronics Ltd | Device for sensing volatile materials |
| US5386715A (en) * | 1993-12-06 | 1995-02-07 | Motorola, Inc. | Gas vapor sensor |
| JPH11195792A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Kurabe Ind Co Ltd | 半導体式検知素子及びその製造方法 |
| JP2000292295A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Tokin Corp | 密閉容器の内部圧力検出用センサ |
| KR100552866B1 (ko) * | 2001-08-09 | 2006-02-20 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 유기 반도체 소자 |
| US7037767B2 (en) * | 2003-03-24 | 2006-05-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Thin-film transistor, thin-film transistor sheet and their manufacturing method |
| DE102004016155B3 (de) * | 2004-04-01 | 2006-05-24 | Infineon Technologies Ag | Kraftsensor mit organischen Feldeffekttransistoren, darauf beruhender Drucksensor, Positionssensor und Fingerabdrucksensor |
| US7811433B2 (en) * | 2004-10-15 | 2010-10-12 | Giner, Inc. | Electrochemical carbon dioxide sensor |
| US7059196B1 (en) | 2004-11-22 | 2006-06-13 | Honeywell International Inc. | Disposable wireless pressure sensor |
| ES2272172B1 (es) | 2005-07-29 | 2008-04-01 | Consejo Superior Investig. Cientificas | Procedimiento para la obtencion de patrones en un sustrato organico conductor y material de naturaleza organica asi obtenido. |
-
2006
- 2006-11-14 ES ES200602887A patent/ES2299392B1/es not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-13 JP JP2009536755A patent/JP2010509603A/ja active Pending
- 2007-11-13 US US12/515,009 patent/US8343436B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-13 CA CA002669614A patent/CA2669614A1/en not_active Abandoned
- 2007-11-13 CN CN200780049848A patent/CN101669223A/zh active Pending
- 2007-11-13 EP EP07848127.2A patent/EP2091093A4/en not_active Withdrawn
- 2007-11-13 WO PCT/ES2007/070184 patent/WO2008059095A1/es active Application Filing
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110987250A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-10 | 武汉纺织大学 | 一种多重刺激响应结构的柔性压力传感器 |
| CN111122024A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-05-08 | 武汉纺织大学 | 一种多刺激响应结构的压力传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8343436B2 (en) | 2013-01-01 |
| EP2091093A1 (en) | 2009-08-19 |
| JP2010509603A (ja) | 2010-03-25 |
| EP2091093A4 (en) | 2014-01-01 |
| ES2299392B1 (es) | 2009-04-16 |
| US20100028209A1 (en) | 2010-02-04 |
| WO2008059095A1 (es) | 2008-05-22 |
| ES2299392A1 (es) | 2008-05-16 |
| CA2669614A1 (en) | 2008-05-22 |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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