CN101656303A - 一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件(OLED/PLED)的封装结构和封装方法，主要包括器件的基板边框和盖板边框之间封接部位的密封材料为低熔点的铟合金。盖板的内表面设有消气剂层，器件的封接过程在高真空环境下进行。该器件的封装材料对水蒸气和氧气具有理想的阻隔性能。器件封接后其内部空间内保持高真空。器件内部的消气剂能够对器件内部材料脱附及释放的气体进行不断的吸附，使器件内部能够长期维持高真空，最大程度地避免水蒸气和氧气对器件内的有机发光功能层材料的损害，使器件能够达到满足商业应用要求的长寿命。

Description

一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法。

背景技术

小分子有机电致发光器件(OLED)和高分子有机电致发光器件(PLED)具有主动发光、亮度高、全彩色显示、驱动电压低、器件厚度薄、可实现柔性显示，以及制备工艺相对于液晶显示器件(LCD)和等离子体显示器件(PDP)简单等特点，在大屏幕平板显示器和柔性显示器方面具有良好的应用前景。

OLED/PLED中的有机发光材料对水蒸气和氧气非常敏感，很少量的水蒸气和氧气就能损害有机发光材料，使器件的发光性能劣化。因此，如何减少水蒸气和氧气对器件封装材料的渗透，消除器件内部的水蒸气和氧气，是有机电致发光器件封装技术要解决的重要问题。要保证器件具有能够满足商业应用的使用寿命，水蒸气和氧气对器件封装结构和材料的渗透率应低于10^-6g/m²/day的水平。

传统封装的刚性OLED/PLED器件的结构如图1所示。1为玻璃基板；2为玻璃或金属盖板；3为电极层(ITO)，兼作发光功能层中的阳极层；16为封接层(直接设置在基板和盖板之间)，起基板和盖板之间的密封作用和粘合作用。多数应用中，封接层的材料采用紫外固化环氧树脂(也称UV胶)，也有采用热固化环氧树脂的。4、5、6、7为发光功能层，其结构分别是空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极层。17为吸气层(一般为BaO等材料制成的吸湿片)，在制程中贴到盖板的下表面。

传统封装的刚性OLED/PLED器件的制程：

1)在玻璃基板上制做ITO电极层；

2)在玻璃基板1上制作发光功能层4、5、6、7，该过程在真空环境下进行；

3)把玻璃基板1从真空室中移送到充有常压保护气体的手套箱中，保护气体中的水和氧的含量为ppm量级。

4)把盖板2和吸气片17送到手套箱中，

5)把吸气片17贴在盖板2的下表面；

6)在玻璃基板1和玻璃盖板2的边框封接部位涂上封接层16(UV胶或其它种类的环氧树脂)；

7)基板1和盖板3边框的封接部位16对位并贴合；

8)把贴合后的基板和盖板组件送入手套箱中的紫外光曝光机，对边框封接部位的UV胶进行固化；

9)如果使用热固化环氧树脂作为封接层材料16，将贴合后的基板和盖板组件送入位于手套箱中的加热烘烤设备，对环氧树脂进行加温固化。

10)封接过程完成后，把有机发光器件移出手套箱，器件制程结束。

上述传统的有机电致发光器件的缺点是：作为封接材料的环氧树脂对水和氧气的阻隔性能比较差，例如水对厚度为1毫米的紫外固化环氧树脂和热固化环氧树脂薄片的渗透率为10⁰-10^-1g/m²/day量级，远高于OLED/PLED器件封装材料的水渗透率应小于10^-6g/m²/day量级的要求。其次，环氧树脂含有大量的水，这些水会在器件的工作过程中因器件发热而释放出来而进入器件内部。

此外，传统的有机发光器件在封接过程中，其内部表面暴露于手套箱内的保护气体中，该保护气体中水蒸气和氧气的含量为ppm(10^-6)量级，这些水蒸气和氧气的分子会不断吸附在器件内部材料的表面上，也会溶解进入器件各种材料内。在器件的工作过程中由于器件发热，器件内部吸附的水和氧、以及器件内部材料中溶解的水和氧将脱附和释放出来，使器件内部空间的水蒸气和氧气的含量不断增加。

综上所述，由于环氧树脂对水和氧的阻隔性差，使器件外部大气中的水蒸气和氧气不断渗透进入器件内部；此外，器件内部的保护气体含有一定量的水蒸气和氧气，加之环氧树脂封装材料不断释放的水，器件内部材料不断脱附和释放的水和氧，使得器件内部水和氧气的含量随着器件存储和工作时间的延长而不断增加。这些水蒸气和氧气将不断地侵蚀器件内的有机发光材料，使其发光性能不断劣化，器件的寿命大大缩短。

已有专利提出，用铟封方法替代OLED/PLED的环氧树脂封接方法。水蒸气和氧气对铟及铟合金的渗透率小于10^-6g/m²/day量级；铟及铟合金的熔点温度低于有机电致发光材料的玻璃化温度，铟封工艺的温度不会对有机发光材料产生损害。铟封的这些特点使其成为有机电致发光器件比较理想的封装方法。

在这些专利中，铟封过程是在常压保护气体中完成的，封接完成后，器件内部充满常压气体，且气体中含有压强＞10^-1Pa的水蒸气和氧气。其次，在封接过程暴露于保护气体中的器件各种材料的表面，将会吸附保护气体中的水蒸气和氧气，保护气体中的水蒸气和氧气还会溶解进入器件各种材料。当器件工作时，由于器件发热，温度增加，这些吸附在器件内部材料表面和溶解在材料内部的水蒸气和氧气将不断地脱附和释放出来，使器件内部的水蒸气和氧气的分压强不断增加，导致器件内的有机发光材料不断受到侵蚀。所以，铟封技术只是解决了水蒸气和氧气对器件封接材料的渗透问题，但器件内部气体含有水蒸气和氧气，以及器件内部材料不断脱附和释放水蒸气和氧气等问题都没有得到解决。

发明内容

本发明所要解决的问题是：如何提供一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法，该封装结构和封装方法能克服现有技术中所存在的缺陷，不但解决了水蒸气和氧气对器件封接材料的渗透问题，也解决了器件内部气体含有水蒸气和氧气以及器件内部材料不断脱附和释放水蒸气和氧气等问题。

本发明所提出的技术问题是这样解决的：提供一种有机电致发光器件的封装结构，包括基板1和盖板2，基板1上设置有有发光功能层，其结构为多层薄膜，ITO薄膜电极层3设置在基板内表面，兼作发光功能层的阳极层。由阳极层依次往上设置的各层薄膜是空穴传输层4、发光层5、电子传输层6和阴极层7，基板和盖板的边框部分之间设置有封接层，其特征在于，所述封接层为铟合金封接层13，铟合金封接层13的下表面通过基板过渡层11或者由基板过渡层11和基板附着层9组成的结合层连接基板1，铟合金封接层13的上表面通过盖板过渡层12或者由盖板过渡层12和盖板附着层10组成的结合层连接盖板，铟合金封接层13在与盖板1上设置有ITO薄膜电极层3的封接处设置绝缘层8，绝缘层8设置在ITO薄膜电极层3与基板附着层9之间。

按照本发明所提供的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述铟合金封接层13的厚度为0.05-0.5mm，包括铟锡合金和铟铋合金，所述铟锡合金的组分为：铟锡合金的组分是：铟为50.9％，锡为49.1％，该合金的熔点为116℃。铟铋合金的成分为：铟66％，铋34％；该合金的熔点为72℃。

按照本发明所提供的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，绝缘层8的材料为Al₂O₃、Si_XN_Y(其中X值为1、2、3或1、2、3均有，Y值为1、2、3、4或1、2、3、4均有)和SiO_X(X值为1、2或1、2均有)三种材料中的一种。防止附着层9的金属材料使ITO薄膜电极层3短路。

按照本发明所提供的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，盖板附着层10与基板附着层9的材料都为NiCr、Cr、Ti之一种，厚度为50～100nm；盖板过渡层12和基板过渡层11的材料都为Au、Ag、Cu和Pt之一种，厚度为50～100nm。

按照本发明所提供的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，盖板2的下表面设有消气剂层14。

一种有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，盖板2边框处的附着层和过渡层制作完成后，用真空蒸发法在盖板内表面的中心及其周围的适当部位制作消气剂层14；消气剂材料为蒸散型消气剂，如钡、锶、钙、镁及其合金。

步骤2，基板1上的各功能层，包括ITO薄膜电极层3，绝缘层8，基板附着层9，基板过渡层11，空穴传输层4，发光层5，电子传输层6，阴极层7，在高真空环境下制作完成后，通过高真空通道移送至压强为10^-5-10^-6Pa的高真空封接室中；

步骤3，盖板2上的各功能层，包括盖板过渡层12，盖板附着层10，第三附着层12，消气剂层14，在高真空环境下制作完成后，通过高真空通道移送至压强为10^-4-10^-6Pa的高真空封接室中；

步骤4，移送到高真空封接室中的基板组件和盖板组件放置在封接室中的2个平台上，基板1和盖板2的内表面(即具有功能层的表面)的法线垂直向上；

步骤5，在基板1和盖板2的各过渡层表面上，连续无间隙均匀地放置铟锡或铟铋材料的合金丝或合金箔片；

步骤6，用热子或红外辐射加热的方法，对基板和盖板组件加热，使其温度增加到所使用铟合金的熔点温度以上，并且不超过基板上的有机发光功能层材料的承受温度，并保温，使基板过渡层和盖板过渡层上放置的铟合金充分熔化并与各过渡层表面浸润；

步骤7，把基板和面板组件的温度降至所用铟合金的熔点以下；

步骤8，将基板组件或盖板组件之一翻面，即使其内表面法线垂直向下，使基板和盖板边框处的铟合金层对位并贴合；

步骤9，加热贴合后的基板和盖板组件，加热温度高于所用铟合金的熔点温度，且低于基板上的有机发光功能层材料的承受温度，保温后降温至室温；

步骤10，从封接室中取出封接完成的有机发光面板组件。

按照本发明所提供的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，绝缘层8的材料为Al₂O₃、Si_XN_Y(其中X值为1、2、3或1、2、3均有，Y值为1、2、3、4或1、2、3、4均有)和SiO_X(X值为1、2或1、2均有)三种材料中的一种，绝缘层厚度为50-200nm；用真空蒸发、电子束蒸发或反应溅射方法镀制。在玻璃基板1边框处有绝缘层8的部位和无绝缘层8的封接位置处，用直流磁控溅射、离子镀等方法，镀制基板附着层9。附着层材料为NiCr、Cr、Ti等金属。附着层的厚度为50-200nm，其宽度小于绝缘层8的宽度。在玻璃盖板2的边框待封接位置处的玻璃表面上，用直流磁控溅射、离子镀等方法，镀制盖板附着层10。附着层材料和厚度与玻璃基板1上的相同。在玻璃基板1和玻璃盖板2的附着层的表面上，用直流磁控溅射、离子镀等方法镀制过渡层。过渡层材料为Au、Ag、Pt和Cu等金属。过渡层的厚度为50-200nm。如果用金属作盖板2，在金属盖板边框的封接位置处不设置附着层，只设置过渡层；用直流磁控溅射、离子镀等方法，镀制过渡层。金属盖板上过渡层的材料和厚度，与玻璃基板1和玻璃盖板2上过渡层的相同。

本发明的有益效果：铟封过程是在压强为10^-4-10^-6Pa的高真空环境中完成的，封接完成后，器件内部水蒸气和氧气的分压强小于10^-4-10^-6Pa，是保护气体下封接后的器件内水蒸气和氧气含量的千分之一至十万分之一；在封接过程中对器件内部的材料进行高真空下的烘烤除气，有效降低了水蒸气和氧气在器件内部材料上的吸附和溶解，大大减少了封接后器件内部材料的放气量；在器件内部设置了蒸散型消气剂，可以有效吸附封接后器件内部材料脱附和释放的水蒸气和氧气，长期维持器件内的高真空。本发明的这些方法，可以使有机电致发光器件内的水蒸气和氧气的含量减小到可以忽略不计的程度，从而大大提高有机电致发光器件的性能和寿命。

附图说明

图1是传统封装的刚性OLED/PLED的结构示意图；

图2是本发明所提供的一种实施例的封装结构图；

图3是本发明所提供的另一种实施例的封装结构图。

其中，1、基板，2、盖板，3、ITO薄膜电极层，4、空穴传输层，5、发光层，6、电子传输层，7、阴极层，8、绝缘层，9、基板附着层，10、盖板附着层，11、基板过渡层，12、盖板过渡层，13、铟合金封接层，14、消气剂层，15、金属盖板，16、环氧树脂封接层，17、吸气片。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述：

本发明提出了一种OLED/PLED器件的封装结构和封装方法。封接材料是具有低熔点的铟合金，在真空环境下对OLED/PLED器件的玻璃基板和玻璃或金属盖板的边框封接部位进行低温气密封接，盖板内表面设有消气剂。封接完成后，有机电致发光器件内部处于高真空状态。

器件的玻璃基板、玻璃或金属盖板，以及位于基板和盖板边框之间的铟合金封接层，对水和氧气都具有良好的阻隔作用，使器件外部大气中的水蒸气和氧气对器件封装的渗透量减小到小于10^-6g/m²/day的量级。器件内的消气剂不断地吸附器件内部材料所脱附和释放的水蒸气、氧气和其它活性气体，使器件内部能够长期维持高真空，从而最大程度地避免了水蒸气和氧气对有机发光功能层的损害，使器件具有满足商业应用要求的长寿命性能。

本发明的一种有机电致发光器件的结构如图2所示。该器件的基板1和盖板2均为玻璃材料。在基板1上设有ITO薄膜电极层3，该电极层作为器件密封结构内部的发光功能层与器件外部的驱动电路各电极相连接的引线电极。发光功能层制作在器件封接内部空间的一部分ITO薄膜电极3上。发光功能层还含有空穴传输层4，发光层5，电子传输层6和阴极层7。发光功能层覆盖的ITO电极层兼做发光功能层的阳极层。基板边框封接位置处的ITO电极层3与基板附着层9之间设有绝缘层8，防止基板附着层9的金属材料使ITO电极层3的引线电极短路。绝缘层8的材料为SiO_X(X值为1、2或1、2均有)、Al₂O₃和Si_XN_Y(X值为1、2、3或1、2、3均有，Y值为1、2、3、4或1、2、3、4均有)三种材料之一。附着层材料为NiCr、Cr、Ti之一种。在基板边框无绝缘层的封接位置处，以及在盖板2的边框封接位置处，设有基板过渡层11和基板附着层9。过渡层材料为Au、Ag、Cu和Pt之一种。过渡层和附着层的厚度为50-100nm。铟合金封接层13设置在盖板过渡层12和基板过渡层11之间，铟合金为铟锡合金或铟铋合金。铟锡合金的组分是：铟为50.9％，锡为49.1％，该合金的熔点为116℃。铟铋合金的成分为：铟66％，铋34％；该合金的熔点为72℃。铟合金封接层厚度为0.05-0.5mm。玻璃盖板2的下表面设有消气剂层19。

封装方法如下：

1)盖板边框处的附着层和过渡层制作完成后，用真空蒸发法在盖板内表面的中心及其周围的适当部位制作消气剂层14；消气剂材料为蒸散型消气剂，如钡、锶、钙、镁及其合金。

2)基板上的各功能层，包括ITO薄膜电极层3，绝缘层8，基板附着层9，基板过渡层11，有机发光功能层4、5、6、7等，在高真空环境下制作完成后，通过高真空通道移送至压强为10^-4-10^-6Pa的高真空封接室中。

3)盖板上的各功能层，包括盖板附着层10，盖板过渡层12，消气剂层14等，在高真空环境下制作完成后，通过高真空通道移送至压强为10^-4-10^-6Pa的高真空封接室中。

4)移送到高真空封接室中的基板组件和面板组件放置在封接室中的2个平台上，基板和盖板的内表面(即具有功能层的表面)的法线垂直向上。

5)在基板和盖板的过渡层表面上，连续无间隙均匀地放置铟锡或铟铋材料的合金丝或合金箔片。

6)用热子或红外辐射加热的方法，对基板和盖板组件加热，使其温度增加到所使用铟合金的熔点温度以上，并且不超过基板上的有机发光功能层材料的承受温度，并保温一段时间，使过渡层上放置的铟合金充分熔化并与过渡层表面浸润。

7)把基板和面板组件的温度降至所用铟合金的熔点以下。

8)将基板组件或盖板组件之一翻面，即使其内表面法线垂直向下，使基板和盖板边框处的铟合金层对位并贴合。

9)加热贴合后的基板和盖板组件，加热温度高于所用铟合金的熔点温度，且低于基板上的有机发光功能层材料的承受温度，保温一段时间然后降温至室温。

10)从封接室中取出封接完成的有机发光面板组件。

11)绝缘层8材料为SiO_X(X值为1、2或1、2均有)、Al₂O₃和Si_XN_Y(X值为1、2、3或1、2、3均有，Y值为1、2、3、4或1、2、3、4均有)三种材料之一。绝缘层厚度为50-200nm。

12)绝缘层8用真空蒸发、电子束蒸发和反应溅射等方法镀制。

13)在玻璃基板1边框处有绝缘层8的部位和无绝缘层8的封接位置处，用直流磁控溅射、真空蒸发或离子镀等方法，镀制基板附着层9。附着层材料为NiCr、Cr、Ti等金属。附着层的厚度为50-200nm，其宽度小于绝缘层8的宽度。

14)在玻璃盖板2的边框待封接位置处的玻璃表面上，用直流磁控溅射、离子镀等方法，镀制盖板附着层10。附着层材料和厚度与玻璃基板1上的相同。

15)在玻璃基板1和玻璃盖板2的基板附着层9和盖板附着层10的表面上，用直流磁控溅射、真空蒸发或离子镀等方法镀制过渡层(基板过渡层11、盖板过渡层12)。过渡层材料为Au、Ag、Pt和Cu等金属。过渡层的厚度为50-200nm。

如果用金属作盖板2，在金属盖板边框的封接位置处不设置附着层，只设置过渡层；用直流磁控溅射、离子镀等方法，镀制盖板过渡层12。金属盖板上过渡层的材料和厚度，与玻璃基板1和玻璃盖板2上过渡层的相同。

以下是本发明的具体实施例：

实施例1基板和盖板均为玻璃的真空封装有机电致发光器件

该种器件的封装结构如图2所示。

玻璃基板1的制程：

步骤1，在基板玻璃1的上表面镀制ITO薄膜电极层3，镀制方法是直流磁控溅射或射频磁控溅射。

步骤2，在ITO薄膜电极层3的表面上对应封接位置处，镀制绝缘层薄膜8，覆盖ITO薄膜电极层3在封接位置处的表面。镀制方法是真空蒸发镀膜、电子束蒸发镀膜和反应溅射镀膜之一种。绝缘层薄膜厚度为50-200nm。

步骤3，在玻璃基板1边框处的待封接位置处，包括有绝缘层的部位和无绝缘层的玻璃部位的表面上，用直流磁控溅射、真空蒸发或离子镀等方法，镀制基板附着层9。附着层材料为NiCr、Cr、Ti等金属和合金。附着层薄膜的厚度为50-200nm，其宽度小于绝缘层的宽度。

步骤4，在基板附着层9的表面，用直流磁控溅射、离子镀及真空蒸发等方法，镀制基板过渡层11。过渡层材料为Au、Ag、Pt和Cu等金属。过渡层的厚度为50-200nm，宽度与附着层的宽度相同。

步骤5，在有机电致发光器件发光区域的ITO电极层表面上，用真空蒸发法制作包括空穴传输层4，发光层5，电子传输层6和阴极层7的有机发光功能层。

玻璃盖板2的制程：

步骤1，在盖板的封接位置处，用直流磁控溅射、真空蒸发或离子镀等方法，镀制盖板附着层10。附着层材料为NiCr、Cr、Ti等金属和合金。附着层薄膜的厚度为50-200nm，其宽度与玻璃基板上的盖板附着层10的宽度相同。

步骤2，在附着层的表面上，用直流磁控溅射、离子镀及真空蒸发等方法，镀制盖板过渡层12。过渡层材料为Au、Ag、Pt和Cu等金属。过渡层的厚度为50-200nm，宽度与附着层的宽度相同。

步骤23，在玻璃盖板内表面对应器件发光区域的适当位置上，用真空蒸发、电子束蒸发等方法镀制蒸散型消气剂层。

器件的封接制程

步骤1，在高真空环境下制作完成的基板组件和盖板组件，用机械手拾取，通过高真空通道移送至压强为10^-4-10^-6Pa的高真空封接室中；

步骤2，封接室内的基板组件和面板组件放置在2个平台上，基板和盖板的内表面(即制作有各功能层的表面)法线垂直向上；

步骤3，用机械手在基板和盖板的过渡层表面上连续无间隙均匀地放置铟锡或铟铋合金丝，或铟锡或铟铋合金箔片；

步骤4，用热子或红外辐射加热的方法，对基板和盖板组件加热，使其温度增加到所使用铟合金的熔点温度以上，并且不超过基板上的有机发光功能层材料的承受温度，并保温一段时间，使过渡层上放置的铟合金充分熔化，并与过渡层表面浸润；

步骤5，把基板和面板组件的温度降至所用铟合金的熔点以下；

步骤6，用机械手将基板组件或盖板组件之一翻面，并使基板和盖板边框处待封接的铟合金层对位并贴合；

步骤7，加热贴合后的基板和盖板组件，加热温度高于所用铟合金的熔点温度，且低于基板上的有机发光功能层材料的承受温度，保温一段时间然后降温至室温；

步骤8，从封接室中取出封接完成的有机发光面板组件。2

实施例2基板为玻璃，盖板为金属的真空封装有机电致发光器件

玻璃基板1的制程：

与1实施例1制程相同。

金属盖板15的制程：

步骤1，在金属盖板15的封接位置处，用直流磁控溅射、离子镀及真空蒸发等方法，镀制过渡层薄膜11和12。过渡层材料为Au、Ag、Pt和Cu等金属。过渡层的厚度为50-200nm。

步骤2，在金属盖板15内表面的中心及附近区域的金属表面上，用真空蒸发、电子束蒸发等方法镀制蒸散型消气剂层。

器件的封接制程：

与实施例1制程相同。

Claims (6)

1、一种有机电致发光器件的封装结构，包括基板(1)和盖板(2)，基板(1)上设置有发光功能层，其结构为多层薄膜，ITO薄膜电极层(3)设置在基板内表面，兼作发光功能层的阳极层，由阳极层依次往上设置的各层薄膜是空穴传输层(4)、发光层(5)、电子传输层(6)和阴极层(7)，基板和盖板的边框部分之间设置有封接层，其特征在于，所述封接层为铟合金封接层(13)，铟合金封接层(13)的下表面通过基板过渡层(11)或者由基板过渡层(11)和基板附着层(9)组成的结合层连接基板(1)，铟合金封接层(13)的上表面通过盖板过渡层(12)或者由盖板过渡层(12)和盖板附着层(10)组成的结合层连接盖板，铟合金封接层(13)在与盖板(1)上设置有ITO薄膜电极层(3)的封接处设置绝缘层(8)，绝缘层(8)设置在ITO薄膜电极层(3)与基板附着层(9)之间。

2、根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述铟合金封接层(13)的厚度为0.05-0.5mm，包括铟锡合金和铟铋合金，所述铟锡合金的组分为：铟锡合金的组分是：铟为50.9％，锡为49.1％，铟铋合金的成分为：铟66％，铋34％。

3、根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，绝缘层(8)的材料为Al₂O₃、Si_XN_Y、SiO_m三种材料中的一种，其中X值为1、2、3或1、2、3均有，Y值为1、2、3、4或1、2、3、4均有，m值为1、2或者1、2均有。

4、根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，盖板附着层(10)与基板附着层(9)的材料都为NiCr、Cr、Ti之一种，厚度为50～100nm；盖板过渡层(12)和基板过渡层(11)的材料都为Au、Ag、Cu和Pt之一种，厚度为50～100nm。

5、根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，盖板(2)的下表面设有消气剂层(14)。

6、一种有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，盖板(2)边框处的附着层和过渡层制作完成后，用真空蒸发法或电子束蒸发法在盖板内表面的中心及其周围的适当部位制作消气剂层(14)；

步骤2，基板(1)上的各功能层，包括ITO薄膜电极层(3)，绝缘层(8)，基板附着层(9)，基板过渡层(11)，空穴传输层(4)，发光层(5)，电子传输层(6)，阴极层(7)，在高真空环境下制作完成后，通过高真空通道移送至压强为10^-4-10^-6Pa的高真空封接室中；

步骤3，盖板(2)上的各功能层，包括盖板过渡层(12)，盖板附着层(10)，第三附着层(12)，消气剂层(14)，在高真空环境下制作完成后，通过高真空通道移送至压强为10^-4-10^-6Pa的高真空封接室中；

步骤4，移送到高真空封接室中的基板组件和盖板组件放置在封接室中的2个平台上，基板(1)和盖板(2)的内表面的法线垂直向上；

步骤5，在基板(1)和盖板(2)的各过渡层表面上，连续无间隙均匀地放置铟锡或铟铋材料的合金丝或合金箔片；

步骤6，用热子或红外辐射加热的方法，对基板和盖板组件加热，使其温度增加到所使用铟合金的熔点温度以上，并且不超过基板上的有机发光功能层材料的承受温度，并保温，使基板过渡层和盖板过渡层上放置的铟合金充分熔化并与各过渡层表面浸润；

步骤7，把基板和面板组件的温度降至所用铟合金的熔点以下；

步骤8，将基板组件或盖板组件之一翻面，即使其内表面法线垂直向下，使基板和盖板边框处的铟合金层对位并贴合；

步骤9，加热贴合后的基板和盖板组件，加热温度高于所用铟合金的熔点温度，且低于基板上的有机发光功能层材料的承受温度，保温后降温至室温；

步骤10，从封接室中取出封接完成的有机发光面板组件。

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