CN101656147B - 软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法 - Google Patents

Abstract

一种微电子技术领域的软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法，包括如下步骤：制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀底层线圈、连接导体和引脚；去光刻胶和底层；甩聚酰亚胺、固化及抛光；粘结软磁合金薄带和刻蚀薄带；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀连接导体和引脚；去正胶和底层；甩聚酰亚胺、固化及抛光；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀顶层线圈和引脚；去光刻胶和底层。本发明解决了以软磁合金薄带为磁芯的螺线管线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得微电感器件的高频性能大大提高，具有广泛的用途。

Description

软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法

技术领域

本发明涉及一种微电子技术领域的器件的制作方法，具体是一种软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法。

背景技术

近年来，随着微机电系统(MEMS)技术的迅速发展，特别是以三维非硅材料为主的准-LIGA加工技术成为当前国际上研制微型化多层结构微器件及射频-微机电系统(RF-MEMS)器件的一种最先进的技术。在国际上，采用MEMS技术研制三维结构磁性微电感器件应运而生。由于非晶纳米晶软磁合金薄带材料的新进展，国内外采用非晶纳米晶软磁合金薄带做磁芯制造大型功率变压器、脉冲变压器、磁开关等正在走向商业化。鉴于磁性微电感器件是磁芯结构，磁芯材料的选择对提高电感器件的性能是极其关键的：(1)高磁导率来获得大电感量；(2)高饱和磁感应强度以保证高饱和电流；(3)高电阻率以降低涡流损耗。另外，磁性微电感器件要求具有封闭的磁路结构，以减少漏磁通。因此，选用高磁导率、高饱和磁感应强度和高电阻率的非晶纳米晶软磁合金薄带做磁芯，是提高磁性微电感器件特性的关键之一。

经对现有技术的文献检索发现，Kim等(C.S.Kim，S.Bae，S.E.Nam，H.J.Kim)在《IEEE TRANSACTION ON MAGNETICS》(美国电气和电子工程师学会磁学杂志)(VOL.37，NO.4，pp.2894-2896，JULY，2001)上发表了“Fabrication of high frequency DC-DC converter using Ti/FeTaN film inductor”(用于高频DC-DC变换器的Ti/FeTaN薄膜电感)一文，该文提及了由双矩形纳米晶FeTaN薄膜构成的平面螺旋型微电感器件，尺寸为7.8mm×10mm，在2MHz下电感量为1.6μH，品质因子为2.3。该微电感由玻璃衬底、底层FeTaN薄膜、SiO₂绝缘层、铜平面螺旋线圈、引脚、环氧胶及带有顶层FeTaN薄膜的玻璃衬底组成，作者采用反应溅射方法制备FeTaN薄膜及高温热处理获得高性能的FeTaN薄膜，溅射用的靶材是通过在Fe靶上贴Ta片构成，铜平面螺旋线圈是采用电镀方法制备的，带有顶层FeTaN薄膜的玻璃衬底通过环氧胶与铜平面螺旋线圈构成平面螺旋型微电感器件；Park等(J.W.Park，M.G.Allen)在《IEEETRANSACTION ON MAGNETICS》(美国电气和电子工程师学会磁学杂志)(VOL.39，NO.5，pp.3184-3186，SEPTMEMBER，2003)上发表了“Ultralow-profile micromachined power inductors with highly laminated Ni/Fecores：Application to low-Megahertz DC-DC converters”(采用多层Ni/Fe磁芯的超低外形的微机械功率电感：用于低频MHz的DC-DC变换器)一文，该文提及了由多层Ni/Fe薄膜微电感构成的微型化DC-DC变换器，微电感器件的尺寸为11.5mm×5.7mm，在3MHz下电感量为2.3μH，品质因子为9.2。该微电感由玻璃衬底、磁芯螺线管、引脚组成，磁芯螺线管由底层线圈、磁芯、SU8胶、顶层线圈和连接导体组成，磁芯为电镀的多层Ni/Fe薄膜，作者采用常规的UV光刻技术、化学湿法刻蚀金属Cr、Cu薄膜，成功研制了多层Ni/Fe薄膜磁芯结构螺线管微电感。

但至今未见报道将铁基非晶纳米晶软磁合金薄带应用于微电感器件的制作。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法。本发明解决了以软磁合金薄带为磁芯的螺线管线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得微电感器件的高频性能大大提高，具有广泛的用途。

本发明是通过以下的技术方案实现的，本发明包括如下步骤：

步骤一，在玻璃衬底的一面上溅射Cr层，甩正胶，烘干，曝光，显影，湿法刻蚀Cr层，去光刻胶，甩聚酰亚胺，固化，得到双面套刻对准符号；

步骤二，在衬底的另一面上淀积Cr/Cu底层，此后步骤均在该面上进行；

步骤三，甩正胶，烘干，双面套刻曝光，显影，得到底层线圈图形；电镀底层线圈；甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影，电镀铜连接导体；甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影，电镀引脚；去除光刻胶和Cr/Cu底层；

步骤四，甩聚酰亚胺，烘干固化，抛光聚酰亚胺；

步骤五，溅射Ti保护层；粘结软磁合金薄带，所述软磁合金薄带为铁基非晶纳米晶软磁合金薄带；

步骤六，甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影；刻蚀软磁合金薄带；去正胶；刻蚀Ti保护层；

步骤七，溅射Cr/Cu底层；甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影；电镀连接导体和引脚；甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影；再次电镀连接导体和引脚；去除光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层；

步骤八，甩聚酰亚胺，烘干固化，抛光；

步骤九，溅射Cr/Cu底层；甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影；电镀顶层线圈和引脚；去除光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层，即得到软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件。

步骤三中，第一次进行甩正胶的厚度为10～20μm，随后的烘干为：90～95℃烘60分钟；第二次进行的甩正胶的厚度为5μm，随后的烘干为：90℃烘30分钟。

步骤三中，所述电镀底层线圈，厚度为10～20μm，电镀材料为铜；所述电镀连接导体，厚度为10μm，电镀材料为铜；所述电镀引脚，厚度为10μm，电镀材料为铜。

步骤四中，所述甩聚酰亚胺：聚酰亚胺厚度为40μm；所述烘干为：120～200℃之间保温3小时，然后在氩气气氛下250℃固化2小时；所述抛光为直到连接导体和引脚暴露为止。

步骤五中，所述Ti保护层的厚度为20～30nm；所述粘结用环氧胶进行粘结，胶厚为3～5μm。

步骤六中，所述刻蚀软磁合金薄带采用酸性腐蚀液刻蚀软磁合金薄带；所述刻蚀Ti保护层采用化学湿法。

步骤七中，第一次进行的甩正胶的厚度为10～20μm，随后的烘干为：90～95℃烘60分钟；第二次进行的甩正胶的厚度为15～25μm，随后的烘干为：90～95℃烘60分钟。

步骤七中，所述电镀连接导体和引脚，厚度为10～20μm，电镀材料为铜；再次电镀连接导体和引脚，厚度为15～25μm，电镀材料为铜。

所述软磁合金薄带的宽度为20～40mm，厚度为15～30μm。

所述软磁合金薄带的成分为Fe₇₃Cu₁Nb₃Si₁₃B₁₀，或者为在Fe₇₃Cu₁Nb₃Si₁₃B₁₀基础上添加V或Cr改性后得到的组分。

本发明采用微机电系统(MEMS)技术，对清洗干净的玻璃衬底进行处理，得到双面套刻对准符号，以便曝光时提高对准精度；采用准-LIGA技术和厚光刻胶工艺制备线圈和连接导体的光刻胶模具；采用电镀工艺解决线圈绕线和连接导体；采用Ar等离子体刻蚀工艺去除电镀用的导体；采用聚酰亚胺作为线圈与磁芯及匝与匝之间的绝缘材料；采用抛光工艺解决多层工艺中衬底的平整性；采用单辊(或双辊)急冷喷带法制备软磁合金薄带，然后在高温下进行纳米晶化处理；采用酸性腐蚀液刻蚀软磁合金薄带。软磁合金薄带为铁基非晶纳米晶软磁合金薄带。薄带的制备原理是：利用感应线圈使合金在氩气保护下在坩埚内熔化，然后加大氩气气压将合金熔体流经喷嘴而形成射流喷向高速旋转的冷却辊(通常为铜辊)上，冷凝成为薄带。通过选用不同口径大小的喷嘴可以控制薄带的宽度，通过调节气压、喷嘴与铜辊的间距可以控制熔体的流速，从而控制薄带的厚度。

与现有技术相比，具有以下有益的效果：

(1)本发明改变了传统采用绕线方法制作磁芯结构螺线管电感器件，而采用MEMS技术研制磁芯结构螺线管微电感器件，MEMS技术可以与大规模集成电路完全兼容，易于大批量生产，重复性好；

(2)本发明改变了采用湿法刻蚀底层，而采用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀底层，避免了湿法刻蚀出现钻蚀现象，得到线圈均匀的导体；

(3)本发明采用双面套刻技术，大大提高了光刻套刻的精度；

(4)本发明采用二次电镀技术电镀连接导体，有效解决了现有技术中电镀连接导体出现的高深宽比的问题；

(5)本发明采用精密抛光技术，提高了器件加工工艺过程中基片的平整度，有效地解决了连接导体和线圈之间连接出现断路的问题，同时又解决了器件的均匀性和成品率；

(6)本发明采用软磁合金薄带为磁芯材料，有利于提高器件的高频性能；

(7)本发明制作的软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的尺寸小于4mm×4mm，具有工作频率高、高的电感量、高品质因子、低成本及批量化等特点。

具体实施方式

本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件，或按照制造厂商所建议的条件。

在以下实施例中：

Cr/Cu底层的制备工艺为：基底的真空为4×10^-4Pa，溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为0.67Pa和600W，氩气流量为50SCCM。

Cr层的化学湿法刻蚀工艺为：HCI∶H₂O＝30∶70(体积比)，温度为45℃。

Ti层的化学湿法刻蚀工艺为：体积分数为5％的HF溶液，室温。

酸性腐蚀液的配方为：HCI∶HNO₃∶H₂O＝20∶10∶70(体积比)。

聚酰亚胺烘干固化工艺为：甩聚酰亚胺时先低速800转/分钟维持10秒，再快速2000转/分钟维持30秒，然后进行烘干，固化工艺为：120℃，180℃，220℃各1小时，然后于氩气气氛下250℃固化2小时，最后随炉冷却。

实施例1

步骤一，在清洗处理过的玻璃衬底的一面(称为反面)溅射Cr层，厚度为100nm，甩正胶，光刻胶厚度为5μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为30分钟；将衬底曝光、显影后，采用化学湿法工艺刻蚀Cr层；去光刻胶，甩聚酰亚胺并烘干固化，厚度为3μm，得到双面套刻对准符号；

步骤二，在衬底的另一面(称为正面)淀积Cr/Cu底层，厚度为80nm。下面工艺均在正面上进行；

步骤三，甩正胶，光刻胶厚度为10μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光、显影，得到线圈的底层线圈图形；然后电镀底层线圈，厚度为10μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影后，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为10μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶的厚度为5μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为30分钟；双面套刻曝光与显影后，得到引脚的光刻胶图形；电镀引脚，厚度为10μm，电镀材料为铜；用丙酮去除所有的光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；

步骤四，甩聚酰亚胺，厚度为40μm；烘干固化聚酰亚胺；抛光聚酰亚胺，直到连接导体和引脚暴露为止；

步骤五，溅射Ti保护层，厚度为20nm；用环氧胶粘结软磁合金薄带，胶厚为3μm；所述软磁合金薄带为铁基非晶纳米晶软磁合金薄带；

步骤六，甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，采用酸性腐蚀液刻蚀软磁合金薄带，去正胶和环氧胶；用化学湿法工艺刻蚀Ti保护层；

步骤七，溅射Cr/Cu底层，厚度为80nm；甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到连接导体和引脚的光刻胶图形；电镀连接导体和引脚，厚度为10μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶的厚度为15μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到连接导体和引脚的光刻胶图形；电镀连接导体和引脚，厚度为15μm，电镀材料为铜；用丙酮去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；

步骤八，甩聚酰亚胺，聚酰亚胺厚度为30μm，烘干固化聚酰亚胺；抛光聚酰亚胺，直到引脚和连接导体暴露为止；

步骤九，溅射Cr/Cu底层，厚度为80nm；甩正胶，光刻胶厚度为10μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层线圈和引脚的光刻胶图形；电镀顶层线圈和引脚，厚度为10μm，电镀材料为铜；去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层，即得到软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件。

实施例2

步骤一，在清洗处理过的玻璃衬底的一面(称为反面)溅射Cr层，厚度为200nm，甩正胶，光刻胶厚度为8μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为30分钟；将衬底曝光、显影后，采用化学湿法工艺刻蚀Cr层；去光刻胶，甩聚酰亚胺并烘干固化，厚度为4μm，得到双面套刻对准符号；

步骤二，在衬底的另一面(称为正面)淀积Cr/Cu底层，厚度为90nm。下面工艺均在正面上进行；

步骤三，甩正胶，光刻胶厚度为15μm，光刻胶烘干温度为92℃，时间为60分钟；双面套刻曝光、显影，得到线圈的底层线圈图形；然后电镀底层线圈，厚度为15μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为92℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影后，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为10μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶的厚度为5μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为30分钟；双面套刻曝光与显影后，得到引脚的光刻胶图形；电镀引脚，厚度为10μm，电镀材料为铜；用丙酮去除所有的光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；

步骤四，甩聚酰亚胺，厚度为40μm；烘干固化聚酰亚胺；抛光聚酰亚胺，直到连接导体和引脚暴露为止；

步骤五，溅射Ti保护层，厚度为25nm；用环氧胶粘结软磁合金薄带，胶厚为4μm；所述软磁合金薄带为铁基非晶纳米晶软磁合金薄带；

步骤六，甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，采用酸性腐蚀液刻蚀软磁合金薄带，去正胶和环氧胶；用化学湿法工艺刻蚀Ti保护层；

步骤七，溅射Cr/Cu底层，厚度为90nm；甩正胶，光刻胶的厚度为15μm，光刻胶烘干温度为92℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到连接导体和引脚的光刻胶图形；电镀连接导体和引脚，厚度为15μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶的厚度为20μm，光刻胶烘干温度为92℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到连接导体和引脚的光刻胶图形；电镀连接导体和引脚，厚度为20μm，电镀材料为铜；用丙酮去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；

步骤八，甩聚酰亚胺，聚酰亚胺厚度为40μm，烘干固化聚酰亚胺；抛光聚酰亚胺，直到引脚和连接导体暴露为止；

步骤九，溅射Cr/Cu底层，厚度为90nm；甩正胶，光刻胶厚度为15μm，光刻胶烘干温度为92℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层线圈和引脚的光刻胶图形；电镀顶层线圈和引脚，厚度为15μm，电镀材料为铜；去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层，即得到软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件。

实施例3

步骤一，在清洗处理过的玻璃衬底的一面(称为反面)溅射Cr层，厚度为300nm，甩正胶，光刻胶厚度为10μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为30分钟；将衬底曝光、显影后，采用化学湿法工艺刻蚀Cr层；去光刻胶，甩聚酰亚胺并烘干固化，厚度为5μm，得到双面套刻对准符号；

步骤二，在衬底的另一面(称为正面)淀积Cr/Cu底层，厚度为100nm。下面工艺均在正面上进行；

步骤三，甩正胶，光刻胶厚度为20μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光、显影，得到线圈的底层线圈图形；然后电镀底层线圈，厚度为20μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影后，得到连接导体的光刻胶图形；电镀连接导体，厚度为10μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶的厚度为5μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为30分钟；双面套刻曝光与显影后，得到引脚的光刻胶图形；电镀引脚，厚度为10μm，电镀材料为铜；用丙酮去除所有的光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；

步骤四，甩聚酰亚胺，厚度为40μm；烘干固化聚酰亚胺；抛光聚酰亚胺，直到连接导体和引脚暴露为止；

步骤五，溅射Ti保护层，厚度为30nm；用环氧胶粘结软磁合金薄带，胶厚为5μm；所述软磁合金薄带为铁基非晶纳米晶软磁合金薄带；

步骤六，甩正胶，光刻胶的厚度为10μm，光刻胶烘干温度为95℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，采用酸性腐蚀液刻蚀软磁合金薄带，去正胶和环氧胶；用化学湿法工艺刻蚀Ti保护层；

步骤七，溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶的厚度为20μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到连接导体和引脚的光刻胶图形；电镀连接导体和引脚，厚度为20μm，电镀材料为铜；甩正胶，光刻胶的厚度为25μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到连接导体和引脚的光刻胶图形；电镀连接导体和引脚，厚度为25μm，电镀材料为铜；用丙酮去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层；

步骤八，甩聚酰亚胺，聚酰亚胺厚度为50μm，烘干固化聚酰亚胺；抛光聚酰亚胺，直到引脚和连接导体暴露为止；

步骤九，溅射Cr/Cu底层，厚度为100nm；甩正胶，光刻胶厚度为20μm，光刻胶烘干温度为90℃，时间为60分钟；双面套刻曝光与显影，得到顶层线圈和引脚的光刻胶图形；电镀顶层线圈和引脚，厚度为20μm，电镀材料为铜；去除光刻胶，用Ar等离子体刻蚀工艺刻蚀Cr/Cu底层，即得到软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件。

Claims (10)

1.一种软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤一，在玻璃衬底的一面上溅射Cr层，甩正胶，烘干，曝光，显影，湿法刻蚀Cr层，去光刻胶，甩聚酰亚胺，固化，得到双面套刻对准符号；

步骤二，在衬底的另一面上淀积Cr/Cu底层，此后步骤均在该面上进行；

步骤三，甩正胶，烘干，双面套刻曝光，显影，得到底层线圈图形；电镀底层线圈；甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影，电镀铜连接导体；甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影，电镀引脚；去除光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层；

步骤四，甩聚酰亚胺，烘干固化，抛光聚酰亚胺；

步骤五，溅射Ti保护层；粘结软磁合金薄带，所述软磁合金薄带为铁基非晶纳米晶软磁合金薄带；

步骤六，甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影；刻蚀软磁合金薄带；去正胶；刻蚀Ti保护层；

步骤七，溅射Cr/Cu底层；甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影；电镀连接导体和引脚；甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影；再次电镀连接导体和引脚；去除光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层；

步骤八，甩聚酰亚胺，烘干固化，抛光；

步骤九，溅射Cr/Cu底层；甩正胶，烘干，双面套刻曝光与显影；电镀顶层线圈和引脚；去除光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层，即得到软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件。

2.根据权利要求1所述的软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法，其特征是，步骤三中，第一次甩正胶的厚度为10～20μm，随后的烘干为：90～95℃烘60分钟；第二次甩正胶的厚度为5μm，随后的烘干为：90℃烘30分钟。

3.根据权利要求1所述的软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法，其特征是，步骤三中，电镀底层线圈，厚度为10～20μm，电镀材料为铜；电镀连接导体，厚度为10μm，电镀材料为铜；电镀引脚，厚度为10μm，电镀材料为铜。

4.根据如权利要求1所述的软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法，其特征是，步骤四中，所述甩聚酰亚胺：聚酰亚胺厚度为40μm；烘干为：120～200℃之间保温3小时，然后在氩气气氛下250℃固化2小时；抛光为直到连接导体和引脚暴露为止。

5.根据权利要求1所述的软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法，其特征是，步骤五中，所述Ti保护层的厚度为20～30nm。

6.根据权利要求1所述的软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法，其特征是，步骤六中，所述刻蚀软磁合金薄带采用酸性腐蚀液刻蚀软磁合金薄带。

7.根据权利要求1所述的软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法，其特征是，步骤七中，第一次进行的甩正胶的厚度为10～20μm，随后的烘干为：90～95℃烘60分钟；第二次进行的甩正胶的厚度为15～25μm，随后的烘干为：90～95℃烘60分钟。

8.根据权利要求1所述的软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法，其特征是，步骤七中，所述电镀连接导体和引脚，厚度为10～20μm，再次电镀连接导体和引脚，厚度为15～25μm。

9.根据权利要求1所述的软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法，其特征是，所述软磁合金薄带的宽度为20～40mm，厚度为15～30μm。

10.根据权利要求1所述的软磁合金薄带磁芯螺线管微电感器件的制备方法，其特征是，所述软磁合金薄带的成分为Fe₇₃Cu₁Nb₃Si₁₃B₁₀，或者为在Fe₇₃Cu₁Nb₃Si₁₃B₁₀基础上添加V或Cr改性后得到的组分。