CN101649481A - 微弧氧化膜封孔方法 - Google Patents

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姜传华
罗勇达
何纪壮
刘伟
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Abstract

一种对微弧氧化膜进行封孔的方法，采用含有机硅树脂与稀释剂的混合物作为封孔剂，对所述微弧氧化膜进行封孔。

Description

微弧氧化膜封孔方法
技术领域
本发明是关于一种对微弧氧化膜进行封孔的方法。
背景技术
微弧氧化技术(又称等离子体氧化、阳极火花沉积、火花放电阳极沉积和表面陶瓷化等)是一种可直接在金属表面原位生长具陶瓷质感的氧化膜的技术。采用该技术生成的陶瓷氧化膜具有良好的外观及较高的硬度，因而在产品的表面装饰领域应用十分广泛。采用该技术在金属工件表面生成陶瓷氧化膜的过程中，由于高温烧结作用使得工件排出大量气体，该气体在排出时穿过工件表面形成的氧化膜，从而使该氧化膜形成诸多微孔。该诸多微孔的存在致使脏物非常容易渗入到氧化膜中且不容易擦拭干净，因此，需对该氧化膜进行封孔处理。
现有对微弧氧化膜的封孔方法多仿效于阳极氧化膜的封孔方法，如采用阳极氧化膜的封孔剂、封孔方式等。然而由于阳极氧化膜与微弧氧化膜性质的不同，孔径不一(阳极氧化膜孔径为纳米级，微弧氧化膜的孔径为微米级)，仿效于阳极氧化膜的封孔方法难以达到对微弧氧化膜良好的封孔效果，甚至还会破坏微弧氧化膜特有的陶瓷质感。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种效果好的对微弧氧化膜进行封孔的方法。
一种对微弧氧化膜进行封孔的方法，采用含有机硅树脂与稀释剂的混合物作为封孔剂，对所述微弧氧化膜进行封孔。
本发明采用含有机硅树脂与稀释剂的混合物作为封孔剂对微弧氧化膜进行封孔，封孔过程中封孔剂渗透吸附到微弧氧化膜的微孔中，封孔后并可在所述氧化膜上形成一薄的封孔剂膜层，其封孔效果好，且不会影响微弧氧化膜的硬度及其特有的陶瓷质感。
具体实施方式
本发明较佳实施方式对微弧氧化膜进行封孔的方法采用含有机硅树脂与稀释剂的混合物作为封孔剂，采用涂抹的方式对氧化膜进行封孔，封孔过程中封孔剂渗透吸附到氧化膜的微孔中，封孔后封孔剂在氧化膜表面形成一薄膜层。所述有机硅树脂优选为高含氢硅油，所述稀释剂可为有机溶剂，如异丙醇、甲苯、二甲苯和丙酮中的一种或多种的混合物。所述有机硅树脂与稀释剂的质量比可为1～2∶0.5～1.5。所述封孔剂在氧化膜表面形成的膜层厚度在1～2μm之间。
具体实施方式如下：
实施例1：选取一铝合金工件，该工件表面形成有微弧氧化膜，该氧化膜的表面粗糙度为1.35μm。将高含氢硅油、二甲苯以1∶1的质量比混合均匀后作为封孔剂。采用该封孔剂对所述氧化膜进行均匀涂抹，涂抹后将该工件在室温(约20℃)下静置5～10分钟，待封孔剂渗透吸附到氧化膜的微孔中饱和后，用干的无尘布将氧化膜表面上多余的封孔剂除去，再将所述氧化膜于100℃下烘烤60分钟即可。封孔后所述封孔剂在氧化膜上形成的膜层厚度约为1.2μm，封孔后氧化膜的表面粗糙度为1.35μm，硬度为1100HV。封孔后的氧化膜可通过耐脏污测试。
实施例2：选取一铝合金工件，该工件表面形成有微弧氧化膜，该氧化膜的表面粗糙度为1.35μm。将高含氢硅油、二甲苯以2∶1的质量比混合均匀后作为封孔剂。采用该封孔剂对所述氧化膜进行均匀涂抹，涂抹后将该工件在室温(约20℃)下静置5～10分钟，待封孔剂渗透吸附到氧化膜的微孔中饱和后，用干的无尘布将工件表面的氧化膜上多余的封孔剂除去，再将所述氧化膜于100℃下烘烤60分钟即可。封孔后所述封孔剂在氧化膜上形成的膜层厚度约为1.5μm，封孔后氧化膜的表面粗糙度为1.35μm，硬度为1050HV。封孔后的氧化膜可通过耐脏污测试。
本发明对微弧氧化膜进行封孔的方法适用于铝合金、镁合金或钛合金等轻金属表面形成的微弧氧化膜。
本发明采用含有机硅树脂与稀释剂的混合物作为封孔剂对微弧氧化膜进行涂抹吸附封孔，封孔过程中封孔剂渗透吸附到氧化膜的微孔中，封孔后在所述氧化膜上形成薄的封孔剂膜层，其封孔效果好，且不会影响微弧氧化膜的硬度及其特有的陶瓷质感。

Claims (6)

1.一种对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：采用含有机硅树脂与稀释剂的混合物作为封孔剂，对所述微弧氧化膜进行封孔。
2.如权利要求1所述的对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：所述有机硅树脂为高含氢硅油。
3.如权利要求2所述的对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：所述稀释剂为异丙醇、甲苯、二甲苯、丙酮中的一种或多种的混合物。
4.如权利要求3所述的对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：所述高含氢硅油、稀释剂的质量比为1～2∶0.5～1.5。
5.如权利要求1所述的对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：所述对微弧氧化膜进行封孔采用涂抹吸附的方式。
6.如权利要求1所述的对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：封孔后所述封孔剂在微弧氧化膜表面形成一膜层，该膜层的厚度为1～2μm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102330139A (zh) * 2011-10-27 2012-01-25 中国船舶重工集团公司第十二研究所 微弧氧化陶瓷膜的封闭处理方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3720543A (en) * 1971-04-12 1973-03-13 Corning Glass Works Coated porous ceramic article and method of making

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102330139A (zh) * 2011-10-27 2012-01-25 中国船舶重工集团公司第十二研究所 微弧氧化陶瓷膜的封闭处理方法
CN104962974A (zh) * 2015-06-11 2015-10-07 宁波敏实汽车零部件技术研发有限公司 一种耐碱耐蚀铝合金表面复合涂层及工艺

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PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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